JPH0537089A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

半導体レーザ装置

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JPH0537089A
JPH0537089A JP21016391A JP21016391A JPH0537089A JP H0537089 A JPH0537089 A JP H0537089A JP 21016391 A JP21016391 A JP 21016391A JP 21016391 A JP21016391 A JP 21016391A JP H0537089 A JPH0537089 A JP H0537089A
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JP
Japan
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semiconductor laser
submount
laser device
heat sink
heat
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Application number
JP21016391A
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English (en)
Inventor
Kimio Shigihara
君男 鴫原
Toshitaka Aoyanagi
利隆 青柳
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザ装置の熱抵抗を下げて、高出力
動作や長寿命を実現する。 【構成】 上下両電極側にヒートシンク100a,10
0bを設け、上下両電極側より放熱をおこなう半導体レ
ーザ装置において、半導体レーザ素子の基板2aの厚み
を50μm以下とした。 【効果】 半導体レーザ素子の基板側からの放熱を向上
でき、これにより熱抵抗を低減でき、高出力動作や長寿
命が実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ装置に関
し、特にその熱抵抗を低減し、高出力動作や長寿命を実
現できる半導体レーザ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図14は、例えばCLEO '89 FH5
に示された従来の上下両側から熱を逃がす半導体レーザ
装置を示す斜視図である。図において、51はダイヤモ
ンドヒートシンク、52は半導体レーザのバー、53は
シリコンヒートシンク、54は冷却水通路である。
【0003】次に動作について説明する。半導体レーザ
のバー2で発生した熱は、前記半導体レーザバー2を上
下両側から挟んでいるダイヤモンドヒートシンク1に流
れ、さらに、内部に水が流れる機構54を備えたシリコ
ンヒートシンク53中へ流れる。ここで、この半導体レ
ーザバー2は約100μmの基板厚を有している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ
は、以上のように構成され、上下両側から熱が逃げる構
造になっているが、基板厚が約100μmと厚いため、
基板側から逃げる熱が少なく、全体として熱抵抗が低下
しないという問題点があった。また、半導体レーザバー
とダイヤモンドヒートシンクの熱膨張係数が異なるの
で、半導体レーザバー中に歪が生じ、長寿命が実現でき
ないという問題があった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、熱抵抗の小さい、上下両側から
放熱する半導体レーザ装置を得ることを目的とする。ま
た、この発明は、半導体レーザ中に生じる歪の小さい、
上下両側から放熱する半導体レーザ装置を得ることを目
的とする。また、この発明は、熱の流れる方向と電流の
流れる方向を分離できる、上下両側から放熱する半導体
レーザ装置を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置は、半導体レーザ素子をp側及びn側の電極側
から2つのヒートシンクで挟んだ半導体レーザにおい
て、半導体レーザ素子の基板の厚さを50μm以下とし
たものである。
【0007】また、この発明に係る半導体レーザ装置
は、半導体レーザ素子をp側及びn側の電極側から2つ
のヒートシンクで挟んだ半導体レーザにおいて、半導体
レーザ素子と上記ヒートシンクとの一方あるいは両方の
間に、半導体レーザ素子の熱膨張係数と上記ヒートシン
クの熱膨張係数の中間の熱膨張係数、又は上記半導体レ
ーザ素子より小さい熱膨張係数を有する材料からなるサ
ブマウントを挿入したものである。
【0008】また、この発明に係る半導体レーザ装置
は、半導体レーザ素子をp側及びn側電極から2つのヒ
ートシンクで挟み、かつ半導体レーザ素子とヒートシン
クの間にサブマウントを挿入した半導体レーザ装置にお
いて、上記サブマウントと半導体レーザ素子との一方あ
るいは両方の間、あるいは上記サブマウントとヒートシ
ンクとの一方あるいは両方の間に、上記サブマウントよ
りも熱伝導率の大きい導体物質を挿入したものである。
【0009】また、この発明に係る半導体レーザ装置
は、半導体レーザ素子をp側及びn側電極から2つのヒ
ートシンクで挟み、かつ半導体レーザ素子とヒートシン
クの間にサブマウントを挿入した半導体レーザ装置にお
いて、上記サブマウントとヒートシンクとの一方あるい
は両方の間に、絶縁体サブマウントを挿入したものであ
る。
【0010】
【作用】この発明においては、基板厚を50μm以下に
したから、基板側から流れ去る熱の量が増え、半導体レ
ーザ素子の熱抵抗を下げることができる。また、この発
明においては、半導体レーザ素子とヒートシンク材との
間に半導体レーザ素子の熱膨張係数と上記ヒートシンク
の熱膨張係数の中間の熱膨張係数、又は上記半導体レー
ザ素子より小さい熱膨張係数を有する材料からなるサブ
マウントを設けたから、サブマウントにより半導体レー
ザ素子にかかる応力が吸収され、半導体レーザ素子中に
生じる歪みを低減できる。
【0011】また、この発明においては、サブマウント
と半導体レーザ素子との間、あるいは上記サブマウント
とヒートシンクとの間に、上記サブマウントよりも熱伝
導率の大きい導体物質を挿入したから、該導体物質が、
半導体レーザ素子中で発生し該金属膜まで達した熱流を
その内部で拡げて、次のサブマウントあるいはヒートシ
ンクに伝える働きをし、熱抵抗を下げることができる。
【0012】また、この発明においては、サブマウント
とヒートシンクとの間に、絶縁体サブマウントを挿入し
たから、この絶縁体サブマウントが、半導体レーザ素子
中で発生した熱をヒートシンク材に伝えるが、電流は通
さない働きをするため、電流の流れる方向と熱の流れる
方向を分離することができ、設計,組立を容易とでき
る。
【0013】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図1は本発明の第1の実施例による半導体レーザ装
置を示す斜視図であり、図において、100aは下側ヒ
ートシンク、100bは上側ヒートシンク、2aは厚さ
tμmの半導体レーザ基板、2bは半導体レーザのエピ
タキシャル結晶成長部、99はレーザ動作中に発熱が生
じる領域、3aは絶縁体セラミック、97a,97bは
半導体レーザ素子の電極メタルである。また、98a,
98bは半導体レーザ素子とヒートシンク材100a,
100bを接着するロウ材、98c,98dはヒートシ
ンク材100a,100bを絶縁体セラミックに接着す
るロウ材である。
【0014】図2は熱抵抗を求めるため、半導体レーザ
をモデル化した一例の断面図である。図において、1は
AlGaAs(Al組成比0.12)活性層の下半分
で、厚さ0.04μm,熱伝導率σ=0.19W/cm・
℃である。2はAlGaAs(Al組成比0.12)活
性層の上半分で、厚さ0.04μm,σ=0.19W/
cm・℃である。3はAlGaAs(Al組成比0.4
6)下クラッド層で、厚さ1.5μm,σ=0.12W
/cm・℃である。4はAlGaAs(Al組成比0.4
6)上クラッド層で、厚さ1.5μm,σ=0.12W
/cm・℃である。5はGaAsコンタクト層で、厚さ
1.5μm,σ=0.45W/cm・℃である。6はGa
As基板で、厚さtμm,σ=0.45W/cm・℃であ
る。7はAuGeメタルで、厚さ0.03μm,σ=
3.18W/cm・℃である。8はTiメタルで、厚さ
0.05μm,σ=0.22W/cm・℃である。9,1
0はAuメタルで、いずれも厚さ0.3μm,σ=3.
18W/cm・℃である。11,12はAuSnからなる
ロウ材で、いずれも厚さ2μm,σ=0.24W/cm・
℃である。99は発熱が生じる領域である。
【0015】基本的な解析は、W.B.ジョイスとR.W.ディ
クソンによる文献“サーマル レジスタンス オブ ヘ
テロストラクチャー レーザーズ”(W.B.Joyce and R.
W.Dixon,“Thermal resistance of hetero structure l
asers ”,J. Appl. Phys.,Vol.46, pp.855-862, 1975)
に基づいて行ったが、異なるところがあるので以下説
明を行う。
【0016】i層(図2中の1〜12の層の内任意の
層)の温度Ti (x,y)は、次式で与えられる。
【0017】
【数1】
【0018】ここで、Kn=2nπ/βであり、
βi,0 ,βi,n ,γi,0 ,γi,n は定数である。熱抵抗
(x) は式(1) を用いて次式のように表わせる。
【0019】
【数2】
【0020】ここで、Jは発熱が生じる領域(幅Aμ
m)での単位面積当たりの発熱を表わし、単位はW/cm
2 である。また、Lは共振器長である。活性領域にわた
る熱抵抗の平均値〈R〉は、次式で与えられる。
【0021】
【数3】
【0022】以下、定数β1,0 ,β1,n を決めることに
する。各層の境界において、温度が連続でなければなら
ないので、次式が成り立つ。 Ti (x,ti )=Ti+2 (x,0) …(4a)
【0023】
【数4】
【0024】ここで、tiはi層の厚さである。また、
各層の境界において、垂直方向の熱流が連続でなければ
ならないので、次式が成り立つ。
【0025】
【数5】
【0026】式(4b),(5b)より次式が導ける。
【0027】
【数6】
【0028】12層と11層における境界条件より次式
が成り立つ。
【0029】
【数7】
【0030】ここで、t11,t12は11層及び12層の
厚さである。−A/2≦x≦A/2の領域で単位面積当
たりのJ〔w〕の発熱があるので、次式が成り立つ。
【0031】
【数8】
【0032】右辺をフーリエ級数展開すると、次式が成
り立つ。
【0033】
【数9】
【0034】1層と2層境界で温度が連続であることか
ら次式が成り立つ。 β1,0 =β2,0 …(10a) β1,n =β2,n …(10b) 式(9b)の左辺を実際に計算すると、次式となる。
【0035】
【数10】
【0036】よって、次式が導ける。
【0037】
【数11】
【0038】式(3) ,(6a),(6b),(7b),(7c),(8b),
(8c),(12b) 及び(13b)から熱抵抗〈R〉が求められ
る。
【0039】図3は図2の構造において、基板厚を変化
させたときの熱抵抗を前記の方法で求めたものである。
ただし、発熱領域幅(A)=150μm,チップ幅
(B)=600μm,共振器長(L)=500μmとし
た。また級数は100項まで考慮している。半導体レー
ザの基板を薄くすると、熱抵抗が低下する様子がわか
る。特に、基板厚約50μm以下では急激に熱抵抗が低
下することがわかる。
【0040】図4及び図5は図1に示す第1の実施例に
よる半導体レーザの製造方法を示す工程別斜視図であ
る。まず、図4(a) に示すように基板2a上に半導体レ
ーザの結晶成長部2bを結晶成長し、この後図4(b) に
示すように研磨あるいはエッチング等で半導体レーザ結
晶の基板2aを50μm以下にする。そして図4(c) に
示すようにオーミック用の電極97a,97bを形成し
た後、素子単位に分離する。次に図4(d) に示すように
半導体レーザ素子をロウ材98aを用いてヒートシンク
100aに接着する。そして図5(a) に示すようにヒー
トシンク100aと絶縁体セラミック3aをロウ材98
cで接着し、さらに図5(b) に示すようにヒートシンク
100bと前記半導体レーザ素子及びヒートシンク10
0bと絶縁体セラミックをロウ材98bと98dで接着
して装置が完成する。
【0041】図6は本発明の第2の実施例による半導体
レーザを示す斜視図である。図において、20は、例え
ばCuWやSi等の導電性のサブマウントであり、98
eはロウ材である。本実施例は活性層中に応力がかかる
のを緩和する目的で、半導体レーザのエピタキシャル結
晶成長部2bとヒートシンク100aの間に前記半導体
レーザ素子の熱膨張係数とヒートシンクのものとの中間
の値を持つサブマウントを挿入したものである。このと
きも基板厚を50μm以下にすると熱抵抗の点で非常に
有利となるが、基板厚が50μm以上でも応力緩和の効
果は得ることができる。
【0042】図7及び図8は図6に示す第2の実施例に
よる半導体レーザの製造方法を示す工程別斜視図であ
る。まず、図7(a) に示すように基板2a上に半導体レ
ーザの結晶成長部2bを結晶成長し、この後図7(b) に
示すように研磨あるいはエッチング等で半導体レーザ結
晶の基板2aを50μm以下にする。そして図7(c) に
示すようにオーミック用の電極97a,97bを形成し
た後、素子単位に分離する。次に図7(d) に示すように
半導体レーザ素子とヒートシンク100aをサブマウン
ト20を間に挟んでロウ材98a,98eで接着する。
そして図8(a) に示すようにヒートシンク100aと絶
縁体セラミック3aをロウ材98cで接着し、さらに図
8(b)に示すようにヒートシンク100bと前記半導体
レーザ素子及びヒートシンク100bと絶縁体セラミッ
クをロウ材98bと98dで接着して装置が完成する。
【0043】図9は本発明の第3の実施例による半導体
レーザを示す斜視図である。図において、21はサブマ
ウント、98fはロウ材である。この実施例では半導体
レーザ素子を2つのサブマウント20,21で挟み、さ
らに2つのヒートシンクで挟んでいる。これにより、片
側のみにサブマウントを設けた場合に比して、チップ内
での応力分布を緩和することができ、半導体レーザ素子
にかかる応力をさらに緩和することができる。さらに前
記半導体レーザ素子の基板厚を50μm以下にすると熱
抵抗の低減においても大きな効果が得られる。
【0044】図10は本発明の第4の実施例による半導
体レーザを示す斜視図であり、図において、2a,2b
はサブマウント20,21とチップの間に挿入した金属
膜であり、その熱伝導率はサブマウントのものよりも大
きい。図11に示すモデルを用いて、金属膜を挿入する
と、挿入しない場合に比べて熱抵抗が低下することを示
す。図において、22a,22bはAuメタル(10μ
m厚,σ=3.18W/cm℃) 、98a,98b,98
e,98fはロウ材(AuSn,2μm厚,σ=0.2
4W/cm℃) 、20,21はサブマウント(Si,15
0μm厚,σ=1.50W/cm℃) 、2aは半導体レー
ザ素子の基板(GaAs,50μm厚,σ=0.45W
/cm℃) である。その他の部分は図2と同じである。共
振器長(L)を500μm、チップ幅(B)を600μ
m、発熱領域幅(A)を150μmとすると、Auメタ
ル22a,22bがあるときの熱抵抗は5.30℃/W
となり、ないときの値5.74℃/Wよりも小さくな
る。これは熱伝導の良いAuメタル層中で熱が拡がって
サブマウント中へ伝導していくためである。なお上記実
施例では金属膜を半導体レーザチップとサブマウントの
間に挿入したものについて説明したが、熱伝導率の高い
金属膜をサブマウントとヒートシンクとの間に挿入する
ようにしても同様の効果が得られる。
【0045】図12及び図13は図10に示す第4の実
施例による半導体レーザの製造方法を示す工程別斜視図
である。まず、図12(a) に示すように基板2a上に半
導体レーザの結晶成長部2bを結晶成長し、この後図1
2(b) に示すように研磨あるいはエッチング等で半導体
レーザ結晶の基板2aを50μm以下にする。そして図
12(c) に示すようにオーミック用の電極97a,97
b、さらに金属膜22a,22bを形成した後、素子単
位に分離する。次に図12(d) に示すように半導体レー
ザ素子とヒートシンク100aをサブマウント20を間
に挟んでロウ材98a,98eで接着し、サブマウント
21をロウ材98bで接着する。そして図13(a) に示
すようにヒートシンク100aと絶縁体セラミック3a
をロウ材98cで接着し、さらに図13(b) に示すよう
にヒートシンク100bとサブマウント21及びヒート
シンク100bと絶縁体セラミックをロウ材98fと9
8dで接着して装置が完成する。この例では、半導体レ
ーザの基板厚を50μm以下と薄くして熱抵抗の低減を
図っているが、厚くても良い。
【0046】図14は本発明の第5の実施例による半導
体レーザを示す斜視図であり、図において、3bは絶縁
体セラミックあるいは導体(例えば金属)、22は絶縁
体サブマウント、98gはロウ材である。本実施例では
導体サブマウント21とヒートシンク100bの間に絶
縁体サブマウント23を挿入している。例えば、導体サ
ブマウント21上に、金属細線を設けることにより、電
流は導体サブマウント21から半導体レーザ素子へ、さ
らにヒートシンク100aへ流すことができる。一方、
半導体レーザ素子中で発生した熱流は導体ヒートシンク
21と絶縁体サブマウント23を通してヒートシンク1
00bへ流れるものと、導体サブマウント20を通して
ヒートシンク100aへ流れるものの2通りとなる。こ
のことにより、電流の流れと熱の流れを分けることがで
きるので、半導体レーザ装置の設計及び組立が容易にな
る。例えば、絶縁体サブマウント23を設けない場合
は、支持体を絶縁体で形成する必要があるが、この場
合、ヒートシンク100a,100bの支持体へのロウ
材による接着が難しいという問題があり、またデバイス
として完成させる際には、この支持体をさらにパッケー
ジ用部材に接着しなければならず、工程が複雑となる。
一方、絶縁体サブマウント23を設けることにより電流
の流れと熱の流れを分けた場合、支持体として導体を用
いることが可能となり、ロウ材による接着が容易となる
とともに、パッケージングに際しても、この支持体をそ
のままパッケージ用部材として用いることができる。こ
のように、絶縁体サブマウント23を設けることによ
り、半導体レーザの設計,組立を容易とできる。
【0047】図12は第4の発明の製造方法を示す工程
別斜視図である。同図(a) は半導体レーザの結晶成長後
のウエハあるいは素子である。同図(b) は研磨あるいは
エッチング等で半導体レーザ結晶の基板を50μm以下
にしたウエハあるいは素子である。同図(c) は前記半導
体レーザウエハあるいは素子にオーミック用電極97
a,97bを形成したものである。同図(d) は前記半導
体レーザ素子とサブマウント20,21,23及びヒー
トシンク100aをロウ材98e,98b,98a,9
8fで接着したものである。同図(e) は前記ヒートシン
ク100aと絶縁体セラミックあるいは導体支持3bを
ロウ材98cで接着したものである。同図(f) はヒート
シンク100bと前記サブマウント23及びヒートシン
ク100bと絶縁体セラミックあるいは導体支持3bを
ロウ材98g,98dで接着したものである。この例で
は、半導体レーザの基板厚を50μm以下としているけ
れども、厚いものでも差し支えない。
【0048】図13は第4の発明の他の実施例を示す図
である。図において、22a,22bは半導体レーザ素
子と導体サブマウント20,21の間に挿入した金属膜
である。これら金属膜で熱流を拡げてサブマウントへ流
すため、熱抵抗を低下させることができる。また導体サ
ブマウント21と絶縁体サブマウント23の間にも金属
膜を挿入すると熱抵抗がさらに低下する。
【0049】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体レーザ素子をp側及びn側の電極側から2つのヒート
シンクで挟んだ半導体レーザにおいて、半導体レーザ素
子の基板厚を50μm以下としたので、半導体レーザ素
子の熱抵抗で下げられ、半導体レーザ素子の高出力動作
や長寿命化を図ることができる効果がある。
【0050】また、この発明によれば、半導体レーザ素
子をp側及びn側の電極側から2つのヒートシンクで挟
んだ半導体レーザにおいて、半導体レーザ素子と2つの
ヒートシンクの少なくとも一方との間に、半導体レーザ
素子の熱膨張係数と上記ヒートシンクの熱膨張係数の中
間の熱膨張係数、又は上記半導体レーザ素子より小さい
熱膨張係数を有する材料からなるサブマウントを設けた
構成としたので、半導体レーザ素子にかかる応力を緩和
することができ、長寿命化を図ることができる効果があ
る。
【0051】また、この発明によれば、半導体レーザ素
子をp側及びn側電極から2つのヒートシンクで挟み、
かつ半導体レーザ素子とヒートシンクの間にサブマウン
トを挿入した半導体レーザ装置において、半導体レーザ
素子とサブマウントの間あるいはサブマウントとヒート
シンクの間に、上記サブマウントよりも熱伝導率の大き
い導体物質を挿入したから、熱抵抗の小さな半導体レー
ザ装置を実現できる効果がある。
【0052】また、この発明によれば、半導体レーザ素
子をp側及びn側電極から2つのヒートシンクで挟み、
かつ半導体レーザ素子とヒートシンクの間にサブマウン
トを挿入した半導体レーザ装置において、上記サブマウ
ントとヒートシンクとの間に絶縁体サブマウントを挿入
したから、電流の流れと熱の流れを分離することがで
き、半導体レーザ装置の設計及び組立を容易とできる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例を示す斜視図である。
【図2】この発明の効果を示すため、半導体レーザをモ
デル化した断面図である。
【図3】半導体レーザ素子の基板厚と熱抵抗の関係を示
す図である。
【図4】この発明の第1の実施例の製造方法を示す工程
別斜視図である。
【図5】この発明の第1の実施例の製造方法を示す工程
別斜視図である。
【図6】この発明の第2の実施例を示す斜視図である。
【図7】この発明の第2の実施例の製造方法を示す工程
別斜視図である。
【図8】この発明の第2の実施例の製造方法を示す工程
別斜視図である。
【図9】この発明の第3の実施例を示す斜視図である。
【図10】この発明の第4の実施例を示す斜視図であ
る。
【図11】この発明の第4の実施例の効果を示すため、
半導体レーザをモデル化した断面図である。
【図12】この発明の第4の実施例の製造方法を示す工
程別斜視図である。
【図13】この発明の第4の実施例の製造方法を示す工
程別斜視図である。
【図14】この発明の第5の実施例を示す斜視図であ
る。
【図15】この発明の第5の実施例の製造方法を示す工
程別斜視図である。
【図16】この発明の第5の実施例の製造方法を示す工
程別斜視図である。
【図17】この発明の第6の実施例を示す斜視図であ
る。
【図18】従来の半導体レーザ装置を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
1 活性層の下半分 2 活性層の上半分 3 下クラッド層 4 上クラッド層 5 コンタクト層 6 基板 7 AuGeメタル 8 Tiメタル 10 Auメタル 11 ロウ材 12 ロウ材 2a 半導体レーザ素子の基板 2b 半導体レーザのエピタキシャル結晶成
長部 3a 絶縁体セラミックからなる支持体 3b 絶縁体セラミックあるいは導体からな
る支持体 99 発熱の生じる領域 100a 下側ヒートシンク 100b 上側ヒートシンク 97a,97b 電極メタル 98a,98b ロウ材 98c,98d ロウ材 98e,98f ロウ材 98g ロウ材 20,21 導体サブマウント 22a,22b 金属膜 23 絶縁体サブマウント

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体レーザ素子をp側及びn側の電極
    側から2つのヒートシンクで挟んだ半導体レーザ装置に
    おいて、 前記半導体レーザ素子の基板の厚さが50μm以下であ
    ることを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. 【請求項2】 半導体レーザ素子をp側及びn側の電極
    側から第1,第2の2つのヒートシンクで挟んだ半導体
    レーザ装置において、 前記半導体レーザ素子と前記第1のヒートシンクとの間
    あるいは前記半導体レーザ素子と前記第2のヒートシン
    クとの間あるいはこれら両方に、前記半導体レーザ素子
    の熱膨張係数と前記ヒートシンクの熱膨張係数の中間の
    熱膨張係数、又は前記半導体レーザ素子よりも小さい熱
    膨張係数を有する材料からなるサブマウントを挿入した
    ことを特徴とする半導体レーザ装置。
  3. 【請求項3】 半導体レーザ素子をp側及びn側の電極
    側から第1,第2の2つのヒートシンクで挟み、かつ前
    記半導体レーザ素子と第1,第2のヒートシンクの間に
    それぞれ第1,第2のサブマウントを挿入した半導体レ
    ーザ装置において、 前記半導体レーザ素子と前記第1のサブマウントとの
    間,前記半導体レーザ素子と前記第2のサブマウントと
    の間,前記第1のサブマウントと前記第1のヒートシン
    クとの間,あるいは前記第2のサブマウントと前記第2
    のヒートシンクとの間のいずれか一箇所、または複数箇
    所に、前記サブマウントよりも熱伝導率の大きい導体物
    質を挿入したことを特徴とする半導体レーザ装置。
  4. 【請求項4】 半導体レーザ素子をp側及びn側の電極
    側から第1,第2の2つのヒートシンクで挟み、かつ前
    記半導体レーザ素子と第1,第2のヒートシンクの間に
    それぞれ第1,第2のサブマウントを挿入した半導体レ
    ーザ装置において、 前記第1のサブマウントと前記第1のヒートシンクとの
    間あるいは前記第2のサブマウントと前記第2のヒート
    シンクとの間あるいはこれら両方に、絶縁体サブマウン
    トを挿入したことを特徴とする半導体レーザ装置。
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