JP2012004452A - 発光素子アレイ及びプリントヘッド - Google Patents
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Abstract
【課題】外部発光効率に優れた発光素子アレイ及びこれを備えるプリントヘッドを提供する。
【解決手段】発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、P型の第1半導体層、N型の第2半導体層、P型の第3半導体層、N型の第4半導体層が形成され、第1半導体層上にアノード電極が形成され、第4半導体層28上にカソード電極30が形成されて構成される。アノード電極は、1本の共通のアノード配線115としてパターニングされて形成される。アノード配線115は、カソード電極が形成されるメサ領域を囲むように形成される。
【選択図】図3
【解決手段】発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、P型の第1半導体層、N型の第2半導体層、P型の第3半導体層、N型の第4半導体層が形成され、第1半導体層上にアノード電極が形成され、第4半導体層28上にカソード電極30が形成されて構成される。アノード電極は、1本の共通のアノード配線115としてパターニングされて形成される。アノード配線115は、カソード電極が形成されるメサ領域を囲むように形成される。
【選択図】図3
Description
本発明は、発光素子アレイ及びプリントヘッドに関する。
電子写真方式を採用したプリンタや複写機、ファクシミリ等の画像形成装置では、一様に帯電された感光体上に静電潜像を形成し、この静電潜像にトナーを付加して可視化し、記録紙上に転写して定着させる。静電潜像を形成するための記録手段として、最近では、発光素子としての発光ダイオード(LED)を主走査方向に複数配置してなる、LEDプリントヘッドが採用される場合が多い。
下記の特許文献1には、絶縁基板上に設けられたP型の第1半導体層と、この第1半導体層上に設けられたN型の第2半導体層と、この第2半導体層上に設けられたP型の第3半導体層と、この第3半導体層上に設けられたN型の第4半導体層と、第1半導体層上に設けられたアノード電極と、第3半導体層上に設けられたゲート電極と、第4半導体層上に設けられたカソード電極を備え、第4半導体層のシート抵抗値を第1半導体層のシート抵抗値以下とすることで、流れる電流を端に集中させて外部発光効率を向上させる構成が開示されている。
また、特許文献2には、PNPN構造の発光サイリスタが複数個1次元に配列された発光素子アレイと、最下層の半導体層上に形成された各発光サイリスタのアノード電極/カソード電極を兼ねる第1の給電ラインと、最上層の半導体層上に形成された各発光サイリスタのカソード電極/アノード電極を接続する第2の給電ラインを備える自己走査型発光素子アレイにおいて、第1の給電ラインに接続されるボンディングパッドと、第2の給電ラインに接続されるボンディングパッドとが、発光素子アレイの両端に分かれて配置される構成が開示されている。
図8及び図9に、特許文献2に開示された自己走査型発光素子アレイの側面図及び平面図を示す。
図8において、自己走査型発光素子アレイは、スイッチ部(転送部)と発光部から構成され、それぞれ3端子のサイリスタから構成される。発光部を構成する発光素子は、半絶縁基板(SI)40上に、順次、P型半導体層22、N型半導体層24、P型半導体層26、N型半導体層28が形成される。P型半導体層22上にアノード電極44が形成され、P型半導体層26上にゲート電極32が形成され、N型半導体層28上にカソード電極30が形成される。アノード電極44は、1本の共通のアノード配線としてパターニングされて形成される。このアノード配線は、発光素子との距離を最短とするために、発光素子に並置する構成となっている。
図9において、各スイッチ部のカソード電極32に接続されるΦ1ライン11、Φ2ライン12と、各発光素子のカソード電極に接続される給電ライン14と、各発光素子のアノード電極として機能する給電ライン(アノード配線)15が形成される。VGAライン13は電源であり、負荷抵抗を経てスイッチ部のゲート電極に接続される。ライン11,12,13,14それぞれのボンディングパッド51,52,53,54は発光素子の一方の側に配置され、給電ライン(アノード配線)15のボンディングパッド55は発光素子の他方側に配置される。また、給電ライン(アノード配線)15は、発光素子に対して並置して設けられる。
ところで、給電ラインとしてのアノード配線15を発光素子に対して並置して設けることにより外部発光効率が向上するが、発光領域がアノード配線15寄りに偏る傾向がある。
図10に、図9に示した平面図の一部拡大図を示す。カソード電極30近傍の拡大図である。電流分布は、カソード電極30が形成されるメサ領域のうちアノード配線15側において大きくなり、発光領域(図においてLで示す領域)もメサ領域のうちアノード配線側の一部の領域のみに限定される。そして、メサ領域のアノード配線15側側壁の電流密度が高くなり非発光再結合の影響が大きくなる。さらに、電流経路が狭いために発光素子の抵抗値が増大する。
本発明は、外部発光効率に優れた発光素子アレイ及びこれを備えるプリントヘッドを提供することを目的とする。
請求項1記載の発明は、基板上に形成された第1導電型の第1半導体層と、前記第1半導体層上に形成された第2導電型の第2半導体層と、第2半導体層上に形成された第1導電型の第3半導体層と、前記第3半導体層上に形成された第2導電型の第4半導体層と、前記第3半導体層上に形成されゲート電極として機能する第1電極と、前記第4半導体層上に形成されカソード電極あるいはアノード電極として機能する第2電極と、前記第1半導体層上に形成されアノード電極あるいはカソード電極として機能する第3電極とを備える発光素子が複数個1次元に配列され、前記発光素子アレイを構成する各発光素子の各第3電極は、発光素子アレイ共通の給電ラインとしてパターニングされ、前記給電ラインは、さらに各発光素子の各第2電極が形成されるメサ領域の周囲を囲むように分岐形成されることを特徴とする発光素子アレイである。
請求項2記載の発明は、前記給電ラインは、少なくとも前記メサ領域の異なる2つの側面に面して形成されることを特徴とする請求項1記載の発光素子アレイである。
請求項3記載の発明は、前記給電ラインは、前記メサ領域の異なる3つの側面に面して形成されることを特徴とする請求項1記載の発光素子アレイである。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の発光素子アレイを備えるプリントヘッドである。
請求項1記載の発明によれば、本構成を有しない場合に比べて、外部発光効率が増大する。
請求項2記載の発明によれば、本構成を有しない場合に比べて、メサ領域における発光領域が拡大して外部発光効率が増大する。
請求項3記載の発明によれば、本構成を有しない場合に比べて、メサ領域における発光領域がさらに拡大して外部発光効率が増大する。
請求項4記載の発明によれば、本構成を有しない場合に比べて、外部発光効率増大によりプリント品質が向上する。
以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。
<基本原理>
まず、本実施形態の基本原理について説明する。
まず、本実施形態の基本原理について説明する。
図1に、本実施形態の自己走査型発光素子の側面図を示す。本実施形態においても、外部発光効率を増大するために、PNPN構造の発光素子において抵抗値を調整する。すなわち、半絶縁性基板(SI)40上に、順次、P型の第1半導体層22、N型の第2半導体層24、P型の第3半導体層26、N型の第4半導体層28が形成される。第1半導体層22上にアノード電極44が形成され、第3半導体層26上にゲート電極32が形成され、第4半導体層28上にカソード電極30が形成される。アノード電極44は、1本の共通のアノード配線としてパターニングされて形成される。半絶縁性基板40はGaAsで構成され、各半導体層はGaAsやAlGaAsで構成され、各電極はAu合金で構成される。
自己走査型発光素子アレイの基本構成は公知であり、以下に簡単に説明すると、自己走査型発光素子アレイは、スイッチ素子からなるスイッチ部と、発光素子からなる発光部とを備える。スイッチ素子及び発光素子はいずれも3端子サイリスタから構成され、スイッチ素子のゲート電極はダイオードで接続される。電源ラインVGAは負荷抵抗を経て各スイッチ素子のゲート電極に接続される。スイッチ素子のゲート電極は、発光素子のゲート電極32にも接続される。スイッチ素子のカソード電極は、交互に転送用クロックパルス端子Φ1、Φ2に接続される。発光素子のカソード電極は、発光素子給電端子ΦIに接続される。
このような構成において、まず、第4半導体層28のシート抵抗値を第1半導体層22のシート抵抗値以下とすることで、流れる電流を端に集中させて外部発光効率を向上させる。各半導体層のシート抵抗値は、各半導体層のサイズ及び不純物濃度で決定され、第1半導体層22及び第4半導体層28のサイズ及び不純物濃度を調整することで、第4半導体層28のシート抵抗値を第1半導体層22のシート抵抗値以下とする。本願出願人は、第1半導体層22、すなわちアノード電極44が形成されるアノード層のキャリア濃度を順次変化させることで、電流密度分布のピーク位置がシフトすることを確認しており、第1半導体層22のキャリア濃度が低いほど、電流分布のピーク位置がカソード電極30の位置から遠ざかることを確認している。このことは、第1半導体層22の抵抗値を第4半導体層28に対して相対的に増大させることで、電流密度分布をカソード電極30の位置から遠ざけ、メサ領域の端部に電流を集中させて外部発光効率を向上し得ることを示す。
次に、図2の平面図に示すように、単にアノード配線15を発光素子に近い位置に並置させる構成では、メサ領域のうちアノード配線15寄りの領域(図中A領域)のみに電流が集中し、この部分で発光するだけにすぎない。メサ領域が平面形状において矩形形状である場合、図2に示すように、領域Aのみならず、矩形の他の面に面する領域Bや領域Cにおいても、本来的に発光領域として使用し得るはずである。なお、領域Aに対向する領域も本来的に発光領域として使用し得るが、カソード電極30に接続される配線が存在するため、この領域から発光した光は配線で遮られて外部に射出しない。従って、領域Aに加え、少なくとも領域Bあるいは領域Cのいずれか、さらには領域Aに加えて領域Bと領域Cにも電流分布を生ぜしめ、発光領域として活用することが望ましい。
本実施形態では、このような技術思想の下、メサ領域のうちアノード配線15側の領域のみならず、他の領域でも発光させるべく、メサ領域を囲むようにアノード配線15に加えてさらにアノード配線15b、及び/またはアノード配線15cを追加するものである。アノード配線15bを追加することで、領域Bにも電流が流れ、発光領域として活用し得る。また、アノード配線15cを追加することで、領域Cにも電流が流れ、発光領域として活用し得る。領域Aに加えて領域B、及び/又は領域Cを発光させることで、トータルの外部発光効率が増大する。
以下、各実施形態について説明する。
1.第1実施形態
図3に、本実施形態における自己走査型発光素子アレイの平面図を示す。発光素子アレイは、図1と同様に、半絶縁性基板(SI)40上に、順次、P型の第1半導体層22、N型の第2半導体層24、P型の第3半導体層26、N型の第4半導体層28が形成され、第1半導体層22上にアノード電極44が形成され、第3半導体層26上にゲート電極32が形成され、第4半導体層28上にカソード電極30が形成されて構成される。アノード電極44は、1本の共通のアノード配線としてパターニングされて形成される。また、各スイッチ部のゲート電極に接続されるΦ1ライン111、Φ2ライン112と、各発光素子のカソード電極30に接続される給電ライン114が形成される。また、各発光素子のアノード電極44として機能する給電ライン(アノード配線)115が形成される。VGAライン113は電源であり、負荷抵抗を経てスイッチ素子のゲート電極32に接続される。ライン111,112,113,114それぞれのボンディングパッド151,152,153,154は発光素子の一方の側に配置され、給電ライン(アノード配線)115のボンディングパッド155は、発光素子の他方側に配置される。
図3に、本実施形態における自己走査型発光素子アレイの平面図を示す。発光素子アレイは、図1と同様に、半絶縁性基板(SI)40上に、順次、P型の第1半導体層22、N型の第2半導体層24、P型の第3半導体層26、N型の第4半導体層28が形成され、第1半導体層22上にアノード電極44が形成され、第3半導体層26上にゲート電極32が形成され、第4半導体層28上にカソード電極30が形成されて構成される。アノード電極44は、1本の共通のアノード配線としてパターニングされて形成される。また、各スイッチ部のゲート電極に接続されるΦ1ライン111、Φ2ライン112と、各発光素子のカソード電極30に接続される給電ライン114が形成される。また、各発光素子のアノード電極44として機能する給電ライン(アノード配線)115が形成される。VGAライン113は電源であり、負荷抵抗を経てスイッチ素子のゲート電極32に接続される。ライン111,112,113,114それぞれのボンディングパッド151,152,153,154は発光素子の一方の側に配置され、給電ライン(アノード配線)115のボンディングパッド155は、発光素子の他方側に配置される。
本実施形態において、第1に、第4半導体層28の抵抗値が、第1半導体層22の抵抗値以下となるようにそれぞれの膜厚あるいは不純物濃度が調整される。これにより、流れる電流を電極下部ではなく電極から離れた端部に集中させて外部発光効率を向上させる。
第2に、給電ライン114のボンディングパッド154が発光素子の一方の側に配置され、アノード配線115のボンディングパッド155が発光素子の他方側に配置される。これにより、一方のボンディングパッドから他方のボンディングパッドに至る配線長が全ての発光素子で略同一となり、発光光量が均一化される。
第3に、アノード配線115は、各発光素子に対して近接して並置して設けられるが、さらに、各発光素子のカソード電極が形成されるメサ領域を囲むように分岐形成される。
図4に、図3における発光素子のメサ領域近傍の一部拡大図を示す。アノード配線115は、メサ領域の一側面のみに面して存在するだけでなく、メサ領域の残りの2つの側面にも面し、メサ領域を囲むように分岐して形成される(平面形状コの字型に形成)。メサ領域の各側面に面して形成されたアノード配線115とメサ領域との各側面との距離は略同一である。アノード配線115の形成方法は従来と同様であり、素子分離エッチングを行う際に、エッチング深さを第1半導体層までとし、第1半導体層にオーミックコンタクトが得られるようにAu合金をリフトオフで形成する。
図4に、図3における発光素子のメサ領域近傍の一部拡大図を示す。アノード配線115は、メサ領域の一側面のみに面して存在するだけでなく、メサ領域の残りの2つの側面にも面し、メサ領域を囲むように分岐して形成される(平面形状コの字型に形成)。メサ領域の各側面に面して形成されたアノード配線115とメサ領域との各側面との距離は略同一である。アノード配線115の形成方法は従来と同様であり、素子分離エッチングを行う際に、エッチング深さを第1半導体層までとし、第1半導体層にオーミックコンタクトが得られるようにAu合金をリフトオフで形成する。
このように、メサ領域の周囲を囲むようにアノード配線115を分岐形成することで、電流分布を拡大させる。この結果、発光領域は図中Lの領域となり、外部発光効率が増大する。すなわち、電流分布が拡大することで、発光素子の抵抗値が図10の場合と比較して減少し、メサ側壁付近の電流密度を下げて非発光再結合の割合を小さくして発光効率を向上させる。
本願出願人は、本実施形態のアノード配線115の構成によれば、図9、図10に示す構成に比べて、2倍以上発光効率が増大することを確認している。
なお、本実施形態では、半絶縁基板上40上に、順次、P型半導体層、N型半導体層、P型半導体層、N型半導体層を積層しているが、半絶縁基板40上に、順次、N型の第1半導体層、P型の第2半導体層、N型の第3半導体層、P型の第4半導体層を積層してもよく、この場合には第1半導体層上にカソード電極が形成され、第4半導体層上にアノード電極が形成される。従って、この場合、図3におけるアノード配線115はカソード配線として機能する。
2.第2実施形態
図5に、本実施形態における自己走査型発光素子アレイの平面図を示す。発光素子アレイは、第1実施形態と同様に、半絶縁基板(SI)40上に、順次、P型の第1半導体層22、N型の第2半導体層24、P型の第3半導体層26、N型の第4半導体層28が形成され、第1半導体層22上にアノード電極44が形成され、第3半導体層26上にゲート電極32が形成され、第4半導体層28上にカソード電極30が形成されて構成される。アノード電極44は、1本の共通のアノード配線としてパターニングされて形成される。また、スイッチ部のゲート電極に接続されるΦ1ライン111、Φ2ライン112と、各発光素子のカソード電極30に接続される給電ライン114が形成される。また、各発光素子のアノード電極44として機能する給電ライン(アノード配線)116が形成される。VGAライン113は電源であり、負荷抵抗を経てスイッチ素子のゲート電極32に接続される。ライン111,112,113,114それぞれのボンディングパッド151,152,153,154は発光素子の一方の側に配置され、給電ライン(アノード配線)116のボンディングパッド155は発光素子の他方側に配置される。
図5に、本実施形態における自己走査型発光素子アレイの平面図を示す。発光素子アレイは、第1実施形態と同様に、半絶縁基板(SI)40上に、順次、P型の第1半導体層22、N型の第2半導体層24、P型の第3半導体層26、N型の第4半導体層28が形成され、第1半導体層22上にアノード電極44が形成され、第3半導体層26上にゲート電極32が形成され、第4半導体層28上にカソード電極30が形成されて構成される。アノード電極44は、1本の共通のアノード配線としてパターニングされて形成される。また、スイッチ部のゲート電極に接続されるΦ1ライン111、Φ2ライン112と、各発光素子のカソード電極30に接続される給電ライン114が形成される。また、各発光素子のアノード電極44として機能する給電ライン(アノード配線)116が形成される。VGAライン113は電源であり、負荷抵抗を経てスイッチ素子のゲート電極32に接続される。ライン111,112,113,114それぞれのボンディングパッド151,152,153,154は発光素子の一方の側に配置され、給電ライン(アノード配線)116のボンディングパッド155は発光素子の他方側に配置される。
アノード配線116は、発光素子に対して並置して設けられるが、さらに、各発光素子のカソード電極が形成されるメサ領域を囲むように設けられる。すなわち、各発光素子に並置してアノード配線116が形成されるとともに、隣接する発光素子の間に、一つおきにアノード配線116を延在させる。
図6に、図5における発光素子のメサ領域近傍の一部拡大図を示す。アノード配線116は、隣接する発光素子の間に一つおきに延在するため、アノード配線116のパターンは発光素子に応じて2つ存在する。図6は、これら2つのパターンを(a)、(b)として示す。図6(a)は、アノード配線116がメサ領域の図中右側、すなわちカソード電極に接続される給電ライン114とは反対側の側面に面して形成されるとともに、図中下側の側面に面して形成されるパターンであり、図5における発光素子L1のメサ領域近傍である。また、図6(b)は、アノード凱旋116がメサ領域の右側の側面に面して形成されるとともに、図中上側の側面に面して形成されるパターンであり、図5における発光素子L2のメサ領域近傍である。両パターンとも、メサ領域の2つの側面に面してアノード配線116が形成されているので、メサ領域の1面のみに面してアノード配線が形成されている場合と比較して、発光効率が増大する。すなわち、電流分布が拡大することで、発光素子の抵抗値が図10の場合と比較して減少し、メサ側壁付近の電流密度を下げて非発光再結合の割合を小さくして発光効率を向上させる。
本実施形態においても、半絶縁基板40上に、順次、N型の第1半導体層、P型の第2半導体層、N型の第3半導体層、P型の第4半導体層を積層してもよく、この場合には第1半導体層上にカソード電極が形成され、第4半導体層上にアノード電極が形成される。従って、この場合、図5におけるアノード配線116はカソード配線として機能する。
3.第3実施形態
第1実施形態及び第2実施形態では、発光素子のカソード電極が形成されるメサ領域の平面形状が矩形形状である場合を例にとり説明したが、メサ領域は必ずしも矩形形状である必要はなく、他の形状であってもよい。
第1実施形態及び第2実施形態では、発光素子のカソード電極が形成されるメサ領域の平面形状が矩形形状である場合を例にとり説明したが、メサ領域は必ずしも矩形形状である必要はなく、他の形状であってもよい。
本実施形態では、メサ領域の平面形状が円ないし楕円形状である場合について示す。図7に、発光素子のメサ領域の一部拡大図を示す。図3、図4に示す第1実施形態では、メサ領域の平面形状が矩形形状であることに鑑みて、アノード配線115をメサ領域の3つの面に面してメサ領域を囲むように形成しているが、本実施形態ではメサ領域の平面形状が円ないし楕円形状であることに鑑みて、アノード配線117が直線状ではなく、メサ領域の極率に応じた曲率を有するように形成される。すなわち、メサ領域が矩形形状ではなく円ないし楕円のように一定の曲率を有する場合には、アノード配線117もこのメサ領域の曲率に応じて曲率を有してもよい。これにより、メサ領域を囲むようにアノード配線117を形成するとともに、カソード電極とアノード配線117との間の距離が略等距離に維持される。
以上、各実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
例えば、図7に示した第3実施形態では、図3、図4に示す第1実施形態においてメサ形状が円ないし楕円形状の場合について示したが、図5,6に示す第2実施形態においてメサ形状が円ないし楕円形状の場合についても同様であり、メサ形状の曲率に応じてアノード配線117が一定の曲率を有してもよい。
また、第1実施形態では、第1、第2及び第3の技術的要件の組み合わせについて示したが、第1及び第2の技術的要件は必ずしも必須ではなく、少なくとも第3の技術的要件を備えていればよい。第2実施形態についても同様である。
また、各実施形態では、自己走査型発光素子アレイとして説明したが、図2、図4、図6の構成は自己走査型発光素子アレイに限定されるものではなく、他の発光素子アレイにも同様に適用し得る。すなわち、P型半導体層とN型半導体層とを積層し、P型半導体層上にP型電極、N型半導体層上にN型電極を形成してなる半導体発光素子を複数個1次元に配列して発光素子アレイを構成し、P型電極(アノード電極)あるいはN型電極(カソード電極)を1本の共通の給電ラインとしてパターン形成する場合においても同様に適用し得る。
各実施形態の自己走査型発光素子アレイは、画像形成装置のプリントヘッドの回路基板に組み込まれるが、以下、このプリントヘッドの回路基板について簡単に説明しておく。
図11に、画像形成装置のプリントヘッドに搭載される回路基板及び発光部の平面図を示す。発光部は、回路基板上に、発光素子アレイチップC1〜C60を主走査方向に二列に対向させて千鳥状に配置される。信号発生回路100は、回路基板上の所定位置に設けられ、発光部に対して各種駆動信号を供給する。信号発生回路100には、画像処理された画像データ及び各種制御信号が供給される。信号発生回路100は、画像データ及び各種制御信号に基づいて、画像データの並び替え等を行う。信号発生回路100は、各発光チップC1〜C60に対して点灯信号を出力する。また、信号発生回路100は、画像データに基づいて、各発光チップC1〜C60において点灯させるべき発光素子を指定し、記憶するための記憶信号を出力する。さらに、信号発生回路100は、各種制御信号に基づいて、各発光チップC1〜C60に対して転送信号を出力する。発光チップC1は、複数の発光素子(発光サイリスタ)を組(ブロック)にし、組(ブロック)を単位として点灯/消灯を制御する。例えば、8個の発光素子で1つの組を構成する。発光チップC1は、一例として2個のSLED(自己走査型発光素子アレイ)を備える。これらのSLEDは、それぞれ128個の発光サイリスタL1〜L128を備える。
40 半絶縁基板、22 第1半導体層、24 第2半導体層、26 第3半導体層、28 第4半導体層、30 カソード電極、32 ゲート電極、44 アノード電極、115,116,117 アノード配線。
Claims (4)
- 基板上に形成された第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に形成された第2導電型の第2半導体層と、
第2半導体層上に形成された第1導電型の第3半導体層と、
前記第3半導体層上に形成された第2導電型の第4半導体層と、
前記第3半導体層上に形成されゲート電極として機能する第1電極と、
前記第4半導体層上に形成されカソード電極あるいはアノード電極として機能する第2電極と、
前記第1半導体層上に形成されアノード電極あるいはカソード電極として機能する第3電極と、
を備える発光素子が複数個1次元に配列され、
前記発光素子アレイを構成する各発光素子の各第3電極は、発光素子アレイ共通の給電ラインとしてパターニングされ、
前記給電ラインは、さらに各発光素子の各第2電極が形成されるメサ領域の周囲を囲むように分岐形成される
ことを特徴とする発光素子アレイ。 - 前記給電ラインは、少なくとも前記メサ領域の異なる2つの側面に面して形成されることを特徴とする請求項1記載の発光素子アレイ。
- 前記給電ラインは、前記メサ領域の異なる3つの側面に面して形成されることを特徴とする請求項1記載の発光素子アレイ。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載の発光素子アレイを備えるプリントヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010139803A JP2012004452A (ja) | 2010-06-18 | 2010-06-18 | 発光素子アレイ及びプリントヘッド |
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ID=45536075
Family Applications (1)
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JP (1) | JP2012004452A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021082762A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 株式会社沖データ | 半導体装置、露光装置、および画像形成装置 |
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2010
- 2010-06-18 JP JP2010139803A patent/JP2012004452A/ja active Pending
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JP2021082762A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 株式会社沖データ | 半導体装置、露光装置、および画像形成装置 |
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