JPH05136191A - 半導体素子樹脂封止用金型 - Google Patents
半導体素子樹脂封止用金型Info
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子樹脂封止用金型において、封止樹
脂内に空気溜りが生じないように樹脂封止できるように
する。 【構成】 キャビティ部に、樹脂の流れを制御する抵抗
手段、例えば凸起を設けることにより注入樹脂の流動性
の均一化を図る。
脂内に空気溜りが生じないように樹脂封止できるように
する。 【構成】 キャビティ部に、樹脂の流れを制御する抵抗
手段、例えば凸起を設けることにより注入樹脂の流動性
の均一化を図る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子樹脂封止用
金型、特に半導体素子を封止する封止樹脂内に空気溜り
（樹脂未充填部分）が生じないように樹脂封止できる半
導体素子樹脂封止用金型に関する。
金型、特に半導体素子を封止する封止樹脂内に空気溜り
（樹脂未充填部分）が生じないように樹脂封止できる半
導体素子樹脂封止用金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、一般にトラン
スファーモールド法により樹脂封止が行われる。そし
て、トランスファーモールド法による樹脂封止を行うに
は金型を用いる必要がある。
スファーモールド法により樹脂封止が行われる。そし
て、トランスファーモールド法による樹脂封止を行うに
は金型を用いる必要がある。
【０００３】図５は従来用いられた半導体素子樹脂封止
用金型を示すものである。図において、１は金型の下
型、２は上型、３はキャビティ部、４、４は封止樹脂、
５はカル、６はランナ、７はプランジャである。尚、図
５においては樹脂封止された半導体素子は便宜上図示し
なかった。図５に示すように、従来の半導体素子樹脂封
止用金型においては、キャビティ部３の封止樹脂４の上
下両面と対応する部分は平坦にされていた。
用金型を示すものである。図において、１は金型の下
型、２は上型、３はキャビティ部、４、４は封止樹脂、
５はカル、６はランナ、７はプランジャである。尚、図
５においては樹脂封止された半導体素子は便宜上図示し
なかった。図５に示すように、従来の半導体素子樹脂封
止用金型においては、キャビティ部３の封止樹脂４の上
下両面と対応する部分は平坦にされていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導
体素子樹脂封止用金型を用いた場合、出来た樹脂封止型
半導体装置には封止樹脂内に「空気溜り」等と称される
樹脂未充填部分が生じることが多く、歩留りが悪くなる
という問題があった。そして、その空気溜りの発生原因
は、封止樹脂の半導体チップよりも上の部分と下の部分
との間に厚さの差があることにあった。即ち、このよう
な差があると薄い部分では樹脂注入をするときの流動性
が低くなり、樹脂の進行速度が遅くなるのに対して、厚
い部分では樹脂の流動性が高くなり樹脂の進行速度が速
くなる。そのため、樹脂の進行速度の速い部分が樹脂の
進行速度の遅い部分に溢れて遅く進行する樹脂の前方を
塞ぎ、進行速度の遅い樹脂の進入を阻むのでその間に未
注入の空間が生じてしまうという現象が生じ、その空間
が空気溜りとなるのである。
体素子樹脂封止用金型を用いた場合、出来た樹脂封止型
半導体装置には封止樹脂内に「空気溜り」等と称される
樹脂未充填部分が生じることが多く、歩留りが悪くなる
という問題があった。そして、その空気溜りの発生原因
は、封止樹脂の半導体チップよりも上の部分と下の部分
との間に厚さの差があることにあった。即ち、このよう
な差があると薄い部分では樹脂注入をするときの流動性
が低くなり、樹脂の進行速度が遅くなるのに対して、厚
い部分では樹脂の流動性が高くなり樹脂の進行速度が速
くなる。そのため、樹脂の進行速度の速い部分が樹脂の
進行速度の遅い部分に溢れて遅く進行する樹脂の前方を
塞ぎ、進行速度の遅い樹脂の進入を阻むのでその間に未
注入の空間が生じてしまうという現象が生じ、その空間
が空気溜りとなるのである。
【０００５】そこで、封止樹脂の半導体チップよりも上
の部分と下の部分との間に厚さの差をなくす技術が開発
され、そこで、封止樹脂の半導体チップよりも上の部分
と下の部分との間に厚さの差をなくすことが特開平２−
８３９６１号公報により提案された。しかしながら、特
開平２−８３９６１号公報に示す技術によっても空気溜
りの生じることを完全に防止することはできなかった。
というのは、半導体素子の上下の部分と、リードの上下
の部分とでは封止樹脂の厚さが異なり、前者よりも後者
の方が厚い。そのため、樹脂注入時における注入樹脂の
流動性に差が生じ、換言すれば、注入される樹脂が受け
る抵抗に差が生じ、その結果、空気溜りが生じることは
避け得なかった。図５はかかる問題点を説明するところ
の上型を取って示す平面図であり、８は半導体素子、９
は封止樹脂４に生じた空気溜りである。
の部分と下の部分との間に厚さの差をなくす技術が開発
され、そこで、封止樹脂の半導体チップよりも上の部分
と下の部分との間に厚さの差をなくすことが特開平２−
８３９６１号公報により提案された。しかしながら、特
開平２−８３９６１号公報に示す技術によっても空気溜
りの生じることを完全に防止することはできなかった。
というのは、半導体素子の上下の部分と、リードの上下
の部分とでは封止樹脂の厚さが異なり、前者よりも後者
の方が厚い。そのため、樹脂注入時における注入樹脂の
流動性に差が生じ、換言すれば、注入される樹脂が受け
る抵抗に差が生じ、その結果、空気溜りが生じることは
避け得なかった。図５はかかる問題点を説明するところ
の上型を取って示す平面図であり、８は半導体素子、９
は封止樹脂４に生じた空気溜りである。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、半導体素子を封止する封止樹脂内に
空気溜り（樹脂未充填部分）が生じないように樹脂封止
できる半導体素子樹脂封止用金型を提供することを目的
とする。
されたものであり、半導体素子を封止する封止樹脂内に
空気溜り（樹脂未充填部分）が生じないように樹脂封止
できる半導体素子樹脂封止用金型を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明半導体素子樹脂封
止用金型は、キャビティ部に樹脂の流れを制御する抵抗
手段を設けたことを特徴とする。
止用金型は、キャビティ部に樹脂の流れを制御する抵抗
手段を設けたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明半導体素子樹脂封止用金型によれば、注
入される樹脂の流動性の高い部分の流動性を、樹脂の流
れを制御する抵抗手段によって低くすることができ、延
いては注入される樹脂の流動性の均一化を図ることがで
きる。依って、注入樹脂の流動性の不均一性に起因して
生じていたところの封止樹脂の中の空気溜りをなくすこ
とができる。
入される樹脂の流動性の高い部分の流動性を、樹脂の流
れを制御する抵抗手段によって低くすることができ、延
いては注入される樹脂の流動性の均一化を図ることがで
きる。依って、注入樹脂の流動性の不均一性に起因して
生じていたところの封止樹脂の中の空気溜りをなくすこ
とができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明半導体素子樹脂封止用金型を図
示実施例に従って詳細に説明する。図１は本発明半導体
素子樹脂封止用金型の一つの実施例を示すものである。
尚、本半導体素子樹脂封止用金型は、図５に示した半導
体素子樹脂封止用金型とは樹脂の流れを制御する抵抗手
段である凸部を有する点で大きく異なるがそれ以外の点
では共通し、その共通する点については既に説明済みな
ので図５において使用したのと同一の符号を付して説明
を省略する。
示実施例に従って詳細に説明する。図１は本発明半導体
素子樹脂封止用金型の一つの実施例を示すものである。
尚、本半導体素子樹脂封止用金型は、図５に示した半導
体素子樹脂封止用金型とは樹脂の流れを制御する抵抗手
段である凸部を有する点で大きく異なるがそれ以外の点
では共通し、その共通する点については既に説明済みな
ので図５において使用したのと同一の符号を付して説明
を省略する。
【００１０】１０、１０、…は下型１、上型２のキャビ
ティ部３に設けた樹脂の流れを制御する抵抗手段たる凸
部である。該凸部１０、１０、…は注入される樹脂の流
動性の高くなっていた部分、即ち封止樹脂４の厚くなる
部分に、注入方向に沿って所定の間隔を描いて配置され
ている。
ティ部３に設けた樹脂の流れを制御する抵抗手段たる凸
部である。該凸部１０、１０、…は注入される樹脂の流
動性の高くなっていた部分、即ち封止樹脂４の厚くなる
部分に、注入方向に沿って所定の間隔を描いて配置され
ている。
【００１１】このような半導体素子樹脂封止用金型を用
いて樹脂封止を封止をした場合には、注入される樹脂の
流動性の高くなる筈の部分、即ち封止樹脂の厚くなるリ
ード側の部分の樹脂の流動性を、凸部１３、１３、…に
より流動性が低下せしめられることにより、もともと注
入される樹脂の流動性の低い部分、即ち、半導体素子の
ある部分の樹脂の流動性と略同程度にすることができ、
延いてはキャビティ部３においての樹脂の流動性が略均
一にできる。
いて樹脂封止を封止をした場合には、注入される樹脂の
流動性の高くなる筈の部分、即ち封止樹脂の厚くなるリ
ード側の部分の樹脂の流動性を、凸部１３、１３、…に
より流動性が低下せしめられることにより、もともと注
入される樹脂の流動性の低い部分、即ち、半導体素子の
ある部分の樹脂の流動性と略同程度にすることができ、
延いてはキャビティ部３においての樹脂の流動性が略均
一にできる。
【００１２】従って、図２に示すように、注入される樹
脂は略均一な速度で進行し、従来において生じたところ
の樹脂の進行速度の速い部分が樹脂の進行速度の遅い部
分の前方に溢れて遅く進行する樹脂の進入を阻むのでそ
の間に未注入の空間が生じてしまうという現象が生じな
くなる。依って、封止樹脂４内に空気溜り９が生じるこ
とを防止できる。尚、図２において、曲線１１ａ、１１
ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅは注入される樹脂の先頭部
分の位置の時間的変化（ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ）を示す。
図３は樹脂封止を終えた半導体装置を示す断面図であ
る。同図において、１２はダイパッド、１３は半導体素
子、１４はリード、１５はコネクトワイヤである。１
６、１６、…は金型１、２のキャビティ部３の凸部１
０、１０、…によって生じた凹部である。
脂は略均一な速度で進行し、従来において生じたところ
の樹脂の進行速度の速い部分が樹脂の進行速度の遅い部
分の前方に溢れて遅く進行する樹脂の進入を阻むのでそ
の間に未注入の空間が生じてしまうという現象が生じな
くなる。依って、封止樹脂４内に空気溜り９が生じるこ
とを防止できる。尚、図２において、曲線１１ａ、１１
ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅは注入される樹脂の先頭部
分の位置の時間的変化（ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ）を示す。
図３は樹脂封止を終えた半導体装置を示す断面図であ
る。同図において、１２はダイパッド、１３は半導体素
子、１４はリード、１５はコネクトワイヤである。１
６、１６、…は金型１、２のキャビティ部３の凸部１
０、１０、…によって生じた凹部である。
【００１３】図４（Ａ）乃至（Ｃ）は樹脂の流れを制御
する抵抗手段の各別の例を示すもので、（Ａ）は凸部１
０、１０、…の配置密度を樹脂注入方向に沿って奥に行
く程高くした例を示す。即ち、図１、図２に示した実施
例は、凸部１０、１０、…の配置密度を樹脂注入方向に
沿って均等になるようにしたものであるが、必ずしもそ
のようにすることは必要ではなく、図４（Ａ）に示すよ
うに配置密度を変化させても良い。このように凸部１
０、１０、…の配置密度を変化させた場合には、注入口
側で疎にし、奥に行く程密にした方が、注入される樹脂
の進行速度の差の低減に有効である。
する抵抗手段の各別の例を示すもので、（Ａ）は凸部１
０、１０、…の配置密度を樹脂注入方向に沿って奥に行
く程高くした例を示す。即ち、図１、図２に示した実施
例は、凸部１０、１０、…の配置密度を樹脂注入方向に
沿って均等になるようにしたものであるが、必ずしもそ
のようにすることは必要ではなく、図４（Ａ）に示すよ
うに配置密度を変化させても良い。このように凸部１
０、１０、…の配置密度を変化させた場合には、注入口
側で疎にし、奥に行く程密にした方が、注入される樹脂
の進行速度の差の低減に有効である。
【００１４】図４（Ｂ）は凸部１０の断面形状を矩形で
はなく、台形にしたものを示す。このように、凸部１０
の断面形状は矩形ではない形状にしても良く、図４
（Ｂ）に示すように台形にしても良いし、例えば円形に
しても良い等種々のバリエーションが考えられ得る。図
４（Ｃ）は凸部１０の高さを不均一にしたものであり、
本発明はこのような態様でも実施することができる。こ
のように、本発明は種々の態様で実施することができ
る。
はなく、台形にしたものを示す。このように、凸部１０
の断面形状は矩形ではない形状にしても良く、図４
（Ｂ）に示すように台形にしても良いし、例えば円形に
しても良い等種々のバリエーションが考えられ得る。図
４（Ｃ）は凸部１０の高さを不均一にしたものであり、
本発明はこのような態様でも実施することができる。こ
のように、本発明は種々の態様で実施することができ
る。
【００１５】
【発明の効果】本発明半導体素子樹脂封止用金型は、キ
ャビティ部に樹脂の流れを制御する抵抗手段を設けたこ
とを特徴とするものである。従って、本発明半導体素子
樹脂封止用金型によれば、注入される樹脂の流動性の高
い部分の流動性を、樹脂の流れを制御する抵抗手段によ
って低くすることができ、延いては注入される樹脂の流
動性の均一化を図ることができる。依って、注入樹脂の
流動性の不均一性に起因して生じていたところの封止樹
脂中の空気溜りの発生をなくすことができる。
ャビティ部に樹脂の流れを制御する抵抗手段を設けたこ
とを特徴とするものである。従って、本発明半導体素子
樹脂封止用金型によれば、注入される樹脂の流動性の高
い部分の流動性を、樹脂の流れを制御する抵抗手段によ
って低くすることができ、延いては注入される樹脂の流
動性の均一化を図ることができる。依って、注入樹脂の
流動性の不均一性に起因して生じていたところの封止樹
脂中の空気溜りの発生をなくすことができる。
【図１】本発明半導体素子樹脂封止用金型の一つの実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】上記実施例における樹脂の流れを示す平面図で
ある。
ある。
【図３】図１の実施例の金型を用いて樹脂封止された樹
脂封止型半導体装置の断面図である。
脂封止型半導体装置の断面図である。
【図４】（Ａ）乃至（Ｃ）は樹脂の流れを制御する抵抗
手段の各別の変形例を示す図である。
手段の各別の変形例を示す図である。
【図５】従来例の断面図である。
【図６】発明が解決しようとする問題点を示す断面図で
ある。
ある。
１、２ 半導体素子樹脂封止用金型 ３ キャビティ部 ４ 樹脂 １０ 樹脂の流れを制御する抵抗手段（凸部）
Claims (1)
- 【請求項１】 キャビティ部に樹脂の流れを制御する抵
抗手段を設けたことを特徴とする半導体素子樹脂封止用
金型
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3326463A JPH05136191A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体素子樹脂封止用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3326463A JPH05136191A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体素子樹脂封止用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136191A true JPH05136191A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=18188093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3326463A Pending JPH05136191A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | 半導体素子樹脂封止用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001088173A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | 液晶ポリエステル樹脂からなる成形体の製造方法及びコネクタ部品の製造方法 |
| JP2008112924A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP3326463A patent/JPH05136191A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001088173A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Sumitomo Chem Co Ltd | 液晶ポリエステル樹脂からなる成形体の製造方法及びコネクタ部品の製造方法 |
| JP2008112924A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
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