JP2007005473A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、半導体発光素子の基板に対して熱膨張率が大きく異なる支持部材を用いた場合であっても、半導体発光素子への残留応力を小さくすることができ、放熱性を向上させた発光装置を提供することにある。
【解決手段】本実施形態に係る発光装置は、対向する第１面１０ａおよび第２面１０ｂを有し、第１面１０ａおよび第２面１０ｂの対向方向に直交する方向に光を出射する半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０の第１面１０ａに第１溶着層４１を介して接合された支持部材３０と、支持部材３０に第２溶着層４２を介して接合された放熱部材２０とを有し、支持部材３０の熱膨張率は、半導体発光素子１０の基板の熱膨張率に対して５０％以上異なり、支持部材３０の厚さは、５０μｍ以上２００μｍ以下であり、第１溶着層４１の融点が、１２０℃以上２３０℃以下である。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体発光装置に関し、特に、半導体発光素子と放熱部材との間に支持部材を介在させた発光装置に関する。

半導体レーザは、現在、光通信、高密度光記録あるいはプリンターなどへ広く応用されている。更なる発展のためには、動作電流の低減化、低ノイズ化、低コスト化、さらに高出力、高速動作、高温動作時の高い信頼性などを実現する必要がある。

特に高出力化は市場の要求が大きいが、それに伴う発熱に関連する問題については、半導体レーザの多方面にわたる利用を制限している。この熱に関する問題は、半導体レーザの単位面積あたりの発熱量に関連しており、活性層の温度上昇および応力の発生などが引き起こされる。

活性層の動作温度が上昇すると、発光出力、発光効率および寿命などが低下し、さらに、半導体レーザから生じる光の波長を長波長化させるという問題がある。また、応力の発生は半導体レーザの特性を悪化させて寿命を短くする原因となる。応力は実装プロセスにおいても発生することがあり、極端な場合は残留応力がクラックを発生させる原因となる。このように熱と応力は非常に重要な要因であるが、通常それらを同時に改善するには困難を伴う。

活性層の動作温度の上昇を抑制するため、半導体レーザ素子からの発熱を効率よく逃がす必要がある。このため、半導体レーザ素子は、熱伝導率の高い金属製のヒートシンク（放熱部材）に実装される。しかしながら、ヒートシンク上に直接半導体レーザ素子を搭載すると、金属の熱膨張率が半導体レーザ素子よりもかなり大きいことから応力が発生し、極端な場合には応力のために半導体レーザ素子に割れが生じる場合がある。

このため、従来では、半導体素子の基板の熱膨張率に近いサブマウント（支持部材）上に半導体素子を搭載し、当該半導体素子を搭載したサブマウントをヒートシンクに接合させている（例えば、特許文献１，２参照）。
特開平１−１８１４９０号公報 特開平８−２２８０４４号公報

応力を小さくして反りやゆがみを少なくするためには、サブマウントの熱膨張率は半導体レーザ素子に近いものが望ましい。しかしながら、ＧａＡｓ基板を用いた半導体レーザ素子、特に赤色の波長域に発振波長を有する素子の場合には、熱膨張率の近いサブマウント材料は一般的に熱伝導率が低く、そのために放熱性が低下して光出力や効率などの特性が悪化してしまう。

このように、一般的に放熱性の向上と残留応力の低減はトレードオフの関係にあり、両方を同時に改善することは困難であった。

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体発光素子の基板に対して熱膨張率が大きく異なる支持部材を用いた場合であっても、半導体発光素子への残留応力を小さくすることができ、放熱性を向上させた発光装置を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明の発光装置は、対向する第１面および第２面を有し、前記第１面および前記第２面の対向方向に直交する方向に光を出射する半導体発光素子と、前記半導体発光素子の前記第１面に第１溶着層を介して接合された支持部材と、前記支持部材に第２溶着層を介して接合された放熱部材とを有し、前記支持部材の熱膨張率は、前記半導体発光素子の基板の熱膨張率に対して５０％以上異なり、前記支持部材の厚さは、５０μｍ以上２００μｍ以下であり、前記第１溶着層の融点が、１２０℃以上２３０℃以下である。

上記の本発明の発光装置では、半導体発光素子の基板とは熱膨張率が大きく異なる材料、すなわち５０％以上熱膨張率が異なる材料を採用する。このような材料を支持部材として用いた場合であっても、支持部材の厚さと、第１溶着層の融点を上記のように適切に設定することによって、半導体発光素子への応力を低減できる。このため、支持部材として熱伝導率の高い材料を採用できる。

本発明によれば、半導体発光素子の基板に対して熱膨張率が大きく異なる支持部材を用いた場合であっても、半導体発光素子への残留応力を小さくすることができ、放熱性を向上させた発光装置を実現できる。この結果、安定した特性を長期間得ることができる発光装置を実現できる。

以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。

図１は、本実施形態に係る発光装置に構成要素として含まれる半導体レーザ素子１０の概略構成を示す斜視図である。半導体レーザ素子１０は、本発明の半導体発光素子の一実施形態である。

半導体レーザ素子１０は、例えば６３０ｎｍ以上６９０ｎｍ以下の波長域に発振波長を有する赤色レーザ発光素子である。半導体レーザ素子１０は、例えば、複数のレーザダイオード（ＬＤ）チップ１１が例えば３０個程度並んだレーザダイオードバーである。半導体レーザ素子１０の寸法は、長さ約１０ｍｍ、奥行き約７００μｍ、厚み約１００μｍである。

ここで、厚みとは、半導体レーザ素子１０の第１面１０ａおよび第２面１０ｂの対向方向（ｚ方向）における寸法である。奥行きは、半導体レーザ素子１０からの光ＬＢの出射方向（ｙ方向）すなわち共振器方向における寸法である。長さは、第１面１０ａおよび第２面１０ｂの対向方向と共振器方向との両方に直交する方向（ｘ方向）である。半導体レーザ素子１０の寸法と同様に、本願明細書では、他の部材のｘ方向の寸法を長さとし、ｙ方向の寸法を奥行きとし、ｚ方向の寸法を厚さとする。

各レーザダイオードチップ１１は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）よりなる１００μｍ程度の厚さの基板１２上に、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体よりなる、活性層を含む半導体層１３を有する。半導体層１３の厚さは、４μｍ程度である。なお、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体とは、３Ｂ族元素のうちアルミニウム（Ａｌ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、５Ｂ族元素のうちインジウム（Ｉｎ）およびリン（Ｐ）の少なくとも一方を含む４元系半導体のことであり、例えばＡｌＧａＩｎＰ混晶、ＧａＩｎＰ混晶またはＡｌＩｎＰ混晶などが挙げられる。これらは、必要に応じて珪素（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などのｎ型不純物、または、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）または炭素（Ｃ）などのｐ型不純物を含有している。

半導体層１３の上には、例えば、各レーザダイオードチップ１１に対応して、ｐ側電極１４が形成されている。ｐ側電極１４は、例えば、チタン（Ｔｉ）層、白金（Ｐｔ）層および金（Ａｕ）層が半導体層１３の側から順に積層されて形成されている。また、基板１２の裏面には、例えば、各レーザダイオードチップ１１に対応してｎ側電極１５が設けられている。ｎ側電極１５は、例えば、金（Ａｕ）層、金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）の合金層および金（Ａｕ）層が基板１２の側から順に積層されて形成されている。ｎ側電極１５は、ｐ側電極１４と同様に、例えば、チタン（Ｔｉ）層、白金（Ｐｔ）層および金（Ａｕ）層が基板１２の側から順に積層されて形成されていてもよい。

図２は、半導体レーザ素子１０を備えた発光装置の全体構成を示す斜視図である。

半導体レーザ素子１０を備えた発光装置は、例えば、放熱部材（ヒートシンク）２０上に、支持部材（サブマウント）３０および半導体レーザ素子１０が、各々の端面を放熱部材２０の一端面に揃えるようにして順に積層されて構成されている。

また、半導体レーザ素子１０は、第１面１０ａ側から支持部材３０に接合されている。半導体レーザ素子１０からの光ＬＢは、支持部材３０の積層方向に直交する方向に出射される。

放熱部材２０上には、例えば放熱部材２０と同一材料よりなる電極部材２３が、例えばネジ２６により固定されている。放熱部材２０と電極部材２３との間には、例えばガラスエポキシ材よりなる絶縁板２４が設けられており、放熱部材２０と電極部材２３とは電気的に絶縁されている。

電極部材２３には、半導体レーザ素子１０側に段部２３ａが設けられており、この段部２３ａには、例えば金（Ａｕ）よりなるワイヤ２７の一端が接合されている。ワイヤ２７の他端は半導体レーザ素子１０の第２面１０ｂ側に形成されたｎ側電極１５に接続されている。なお、電極部材２３の段部２３ａには、ワイヤ２７および半導体レーザ素子１０等を保護するため、放熱部材２０と同一材料よりなる保護部材２５がネジ２６により固定される。

図３は、図２に示す発光装置のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。

支持部材３０と半導体レーザ素子１０の第１面１０ａは、第１溶着層４１により接合されている。支持部材３０と放熱部材２０は、第２溶着層４２により接合されている。

以下に、各部の詳細について説明する。図４に、基板材料の熱膨張率と熱伝導率を示す。図５に、はんだ材料の融点を示す。

放熱部材２０は、例えば銅（Ｃｕ）などの電気的および熱的な伝導性の高い金属材料により形成されており、例えば表面には金（Ａｕ）などの薄膜が被着されている。熱伝導性は、半導体レーザ素子１０から発生する大量の熱を放出させ、半導体レーザ素子１０を適当な温度に維持するための特性である。電気伝導性は、電流を半導体レーザ素子１０に効率よく伝導させるために必要な特性である。放熱部材２０の厚さは、約４．４ｍｍである。

支持部材３０としては、半導体レーザ素子１０の基板１２に対して熱膨張率が大きく異なる材料を採用する。支持部材３０として、基板１２（例えば、ＧａＡｓ基板）に近い熱膨張率をもつＡｌＮやＣｕＷを採用すると、基板１２への残留応力は小さくなるが、これらの材料は熱膨張率が低い。基板１２に近い熱膨張率をもち、かつ熱伝導率が高い材料が理想的であるが、そのような材料は現在ではない。このため、ＡｌＮやＣｕＷよりも熱膨張率の高いＳｉＣやダイヤモンドを主成分とする材料を採用する。これらの材料は、支持部材３０に対して熱膨張率が５０％以上異なる。図４では、純粋な人工ダイヤモンドの熱膨張率および熱伝導率を示しているが、支持部材３０として採用するダイヤモンドを主成分とする材料は、純粋な人工ダイヤモンド以外にも、ダイヤモンドと他の元素を混ぜたダイヤモンドコンポジット材料であってもよい。また、支持部材３０に対して熱膨張率が大きく異なるが、熱伝導率の高い他の材料を採用してもよい。

支持部材３０の厚さは、５０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以上１５０μｍ以下がさらに好ましい。５０μｍ以上としたのは、５０μｍ以下の厚さの場合には支持部材３０の強度が低下してクラックの原因となるからである。また、支持部材３０には平面性が要求されるが、５０μｍ以下の厚さの場合には面精度が低下するためである。２００μｍ以下としたのは、後述する応力測定結果に基づく。

第１溶着層４１としては、融点が１２０℃以上２３０℃以下のはんだ材料を用いることが好ましい。融点を１２０℃以上としたのは、素子の特性を損なうことなく動作させる周囲温度として約８５℃が要求され、さらに半導体レーザ素子１０の発熱により３５℃程度上昇することから、融点が１２０℃未満であると使用中に第１溶着層４１が溶融する可能性があるためである。融点を２３０℃以下としたのは、後述する応力測定結果に基づく。上記した条件を満たすはんだ材料としては、例えばＡｕ−９０Ｓｎ、Ｓｎ−３．５Ａｇがある。Ａｕ−９０Ｓｎは、Ｓｎの割合が９０％のはんだ材料である。Ｓｎ−３．５Ａｇは、Ａｇの割合が３．５％のはんだ材料である。

第２溶着層４２としては、融点が１２０℃以上２３０℃以下のはんだ材料を用いることが好ましい。融点の上限および下限を上記のように定めたのは、第１溶着層４１の場合と同様である。さらに、第２溶着層４２の融点は、第１溶着層４１よりも低いことが好ましい。本実施形態では、後述するように、第１溶着層４１を用いて半導体レーザ素子１０を支持部材３０に接合した後に、第２溶着層４２を用いて半導体レーザ素子１０を搭載した支持部材３０を放熱部材２０に接合する。このため、第２溶着層４２の溶融時に第１溶着層４１が溶融して半導体レーザ素子１０の位置ずれが発生することを防止するためである。上記した条件を満足するはんだ材料としては、例えばＩｎ−Ａｇがある。

次に、上記の発光装置の製造方法について、図６を参照して説明する。

まず、例えば上記した材料の基板１２の表側に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属化学気相成長）またはＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy:電子ビーム蒸着）法により、上述した材料からなる半導体層１３を形成する。続いて、ｐ側電極１４およびｎ側電極１５を形成し、基板１２を所定の大きさに整える。これにより、バー状の半導体レーザ素子１０が形成される（図１参照）。

続いて、半導体レーザ素子１０を、例えばＳｎ−３．５Ａｇはんだよりなる第１溶着層４１（融点２２１℃）を介して支持部材３０に載せ、加熱処理（２２１℃）を施す（１回目のボンディング工程）。これにより、半導体レーザ素子１０が、支持部材３０上に第１溶着層４１を介して接合される。

１回目のボンディング工程の後、半導体レーザ素子１０を搭載した支持部材３０を、例えばＩｎ−Ａｇよりなる第２溶着層４２（融点１４１℃）を介して放熱部材２０に載せ、加熱処理（１４１℃）を施す（２回目のボンディング工程）。これにより、半導体レーザ素子１０を搭載した支持部材３０が、放熱部材２０上に第２溶着層４２を介して接合される。

支持部材３０と放熱部材２０とを接着させた後、放熱部材２０上に絶縁板２４を介して電極部材２３を固定し、ワイヤ２７の一端を電極部材２３の段部２３ａに接合し、ワイヤ２７の他端を半導体レーザ素子１０のｎ側電極１５に接合する。その後、電極部材２３の段部２３ａに保護部材２５を固定する。以上により、図２に示した発光装置が完成する。

次に、上記のように支持部材３０の厚さ、第１溶着層４１および第２溶着層４２の融点を選択した理由について説明する。

支持部材３０としては、通常、半導体レーザ素子１０よりも厚い３００μｍ程度のＣｕＷ、ＡｌＮなどが用いられる。その理由は、半導体レーザ素子１０の基板１２であるＧａＡｓと熱膨張率が近いためである。しかしながらレーザが高出力化するにつれて、このような材料では、発熱の問題が顕著になる。特に、図１に示すようにレーザダイオードチップ１１を数十個並べたアレイレーザにおいては発生する熱量が大きく、これを効率よく排出することが重要である。レーザ素子の温度が上昇すると、効率の低下や寿命の短縮などを招き、特性が大きく劣化する。

そこで熱伝導性の良い支持基板３０としてＳｉＣやダイヤモンドの利用が検討されるが、これらの材料はＧａＡｓとは熱膨張率が大きく異なり、はんだによる溶着などのプロセスにおいて、半導体レーザ素子１０へ応力がかかりクラックが発生しやすくなる。これは基板面積の大きなアレイレーザでは特に大きな問題である。

そこで様々な測定を行った結果、クラックの原因となる残留応力の低減には、はんだ温度を低くすること、および支持部材３０を薄くすることが非常に効果があるという知見が得られた。

図７は、１回目のボンディング工程における温度と、半導体レーザ素子１０に残留する応力との関係を測定した結果を示す図である。図８は、支持部材の材料と、半導体レーザ素子１０に残留する応力との関係を測定した結果を示す図である。図９は、支持部材３０の厚さと、半導体レーザ素子１０に残留する応力との関係を測定した結果を示す図である。

Ａは、支持部材３０としてＳｉＣを採用し、支持部材３０の厚さを３００μｍとし、１回目のボンディング工程の温度を２８０℃とし、２回目のボンディング工程の温度を１４０℃としたものである。Ｂでは、１回目のボンディング工程の温度を２１０℃とし、その他の条件については、Ａと同じとした。Ｃでは、支持部材３０の厚さを１５０μｍとし、その他の条件はＢと同じとした。Ｄでは、支持部材３０としてＣｕＷを採用し、その他の条件については、Ａと同じとした。Ｅでは、支持部材３０としてＣｕＷを採用し、その他の条件については、Ｂと同じとした。

各図の一番下には、３３個のレーザダイオードチップをアレイ状に並べた半導体レーザ素子１０をレーザ出射面から見た図を載せている。各図の一番下に表示されているのが個々のレーザダイオードチップ１１のリッジ構造であり、右端から内側へ５番目のレーザダイオードチップ１１までを表示している。各図の両端の棒グラフは、右端のレーザダイオードチップ１１と、右端から５番目のレーザダイオードチップ１１の応力を比較したものである。なお、右端から６番目以降は殆ど定常状態（同一結果）となり、かつ半導体レーザ素子１０は左右対称な構造なので、この端部の５つのレーザダイオードチップ１１の測定結果からレーザ素子全体の応力が把握できる。

図７に示すように、１回目のボンディング工程の温度を低減することにより、応力が約２５％低減されることがわかる。また、図８に示すように、１回目のボンディング工程の温度を低減したＢでは、ＣｕＷを採用したＤに比べて応力を小さくすることができる。なお、支持部材３０としてＣｕＷを採用し、かつ１回目のボンディング工程の温度を低減した場合には、半導体レーザ素子１０の応力はさらに低減される（図８のＥ参照）。

支持部材３０として半導体レーザ素子１０の基板１２に対して熱膨張率が大きく異なるＳｉＣなどの材料を採用した場合に、支持部材３０としてＣｕＷを採用したＤと同等以下の残留応力にする必要がある。図８に示すＢとＤの測定結果から、Ｄと同等の応力を実現するために１回目のボンディング工程に要求される温度、すなわち第１溶着層４１の融点を計算した結果、２３０℃であった。このため、半導体レーザ素子１０の熱膨張率に近い材料を支持部材３０として採用した場合と同等以下の残留応力を実現するためには、第１溶着層４１の融点は、２３０℃以下とすることが好ましい。

図９に示すように、支持部材３０を薄くすることも応力の低減に有効である。加えて実効的な熱伝導率も同時に改善できる。例えば厚さが３００μｍの支持部材３０を用いた場合に比べて、その半分の厚さの１５０μｍの支持部材３０を用いることにより、応力を約１５％低減できることがわかる。

単位時間に流れる熱量ｑは、下記式（１）により示される。

〔数１〕
ｑ＝ｋＡ／Ｌ・Δｔ （１）

式（１）において、ｋは熱伝導度（ｋｃａｌ／（ｍ・ｈｒ・℃））、Ａは伝熱断面積（ｍ^２）、Ｌは伝熱距離（ｍ）、Δｔは温度差（℃）である。上記式（１）に示すように、支持部材３０の厚さを３００μｍから１５０μｍと半分にすることにより、熱伝導性は２倍となる。

支持部材３０としてＣｕＷを採用し、かつ１回目のボンディング工程における温度を低減したＥ（図８参照）に比べて、同等以下の残留応力にする必要がある。図８に示すＥと、図９に示すＣの測定結果から、Ｅと同等の応力を実現できる支持部材３０の厚さを計算した結果、２００μｍであった。このため、半導体レーザ素子１０の熱膨張率に近い材料を支持部材３０として採用した場合と同等以下の残留応力を実現するためには、支持部材３０の厚さは、２００μｍ以下とすることが好ましい。

以上のように、半導体レーザ素子１０の基板１２とは熱膨張率が大きく違う材料を支持部材３０として用いた場合でも、支持部材３０の厚さと、１回目のボンディング工程（はんだ付け）の温度、すなわち第１溶着層４１の融点を適切に選択することによって、応力を低減しつつ熱伝導性の高い発光装置を実現することができる。

すなわち、半導体レーザ素子１０の基板１２に対して熱膨張率が５０％以上異なる材料からなる支持部材３０を採用した場合に、支持部材３０の厚さを５０μｍ以上２００μｍ以下とし、第１溶着層４１として１２０℃以上２３０℃以下の融点をもつ材料を選択することにより、熱膨張係数が近い材料を用いた場合と同等以下の応力を維持しつつ、熱伝導性を高めることができる。

その結果、クラックが少なく、熱特性の良い発光装置を高歩留まりで製造することがでできる。熱特性を向上させることができる結果、半導体レーザ素子１０の発光効率の向上、発光波長の安定化、長寿命化を図ることができる。これは、複数のレーザダイオードチップ１１を備えた高出力の半導体レーザ素子１０を採用する場合に、特に有効である。

本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
本実施形態では、発光装置がバー状の半導体レーザ素子１０を備えた例について説明したが、半導体レーザ素子１０は１つのレーザダイオードチップでもよい。また、半導体レーザ素子１０は発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）であってもよい。また、本実施形態では、半導体レーザ素子１０の第１面１０ａ側を支持部材３０に接合させる例について説明したが、半導体レーザ素子１０の第２面１０ｂ側を支持部材３０に接合させてもよい。

さらに、上記実施形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、ＧａＡｓよりなる基板１２上にＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体よりなる半導体層１３を有する赤色半導体レーザを例に説明したが、本発明は、例えば、ＧａＡｓ系（赤外：７８０ｎｍ〜８５０ｎｍ）あるいはＧａＮ系（発振波長４００ｎｍ〜５００ｎｍ）などの他の材料系にも適用可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

半導体レーザ素子の一部を拡大して示す斜視図である。 本実施形態に係る発光装置の全体構成を示す分解斜視図である。 図２に示す発光装置のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。 基板材料の特性を示す図である。 はんだ材料の融点を示す図である。 本実施形態に係る発光装置の製造工程を示す図である。 １回目のボンディング工程における温度と、半導体レーザ素子に残留する応力との関係を測定した結果を示す図である。 支持部材の材料と、半導体レーザ素子に残留する応力との関係を測定した結果を示す図である。 支持部材の厚さと、半導体レーザ素子に残留する応力との関係を測定した結果を示す図である。

符号の説明

１０…半導体レーザ素子、１０ａ…第１面、１０ｂ…第２面、１１…レーザダイオードチップ、１２…基板、１３…半導体層、１４…ｐ側電極、１５…ｎ側電極、２０…放熱部材、２３…電極部材、２３ａ…段部、２４…絶縁板、２５…保護部材、２６…ネジ、２７…ワイヤ、３０…支持部材、４１…第１溶着層、４２…第２溶着層

Claims (7)

1. 対向する第１面および第２面を有し、前記第１面および前記第２面の対向方向に直交する方向に光を出射する半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子の前記第１面に第１溶着層を介して接合された支持部材と、
   前記支持部材に第２溶着層を介して接合された放熱部材と
   を有し、
   前記支持部材の熱膨張率は、前記半導体発光素子の基板の熱膨張率に対して５０％以上異なり、
   前記支持部材の厚さは、５０μｍ以上２００μｍ以下であり、
   前記第１溶着層の融点が、１２０℃以上２３０℃以下である
   発光装置。
2. 前記支持部材は、ＳｉＣ、あるいはダイヤモンドを主成分とする材料からなる
   請求項１記載の発光装置。
3. 前記第２溶着層の融点が、１２０℃以上２３０℃以下である
   請求項１記載の発光装置。
4. 前記第２溶着層の融点が、前記第１溶着層の融点よりも低い
   請求項１記載の発光装置。
5. 前記放熱部材は、金属材料により形成された
   請求項１記載の発光装置。
6. 前記半導体発光素子は、半導体レーザ素子である
   請求項１記載の発光装置。
7. 前記半導体発光素子は、複数のレーザダイオードを備える
   請求項１記載の発光装置。
   

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