JPS5923525A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5923525A
JPS5923525A JP13198082A JP13198082A JPS5923525A JP S5923525 A JPS5923525 A JP S5923525A JP 13198082 A JP13198082 A JP 13198082A JP 13198082 A JP13198082 A JP 13198082A JP S5923525 A JPS5923525 A JP S5923525A
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JP
Japan
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resin
gate
lead
package
distance
Prior art date
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Pending
Application number
JP13198082A
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English (en)
Inventor
Akira Suzuki
明 鈴木
Fujio Ito
富士夫 伊藤
Takafumi Nishida
隆文 西田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP13198082A priority Critical patent/JPS5923525A/ja
Publication of JPS5923525A publication Critical patent/JPS5923525A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はトランスファまたはインジェクション成形する
レジンモールド型の半導体装置に関するものである。
トランスファまたはインジェクション成形によって形成
されるレジンモールド型のパッケージでは、成形時に発
生するボイドが重要な問題となる。
例えばＭ′４．１図に示すリードフレーム１に半導体素
子ベレット２を搭載してこれをレジンモールドする場合
、キャピテイ３の一側に形成したレジン圧入用のゲート
４と、このゲート４に最も近いリード５との距離、Ｃの
大きさによって異なるボイド現象が発生する。即ち、第
２図に示すように、ゲート直前のサブランナが角度を有
するだめゲート４とリード５との距離ｌが太きいときに
は同図上側にレジンが供給され易く、Ａの方向のレジン
はリード５に当たってから充ガ１されるため図示のよう
なボイドＸ、がゲート４の下側に形成される。寸だ、距
離ｐが小さいときには同図Ｂ方向のレジンの流れによυ
リード５の上側が陰になり、ここに空気がトラップされ
てボイドＸ、となシ、最終的にはそのボイドが潰れてレ
ジンとリード界面との隙間となる。このようなボイドや
隙間が形成されると耐湿性が低下し、リード等に腐蝕が
生じることになる。
したがって本発明の目的は、レジンモールドパッケージ
内へのボイドやリード界面の隙間を防止して信頼性の高
いパッケージの半導体装置を４是供することにある。
この目的を達成するために本発明はゲートとリードとの
距離を０．９〜ｌ、　ｌ　ｖｔｘに設定するものである
。
即ち、本発明者がゲートとリードとの距離ｌを種々に変
化させてレジンモールドを行なりだところ、第３図に示
す特性が得られた。これによると、石が略１　ａｎｔｉ
より小さくなるとリード界面におけるレジンとの隙間が
急激に増加する。また、Ｊが１罷よシも大きくなるとゲ
ート近傍のボイドが漸増することが判る。更に、同時に
レジンによるクプの圧さ方向の変形を検討したところ、
第４図に示すようにτが１ｔｎｍ近傍でタブの変形が零
に近いことが判明した。
したがって、本発明にあってはゲートと、ゲートに最も
近いリードとの距離看を０．９〜１．１　ｒｎｍに設定
しているのである。
しかしながら、現在の半導体装置では前記看は製品外形
上から一義的に決定されるため、この寸法を確保出来な
い。
第５図（５）、（Ｂ）はり一ド５のインナリード６をア
ウタリード７に対して幅方向にずらして１寸法を確保す
る。また、第６図（５）、（Ｂ）はインナリード６の幅
寸法を増減して１寸法を設定する。この−ＪＪう合。
第７図（Ａ）　、　（Ｂ）のようにインナリード６のゲ
ート対向部位に突部８や凹部９を形成するようにしても
よい。これらの突部や凹部は、第８同図、　（Ｂ）のよ
うに半円形の突部８Ａや凹部９Ａであってもよい。
更に第９図のようにインナリード６の一側にダミーリー
ド１０を設けるようにしてもよい。
以上のように本発明の半導体装置はゲートとリードとの
距ＩＶ１６−ｇを０．９〜１．１鶴に設定したので、パ
ッケージ内へのボイドやリード界面のレジン隙゛間の両
方を同時に防止してパッケージの耐湿性を向上すること
ができ、かつ一方ではタブの変形を防止する等して信頼
性を向上することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図はレジンモールドパッケージをｍ　［１１１スる
ためのリード平面図、 第２図は従来の不具合を説明するだめの縦断面図、 第３図および第４図は１寸法に対する特性図、第４図な
いし第１０図は本発明に係るリードの平面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ベレット、３・・・
キャピテイ、４・・・ゲート、５・・・リード、６・・
・インナリード、７・・・アウタリード、８・・・突起
、９・・・凹部、１０・・・ダミーリード、１１・・・
穴、）・・・ゲートとリードの距離。 ９６ 第　　５　　図 第　　６　　図 第　　７　図 第　　８　　図 第　　９　　図 第１　Ｏ図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、トランスファまたはインジェクション成形しだレジ
    ンパッケージを有する半導体装置において、パッケージ
    の成形時にレジンを圧送する成形型のゲートと、このゲ
    ートに最も近いリードとの距離を０．９〜１．１　ｇｒ
    ｎに設定したことを特徴とする半導体装置。
JP13198082A 1982-07-30 1982-07-30 半導体装置 Pending JPS5923525A (ja)

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JP13198082A JPS5923525A (ja) 1982-07-30 1982-07-30 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP13198082A JPS5923525A (ja) 1982-07-30 1982-07-30 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5923525A true JPS5923525A (ja) 1984-02-07

Family

ID=15070727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13198082A Pending JPS5923525A (ja) 1982-07-30 1982-07-30 半導体装置

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