JPS60211992A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS60211992A JPS60211992A JP59067639A JP6763984A JPS60211992A JP S60211992 A JPS60211992 A JP S60211992A JP 59067639 A JP59067639 A JP 59067639A JP 6763984 A JP6763984 A JP 6763984A JP S60211992 A JPS60211992 A JP S60211992A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- submount
- laser chip
- laser
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体レーザ装置に係り、特にジャンクショ
ン・アップ型レーザ等の半導体レーザの熱抵抗低減に好
適な半導体レーザ装置に関する。
ン・アップ型レーザ等の半導体レーザの熱抵抗低減に好
適な半導体レーザ装置に関する。
従来のジャンクション・アップ型レーザ、例えばＰ−ｓ
ｉｄｅｕｐ型レーザの電極リードは、金線をワイヤボン
ディングして形成していたので、電極リード側からの放
熱効果が低く、従って熱抵抗が増大する欠点があった。
ｉｄｅｕｐ型レーザの電極リードは、金線をワイヤボン
ディングして形成していたので、電極リード側からの放
熱効果が低く、従って熱抵抗が増大する欠点があった。
そこで、Ｊｏｙｃｅらは、Ｐ−５ｉｄｅ ｕｐ型レーザ
のＰ電極上に厚い金層を形成することによる熱抵抗の低
減効果を理論計算によって示した（Ｗ、 Ｂ、 Ｊｏｙ
ｃｅ ｅｔａｌ ； Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
４６゜Ｐ、 ８５５（１９７５）、）が、この方法を実
際に適用するには製造工程が複雑困難になるうえ、コス
トが高くなるなど実用上の欠点があった。
のＰ電極上に厚い金層を形成することによる熱抵抗の低
減効果を理論計算によって示した（Ｗ、 Ｂ、 Ｊｏｙ
ｃｅ ｅｔａｌ ； Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、
４６゜Ｐ、 ８５５（１９７５）、）が、この方法を実
際に適用するには製造工程が複雑困難になるうえ、コス
トが高くなるなど実用上の欠点があった。
本発明は、かかる点に着目してなされたものであり、熱
抵抗を低減した高信頼性を有する半導体レーザ装置を提
供することを目的とするものである。
抵抗を低減した高信頼性を有する半導体レーザ装置を提
供することを目的とするものである。
半導体レーザの熱抵抗を低減するには、ヒートシンクに
融着されていない電極から取り出す電気リードによる放
熱効果を高める必要がある。本発明では、電極リードを
構成する素材として、比較的熱伝導率が高く、しかも熱
膨張係数がレーザ結晶のそれに近くて熱歪による素子劣
化を抑止し得る誘電体材料あるいは半導体材料を用いる
。これによって、上記目的の熱抵抗の低減化を達成し、
組立てが容易でありしかも高信頼性を有するジャンクシ
ョン・アップ型レーザを実現した。
融着されていない電極から取り出す電気リードによる放
熱効果を高める必要がある。本発明では、電極リードを
構成する素材として、比較的熱伝導率が高く、しかも熱
膨張係数がレーザ結晶のそれに近くて熱歪による素子劣
化を抑止し得る誘電体材料あるいは半導体材料を用いる
。これによって、上記目的の熱抵抗の低減化を達成し、
組立てが容易でありしかも高信頼性を有するジャンクシ
ョン・アップ型レーザを実現した。
以下、本発明の一実施例を説明する。
第１図は、本発明を用いたＰ−ｓｉｄｅｕｐ型ＩｍＧａ
ＡｓＰ／ＩｍＰダブルへテロ構造レーザの例を示す組立
外観図である。レーザチップ１のｎ電極は、金メツキ加
工を施した銅製ヒートシンクブロック２に、例えば導電
性のＳｉサブマウント３を介して半田付けされ、該チッ
プのＰ電極は、本発明の主要な構成要素であるビーム４
の表面に蒸着形成した金属層５を半田付けすることによ
り外部リード端子８へ電気接続されている。ビーム４は
、電気リードとヒートシンクとしての役割をもつもので
、以下これをビームリードヒートシンク（Ｂｅａｍ −
Ｌｅａｄ−ＨｅａＩｌ：５ｉｎｋ ； ＢＬＩ（と略す
）と称す。
ＡｓＰ／ＩｍＰダブルへテロ構造レーザの例を示す組立
外観図である。レーザチップ１のｎ電極は、金メツキ加
工を施した銅製ヒートシンクブロック２に、例えば導電
性のＳｉサブマウント３を介して半田付けされ、該チッ
プのＰ電極は、本発明の主要な構成要素であるビーム４
の表面に蒸着形成した金属層５を半田付けすることによ
り外部リード端子８へ電気接続されている。ビーム４は
、電気リードとヒートシンクとしての役割をもつもので
、以下これをビームリードヒートシンク（Ｂｅａｍ −
Ｌｅａｄ−ＨｅａＩｌ：５ｉｎｋ ； ＢＬＩ（と略す
）と称す。
第２図は、レーザチップ１の周辺の詳細な構造図である
。以下、具体的な組立手順の一例を示す。
。以下、具体的な組立手順の一例を示す。
まず、レーザチップＪをＳｉサブマウント３にＡｕＳｎ
系半田１０を用いて融着し、次いで該サブマウントを半
田１０より融点の低いＡｕＳｎ系半田１１を用いてブロ
ック２に融着する。引き続いて、例エバ、Ｔ ｉｒ Ｐ
ｔ ＋ Ａ ｕを連続蒸着して形成される金属層５、
並びに第３図に示す如く部分的に蒸着形成したＰｂ５ｎ
系半田層９および９′を有するＢＬＨ４を用いてＰ電極
からの電気リード取り出しを行う。半田層９′を用いて
融着される銅製ブロック６（表面Ａｕメッキ加工）は、
アルミナ材７によってブロック２と電気絶縁されている
。
系半田１０を用いて融着し、次いで該サブマウントを半
田１０より融点の低いＡｕＳｎ系半田１１を用いてブロ
ック２に融着する。引き続いて、例エバ、Ｔ ｉｒ Ｐ
ｔ ＋ Ａ ｕを連続蒸着して形成される金属層５、
並びに第３図に示す如く部分的に蒸着形成したＰｂ５ｎ
系半田層９および９′を有するＢＬＨ４を用いてＰ電極
からの電気リード取り出しを行う。半田層９′を用いて
融着される銅製ブロック６（表面Ａｕメッキ加工）は、
アルミナ材７によってブロック２と電気絶縁されている
。
第４図は、第２図を簡略に表現したもので、レーザチッ
プ１の活性領域、すなわち発熱領域１２からの熱の流れ
を矢印で示している。本実施例によれば、実線の矢印で
示す熱流のほかに、破線で示す熱流が生じることになり
、素子の熱抵抗を著しく低減でき、素子特性および信頼
性を大きく向上する効果がある。
プ１の活性領域、すなわち発熱領域１２からの熱の流れ
を矢印で示している。本実施例によれば、実線の矢印で
示す熱流のほかに、破線で示す熱流が生じることになり
、素子の熱抵抗を著しく低減でき、素子特性および信頼
性を大きく向上する効果がある。
第５図は、−例として本発明によるＰ−ｓｉｄｅｕｐ型
ＩｍＧａＡｓＰ／ ＩｍＰダブルへテロ構造レーザの熱
抵抗の低減効果を示すものである。プロット０およびΔ
は、従来方式（電気リードとして２５μｍφ金線を使用
）および本発明の方式（ＢＬＨ４としてＳｉＣセラミッ
クを使用）を用いて組立てたそれぞれ１０個の素子につ
いて測定した熱抵抗Ｒｔ、ｈの平均値であり、縦棒は標
準偏差を示す。第５図の実線および破線は、従来および
本発明の方式について前記Ｊｏｙｃｅらのモデル式から
めた熱抵抗の活性層幅Ｗに対する依存性を示す。これら
の結果から、本発明により約２５％の熱抵抗を低減でき
たことが明らかである。
ＩｍＧａＡｓＰ／ ＩｍＰダブルへテロ構造レーザの熱
抵抗の低減効果を示すものである。プロット０およびΔ
は、従来方式（電気リードとして２５μｍφ金線を使用
）および本発明の方式（ＢＬＨ４としてＳｉＣセラミッ
クを使用）を用いて組立てたそれぞれ１０個の素子につ
いて測定した熱抵抗Ｒｔ、ｈの平均値であり、縦棒は標
準偏差を示す。第５図の実線および破線は、従来および
本発明の方式について前記Ｊｏｙｃｅらのモデル式から
めた熱抵抗の活性層幅Ｗに対する依存性を示す。これら
の結果から、本発明により約２５％の熱抵抗を低減でき
たことが明らかである。
第６図は、本発明による電流−光出力（Ｉ−Ｐ）特性の
改善効果を示すものである。曲線ａは従来方式で組立て
た素子の特性であり、曲線すは同一の素子を用いて本発
明の方式で組立てたときの特性である。この結果は、上
述の熱抵抗低減効果により発振効率が向上することを端
的に示すものである。
改善効果を示すものである。曲線ａは従来方式で組立て
た素子の特性であり、曲線すは同一の素子を用いて本発
明の方式で組立てたときの特性である。この結果は、上
述の熱抵抗低減効果により発振効率が向上することを端
的に示すものである。
第７図は、本発明による信頼性の向上効果を示すもので
ある。劣化速度は、雰囲気温度６０℃、光出力５ ｍ
Ｗ ／ ｆａｃｅｔの定光出力動作試験における動作電
流の増加速度である。プロット０およびΔは、従来方式
および本発明の方式で組立てたそれぞれ１０個の素子の
平均劣化速度であり、縦棒は標準偏差を示す。この結果
から、本発明による熱抵抗低減効果により劣化速度を半
減できることが明らかである。本発明による信頼性の向
上を図るには、ＢＬＨ４の材料として熱伝導率が高くし
かもレーザチップｌに近い熱棒張係数を有するものが望
しい。第７図の結果は、ＢＬＨ４としてＳｉＣセラミッ
ク（熱膨張係数： ３．７Ｘ１０−’ １ ／ｄｅｇ。
ある。劣化速度は、雰囲気温度６０℃、光出力５ ｍ
Ｗ ／ ｆａｃｅｔの定光出力動作試験における動作電
流の増加速度である。プロット０およびΔは、従来方式
および本発明の方式で組立てたそれぞれ１０個の素子の
平均劣化速度であり、縦棒は標準偏差を示す。この結果
から、本発明による熱抵抗低減効果により劣化速度を半
減できることが明らかである。本発明による信頼性の向
上を図るには、ＢＬＨ４の材料として熱伝導率が高くし
かもレーザチップｌに近い熱棒張係数を有するものが望
しい。第７図の結果は、ＢＬＨ４としてＳｉＣセラミッ
ク（熱膨張係数： ３．７Ｘ１０−’ １ ／ｄｅｇ。
熱伝導率： ２ 、７ Ｗ／ｃｍ ｄｅｇ）を用いた場
合のものであり、熱膨張係数はＩｎＰ結晶の４．５ＸＩ
Ｇ−’１／ｄｅｇに近く、組立時にレーザチップ１に加
わる熱歪みが低減されている。他のＢＬＨ材としてＳｉ
（熱膨張係数： ３ 、５ Ｘ １０−’ １．／ｄｅ
ｇ、熱伝導率１ 、３ Ｗ ／ ａｍ ｄｅｇ）やＢｅ
Ｏ（６，５Ｘ１０−’１ ／ｄｅｇ、 ２ 、４ Ｗ／
ｃＩＩｌｄｅｇ）も有望であり、第５〜７図に示した結
果と同様の改善効果が確かめられた。
合のものであり、熱膨張係数はＩｎＰ結晶の４．５ＸＩ
Ｇ−’１／ｄｅｇに近く、組立時にレーザチップ１に加
わる熱歪みが低減されている。他のＢＬＨ材としてＳｉ
（熱膨張係数： ３ 、５ Ｘ １０−’ １．／ｄｅ
ｇ、熱伝導率１ 、３ Ｗ ／ ａｍ ｄｅｇ）やＢｅ
Ｏ（６，５Ｘ１０−’１ ／ｄｅｇ、 ２ 、４ Ｗ／
ｃＩＩｌｄｅｇ）も有望であり、第５〜７図に示した結
果と同様の改善効果が確かめられた。
尚、上記実施例では、Ｐ−ｓｉｄｅ ｕｐ型レーザの例
を主体に説明したが、本発明は、基本的には、これに限
らず、Ｐ−ｓｉｄｅ ｄｏｔｙｎ型のものに対しても適
用可能である。
を主体に説明したが、本発明は、基本的には、これに限
らず、Ｐ−ｓｉｄｅ ｄｏｔｙｎ型のものに対しても適
用可能である。
以上述べたように、本発明によれば、簡便な組立て方式
によりジャンクション・アップ型レーザの熱抵抗を低減
でき、併せて電気光学特性や信頼性の改善効果がある。
によりジャンクション・アップ型レーザの熱抵抗を低減
でき、併せて電気光学特性や信頼性の改善効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す外観図、第２図はレー
ザチップ周辺の構造図、第３図はビームリードヒートシ
ンクの構造図、第４図は発熱領域からの熱流を説明する
図、第５図は本発明による熱抵抗低減効果を示す図、第
６図は電流−光出力特性の改善効果を示す図、第７図は
信頼性の向上効果を示す図である。 ■・・・レーザチップ、２・・・ヒートシンク、３・・
・サブマウント、４・・・ビームリードヒートシンク、
５・・・子 １ 口 第 ３ 図 第 ４２ ２ ４５ 口 ￥Ｉ ４ 図 工 （儂４） 第 ７ 図 尺＋Ａ（’Ｃ／ｗ）
ザチップ周辺の構造図、第３図はビームリードヒートシ
ンクの構造図、第４図は発熱領域からの熱流を説明する
図、第５図は本発明による熱抵抗低減効果を示す図、第
６図は電流−光出力特性の改善効果を示す図、第７図は
信頼性の向上効果を示す図である。 ■・・・レーザチップ、２・・・ヒートシンク、３・・
・サブマウント、４・・・ビームリードヒートシンク、
５・・・子 １ 口 第 ３ 図 第 ４２ ２ ４５ 口 ￥Ｉ ４ 図 工 （儂４） 第 ７ 図 尺＋Ａ（’Ｃ／ｗ）
Claims (1)
- １、一方の電極がヒートシンクに融着されている半導体
レーザチップにおいて、該レーザチップの他方の電極か
ら取り出すリードを構成する要素として、Ｓｉ、ＢａＯ
，およびＳｉＣの少なくとも一つを含むことを特徴とす
る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067639A JPS60211992A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067639A JPS60211992A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211992A true JPS60211992A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13350765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067639A Pending JPS60211992A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211992A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306681A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
| JPH0537089A (ja) * | 1991-07-25 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP0560358A2 (en) * | 1992-03-11 | 1993-09-15 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Semiconductor laser and process for fabricating the same |
| EP0805527A2 (en) * | 1996-04-30 | 1997-11-05 | Cutting Edge Optronics, Inc. | High efficiency laser diode packaging |
| WO2000049691A1 (en) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Presstek, Inc. | Emitter array with individually addressable laser diodes |
| WO2000059086A1 (en) * | 1999-03-29 | 2000-10-05 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
| WO2004062051A1 (de) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenbarren mit parallel geschalteter diode zur elektrischen überbrückung des laserdiodenbarrens im fehlerfall |
| JP2007305977A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| WO2013128794A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
| DE102013102328A1 (de) * | 2013-03-08 | 2014-09-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaseranordnung |
| US8937976B2 (en) | 2012-08-15 | 2015-01-20 | Northrop Grumman Systems Corp. | Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier |
| US9590388B2 (en) | 2011-01-11 | 2017-03-07 | Northrop Grumman Systems Corp. | Microchannel cooler for a single laser diode emitter based system |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59067639A patent/JPS60211992A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306681A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
| JPH0537089A (ja) * | 1991-07-25 | 1993-02-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP0560358A2 (en) * | 1992-03-11 | 1993-09-15 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Semiconductor laser and process for fabricating the same |
| EP0560358A3 (en) * | 1992-03-11 | 1994-05-18 | Sumitomo Electric Industries | Semiconductor laser and process for fabricating the same |
| EP0805527A2 (en) * | 1996-04-30 | 1997-11-05 | Cutting Edge Optronics, Inc. | High efficiency laser diode packaging |
| EP0805527A3 (en) * | 1996-04-30 | 1999-01-07 | Cutting Edge Optronics, Inc. | High efficiency laser diode packaging |
| WO2000049691A1 (en) * | 1999-02-19 | 2000-08-24 | Presstek, Inc. | Emitter array with individually addressable laser diodes |
| US6348358B1 (en) | 1999-02-19 | 2002-02-19 | Presstek, Inc. | Emitter array with individually addressable laser diodes |
| WO2000059086A1 (en) * | 1999-03-29 | 2000-10-05 | Cutting Edge Optronics, Inc. | Laser diode packaging |
| WO2004062051A1 (de) * | 2002-12-27 | 2004-07-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenbarren mit parallel geschalteter diode zur elektrischen überbrückung des laserdiodenbarrens im fehlerfall |
| JP2007305977A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US9590388B2 (en) | 2011-01-11 | 2017-03-07 | Northrop Grumman Systems Corp. | Microchannel cooler for a single laser diode emitter based system |
| WO2013128794A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-06 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
| CN104067463A (zh) * | 2012-03-02 | 2014-09-24 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光装置 |
| JPWO2013128794A1 (ja) * | 2012-03-02 | 2015-07-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体発光装置 |
| US9203213B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| US8937976B2 (en) | 2012-08-15 | 2015-01-20 | Northrop Grumman Systems Corp. | Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier |
| US9276375B2 (en) | 2012-08-15 | 2016-03-01 | Northrop Grumman Systems Corp. | Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier |
| DE102013102328A1 (de) * | 2013-03-08 | 2014-09-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaseranordnung |
| WO2014135339A1 (de) * | 2013-03-08 | 2014-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaseranordnung mit wäremeleitelementen |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6479325B2 (en) | Method of stacking semiconductor laser devices in a sub-mount and heatsink | |
| JPS60211992A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| CN111108655B (zh) | 边缘发射的激光棒 | |
| JP2726141B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP6652856B2 (ja) | 半導体レーザモジュール及びその製造方法 | |
| JP2006032406A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2017059620A (ja) | 半導体レーザ素子、および半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2002299744A (ja) | 半導体レーザアセンブリ | |
| JP4573882B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2006294805A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2002232068A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0637403A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH1093186A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JPS6359278B2 (ja) | ||
| JPH0451073B2 (ja) | ||
| JP5565402B2 (ja) | 光モジュール、窒化物半導体レーザ装置、サブマウント | |
| JPS63144588A (ja) | 半導体チツプレ−ザ用サブマウント | |
| JP2008283064A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH01138777A (ja) | 光半導体素子用サブマウント | |
| JP2007027375A (ja) | レーザモジュール | |
| JPS60261185A (ja) | 半導体レ−ザの実装方法 | |
| JPH1022570A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP5440565B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体レーザ、半導体レーザ装置 | |
| JP2007005473A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2005259851A (ja) | 半導体レーザ装置 |