JPH02127053A - Ｌｅｄアレイ - Google Patents

Ｌｅｄアレイ

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JPH02127053A
JPH02127053A JP63279390A JP27939088A JPH02127053A JP H02127053 A JPH02127053 A JP H02127053A JP 63279390 A JP63279390 A JP 63279390A JP 27939088 A JP27939088 A JP 27939088A JP H02127053 A JPH02127053 A JP H02127053A
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JP
Japan
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electrode
led array
layer
insulating layer
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP63279390A
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English (en)
Inventor
Susumu Yoshida
進 吉田
Takafumi Nishioka
隆文 西岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Priority to EP90108461A priority patent/EP0454891A1/en
Publication of JPH02127053A publication Critical patent/JPH02127053A/ja
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Pending legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
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    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、電子写真プリンタ用のＬＥＤ（発光ダイオ
ード）アレイに関するものである。
特に、ＬＥＤアレイのＰ及びＮ電極の構造に関するもの
である。
し従来の技術］ 従来例の構成を第３図を参照しながら説明する。
第３図は、従来のＬＥＤアレイの一部を示す斜視図であ
る。
第３図において、（１）は、（２）、（３）、（４）、
（５）、（６）及び（７）から構成されているＬＥＤア
レイである。
こコテ、（２）はＮ１Ｉｔ＆、（３）４！、：のｒ［１
（２）に積層されたＮ−ＧａＡｓ層、（４）はこのＮ−
ＧａＡｓ層（３）に積層されたＮ　−Ａ　ＩｘＧ　ａｌ
　−ｘＡ　ｓ層、（５）はこのＮ　−Ａ　１ｘＧａ１−
ｘＡｓ層（４）に積層されたＰ　−Ａ　ｌｘＧ　ａｌ　
−ｘＡ　ｓ層、（６）はＮ　−Ａ　ｌｘＧ　ａｔ　−ｘ
Ａｓ層（４）に積層された絶縁層、（７）はＰＡｌｘＧ
ａｌ−ｘＡｓ層（５）に接続されたＰ電極である。なお
、絶縁層（６）には、Ｐ　−Ａ　ｌｘＧ　ａｌ　−ｘＡ
　ｓ層（５）に対応して多数の開口部（６ａ）が設けら
れている。
つぎに、上述した従来例の動作を第４図を参照しながら
説明する。第４図は、従来のＬＥＤアレイ（１）を使用
した電子写真プリンタの概略を示す側面図である。
第４図において、（２０）はグイボンドやワイヤーボン
ドによりＬＥＤアレイ（１）と接続された基板、（３０
）は図示しない支持機構によりＬＥＤアレイ（１）の発
光面側に設けられた５ＬＡ（セルフフォーカス・レンズ
・アレイ）、（４０）は中心がＬＥＤアレイ（１）から
Ｓ　Ｌ　Ａ　（３０）を通る延長線上にある感光ドラム
である。
まず、ＬＥＤアレイ（１）中の個々のＬＥＤは、印画信
号に基づいて図示しない駆動回路により、選択的に点灯
駆動され、絶縁層（６）の開口部（６ａ）から全体とし
て面発光する。
そして、Ｓ　Ｌ　Ａ　（３０）は、感光面上での光スボ
ツＩ・の拡大を防ぐために、面発光の光を集束して感光
ドラム（４０）の感光面に結像させる。
以下、ＬＥＤアレイ〈１）を露光源とする電子写真のプ
ロセスを簡単に説明する。
負に帯電された感光ドラム（４０）は、ＬＥＤアレイ（
１）により露光された部分だけに帯電電荷の放電が行な
われ、その部分のみにトナーが付着される。付着された
トナーは、用紙に転写されて加熱及び圧力により定着さ
れる。
なお、ＬＥＤアレイ（１）、基板（２０）、ＳＬＡ〈３
０）、図示しないドライバー等で構成されたＬＥＤアレ
イ　ヘッドの光伝達効率は、数％程度である。
［発明が解決しようとする課題］ 上述したような従来のＬＥＤアレイでは、ＬＥＤアレイ
　ヘッドを構成した場合は、Ｓｌ、Ａが介在するために
、光伝達効率が低いという問題点があった。
また、基板に取り付ける場合にダイボンドやワイＡ′−
ボンドにより行わなければならず、そのために手間が掛
かり、また発光面が基板面と平行な位置にだけしか取り
イ・ｌけられないという問題点があった。
この発明は、上述した問題点を解決するためになされた
もので、光伝達効率を高くすることができ、また、簡単
に基板に取り付けることがてき、かつ発光面が基板面と
框直な位置に取り付けることができるＬ　Ｅ　Ｄアレイ
を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に係るＬＥＤアレイは、以下に述べるような手
段を備えたものである。
（ｉ）、ＰＮ接合面から光を放出するＰＮ接合の半導体
。
（ｉｉ）、光の放出を防ぐようにＰ形半導体を覆うＰ電
極。
（ｉｉｉ）、Ｎ形半導体に接続され一端が上記Ｐ電極の
一端と同一面に形成されているＮ電極。
［作用］ この発明においては、Ｐ形半導体を覆うＰ電極によって
、Ｐ形半導体からの面発光が抑えられ、ＰＮ接合の半導
体によって、ＰＮ接合面（へき開面）から光が放出され
る。
また、一端が上記Ｐ電極の一端と同一面に形成されてい
るＮ電極によって、基板に容易に取り付けられ、かつ発
光面を基板面に対して垂直な位置に取り付けられる。
［実施例］ 実施例の構成を第１図を参照しながら説明する。
第１図は、この発明の一実施例を示す斜視図であり、（
３）〜（５）は上記従来ＬＥＤアレイ（１）のものと全
く同一である。
第１図において、（１八）は、（２八）、（３）〜（５
）、（６＾）及び（７＾）から構成されているＬＥＤア
レイで！）る。
ここで、（６Δ）は一端がＮ　−Ｇ　ａＡ　５ｌｉＪ　
（３）及びＮＡ　ｌｘＧ　ａｌ　−ｘＡ　ｓ層（４）で
構成された積１層体の側面全体まで延びた絶縁層、（７
＾）は絶縁層〈６＾）の開［］部を覆うように形成され
たＰ電極、（２Δ）は積層体の下面から絶縁Ｒ（６＾）
に沿ってＰ電［（７八）と同一面まで延びたＮ電極であ
る。
つぎに、上述した実施例の動ｆｔを第２図を参照しなが
ら説明する。第２図は、この発明の一実施例を使用した
電子写真プリンタの概略を示す側面図である。
第２図において、ＬＥＤアレイ（１八）は、Ｐ電極（７
Ａ）及びＮ電極（２＾）を介して基板（２０）にバンプ
配線（ハンダ付け）され、感光ドラム（４０）の近傍に
配置されている。
ＬＥＤアレイ（ＩＡ）中の個々のＬＥＤは、印画信号に
基づいて図示しない駆動回路により、選択的に点灯駆動
され、Ｎ−Ａ　ＩｘＧ　ａｌ　−ｘＡ　ｓ層（４）とＰ
Ａ　ｌｘＧ　ａｌ　−ｘＡ　ｓ層（５）とのへき開面か
ら線状発光する。
そして、その光が感光ドラム（４０）の感光面に結像す
る。なお、放出された光のビームは、発光面が基板（２
０）の面と垂直なので、基板（２０）の面方向と平行で
ある。
以下、ＬＥＤアレイ（１＾）を露光源とする電子写真の
プロセスは、上述した従来例と同一である。
つづいて、上述した実施例の製造方法の一例を簡単に説
明する。
まず、Ｎ−ＧａＡｓ層（バッファ層）（３）、Ｎ−Ａ　
ＩｘＧ　ａｌ−）ＩＡ　ｓ層（４）、Ｐ　−Ａ　１ｘＧ
ａｔ−ｘＡｓ層（５）、絶縁層（上面のみ）（６＾）及
びＰ電極（７＾）から構成された積層体（ウェーハ）が
エピタキシャル成長法等により製造される。
そして、その積層体がダイシングされた後、その側面に
絶縁材が塗布されて絶縁層（側面のみ）（６＾）が形成
され、さらに、ペースト状の金属が全面的に塗布され、
不要部分がエツチング等で取り去られてＮ電極（２＾）
が形成されてＬＥＤアレイ（１＾）が製造される。
こうして、上述したＬＥＤアレイ（１＾）から放出され
る光は、Ｐ　−Ａ　１ｘＧａ１−ｘＡｓ層（５）がらの
面発光がＰ電極（７＾）によって抑えられるので、Ｎ−
Ａ　ＩｘＧ　ａ、　−ｘＡ　５ｍ１（４）とＰ　−Ａ　
ＩｘＧ　ａｌ　−ｘＡ　ｓＭ（５）とのへき開面からの
線状発光するものだけとなる。
また、上述したＬＥＤアレイ（１＾）は、電極面積が大
きいので、コンタクト抵抗を下げることができ、基板（
２０）に直接ハンダ付は配線が可能となり、その結果、
ＬＥＤアレイ（１＾）、基板（２ｏ）等で構成されたＬ
ＥＤアレイ・ヘッドの製造が簡単になる。
また、このＬＥＤアレイ・ヘッドは、ＳＬＡを省略する
ことができるので、コストダウンを計ることができ、光
伝達効率が向上し、駆動電源容量を小さくすることがで
きる。
ところで上記説明では、Ｎ電極をＰ電極の面まで形成し
た場合について述べたが、逆にＰ電極をＮｉ極の面まで
形成しても所期の目的を達成し得ることはいうまでもな
い。
［発明の効果］ この発明は、以上説明したとおり、ＰＮ接合面から光を
放出するＰＮ接合の半導体と、光の放出を防ぐようにＰ
形半導体を覆うＰ電極と、Ｎ形半導体に接続され一端が
上記Ｐ電極の一端と同一面に形成されているＮ電極とか
ら構成されたので、光伝達効率を高くすることができる
という効果を奏する。
また、簡単に基板に取り付けることができ、かつ発光面
が基板面と垂直な位置に取り付けることができるという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図、第２図はこ
の発明の一実施例を使用した電子写真プリンタの概略を
示す側面図、第３図は従来のしＥＤアレイを示す斜視図
、第４図は従来のＬＥＤアレイを使用した電子写真プリ
ンタの概略を示す側面図である。 図において、 （１＾）・・・　ＬＥＤアレイ、 （２＾）　・・・　Ｎ電極、 （３）　　−Ｎ−ＧａＡｓ層、 （４）　　−Ｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層、（５）　　
−Ｐ　−Ａ　ｌｘＧ　ａｌ　−ｘＡ　ｓ層、（６＾）・
・・　絶縁層、 （７＾）　・・・　Ｐ電極である。 なお、各図中、同一符号は同一、 を示す。 又は相当部分 第 図 第 図 Ｎ電極 Ｎ−〇ａＡＳ層 Ｎ−ＡｆｚＧα１−ｚＡＳｊｉ Ｐ−Ａ１ｚＧｃ＋−ＺＡＳ４ 紀球層 Ｐ電極 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ＰＮ接合面から光を放出するＰＮ接合の半導体、光の放
    出を防ぐようにＰ形半導体を覆うＰ電極、及びＮ形半導
    体に接続され一端が上記Ｐ電極の一端と同一面に形成さ
    れているＮ電極から構成されたことを特徴とするＬＥＤ
    アレイ。
JP63279390A 1988-11-07 1988-11-07 Ｌｅｄアレイ Pending JPH02127053A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63279390A JPH02127053A (ja) 1988-11-07 1988-11-07 Ｌｅｄアレイ
US07/513,878 US5045895A (en) 1988-11-07 1990-04-24 Light emitting diode array with electrodes
CA002015462A CA2015462C (en) 1988-11-07 1990-04-26 Light emitting diode array
EP90108461A EP0454891A1 (en) 1988-11-07 1990-05-04 Light emitting diode array
US07/700,422 US5094970A (en) 1988-11-07 1991-05-15 Method of making a light emitting diode array

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