JPH04267549A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH04267549A
JPH04267549A JP3028493A JP2849391A JPH04267549A JP H04267549 A JPH04267549 A JP H04267549A JP 3028493 A JP3028493 A JP 3028493A JP 2849391 A JP2849391 A JP 2849391A JP H04267549 A JPH04267549 A JP H04267549A
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JP
Japan
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island
resin
semiconductor chip
sealing resin
chip
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JP3028493A
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English (en)
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Toshio Komiyama
込山　利男
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、図３（
ａ），（ｂ）に示すように、リードフレームのアイラン
ド７の上に半導体チップ５をマウント剤６を介して搭載
し、半導体チップ５とリード１との間を金属細線１０で
接続し、アイランド７を含む領域を封止樹脂３で封止し
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置では、半導体チップが封止樹脂で保護されて
いるだけであり、電気的なノイズの多い環境で使用する
場合、微弱な電気信号で動作している半導体素子が外来
ノイズに影響され、信号レベルの変動や誤動作を生ずる
という問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、アイランドと、前記アイランド上に搭載した
半導体チップと、前記半導体チップを含むアイランドを
封止した封止樹脂と、前記アイランドと接続し且つ前記
封止樹脂より外部に導出して折り曲げ前記封止樹脂の上
面を覆って設けたシールド板とを有する。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【０００６】図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例を示す平面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
【０００７】図１（ａ），（ｂ）に示すように、厚さ０
．１〜０．５ｍｍの金属板からなるリードフレームのア
イランド７に一体化して接続したシールド２を設け、ア
イランド７の上にマウント剤６を介して半導体チップ５
を搭載し、従来例と同様に半導体チップ５とリード１と
の間を電気的に接続し、且つアイランド７を接地リード
に接続し、封止樹脂３によりシールド板２以外の領域の
アイランド７を含んで封止する。次に、封止樹脂３の外
に導出されているシールド板２を折曲げて封止樹脂３の
上面を覆う。このように、シールド板２を設けることに
より外来ノイズを１０〜５０％遮蔽することができ、ま
た、半導体チップ５からの輻射ノイズも低減できる。
【０００８】図２は本発明の第２の実施例を示す断面図
である。
【０００９】図２に示すように、シールド板２を一体化
して接続したアイランド７の上に接着剤９により回路基
板８を搭載し、回路基板８の上に半導体チップ５をマウ
ント剤６を用いて搭載し、半導体チップと回路基板８と
の間及び回路基板８とリードとの間を電気的に接続した
以外は第１の実施例と同様の構成を有しており、同様の
効果を有する。
【００１０】なお、アイランド７又は回路基板８の上に
受動素子を付加して搭載しても良い。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、接地リー
ドに接続したアイランドと一体化し、且つ封止樹脂より
導出したシールド板を封止樹脂の上面に折曲げて覆うこ
とにより、封止された半導体チップのノイズマージンを
向上させることができるという効果を有する。
【００１２】また、アイランドと一体化したシールド板
が外部に導出しているため放熱効果も向上できる。更に
、シールド板の表面は平坦であり捺印性および表面実装
に於ける真空吸着等に支障を生ずることはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図及びＡ−Ａ
’線断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置の平面図及びＢ−
Ｂ’線断面図である。
【符号の説明】
１　　　　リード ２　　　　シールド板 ３　　　　封止樹脂 ４　　　　吊りピン ５　　　　半導体チップ ６　　　　マウント剤 ７　　　　アイランド ８　　　　回路基板 ９　　　　接着剤 １０　　　　金属細線

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　アイランドと、前記アイランド上に搭
    載した半導体チップと、前記半導体チップを含むアイラ
    ンドを封止した封止樹脂と、前記アイランドと接続し且
    つ前記封止樹脂より外部に導出して折り曲げ前記封止樹
    脂の上面を覆って設けたシールド板とを有することを特
    徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP3028493A 1991-02-22 1991-02-22 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH04267549A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236652A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Nec Corp 混成集積回路装置
US5644164A (en) * 1995-07-07 1997-07-01 Samsung Aerospace Industries, Ltd. Semiconductor device which dissipates heat
EP1225640A3 (de) * 2001-01-18 2006-07-05 Vishay Semiconductor GmbH Optoelektronisches Bauelement mit Leiterstreifenaufbau
US7205574B2 (en) 2003-10-16 2007-04-17 Sharp Kabushiki Kaisha Optical semiconductor device
DE102009019063A1 (de) * 2009-04-27 2010-10-28 Trw Automotive Gmbh Bauteil und Verfahren zur Herstellung

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08236652A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Nec Corp 混成集積回路装置
US5644164A (en) * 1995-07-07 1997-07-01 Samsung Aerospace Industries, Ltd. Semiconductor device which dissipates heat
EP1225640A3 (de) * 2001-01-18 2006-07-05 Vishay Semiconductor GmbH Optoelektronisches Bauelement mit Leiterstreifenaufbau
US7205574B2 (en) 2003-10-16 2007-04-17 Sharp Kabushiki Kaisha Optical semiconductor device
CN100350630C (zh) * 2003-10-16 2007-11-21 夏普株式会社 光半导体装置
DE102009019063A1 (de) * 2009-04-27 2010-10-28 Trw Automotive Gmbh Bauteil und Verfahren zur Herstellung

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19981215