JPH05243474A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05243474A JPH05243474A JP4251492A JP4251492A JPH05243474A JP H05243474 A JPH05243474 A JP H05243474A JP 4251492 A JP4251492 A JP 4251492A JP 4251492 A JP4251492 A JP 4251492A JP H05243474 A JPH05243474 A JP H05243474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- semiconductor chip
- leads
- semiconductor device
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップ上に重複する電源電極または接地
電極をパッケージ内部で接続することによってリード数
を低減させ、従来よりも外形寸法の小さなパッケージに
よって半導体チップが封止される半導体装置を提供する
ことである。 【構成】半導体チップ20上に形成されている電極の中
で、接地用の複数の電極をボンディングワイヤ24,24,
…によってベット21の外周部22に接続する。外周部22か
ら延びている吊りピン26,26,…の一部を樹脂パッケー
ジ27の裏面に露出するように押し下げて裏面露出部28,
28,…を形成する。半導体チップ20上の残りの電極をボ
ンディングワイヤ24,24,…によってリード25,25,…
に接続する。
電極をパッケージ内部で接続することによってリード数
を低減させ、従来よりも外形寸法の小さなパッケージに
よって半導体チップが封止される半導体装置を提供する
ことである。 【構成】半導体チップ20上に形成されている電極の中
で、接地用の複数の電極をボンディングワイヤ24,24,
…によってベット21の外周部22に接続する。外周部22か
ら延びている吊りピン26,26,…の一部を樹脂パッケー
ジ27の裏面に露出するように押し下げて裏面露出部28,
28,…を形成する。半導体チップ20上の残りの電極をボ
ンディングワイヤ24,24,…によってリード25,25,…
に接続する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、多ピンQFPのパッ
ケージ構造に係り、特にASIC製品等、接地端子や電
源端子が複数必要なパッケージに関する。
ケージ構造に係り、特にASIC製品等、接地端子や電
源端子が複数必要なパッケージに関する。
【0002】
【従来の技術】ゲートアレイやスーパーインテグレーシ
ョン等のASIC製品に使用される半導体チップ上に形
成されている電極は100〜300程度と多い。図4は
電極の多い半導体チップをQFP(Quad Flat Package
)に納めた場合の概略を示している。図において、半
導体チップ10はベット11上に接着固定されている。半導
体チップ10上には電極が複数形成されており、それぞれ
はボンディングワイヤ12,12,…によってリード13,1
3,…に接続されている。そして、リード13,13,…の
アウターリード部を除き、樹脂パッケージ14により封止
されている。
ョン等のASIC製品に使用される半導体チップ上に形
成されている電極は100〜300程度と多い。図4は
電極の多い半導体チップをQFP(Quad Flat Package
)に納めた場合の概略を示している。図において、半
導体チップ10はベット11上に接着固定されている。半導
体チップ10上には電極が複数形成されており、それぞれ
はボンディングワイヤ12,12,…によってリード13,1
3,…に接続されている。そして、リード13,13,…の
アウターリード部を除き、樹脂パッケージ14により封止
されている。
【0003】ところで、半導体チップ10上に形成される
回路の設計上の都合により、上記電極の中には電源電極
と接地電極が重複して含まれている。通常、この重複し
ている電源電極または接地電極は上記ボンディングワイ
ヤ12,12,…とリード13,13,…を介してパッケージ14
外部の同一の電源配線15または接地配線16に接続され
る。
回路の設計上の都合により、上記電極の中には電源電極
と接地電極が重複して含まれている。通常、この重複し
ている電源電極または接地電極は上記ボンディングワイ
ヤ12,12,…とリード13,13,…を介してパッケージ14
外部の同一の電源配線15または接地配線16に接続され
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記のように電源電極
および接地電極の重複によりリードも重複するため、リ
ード数が多くなって樹脂パッケージの外形寸法が大きく
なっている。また、回路構成が複雑になるにつれ、半導
体チップ上の電極数も多くなるので、さらにリード数の
多い外形寸法の大きい樹脂パッケージを使用しなければ
ならなくなる。
および接地電極の重複によりリードも重複するため、リ
ード数が多くなって樹脂パッケージの外形寸法が大きく
なっている。また、回路構成が複雑になるにつれ、半導
体チップ上の電極数も多くなるので、さらにリード数の
多い外形寸法の大きい樹脂パッケージを使用しなければ
ならなくなる。
【0005】この発明は上記の事情を考慮してなされた
ものであり、その目的は半導体チップ上に重複する電源
電極または接地電極をパッケージ内部で接続することに
よってリード数を低減させ、従来よりも外形寸法の小さ
なパッケージによって半導体チップが封止される半導体
装置を提供することである。
ものであり、その目的は半導体チップ上に重複する電源
電極または接地電極をパッケージ内部で接続することに
よってリード数を低減させ、従来よりも外形寸法の小さ
なパッケージによって半導体チップが封止される半導体
装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明による半導体装
置は半導体チップ上の複数の接地あるいは電源電極が金
属細線により接続されたベットと、上記半導体チップを
封止する樹脂パッケージと、一部が上記樹脂パッケージ
の一方の主表面に露出し、上記ベットと連続する吊りピ
ンとを具備することを特徴とする。
置は半導体チップ上の複数の接地あるいは電源電極が金
属細線により接続されたベットと、上記半導体チップを
封止する樹脂パッケージと、一部が上記樹脂パッケージ
の一方の主表面に露出し、上記ベットと連続する吊りピ
ンとを具備することを特徴とする。
【0007】
【作用】樹脂パッケージ側面から出ているリードから接
地あるいは電源用のリードを無くする作用がある。
地あるいは電源用のリードを無くする作用がある。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図1の(a)はこの発明の第1の実施例に
係る半導体装置の概略を示す図である。この半導体装置
はいわゆるQFP(Quad Flat Package )にこの発明を
実施したものである。図1の(b)は(a)中のI−I
線に沿った断面図である。図において、20は半導体チッ
プであり、ベット21にマウントペーストを使って接着固
定されている。ベット21の外周部22が上記マウントペー
スから発生するガスに汚染されないように、ベット21の
半導体チップ搭載位置と外周部22との間にスリット23,
23,…が開けられている。上記半導体チップ20上には電
極が複数形成されており、この中の接地用電極となって
いるもの以外はボンディングワイヤ24,24,…によりリ
ード25,25,…に接続されている。そして、複数の接地
用電極は外周部22にボンディングワイヤ24,24,…にっ
て接続されている。外周部22からは吊りピン26,26,…
が次に説明する樹脂パッケージ27の外周まで延びてい
る。吊りピン26,26,…の上記外周部22からほぼ3/4
の位置に相当する部分は樹脂パッケージ27の裏面に露出
する深さまで押し下げられ、裏面露出部28,28,…が形
成されている。樹脂パッケージ27はリード25,25,…の
アウターリード部を除いて符号20〜26を付して説明した
ものを封止している。
り説明する。図1の(a)はこの発明の第1の実施例に
係る半導体装置の概略を示す図である。この半導体装置
はいわゆるQFP(Quad Flat Package )にこの発明を
実施したものである。図1の(b)は(a)中のI−I
線に沿った断面図である。図において、20は半導体チッ
プであり、ベット21にマウントペーストを使って接着固
定されている。ベット21の外周部22が上記マウントペー
スから発生するガスに汚染されないように、ベット21の
半導体チップ搭載位置と外周部22との間にスリット23,
23,…が開けられている。上記半導体チップ20上には電
極が複数形成されており、この中の接地用電極となって
いるもの以外はボンディングワイヤ24,24,…によりリ
ード25,25,…に接続されている。そして、複数の接地
用電極は外周部22にボンディングワイヤ24,24,…にっ
て接続されている。外周部22からは吊りピン26,26,…
が次に説明する樹脂パッケージ27の外周まで延びてい
る。吊りピン26,26,…の上記外周部22からほぼ3/4
の位置に相当する部分は樹脂パッケージ27の裏面に露出
する深さまで押し下げられ、裏面露出部28,28,…が形
成されている。樹脂パッケージ27はリード25,25,…の
アウターリード部を除いて符号20〜26を付して説明した
ものを封止している。
【0009】上記実施例の樹脂封止型半導体装置におい
ては、半導体チップ20上に形成されている複数の接地用
の電極が吊りピン26により樹脂パッケージ27の外部に導
出されている。このため、従来は接地用としていたリー
ドを減らすことができる。したがって、同一の半導体チ
ップを封止するのに従来よりも外形寸法の小さい樹脂パ
ッケージを製造できるようになった。換言すれば、任意
の外形寸法の樹脂パッケージにおいて、従来よりも電極
数の多い半導体チップを封止できるようになった。な
お、上記半導体装置においては上記外周部22に接続する
電極を接地用としているが、電源用とすることも可能で
ある。
ては、半導体チップ20上に形成されている複数の接地用
の電極が吊りピン26により樹脂パッケージ27の外部に導
出されている。このため、従来は接地用としていたリー
ドを減らすことができる。したがって、同一の半導体チ
ップを封止するのに従来よりも外形寸法の小さい樹脂パ
ッケージを製造できるようになった。換言すれば、任意
の外形寸法の樹脂パッケージにおいて、従来よりも電極
数の多い半導体チップを封止できるようになった。な
お、上記半導体装置においては上記外周部22に接続する
電極を接地用としているが、電源用とすることも可能で
ある。
【0010】図2はこの発明の第2の実施例に係る半導
体装置の概略を示す図であり、図3はこの半導体装置を
実装するプリント基板側より見た図である。上記図1と
対応する箇所には同じ符号を付して説明する。図におい
て、隣り合う2本の吊りピン26,26の間のリード25,2
5,…の中で、一方の吊りピン26に最も近いリード30の
インナーリード部は外周部22に沿って他方の吊りピン26
まで延びており、そこからさらにその吊りピン26の中間
部まで延びている。そして、このインナーリード部は吊
りピン26の裏面露出部28とほぼ同じ位置で裏面露出部28
と同じ深さまで押し下げられ、裏面露出部31が形成され
ている。このインナーリード部で上記外周部22に沿った
部分に半導体チップ20上の複数の電源用電極がボンディ
ングワイヤ24,24,…によって接続されている。半導体
チップ20上の複数の接地用電極は外周部22にボンディン
グワイヤ24,24,…により接続されている。そして、半
導体チップ20上の残りの信号用の電極はボンディングワ
イヤ24,24,…によってリード25,25,…に接続されて
いる。リード25,25,…とリード30,30,…のインナー
リード部はテープ32によって吊りピン28,28,…のほぼ
中間部に固定されている。その他の構成は前記図1の半
導体装置と同じである。
体装置の概略を示す図であり、図3はこの半導体装置を
実装するプリント基板側より見た図である。上記図1と
対応する箇所には同じ符号を付して説明する。図におい
て、隣り合う2本の吊りピン26,26の間のリード25,2
5,…の中で、一方の吊りピン26に最も近いリード30の
インナーリード部は外周部22に沿って他方の吊りピン26
まで延びており、そこからさらにその吊りピン26の中間
部まで延びている。そして、このインナーリード部は吊
りピン26の裏面露出部28とほぼ同じ位置で裏面露出部28
と同じ深さまで押し下げられ、裏面露出部31が形成され
ている。このインナーリード部で上記外周部22に沿った
部分に半導体チップ20上の複数の電源用電極がボンディ
ングワイヤ24,24,…によって接続されている。半導体
チップ20上の複数の接地用電極は外周部22にボンディン
グワイヤ24,24,…により接続されている。そして、半
導体チップ20上の残りの信号用の電極はボンディングワ
イヤ24,24,…によってリード25,25,…に接続されて
いる。リード25,25,…とリード30,30,…のインナー
リード部はテープ32によって吊りピン28,28,…のほぼ
中間部に固定されている。その他の構成は前記図1の半
導体装置と同じである。
【0011】第2の実施例の樹脂封止型半導体装置にお
いても、半導体チップ20上に形成されている複数の接地
用の電極が吊りピン26により外部に導出されている。さ
らにこの実施例では4本あるリード30,30,…それぞれ
に半導体チップ20上の複数の電源用の電極が接続されて
いる。このため、従来は接地用としていたリードを減ら
すことができる他に、複数あった電源用リードを4本に
減らすことができる。
いても、半導体チップ20上に形成されている複数の接地
用の電極が吊りピン26により外部に導出されている。さ
らにこの実施例では4本あるリード30,30,…それぞれ
に半導体チップ20上の複数の電源用の電極が接続されて
いる。このため、従来は接地用としていたリードを減ら
すことができる他に、複数あった電源用リードを4本に
減らすことができる。
【0012】なお、リード30,30,…はアウターリード
部によってプリント基板上の配線と接続することができ
るので、裏面露出部31は形成しなくともよい。また、リ
ード30,30,…に接地用電極を接続し、外周部22には電
源用電極を接続するようにしてもよい。
部によってプリント基板上の配線と接続することができ
るので、裏面露出部31は形成しなくともよい。また、リ
ード30,30,…に接地用電極を接続し、外周部22には電
源用電極を接続するようにしてもよい。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
半導体チップ上に重複する電源電極または接地電極をパ
ッケージ内部で接続することによってリード数を低減さ
せ、従来よりも外形寸法の小さなパッケージによって半
導体チップが封止される半導体装置を提供することがで
きる。
半導体チップ上に重複する電源電極または接地電極をパ
ッケージ内部で接続することによってリード数を低減さ
せ、従来よりも外形寸法の小さなパッケージによって半
導体チップが封止される半導体装置を提供することがで
きる。
【図1】この発明の第1の実施例に係る半導体装置の構
成の概略を示す図。
成の概略を示す図。
【図2】この発明の第2の実施例に係る半導体装置の構
成の概略を示す図。
成の概略を示す図。
【図3】この発明の第2の実施例に係る半導体装置を実
装するプリント基板側より見た図。
装するプリント基板側より見た図。
【図4】従来の半導体装置の概略を示す図。
21…ベット、22…ベットの外周部、23…スリット、25,
30…リード、26…吊りピン、28…吊りピンの裏面露出
部、31…リードの裏面露出部。
30…リード、26…吊りピン、28…吊りピンの裏面露出
部、31…リードの裏面露出部。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体チップ上の複数の電極と、 上記電極と金属細線により接続されるベットと、 上記半導体チップを封止する樹脂パッケージと、 一部が上記樹脂パッケージの一方の主表面に露出し、上
記ベットと連続する吊りピンとを具備することを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項2】 半導体チップ上の複数の電極が金属細線
により接続されているリードを具備していることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項3】 上記電極が電源または接地電極であるこ
とを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4251492A JPH05243474A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4251492A JPH05243474A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05243474A true JPH05243474A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12638184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4251492A Pending JPH05243474A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05243474A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2764115A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif semiconducteur et procede de connexion des fils internes de masse d'un tel dispositif |
KR100342811B1 (ko) * | 1996-11-28 | 2002-11-27 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 복수개의칩이내장된에어리어어레이범프드반도체패키지 |
KR100379083B1 (ko) * | 1996-11-28 | 2004-02-05 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 리드온칩에어리어어레이범프드반도체패키지 |
JP2010186831A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US8193091B2 (en) | 2002-01-09 | 2012-06-05 | Panasonic Corporation | Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN104704335A (zh) * | 2012-10-09 | 2015-06-10 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 压差传感器及其制造方法 |
US9076776B1 (en) * | 2009-11-19 | 2015-07-07 | Altera Corporation | Integrated circuit package with stand-off legs |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4251492A patent/JPH05243474A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100342811B1 (ko) * | 1996-11-28 | 2002-11-27 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 복수개의칩이내장된에어리어어레이범프드반도체패키지 |
KR100379083B1 (ko) * | 1996-11-28 | 2004-02-05 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 리드온칩에어리어어레이범프드반도체패키지 |
FR2764115A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif semiconducteur et procede de connexion des fils internes de masse d'un tel dispositif |
EP0883181A1 (fr) * | 1997-06-02 | 1998-12-09 | STMicroelectronics S.A. | Dispositif semi-conducteur et procédé de connexion des fils internes de masse d'un tel dispositif |
US8193091B2 (en) | 2002-01-09 | 2012-06-05 | Panasonic Corporation | Resin encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2010186831A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US9076776B1 (en) * | 2009-11-19 | 2015-07-07 | Altera Corporation | Integrated circuit package with stand-off legs |
CN104704335A (zh) * | 2012-10-09 | 2015-06-10 | 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 | 压差传感器及其制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4934820A (en) | Semiconductor device | |
JPH05109802A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04307943A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05243474A (ja) | 半導体装置 | |
JPS622628A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04162657A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPH05121632A (ja) | 半導体装置 | |
JP2522182B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2500310B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH01220837A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH04267549A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS629654A (ja) | 集積回路装置実装パツケ−ジ | |
JPH0637234A (ja) | 半導体装置 | |
JPH06232328A (ja) | Loc型半導体装置 | |
JP2775557B2 (ja) | テープ・キャリア・パッケージ | |
JPH04219966A (ja) | 半導体素子 | |
JPH01273343A (ja) | リードフレーム | |
JPH0222886A (ja) | 混成集積回路 | |
JP3260422B2 (ja) | Icパッケージ | |
JPH04267361A (ja) | リードレスチップキャリア | |
JPH0366150A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH05243456A (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
JPS61137334A (ja) | 半導体装置 | |
JPH06132472A (ja) | Icパッケージ | |
JPH05315529A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |