JPH06232294A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止パッケージ形の半導体集積回路装置
の放熱性を向上させる。 【構成】 半導体チップ３を封止する樹脂からなるパッ
ケージ本体７において、半導体チップ３の主面上にあた
る部分に、半導体チップ３の主面に近接するように窪む
凹部７ａを形成した。
の放熱性を向上させる。 【構成】 半導体チップ３を封止する樹脂からなるパッ
ケージ本体７において、半導体チップ３の主面上にあた
る部分に、半導体チップ３の主面に近接するように窪む
凹部７ａを形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置技
術に関し、特に、発熱量の多い半導体集積回路装置に適
用して有効な技術に関するものである。
術に関し、特に、発熱量の多い半導体集積回路装置に適
用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路装置のパッケージ
は、半導体チップを外部環境から保護したり、半導体チ
ップのハンドリングを可能にしたりという基本的な機能
を満たしていれば良かった。
は、半導体チップを外部環境から保護したり、半導体チ
ップのハンドリングを可能にしたりという基本的な機能
を満たしていれば良かった。
【０００３】これに対して近年は、半導体集積回路装置
の素子集積度や回路速度の向上および小形高機能化の要
求に伴う高密度実装化の進展に伴い、パッケージに対し
ても従来にない機能が求められている。
の素子集積度や回路速度の向上および小形高機能化の要
求に伴う高密度実装化の進展に伴い、パッケージに対し
ても従来にない機能が求められている。
【０００４】その代表として、パッケージにおける放熱
機能がある。すなわち、半導体チップで発生した熱を如
何に効率良く外部に逃がすかがパッケージにも求められ
ている。
機能がある。すなわち、半導体チップで発生した熱を如
何に効率良く外部に逃がすかがパッケージにも求められ
ている。
【０００５】この種の従来技術としては、公知とされた
技術ではないが、例えば特願平４−２４５３８４号に記
載があり、パッケージ本体の裏面側に、半導体チップを
搭載するダイパッドの露出する孔を形成するとともに、
その孔に放熱材を充填することにより、半導体チップで
発生した熱を半導体チップの裏面側から外部に放散する
パッケージ構造について説明されている。
技術ではないが、例えば特願平４−２４５３８４号に記
載があり、パッケージ本体の裏面側に、半導体チップを
搭載するダイパッドの露出する孔を形成するとともに、
その孔に放熱材を充填することにより、半導体チップで
発生した熱を半導体チップの裏面側から外部に放散する
パッケージ構造について説明されている。
【０００６】また、この他に、例えば半導体チップを搭
載するダイパッドに放熱機能を持たせるものとして、ダ
イパッドの裏面側をパケージ本体から露出させるパッケ
ージ構造がある。
載するダイパッドに放熱機能を持たせるものとして、ダ
イパッドの裏面側をパケージ本体から露出させるパッケ
ージ構造がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
技術においては、以下の問題があることを本発明者は見
い出した。
技術においては、以下の問題があることを本発明者は見
い出した。
【０００８】すなわち、従来は、半導体チップの主面側
で発生した熱を、半導体チップの裏面側から外部に放散
するので、効率の良い放熱構造といえず、充分な放熱性
を得られないという問題があった。この問題は、特に、
半導体集積回路装置の素子集積度の向上および回路速度
の向上に伴って顕著となる。
で発生した熱を、半導体チップの裏面側から外部に放散
するので、効率の良い放熱構造といえず、充分な放熱性
を得られないという問題があった。この問題は、特に、
半導体集積回路装置の素子集積度の向上および回路速度
の向上に伴って顕著となる。
【０００９】また、ダイパッドに放熱機能を持たせる従
来技術においては、ダイパッドの裏面をパッケージ本体
から露出させるので、パッケージの構造が複雑となる問
題があった。
来技術においては、ダイパッドの裏面をパッケージ本体
から露出させるので、パッケージの構造が複雑となる問
題があった。
【００１０】また、例えばリードフレームの製造の際
に、ダイパッドに放熱機能を持たせるための特別な設計
や加工等が必要となり、半導体パッケージ製品のコスト
が高くなる問題があった。
に、ダイパッドに放熱機能を持たせるための特別な設計
や加工等が必要となり、半導体パッケージ製品のコスト
が高くなる問題があった。
【００１１】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、樹脂封止パッケージ形の半導体集
積回路装置の放熱性を向上させることのできる技術を提
供することにある。
であり、その目的は、樹脂封止パッケージ形の半導体集
積回路装置の放熱性を向上させることのできる技術を提
供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、樹脂封止パッケージ
構造を複雑とすることなく、樹脂封止パッケージ形の半
導体集積回路装置の放熱性を向上させることのできる技
術を提供することにある。
構造を複雑とすることなく、樹脂封止パッケージ形の半
導体集積回路装置の放熱性を向上させることのできる技
術を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、放熱性の良好な半導
体集積回路装置を安価に提供することのできる技術を提
供することにある。
体集積回路装置を安価に提供することのできる技術を提
供することにある。
【００１４】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１６】すなわち、請求項１記載の発明は、チップ
支持体上に裏面が接合された半導体チップを封止する樹
脂封止パッケージ本体において、半導体チップの主面上
に位置する部分に、半導体チップの主面に近接するよう
に窪む凹部を設けた半導体集積回路装置構造とするもの
である。
支持体上に裏面が接合された半導体チップを封止する樹
脂封止パッケージ本体において、半導体チップの主面上
に位置する部分に、半導体チップの主面に近接するよう
に窪む凹部を設けた半導体集積回路装置構造とするもの
である。
【００１７】請求項２記載の発明は、前記樹脂封止パッ
ケージ本体の凹部の形成された面に、その凹部に嵌合さ
れる凸部が形成された熱拡散板を接合した半導体集積回
路装置構造とするものである。
ケージ本体の凹部の形成された面に、その凹部に嵌合さ
れる凸部が形成された熱拡散板を接合した半導体集積回
路装置構造とするものである。
【００１８】請求項３記載の発明は、前記熱拡散板に分
割孔を形成した半導体集積回路装置構造とするものであ
る。
割孔を形成した半導体集積回路装置構造とするものであ
る。
【００１９】請求項４記載の発明は、チップ支持体上に
裏面が接合された半導体チップを封止する樹脂封止パッ
ケージ本体において、半導体チップの主面上に位置する
部分を局部的に冷却する冷却手段を設けた半導体集積回
路装置構造とするものである。
裏面が接合された半導体チップを封止する樹脂封止パッ
ケージ本体において、半導体チップの主面上に位置する
部分を局部的に冷却する冷却手段を設けた半導体集積回
路装置構造とするものである。
【００２０】
【作用】上記した請求項１記載の発明によれば、樹脂封
止パッケージにおいて、半導体チップの主面上に位置す
る部分に凹部を形成したことにより、その半導体チップ
の主面上の樹脂部分の厚さが薄くなり、その部分の熱抵
抗を下げることができるので、半導体チップの主面で発
生した熱をその半導体チップの主面上の薄くなった樹脂
部分を通じて外部に放散することが可能となる。
止パッケージにおいて、半導体チップの主面上に位置す
る部分に凹部を形成したことにより、その半導体チップ
の主面上の樹脂部分の厚さが薄くなり、その部分の熱抵
抗を下げることができるので、半導体チップの主面で発
生した熱をその半導体チップの主面上の薄くなった樹脂
部分を通じて外部に放散することが可能となる。
【００２１】また、パッケージ本体の一部に凹部を設け
るだけなので、樹脂封止パッケージの構造が複雑となる
こともないし、リードフレームに放熱機能を持たせるた
めの特別な設計や加工等も必要ないし、また、半導体集
積回路装置の製造設備や製造技術が大幅に変更されると
いうこともない。
るだけなので、樹脂封止パッケージの構造が複雑となる
こともないし、リードフレームに放熱機能を持たせるた
めの特別な設計や加工等も必要ないし、また、半導体集
積回路装置の製造設備や製造技術が大幅に変更されると
いうこともない。
【００２２】上記した請求項２記載の発明によれば、熱
拡散板を設けたことにより、熱抵抗を小さくすることが
できるので、放熱性をさらに向上させることが可能とな
る。
拡散板を設けたことにより、熱抵抗を小さくすることが
できるので、放熱性をさらに向上させることが可能とな
る。
【００２３】上記した請求項３記載の発明によれば、熱
拡散板を接着する接着剤中の気泡を、分割孔を通じて外
部に逃がすことができるので、その気泡に起因するボイ
ドの発生を低減することが可能となる。
拡散板を接着する接着剤中の気泡を、分割孔を通じて外
部に逃がすことができるので、その気泡に起因するボイ
ドの発生を低減することが可能となる。
【００２４】上記した請求項４記載の発明によれば、熱
の発生する半導体チップの主面側を冷却することができ
るので、半導体集積回路装置の放熱性を向上させること
が可能となる。
の発生する半導体チップの主面側を冷却することができ
るので、半導体集積回路装置の放熱性を向上させること
が可能となる。
【００２５】
【実施例１】図１は本発明の一実施例である半導体集積
回路装置の要部断面図、図２は図１の半導体集積回路装
置のボンディングワイヤのワイヤループ高さを示すグラ
フ図、図３は図１の半導体集積回路装置の平面図、図４
は放熱時における図１の半導体集積回路装置の断面図、
図５は図１の半導体集積回路装置の作用を説明するため
の説明図、図６は図１の半導体集積回路装置の封止工程
時の説明図である。
回路装置の要部断面図、図２は図１の半導体集積回路装
置のボンディングワイヤのワイヤループ高さを示すグラ
フ図、図３は図１の半導体集積回路装置の平面図、図４
は放熱時における図１の半導体集積回路装置の断面図、
図５は図１の半導体集積回路装置の作用を説明するため
の説明図、図６は図１の半導体集積回路装置の封止工程
時の説明図である。
【００２６】本実施例１の半導体集積回路装置は、例え
ば図１に示すようなＱＦＰ（Quad Flat Package)１であ
る。
ば図１に示すようなＱＦＰ（Quad Flat Package)１であ
る。
【００２７】ＱＦＰ１を構成するダイパッド（チップ支
持体）２上には、半導体チップ３が、例えば銀（Ａｇ）
入りのエポキシ樹脂または低応力高接着力エポキシ樹脂
等からなる接着剤層４によって接着されている。
持体）２上には、半導体チップ３が、例えば銀（Ａｇ）
入りのエポキシ樹脂または低応力高接着力エポキシ樹脂
等からなる接着剤層４によって接着されている。
【００２８】半導体チップ３は、例えばシリコン（Ｓ
ｉ）単結晶からなり、その主面には、例えばＳＲＡＭ
（Static RAM）等のような半導体メモリ回路やゲートア
レイ等のような論理回路等、所定の半導体集積回路が形
成されている。なお、チップサイズは、例えば１０mm角
程度である。
ｉ）単結晶からなり、その主面には、例えばＳＲＡＭ
（Static RAM）等のような半導体メモリ回路やゲートア
レイ等のような論理回路等、所定の半導体集積回路が形
成されている。なお、チップサイズは、例えば１０mm角
程度である。
【００２９】半導体チップ３に形成された半導体集積回
路は、ボンディングワイヤ５を通じてリード６と電気的
に接続されている。
路は、ボンディングワイヤ５を通じてリード６と電気的
に接続されている。
【００３０】ボンディングワイヤ５は、例えば金（Ａ
ｕ）からなる。ボンディング法は、例えばネールヘッド
のサーモソニック法またはウェッジのサーモソニック法
が採用されている。ボンディングワイヤ５のループ高さ
を図２に示す。本実施例１においては、ワイヤループの
低いボンディングが行われている。
ｕ）からなる。ボンディング法は、例えばネールヘッド
のサーモソニック法またはウェッジのサーモソニック法
が採用されている。ボンディングワイヤ５のループ高さ
を図２に示す。本実施例１においては、ワイヤループの
低いボンディングが行われている。
【００３１】ネールヘッドの場合は、ループ高さは、例
えば１００〜１２０μｍ程度である。また、ウェッジの
場合は、特に工夫しなくても、ボンディングウェッジの
軌跡を制御すると、例えば５０〜１２０μｍ程度が可能
である。
えば１００〜１２０μｍ程度である。また、ウェッジの
場合は、特に工夫しなくても、ボンディングウェッジの
軌跡を制御すると、例えば５０〜１２０μｍ程度が可能
である。
【００３２】これにより、モールドの金型は、ボンディ
ングワイヤの最高高さよりも１０〜３０μｍ程度の余裕
を持って設計すれば、半導体チップ３上の樹脂部分の厚
さを、例えば0.０６mm〜0.１５mm程度に制御することが
できるようになっている。
ングワイヤの最高高さよりも１０〜３０μｍ程度の余裕
を持って設計すれば、半導体チップ３上の樹脂部分の厚
さを、例えば0.０６mm〜0.１５mm程度に制御することが
できるようになっている。
【００３３】また、ＱＦＰ１のダイパッド２およびリー
ド６は、例えば４２アロイまたは銅（Ｃｕ）合金からな
り、その厚さは、例えば0.０１mm〜0.１５mm程度であ
る。なお、ダイパッド２は、リード６のボンディング面
よりも下方に下げた状態で配置されている。
ド６は、例えば４２アロイまたは銅（Ｃｕ）合金からな
り、その厚さは、例えば0.０１mm〜0.１５mm程度であ
る。なお、ダイパッド２は、リード６のボンディング面
よりも下方に下げた状態で配置されている。
【００３４】半導体チップ３は、パッケージ本体７によ
って封止されている。パッケージ本体７は、例えば流動
性の良好な多少硬化速度の遅いエポキシ樹脂が良く、例
えば分子構造が線形的なビフェニール系エポキシ樹脂が
採用されている。
って封止されている。パッケージ本体７は、例えば流動
性の良好な多少硬化速度の遅いエポキシ樹脂が良く、例
えば分子構造が線形的なビフェニール系エポキシ樹脂が
採用されている。
【００３５】また、このようなパッケージ本体７に、例
えば７０〜８５ボリウム％の球状および破砕状のシリカ
フィラーを充填することにより、半導体チップ３に加わ
る応力を低減することが可能である。
えば７０〜８５ボリウム％の球状および破砕状のシリカ
フィラーを充填することにより、半導体チップ３に加わ
る応力を低減することが可能である。
【００３６】ところで、本実施例１においては、パッケ
ージ本体７において、半導体チップ３の主面上に位置す
る部分に、半導体チップ３の主面に近接するように窪む
凹部７ａが形成されている。半導体チップ３の上面の樹
脂部分の厚さは、例えば0.１５mm以下である。
ージ本体７において、半導体チップ３の主面上に位置す
る部分に、半導体チップ３の主面に近接するように窪む
凹部７ａが形成されている。半導体チップ３の上面の樹
脂部分の厚さは、例えば0.１５mm以下である。
【００３７】さらに、その凹部７ａの形成されたパッケ
ージ本体７の上面には、熱拡散板８が、その下面中央に
形成された凸部８ａを、凹部７ａに嵌合させた状態で接
着剤層９によって接合されている。
ージ本体７の上面には、熱拡散板８が、その下面中央に
形成された凸部８ａを、凹部７ａに嵌合させた状態で接
着剤層９によって接合されている。
【００３８】熱拡散板８は、例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）または銅（Ｃｕ）等のような熱伝導性の高い材料か
らなる。熱拡散板８は、パッケージ本体７の上部の凹部
７ａを通じて伝導された熱を、パッケージ本体７上面の
全面に広げることにより、空気への熱伝導面積を増大さ
せ、放熱効率を向上させる機能を有している。
ｌ）または銅（Ｃｕ）等のような熱伝導性の高い材料か
らなる。熱拡散板８は、パッケージ本体７の上部の凹部
７ａを通じて伝導された熱を、パッケージ本体７上面の
全面に広げることにより、空気への熱伝導面積を増大さ
せ、放熱効率を向上させる機能を有している。
【００３９】熱拡散板８には、図３に示すように、熱拡
散板８の各辺の中央から熱拡散板８の中心に向かって延
びるような分割孔８ｂが形成されている。これは、パッ
ケージ本体７と熱拡散板８とを接着する接着剤層９中の
気泡を、その分割孔８ｂを通じて外部に逃がすことによ
り、接着剤層９にボイドが発生するのを低減するために
形成されている。ただし、分割孔８ｂは、矢印で示すよ
うに放射状に広がる熱の流れ方向を横切らないように、
かつ、面積が実効的に増えないように形成されている。
散板８の各辺の中央から熱拡散板８の中心に向かって延
びるような分割孔８ｂが形成されている。これは、パッ
ケージ本体７と熱拡散板８とを接着する接着剤層９中の
気泡を、その分割孔８ｂを通じて外部に逃がすことによ
り、接着剤層９にボイドが発生するのを低減するために
形成されている。ただし、分割孔８ｂは、矢印で示すよ
うに放射状に広がる熱の流れ方向を横切らないように、
かつ、面積が実効的に増えないように形成されている。
【００４０】接着剤層９は、例えばエポキシ樹脂または
シリコーンゴムからなる。ただし、熱拡散板８がＡｌ等
からなる場合は、パッケージ本体７との熱膨張差が大き
い、例えばアルミナフィラー入りシリコーンゴム等のよ
うな適切な接合剤が使用される。
シリコーンゴムからなる。ただし、熱拡散板８がＡｌ等
からなる場合は、パッケージ本体７との熱膨張差が大き
い、例えばアルミナフィラー入りシリコーンゴム等のよ
うな適切な接合剤が使用される。
【００４１】本実施例１のＱＦＰ１は、図４の矢印で示
すように、半導体チップ３の主面で発生した熱が、主と
してパッケージ本体７の上部の樹脂部分の薄い箇所およ
び熱拡散板８を通じて放散される構造となっている。し
たがって、効率の良い放熱が可能となっている。
すように、半導体チップ３の主面で発生した熱が、主と
してパッケージ本体７の上部の樹脂部分の薄い箇所およ
び熱拡散板８を通じて放散される構造となっている。し
たがって、効率の良い放熱が可能となっている。
【００４２】次に、本実施例１のＱＦＰ１の作用を図５
を用いて説明する。本実施例１の場合、半導体チップ３
の主面で発生した熱は、半導体チップ３の直上の樹脂部
分を通じて熱拡散板８に達する。この樹脂に伝導する熱
の熱抵抗ＲR は、その樹脂部分の厚さをｔ1 、半導体チ
ップ３上面の一辺の長さをｌ1 、熱伝導率をλとする
と、ＲR ＝ｔ1 ／（ｌ1 2 ×λ）と表すことができる。
を用いて説明する。本実施例１の場合、半導体チップ３
の主面で発生した熱は、半導体チップ３の直上の樹脂部
分を通じて熱拡散板８に達する。この樹脂に伝導する熱
の熱抵抗ＲR は、その樹脂部分の厚さをｔ1 、半導体チ
ップ３上面の一辺の長さをｌ1 、熱伝導率をλとする
と、ＲR ＝ｔ1 ／（ｌ1 2 ×λ）と表すことができる。
【００４３】半導体チップ３の一辺の長さｌ1 はチップ
サイズの大形化要求に伴い増大する傾向にある。すなわ
ち、熱抵抗ＲR を小さくする傾向にある。そこで、上式
から、半導体チップ３の主面直上の樹脂部分の厚さｔ1
を小さくすることが、熱抵抗ＲR を小さくする上で有効
であることが判る。
サイズの大形化要求に伴い増大する傾向にある。すなわ
ち、熱抵抗ＲR を小さくする傾向にある。そこで、上式
から、半導体チップ３の主面直上の樹脂部分の厚さｔ1
を小さくすることが、熱抵抗ＲR を小さくする上で有効
であることが判る。
【００４４】本実施例１の場合、例えば熱伝導率λを５
Ｗ／ｍ・Ｋ、厚さｔ1 を0.１５mmとすると、ＲR ＝0.３
℃／Ｗとなり、充分低い値となる。
Ｗ／ｍ・Ｋ、厚さｔ1 を0.１５mmとすると、ＲR ＝0.３
℃／Ｗとなり、充分低い値となる。
【００４５】また、熱拡散板８内の広がり熱抵抗Ｒ
S は、熱拡大係数をＨ、熱拡散板８の熱伝導率をλS 、
ＱＦＰ１の有効半径をａとすると、ＲS ＝Ｈ／（λS ・
π・ａ）と表すことができる。ここで、熱拡大係数Ｈ
は、熱拡散板８の有効半径をｂ、その厚みωとした時の
ａ／ｂとω／ｂとで決まる常数である。
S は、熱拡大係数をＨ、熱拡散板８の熱伝導率をλS 、
ＱＦＰ１の有効半径をａとすると、ＲS ＝Ｈ／（λS ・
π・ａ）と表すことができる。ここで、熱拡大係数Ｈ
は、熱拡散板８の有効半径をｂ、その厚みωとした時の
ａ／ｂとω／ｂとで決まる常数である。
【００４６】本実施例１の場合、例えば半導体チップ３
は１０mm角で、ａ＝5.５mmである。パッケージ本体７上
面は２８mm角で、ｂ＝１５mm、ω＝１mmとすると、Ｈ＝
0.３である。熱拡散板８をＣｕとすると、λS ＝３９３
Ｗ／ｍ・Ｋであり、この結果、ＲS ＝0.０４℃／Ｗと算
出される。これは、ほとんど無視できる熱抵抗である。
は１０mm角で、ａ＝5.５mmである。パッケージ本体７上
面は２８mm角で、ｂ＝１５mm、ω＝１mmとすると、Ｈ＝
0.３である。熱拡散板８をＣｕとすると、λS ＝３９３
Ｗ／ｍ・Ｋであり、この結果、ＲS ＝0.０４℃／Ｗと算
出される。これは、ほとんど無視できる熱抵抗である。
【００４７】ここで、例えば横風１ｍ／ｓの通常空冷と
すると、Ｒｃ＝１／（αｌ2 2),α＝0.６４４Ｒe1/2・Ｐ
ｒ1/3 となる。例えばα＝ｌ2 ＝２８mmとすると、Ｒe
＝１７８０、α＝２4.２となり、熱抵抗ＲC ＝５2.７℃
／Ｗとなる。ただしｌ2 はパッケージ本体７の長さであ
る。
すると、Ｒｃ＝１／（αｌ2 2),α＝0.６４４Ｒe1/2・Ｐ
ｒ1/3 となる。例えばα＝ｌ2 ＝２８mmとすると、Ｒe
＝１７８０、α＝２4.２となり、熱抵抗ＲC ＝５2.７℃
／Ｗとなる。ただしｌ2 はパッケージ本体７の長さであ
る。
【００４８】したがって、全熱抵抗ＲT ＝0.３＋0.０４
＋５2.７＝５３℃／Ｗとなり、実測３３℃／Ｗを得るこ
とができ、例えば２Ｗのパワーでも冷却可能な条件とな
る。例えば３００ピン以上の大きなボディサイズ、例え
ば３２mm角では、Ｒe ＝２０００、α＝２5.９であり、
ＲC ＝３８℃／Ｗ（実測２７℃／Ｗ）となる。また、例
えばボディサイズが、４０mm角の場合は、Ｒｅ＝２５０
０、α＝２９であり、ＲC ＝２1.６℃／Ｗ（実測１７℃
／Ｗ）となり、それぞれ例えば2.７Ｗ、４Ｗの熱をたっ
たの１m/S の風速で冷却することが可能となる。
＋５2.７＝５３℃／Ｗとなり、実測３３℃／Ｗを得るこ
とができ、例えば２Ｗのパワーでも冷却可能な条件とな
る。例えば３００ピン以上の大きなボディサイズ、例え
ば３２mm角では、Ｒe ＝２０００、α＝２5.９であり、
ＲC ＝３８℃／Ｗ（実測２７℃／Ｗ）となる。また、例
えばボディサイズが、４０mm角の場合は、Ｒｅ＝２５０
０、α＝２９であり、ＲC ＝２1.６℃／Ｗ（実測１７℃
／Ｗ）となり、それぞれ例えば2.７Ｗ、４Ｗの熱をたっ
たの１m/S の風速で冷却することが可能となる。
【００４９】次に、本実施例１のＱＦＰ１の樹脂封止工
程を図６によって説明する。なお、ここでは、熱拡散板
８を接着剤層９を介さないでパッケージ本体７に接合す
る場合の例を説明する。
程を図６によって説明する。なお、ここでは、熱拡散板
８を接着剤層９を介さないでパッケージ本体７に接合す
る場合の例を説明する。
【００５０】図６は、半導体チップ３を実装したリード
フレームを、半導体チップ３の主面を下方に向けた状態
で金型１０ａ，１０ｂに配置した状態を示している。な
お、半導体チップ３とリード６とはボンディングワイヤ
５によって電気的に接続されている。
フレームを、半導体チップ３の主面を下方に向けた状態
で金型１０ａ，１０ｂに配置した状態を示している。な
お、半導体チップ３とリード６とはボンディングワイヤ
５によって電気的に接続されている。
【００５１】そして、下方の金型１０ａの底部には、熱
拡散板８が凸部８ａを上にした状態で配置されている。
したがって、下方の金型１０ａの底部は、熱拡散板８の
厚み分だけ通常の金型よりも深く形成されている。
拡散板８が凸部８ａを上にした状態で配置されている。
したがって、下方の金型１０ａの底部は、熱拡散板８の
厚み分だけ通常の金型よりも深く形成されている。
【００５２】また、下方の金型１０ａには、真空吸着孔
１０ａ1 が穿孔されている。これは、熱拡散板８がモー
ルド時に動いてしまうのを、熱拡散板８を真空吸着する
ことによって防止するためである。
１０ａ1 が穿孔されている。これは、熱拡散板８がモー
ルド時に動いてしまうのを、熱拡散板８を真空吸着する
ことによって防止するためである。
【００５３】このような金型１０ａ，１０ｂのゲート部
１１ａからキャビティ１１ｂ内に加熱溶融状態の封止樹
脂を流して、半導体チップ３を樹脂によって封止する。
本実施例１の場合、リードフレームと熱拡散板８とが独
立しており、別々の部品として取り扱うことができる。
１１ａからキャビティ１１ｂ内に加熱溶融状態の封止樹
脂を流して、半導体チップ３を樹脂によって封止する。
本実施例１の場合、リードフレームと熱拡散板８とが独
立しており、別々の部品として取り扱うことができる。
【００５４】これにより、リードフレームを製造すると
きに、放熱機能を持たせるための特別な設計や加工等を
行う必要がない。このため、コストが安くなる、金型等
の封止のための製造装置の構造や封止技術に大幅な変更
が必要ない等、種々の効果を得ることが可能となる。
きに、放熱機能を持たせるための特別な設計や加工等を
行う必要がない。このため、コストが安くなる、金型等
の封止のための製造装置の構造や封止技術に大幅な変更
が必要ない等、種々の効果を得ることが可能となる。
【００５５】このように、本実施例１によれば、以下の
効果を得ることが可能となる。
効果を得ることが可能となる。
【００５６】(1).パッケージ本体７において、半導体チ
ップ３の主面上に位置する部分に凹部７ａを形成したこ
とにより、その半導体チップ３の主面上の樹脂部分の厚
さが薄くなり、その部分の熱抵抗を下げることができる
ので、半導体チップ３の主面で発生した熱を、その半導
体チップ３の主面上の薄くなった樹脂部分を通じて外部
に放散することが可能となる。したがって、ＱＦＰ１の
放熱性を向上させることが可能となる。
ップ３の主面上に位置する部分に凹部７ａを形成したこ
とにより、その半導体チップ３の主面上の樹脂部分の厚
さが薄くなり、その部分の熱抵抗を下げることができる
ので、半導体チップ３の主面で発生した熱を、その半導
体チップ３の主面上の薄くなった樹脂部分を通じて外部
に放散することが可能となる。したがって、ＱＦＰ１の
放熱性を向上させることが可能となる。
【００５７】(2).パッケージ本体７の上面に熱拡散板８
を設けたことにより、熱抵抗を小さくすることができる
ので、ＱＦＰ１の放熱性をさらに向上させることが可能
となる。
を設けたことにより、熱抵抗を小さくすることができる
ので、ＱＦＰ１の放熱性をさらに向上させることが可能
となる。
【００５８】(3).上記(1) および(2) により、パッケー
ジ本体７を構成する樹脂を選択する際に、熱伝導度の高
い樹脂を選択する必要もない。すなわち、パッケージ本
体７の材料選択の自由度を向上させることが可能とな
る。
ジ本体７を構成する樹脂を選択する際に、熱伝導度の高
い樹脂を選択する必要もない。すなわち、パッケージ本
体７の材料選択の自由度を向上させることが可能とな
る。
【００５９】(4).パッケージ本体７の一部に凹部７ａを
設けるだけなので、パッケージ本体７の構造が複雑とな
ることもない。また、リードフレームを製造するとき
に、放熱機能を持たせるための特別な設計や加工等を行
う必要もない。さらに、樹脂封止形のＱＦＰ１の樹脂封
止設備および樹脂封止技術の大幅な変更を招くこともな
い。
設けるだけなので、パッケージ本体７の構造が複雑とな
ることもない。また、リードフレームを製造するとき
に、放熱機能を持たせるための特別な設計や加工等を行
う必要もない。さらに、樹脂封止形のＱＦＰ１の樹脂封
止設備および樹脂封止技術の大幅な変更を招くこともな
い。
【００６０】(5).上記(3),(4) により、放熱性の良好な
ＱＦＰ１を安価に提供することが可能となる。
ＱＦＰ１を安価に提供することが可能となる。
【００６１】(6).熱拡散板８に分割孔８ｂを形成したこ
とにより、熱拡散板８をパッケージ本体７に接着する接
着剤中の気泡を、分割孔８ｂを通じて外部に逃がすこと
ができるので、その気泡に起因するボイドの発生を低減
することが可能となる。したがって、ＱＦＰ１の歩留り
および信頼性を向上させることが可能となる。
とにより、熱拡散板８をパッケージ本体７に接着する接
着剤中の気泡を、分割孔８ｂを通じて外部に逃がすこと
ができるので、その気泡に起因するボイドの発生を低減
することが可能となる。したがって、ＱＦＰ１の歩留り
および信頼性を向上させることが可能となる。
【００６２】
【実施例２】図７は本発明の他の実施例である半導体集
積回路装置の断面図である。
積回路装置の断面図である。
【００６３】本実施例２においては、図７に示すよう
に、パッケージ本体７の凹部７ａの形成された面の上方
に、冷却手段１２が設置されている。
に、パッケージ本体７の凹部７ａの形成された面の上方
に、冷却手段１２が設置されている。
【００６４】冷却手段１２を構成するダクト１２ａ内に
は、矢印で示す冷却風が流されている。ダクト１２ａに
おいて、パッケージ本体７の凹部７ａの上方に当たる位
置には、送風孔１２ｂが穿孔されており、ダクト１２ａ
内の冷却風が送風孔１２ｂを通じてパッケージ本体７の
上面の凹部７ａに当たるようになっている。
は、矢印で示す冷却風が流されている。ダクト１２ａに
おいて、パッケージ本体７の凹部７ａの上方に当たる位
置には、送風孔１２ｂが穿孔されており、ダクト１２ａ
内の冷却風が送風孔１２ｂを通じてパッケージ本体７の
上面の凹部７ａに当たるようになっている。
【００６５】ここで、この場合、熱抵抗ＲC （図５参
照）は、αを熱伝導率、Ｒe をレイノルズ数（＝ｕｄ／
ν）、ｌ1 （＝ｄ）を熱の流れ方向の伝熱長さ、λa を
空気の熱伝導率（＝0.０２６Ｗ／m ・ K)、νは空気の動
粘度係数＝１６×１０-6m2／S、ｕは風速（例えば３m
／S)とすると、ＲC ＝１／（α・ｌ1 2) 、α＝0.６Ｒe1
/2・λa ／ｄと表すことができる。
照）は、αを熱伝導率、Ｒe をレイノルズ数（＝ｕｄ／
ν）、ｌ1 （＝ｄ）を熱の流れ方向の伝熱長さ、λa を
空気の熱伝導率（＝0.０２６Ｗ／m ・ K)、νは空気の動
粘度係数＝１６×１０-6m2／S、ｕは風速（例えば３m
／S)とすると、ＲC ＝１／（α・ｌ1 2) 、α＝0.６Ｒe1
/2・λa ／ｄと表すことができる。
【００６６】半導体チップ３のチップサイズを、例えば
１０mm角とすると、Ｒe ＝１８７５、α＝６7.５、ＲC
＝１４８℃／Ｗとなる。したがって、全体抵抗ＲT ＝Ｒ
R ＋ＲC ＝１４8.３℃／Ｗとなり、0.５ＷのＱＦＰ１な
らば温度上昇ΔＴ＝ＲT ×0.５Ｗ＝７４℃となる。
１０mm角とすると、Ｒe ＝１８７５、α＝６7.５、ＲC
＝１４８℃／Ｗとなる。したがって、全体抵抗ＲT ＝Ｒ
R ＋ＲC ＝１４8.３℃／Ｗとなり、0.５ＷのＱＦＰ１な
らば温度上昇ΔＴ＝ＲT ×0.５Ｗ＝７４℃となる。
【００６７】熱は、リード６や半導体チップ３の側面お
よび裏面にも同時に伝導するので、半導体チップ３の全
表面積を考慮しなければならない。例えば全体サイズが
２８mm角とした場合、ＲT ＝７０℃／Ｗが実測されてお
り、上記計算の１／２となっている。すなわち、１Ｗを
充分冷却することが可能である。同様に、チップサイズ
が１４mm角の場合は、２Ｗを冷却することが可能であ
る。
よび裏面にも同時に伝導するので、半導体チップ３の全
表面積を考慮しなければならない。例えば全体サイズが
２８mm角とした場合、ＲT ＝７０℃／Ｗが実測されてお
り、上記計算の１／２となっている。すなわち、１Ｗを
充分冷却することが可能である。同様に、チップサイズ
が１４mm角の場合は、２Ｗを冷却することが可能であ
る。
【００６８】このように、本実施例２においては、熱の
発生する半導体チップ３の主面側からＱＦＰ１を冷却す
ることができるので、ＱＦＰ１の放熱性を向上させるこ
とが可能となる。
発生する半導体チップ３の主面側からＱＦＰ１を冷却す
ることができるので、ＱＦＰ１の放熱性を向上させるこ
とが可能となる。
【００６９】
【実施例３】図８は本発明の他の実施例である半導体集
積回路装置の断面図である。
積回路装置の断面図である。
【００７０】本実施例３においては、図８に示すよう
に、パッケージ本体７の凹部７ａの形成された面に放熱
フィン１３が接合されている。そして、放熱フィン１３
の下面全面に凹凸が形成されている。
に、パッケージ本体７の凹部７ａの形成された面に放熱
フィン１３が接合されている。そして、放熱フィン１３
の下面全面に凹凸が形成されている。
【００７１】これにより、放熱フィン１３とパッケージ
本体７との接合面積を増大させることができるので、半
導体チップ３で発生した熱の放熱面積を増大させること
が可能となる。この結果、本実施例３によれば、ＱＦＰ
１の放熱性を前記実施例１の場合よりも向上させること
が可能となる。
本体７との接合面積を増大させることができるので、半
導体チップ３で発生した熱の放熱面積を増大させること
が可能となる。この結果、本実施例３によれば、ＱＦＰ
１の放熱性を前記実施例１の場合よりも向上させること
が可能となる。
【００７２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１〜３に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１〜３に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７３】例えば前記実施例１においては、パッケー
ジ本体に熱拡散板を接合した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、例えば図９に示すよう
に、熱拡散板を接合しないでも良い。この場合も図１０
の矢印で示すように、半導体チップ３の主面で発生した
熱をその半導体チップ３の直上の樹脂部分を通じて外部
に放散することが可能となっている。
ジ本体に熱拡散板を接合した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、例えば図９に示すよう
に、熱拡散板を接合しないでも良い。この場合も図１０
の矢印で示すように、半導体チップ３の主面で発生した
熱をその半導体チップ３の直上の樹脂部分を通じて外部
に放散することが可能となっている。
【００７４】この場合、使用者の要望に応じて、放熱構
造を変えることが可能となる。すなわち、放熱構造の設
計上の自由度を向上させることが可能となり、使用者は
装置全体の構造を考えた放熱構造の設計が可能となる。
造を変えることが可能となる。すなわち、放熱構造の設
計上の自由度を向上させることが可能となり、使用者は
装置全体の構造を考えた放熱構造の設計が可能となる。
【００７５】また、前記実施例１においては、パッケー
ジ本体に熱拡散板を接合した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、例えば図１１に示すよ
うに、パッケージ本体７の凹部７ａのある面に、熱伝導
性の高い金属、例えばＡｌ等からなる筐体１４を熱伝導
性グリース等からなる熱伝導材料層１５を介して接触さ
せるようにしても良い。
ジ本体に熱拡散板を接合した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、例えば図１１に示すよ
うに、パッケージ本体７の凹部７ａのある面に、熱伝導
性の高い金属、例えばＡｌ等からなる筐体１４を熱伝導
性グリース等からなる熱伝導材料層１５を介して接触さ
せるようにしても良い。
【００７６】また、例えば図１２に示すように、パッケ
ージ本体７の凹部７ａのある面に、接着剤層９を介して
放熱フィン１３を接合しても良い。なお、この放熱フィ
ンの下面には凹凸は形成されていない。
ージ本体７の凹部７ａのある面に、接着剤層９を介して
放熱フィン１３を接合しても良い。なお、この放熱フィ
ンの下面には凹凸は形成されていない。
【００７７】また、例えば図１３に示すように、パッケ
ージ本体７の凹部のある面に、熱伝導液が注入された熱
伝導液袋１６を載置しても良い。
ージ本体７の凹部のある面に、熱伝導液が注入された熱
伝導液袋１６を載置しても良い。
【００７８】また、前記実施例２においては、パッケー
ジ本体の上部、すなわち、半導体チップの主面上の樹脂
部分に凹部を設けた場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、例えばパッケージ本体の上部に
凹部を設けないで、パッケージ本体の上部を空冷手段に
よって局部的に冷却するだけでも放熱性を従来より向上
させることが可能となる。
ジ本体の上部、すなわち、半導体チップの主面上の樹脂
部分に凹部を設けた場合について説明したが、これに限
定されるものではなく、例えばパッケージ本体の上部に
凹部を設けないで、パッケージ本体の上部を空冷手段に
よって局部的に冷却するだけでも放熱性を従来より向上
させることが可能となる。
【００７９】また、前記実施例３においては、放熱フィ
ンの下面全面に凹凸を形成した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、例えば図１４に示
すように、所定箇所にのみ断面三角形状の微小凹部１３
ａを形成しても良い。また、その微小凹部１３ａの断面
形状は、三角形状に限定されるものではなく、例えば図
１５に示すように、断面矩形状としても良い。
ンの下面全面に凹凸を形成した場合について説明した
が、これに限定されるものではなく、例えば図１４に示
すように、所定箇所にのみ断面三角形状の微小凹部１３
ａを形成しても良い。また、その微小凹部１３ａの断面
形状は、三角形状に限定されるものではなく、例えば図
１５に示すように、断面矩形状としても良い。
【００８０】また、前記実施例１〜３においては、単層
のリードの場合の半導体集積回路装置に本発明を適用し
た場合について説明したが、これに限定されるものでは
なく、例えば図１６に示すように、リード６を複数層と
したＱＦＰ１に本発明を適用しても良い。
のリードの場合の半導体集積回路装置に本発明を適用し
た場合について説明したが、これに限定されるものでは
なく、例えば図１６に示すように、リード６を複数層と
したＱＦＰ１に本発明を適用しても良い。
【００８１】また、図１７に示すように、パッケージ本
体７内にプラスチック等からなる配線基板１７を備える
ＱＦＰ１に本発明を適用しても良い。半導体チップ３は
配線基板１７の中央に主面を上にした状態で実装されて
いる。半導体チップ３は、配線基板１７に形成された電
極（図示せず）とボンディングワイヤ５を通じて電気的
に接続されている。その電極は、配線基板１７に形成さ
れた配線を通じてリード６と電気的に接続されている。
体７内にプラスチック等からなる配線基板１７を備える
ＱＦＰ１に本発明を適用しても良い。半導体チップ３は
配線基板１７の中央に主面を上にした状態で実装されて
いる。半導体チップ３は、配線基板１７に形成された電
極（図示せず）とボンディングワイヤ５を通じて電気的
に接続されている。その電極は、配線基板１７に形成さ
れた配線を通じてリード６と電気的に接続されている。
【００８２】また、前記実施例１においては、熱拡散板
に、各辺の中央から熱拡散板の中心に向かって延在する
分割孔を形成した場合について説明したが、これに限定
されるものではなく、例えば図１８に示すように、熱拡
散板８の対角線上に沿って延びる分割孔８ｂを形成して
も良い。また、図１９に示すように、放射線上に沿って
楕円形状の分割孔８ｂを複数配置しても良い。また、図
２０に示すように、放射線上に矩形状の分割孔８ｂを複
数形成しても良い。また、図２１に示すように、放射線
上に波状の分割孔８ｂを形成しても良い。
に、各辺の中央から熱拡散板の中心に向かって延在する
分割孔を形成した場合について説明したが、これに限定
されるものではなく、例えば図１８に示すように、熱拡
散板８の対角線上に沿って延びる分割孔８ｂを形成して
も良い。また、図１９に示すように、放射線上に沿って
楕円形状の分割孔８ｂを複数配置しても良い。また、図
２０に示すように、放射線上に矩形状の分割孔８ｂを複
数形成しても良い。また、図２１に示すように、放射線
上に波状の分割孔８ｂを形成しても良い。
【００８３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＱＦＰ
に適用した場合について説明したが、これに限定されず
種々適用可能であり、例えばＤＩＰ（Dual Inline Pack
age)、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）また
はＳＩＰ（Single Inline Package)等のような他の半導
体集積回路装置に適用することも可能である。
なされた発明をその背景となった利用分野であるＱＦＰ
に適用した場合について説明したが、これに限定されず
種々適用可能であり、例えばＤＩＰ（Dual Inline Pack
age)、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）また
はＳＩＰ（Single Inline Package)等のような他の半導
体集積回路装置に適用することも可能である。
【００８４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００８５】(1).請求項１記載の発明によれば、樹脂封
止パッケージにおいて、半導体チップの主面上に位置す
る部分に凹部を形成したことにより、その半導体チップ
の主面上の樹脂部分の厚さが薄くなり、その部分の熱抵
抗を下げることができるので、半導体チップの主面で発
生した熱をその半導体チップの主面上の薄くなった樹脂
部分を通じて外部に放散することが可能となる。したが
って、半導体集積回路装置の放熱性を向上させることが
可能となる。
止パッケージにおいて、半導体チップの主面上に位置す
る部分に凹部を形成したことにより、その半導体チップ
の主面上の樹脂部分の厚さが薄くなり、その部分の熱抵
抗を下げることができるので、半導体チップの主面で発
生した熱をその半導体チップの主面上の薄くなった樹脂
部分を通じて外部に放散することが可能となる。したが
って、半導体集積回路装置の放熱性を向上させることが
可能となる。
【００８６】また、パッケージ本体の一部に凹部を設け
るだけなので、パッケージの構造が複雑となることもな
いし、リードフレームに放熱機能を持たせるための特別
な設計や加工等も必要ないし、また、半導体集積回路装
置の製造設備や製造技術が大幅に変更されるということ
もない。したがって、放熱性の良好な半導体集積回路装
置を安価に提供することが可能となる。
るだけなので、パッケージの構造が複雑となることもな
いし、リードフレームに放熱機能を持たせるための特別
な設計や加工等も必要ないし、また、半導体集積回路装
置の製造設備や製造技術が大幅に変更されるということ
もない。したがって、放熱性の良好な半導体集積回路装
置を安価に提供することが可能となる。
【００８７】(2).請求項２記載の発明によれば、熱拡散
板を設けたことにより、熱抵抗を小さくすることができ
るので、半導体集積回路装置の放熱性をさらに向上させ
ることが可能となる。
板を設けたことにより、熱抵抗を小さくすることができ
るので、半導体集積回路装置の放熱性をさらに向上させ
ることが可能となる。
【００８８】(3).請求項３記載の発明によれば、熱拡散
板を接着する接着剤中の気泡を、分割孔を通じて外部に
逃がすことができるので、その気泡に起因するボイドの
発生を低減することが可能となる。したがって、半導体
集積回路装置の歩留りおよび信頼性を向上させることが
可能となる。
板を接着する接着剤中の気泡を、分割孔を通じて外部に
逃がすことができるので、その気泡に起因するボイドの
発生を低減することが可能となる。したがって、半導体
集積回路装置の歩留りおよび信頼性を向上させることが
可能となる。
【００８９】(4).請求項４記載の発明によれば、熱の発
生する半導体チップの主面側を冷却することができるの
で、半導体集積回路装置の放熱性を向上させることが可
能となる。
生する半導体チップの主面側を冷却することができるの
で、半導体集積回路装置の放熱性を向上させることが可
能となる。
【図１】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
要部断面図である。
要部断面図である。
【図２】図１の半導体集積回路装置のボンディングワイ
ヤのワイヤループ高さを示すグラフ図である。
ヤのワイヤループ高さを示すグラフ図である。
【図３】図１の半導体集積回路装置の平面図である。
【図４】放熱時における図１の半導体集積回路装置の断
面図である。
面図である。
【図５】図１の半導体集積回路装置の作用を説明するた
めの説明図である。
めの説明図である。
【図６】図１の半導体集積回路装置の封止工程時の説明
図である。
図である。
【図７】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の断面図である。
の断面図である。
【図８】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の断面図である。
の断面図である。
【図９】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の断面図である。
の断面図である。
【図１０】放熱時における図９の半導体集積回路装置に
断面図である。
断面図である。
【図１１】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１２】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１３】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１４】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１５】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１６】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１７】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１８】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の平面図である。
置の平面図である。
【図１９】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の平面図である。
置の平面図である。
【図２０】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の平面図である。
置の平面図である。
【図２１】本発明の他の実施例である半導体集積回路装
置の平面図である。
置の平面図である。
１ ＱＦＰ（半導体集積回路装置） ２ ダイパッド（チップ支持体） ３ 半導体チップ ４ 接着剤層 ５ ボンディングワイヤ ６ リード ７ パッケージ本体 ７ａ 凹部 ８ 熱拡散板 ８ａ 凸部 ８ｂ 分割孔 ９ 接着剤層 １０ａ，１０ｂ 金型 １０ａ1 真空吸着孔 １１ａ ゲート部 １１ｂ キャビティ １２ 冷却手段 １２ａ ダクト １２ｂ 送風孔 １３ 放熱フィン １３ａ 微小凹部 １４ 筐体 １５ 熱伝導材料層 １６ 熱伝導液袋 １７ 配線基板 ＲC 熱抵抗 Ｒs 熱抵抗 ＲR 熱抵抗 ｔ1 厚さ ｌ1 長さ ｌ2 長さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖永 隆幸 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 鈴木 博通 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 江俣 孝司 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内 (72)発明者 白井 優之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 本多 厚 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 野瀬 藤明 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (5)
- 【請求項１】 チップ支持体上に裏面が接合された半導
体チップを封止する樹脂封止パッケージ本体において、
半導体チップの主面上に位置する部分に、半導体チップ
の主面に近接するように窪む凹部を設けたことを特徴と
する半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 前記樹脂封止パッケージ本体の凹部の形
成された面に、その凹部に嵌合される凸部が形成された
熱拡散板を接合したことを特徴とする請求項１記載の半
導体集積回路装置。 - 【請求項３】 前記熱拡散板に分割孔を形成したことを
特徴とする請求項２記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項４】 チップ支持体上に裏面が接合された半導
体チップを封止する樹脂封止パッケージ本体において、
半導体チップの主面上に位置する部分を局部的に冷却す
る冷却手段を設けたことを特徴とする半導体集積回路装
置。 - 【請求項５】 前記樹脂封止パッケージ本体において、
前記半導体チップの主面上に位置する部分に、半導体チ
ップの主面に近接するように窪む凹部を設けたことを特
徴とする請求項４記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5016165A JPH06232294A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5016165A JPH06232294A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232294A true JPH06232294A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11908900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5016165A Withdrawn JPH06232294A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232294A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061830A1 (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Young Sun Kim | Heat dissipation type semiconductor package and method of fabricating the same |
| JP2009212495A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-09-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ放熱用部品及びその製造方法 |
| JP2010186907A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Panasonic Corp | 放熱板とモジュールとモジュールの製造方法 |
| JP2011023459A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Denso Corp | 電子制御装置 |
| FR2968126A1 (fr) * | 2010-11-29 | 2012-06-01 | St Microelectronics Grenoble 2 | Boitier semi-conducteur a via thermique et procédé de fabrication |
| US8319108B2 (en) | 2008-08-08 | 2012-11-27 | Panasonic Corporation | Mounting structure and electronic equipment |
| JP2014179602A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Freescale Semiconductor Inc | ヒートスプレッダを有する半導体デバイスアセンブリ |
| JP2017220568A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | 日本精工株式会社 | 電子部品を実装した基板を配置するための熱伝導材料を誘導するための溝を備えたケース |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP5016165A patent/JPH06232294A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061830A1 (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Young Sun Kim | Heat dissipation type semiconductor package and method of fabricating the same |
| JP2009212495A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-09-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ放熱用部品及びその製造方法 |
| US8319108B2 (en) | 2008-08-08 | 2012-11-27 | Panasonic Corporation | Mounting structure and electronic equipment |
| JP2010186907A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Panasonic Corp | 放熱板とモジュールとモジュールの製造方法 |
| JP2011023459A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Denso Corp | 電子制御装置 |
| FR2968126A1 (fr) * | 2010-11-29 | 2012-06-01 | St Microelectronics Grenoble 2 | Boitier semi-conducteur a via thermique et procédé de fabrication |
| JP2014179602A (ja) * | 2013-03-13 | 2014-09-25 | Freescale Semiconductor Inc | ヒートスプレッダを有する半導体デバイスアセンブリ |
| JP2017220568A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | 日本精工株式会社 | 電子部品を実装した基板を配置するための熱伝導材料を誘導するための溝を備えたケース |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |