CN104067463A - 半导体发光装置 - Google Patents

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Abstract

半导体发光装置具备：分别由绝缘性部件构成且相互对置地热连接的第1热沉(20)及第2热沉(30)、和半导体发光元件(10)。半导体发光元件被保持于第1热沉与第2热沉之间的空隙部(31c)内。第2热沉在与第1热沉的对置面具有第1电极及第2电极，在对置面的背面具有第3电极及第4电极，第1电极与发光元件的下部电极连接，第2电极与发光元件的上部电极连接。第1电极与第3电极连接、第2电极与第4电极被连接。

Description

半导体发光装置
技术领域
本发明涉及使用了耗电较大的半导体发光元件的半导体发光装置。
背景技术
作为激光显示器或投影仪等图像显示装置的光源、照明用固体光源的激励光源、激光划线装置、或者薄膜退火装置等工业用加工装置的光源用途，正在大力开发使用了由(In、Al、Ga、P)系、(In、Al、Ga、As)系或者(In、Al、Ga、N)系等化合物半导体制作的半导体激光元件等半导体发光元件的半导体发光装置。这些半导体发光装置辐射出光，该光的光输出超过1W且具有非常高的能量。为此，半导体发光元件的耗电也变大，从该半导体发光元件的散热量也增大，因此对被安装的封装体(package)也需要各种各样的工夫。
目前，构成最一般的半导体发光装置的封装体的构造采取所谓的被称为CAN类型的构成：在用于固定到外部部件的圆盘状基座部件上安装了将半导体发光元件相对于基座部件的主面垂直固定的支柱(post)、以及用于向半导体发光元件的阳极或者阴极施加电气的引线管脚(lead pin)。例如，隔着AlN等陶瓷构成的垫块(submount)而将半导体发光元件安装到CAN类型的封装体，利用金细线对引线与半导体发光元件进行电连接，由此构成半导体发光装置。
在这种现有的封装体构造中，尤其作为使散热性提高的技术，有以下的专利文献1、2及3。
以下，首先使用图18对专利文献1所记载的半导体发光装置进行说明。如图18所示，对于发光装置700的封装体部分来说，用粘接剂714将支柱705固定粘接至圆板状基座715的表面，并且设置将基座715的表面与背面贯通的3根引线716、717及718。垫块703经由粘接剂704而被安装于支柱705的主面上。在垫块703的主面上形成电极708，氮化物半导体激光元件701经由焊锡702而被固定粘接于电极708上。在此，氮化物半导体激光元件701的发光部706被设置于垫块703侧。在氮化物半导体激光元件701中的与发光部706相反侧的面上固定粘接有使凹部与垫块703的主面对置的凹形的热沉711。例如，热沉711的凹部的底面经由粘接剂712而与氮化物半导体激光元件701的上表面固定粘接。再有，热沉711外侧的2个底面经由粘接剂713而被固定粘接于支柱705的主面上。
在该构成中，从氮化物半导体激光元件701向基座715的散热性虽然提高某种程度，但并不充分。原因如下：为了对被垫块703与热沉711包围起来的氮化物半导体激光元件701与外部的部件进行电连接，与氮化物半导体激光元件701的长度相比，需要将支柱705的长度足够地增长。即，在氮化物半导体激光元件701与基座715之间，需要配置用于通过金细线709来连结引线717与氮化物半导体激光元件701的电极708的缘故。结果，氮化物半导体激光元件701与基座715的距离变长，由此散热路径也变长，因此存在半导体发光装置700中的散热性下降的问题。
另一方面，在专利文献2及3中提出将热沉自身作为电气布线的构成。例如，记载了以下构造：在图19所示的现有的半导体发光装置800中，按照隔着焊料803、805将多个氮化物半导体激光元件801夹持在具有导电性的第1垫块802与具有导电性的第2垫块804之间的方式进行保持。第1垫块802及第2垫块804通过焊料(未图示)而被固定粘接在基座806上。此时，第1垫块802及第2垫块804分别和形成于基座806且被电绝缘的2个导电区域连接。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2005-032937号公报
专利文献2：JP特开2009-076730号公报
专利文献3：JP特开2004-103735号公报
发明内容
-发明所要解决的技术问题-
然而，如上所述在更详细地设计现有的半导体发光装置的情况下，不仅是也包含向封装体外部的散热性在内的热设计、及连接半导体激光元件与外部电路的封装体的端子设计，也必须从半导体发光装置的各部件的特性及成本、以及制造成本等多极的观点出发来考虑构造，存在设计变得复杂的问题。
具体是，现有的半导体发光装置为了向半导体激光元件供给电力，提出了以下方案：作为第1垫块及第2垫块而使用作为导电性材料的碳化硅(SiC)、铜(Cu)、铜钨(CuW)、氮化铝(AlN)、金刚石(C)、铜钼(CuMo)或者银(Ag)。
然而，上述材料高价或者与半导体激光元件的热膨胀系数差大，存在使半导体发光元件的长期可靠性下降的问题。
再有，现有的半导体发光装置需要将基座固定粘接到第1垫块及第2垫块中的与半导体激光元件的接合面垂直的面上。为此，使第1垫块及第2垫块与基座之间的接触热阻降低，为了提高其散热性，存在需要极度提高第1垫块及第2垫块的与基座的各接合面的平面度及位置精度等的问题。
本发明为了解决上述问题，其目的在于以简便的方法就能实现将从半导体发光元件产生的焦耳热有效地向封装体外部排热的构成。
-用于解决技术问题的方案-
为了达成上述目的，本发明作为半导体发光装置而采取以下结构：将半导体发光元件夹持在具有绝缘性的2个热沉的空隙部，使得与外部热连接且电连接。
具体是，本发明涉及的半导体发光装置具备：由绝缘性部件构成的第1热沉；由绝缘性部件构成，与第1热沉之间夹着空隙部而对置，并且与第1热沉热连接的第2热沉；以及按照与第1热沉和第2热沉连接的方式被保持于空隙部的内部的半导体发光元件，第2热沉在与第1热沉对置的第1面具有第1电极及第2电极，且在与第1面相反侧的面、即第2面具有第3电极及第4电极，第1电极与半导体发光元件的下部电极电连接，第2电极与半导体发光元件的上部电极电连接，第1电极与第3电极电连接，第2电极与第4电极电连接。
根据本发明的半导体发光装置，能通过夹持半导体发光元件的2个热沉将从半导体发光元件产生的焦耳热有效地散热。此外，能容易地将设置在半导体发光元件的下部电极与上部电极电气地连接至外部。
本发明的半导体发光装置中，第1电极与第3电极也可以通过贯通第2热沉而形成的第1过孔电极进行电连接，第2电极与第4电极通过贯通第2热沉而形成的第2过孔电极进行电连接。
本发明的半导体发光装置中，第1电极与第3电极也可以经由形成于第2热沉的一个侧面的第1导电膜而电连接，第2电极与第4电极经由形成于第2热沉的另一侧面的第2导电膜而电连接。
本发明的半导体发光装置中，空隙部也可以是设置于第1热沉及第2热沉的至少一方的凹部。
再有，本发明的半导体发光装置中，空隙部也可以是被配置在第1热沉与第2热沉之间的2个导电性部件彼此间的空隙部。
本发明的半导体发光装置中，第1热沉及第2热沉也可以由热膨胀系数与半导体发光元件的构成材料接近的绝缘性材料构成。
该情况下，绝缘性材料也可以是氮化铝陶瓷、碳化硅陶瓷、氧化铝陶瓷或者硅。
本发明的半导体发光装置也可以还具备：固定粘接第1热沉的基台、和与基台电绝缘的第1引线管脚及第2引线管脚，第3电极与第1引线管脚电连接，第4电极与第2引线管脚电连接。
该情况下，半导体发光装置中，基台也可以由具有热传导性的支柱、和保持第1引线管脚及第2引线管脚的基座构成。
该情况下，半导体发光装置也可以还具备与支柱中的第1热沉的侧方区域的上表面及第2热沉的上表面均热连接的散热块。
再有，在具备基台的情况下，该基台是与第3引线管脚连接的基座，半导体发光装置也可以还具备保持基座、第1引线管脚、第2引线管脚及第3引线管脚的封装体。
还有，在具备基台的情况下，半导体发光装置也可以还具备布线部件，其将第3电极与第1引线管脚电连接、且将第4电极与第2引线管脚电连接，布线部件具有：与第1引线管脚电连接的第1布线、与第2引线管脚电连接的第2布线、和保持第1布线及第2布线的绝缘性部件。
-发明效果-
根据本发明涉及的半导体发光装置，能以简便的方法实现将自半导体发光元件产生的焦耳热有效地向封装体的外部排热的构成。
附图说明
图1是表示第1实施方式涉及的半导体发光装置的剖视图。
图2(a)～图2(f)是表示第1实施方式涉及的半导体发光装置的制造方法的工序顺序的剖视图。
图3是表示第1实施方式涉及的半导体发光装置的制造方法的一工序的剖视图。
图4是在CAN类型封装体中搭载了第1实施方式涉及的半导体发光装置的立体图。
图5是表示图4所示的半导体发光装置的制造方法的工序顺序的立体图。
图6是表示第1实施方式涉及的半导体发光装置动作时的热流的示意性剖视图。
图7(a)是表示第1实施方式涉及的半导体发光装置中的电流-光输出及电流-电压特性的曲线图。图7(b)是表示参考例涉及的半导体发光装置中的电流-光输出及电流-电压特性的曲线图。
图8是表示第1实施方式的第1变形例涉及的半导体发光装置的剖视图。
图9(a)～图9(e)是表示第1实施方式的第1变形例涉及的半导体发光装置的制造方法的工序顺序的剖视图。
图10是表示第1实施方式的第2变形例涉及的半导体发光装置的剖视图。
图11(a)～图11(e)是表示第1实施方式的第2变形例涉及的半导体发光装置的制造方法的工序顺序的剖视图。
图12是表示第1实施方式的第3变形例涉及的半导体发光装置的剖视图。
图13(a)～图13(e)是表示第1实施方式的第3变形例涉及的半导体发光装置的制造方法的工序顺序的剖视图。
图14是表示第1实施方式的第4变形例涉及的半导体发光装置的剖视图。
图15(a)是表示第2实施方式涉及的半导体发光装置的立体图。图15(b)是表示第2实施方式的半导体发光装置的主视图。图15(c)是表示第2实施方式涉及的半导体发光装置所搭载的半导体发光装置的剖视图。
图16(a)是表示第2实施方式的半导体发光装置的制造方法的剖视图。图16(b)是表示搭载图16(a)的半导体发光装置的半导体发光装置的制造方法的立体图。
图17是表示本发明第3实施方式涉及的半导体发光装置的要部的剖视图。
图18是表示现有例涉及的半导体发光装置的立体图。
图19是表示其他现有例涉及的半导体发光装置的立体图。
具体实施方式
(第1实施方式)
参照图1～图7对第1实施方式涉及的半导体发光装置进行说明。
如图1所示，第1实施方式涉及的半导体发光装置1具有半导体发光元件10被第1热沉20与第2热沉30夹持的构成，第1热沉20与半导体发光元件的下表面热连接且电连接，第2热沉30与半导体发光元件的上表面热连接且电连接。
半导体发光元件10例如是利用(In、Al、Ga、P)系、(In、Al、Ga、As)系或(In、Al、Ga、N)系等化合物半导体制作的半导体激光元件或者超发光二极管等的、从半导体发光芯片的侧面即端面辐射光的发光元件。
第1热沉20由绝缘性基板21、电极形成用的金属薄膜及焊料构成，该绝缘性基板具有绝缘性且通过热膨胀系数与构成半导体发光元件10的半导体材料接近的材料构成，金属薄膜在该绝缘性基板21的表面被图案化而成，且例如由金(Au)构成，焊料形成于该金属薄膜上且由元件连接用的金锡合金(AuSn)等构成。绝缘性基板21例如可以使用氮化铝(AlN)陶瓷、碳化硅(SiC)陶瓷、氧化铝(Al2O3)陶瓷或者硅(Si)等。在此，半导体发光元件10所采用的化合物半导体的热膨胀系数约处于4×10-6/K～7×10-6/K的范围内。再有，半导体发光元件10的外形尺寸，例如长轴方向为500μm～2000μm、其厚度为50μm～150μm。进而，半导体发光元件10的发光部的温度从室温(约20℃)变化至200℃左右。因此，作为构成绝缘性基板21的材料，通过使用上述那样的材料，从而使与构成半导体发光元件10的半导体的热膨胀系数差为±40％以下，热膨胀引起的膨胀差最大也只是1μm以下，可以足够地减小。
第2热沉30具有以下构成：在与半导体发光元件10对置的部分具有作为空隙部31c的凹部，在该凹部内夹持半导体元件10。第2热沉30与第1热沉20同样地由以下部件构成：具有绝缘性且由热膨胀系数与构成半导体发光元件10的半导体材料接近的材料构成的绝缘性基板31；在该绝缘性基板31的表面被图案化且例如由金(Au)构成的电极形成用的金属薄膜；和形成在该金属薄膜上且由元件连接用的金锡合金(AuSn)等构成的焊料。绝缘性基板31例如可以使用氮化铝(AlN)陶瓷、碳化硅(SiC)陶瓷、氧化铝(Al2O3)陶瓷或者硅(Si)等。这样，绝缘性基板21、31由热膨胀系数与构成半导体发光元件10的半导体材料接近的材料构成，因此能降低在制造时受到的热及动作时产生的热所引起的、半导体发光元件10与热沉20、30之间的热膨胀系数差造成的应力。结果，可以获得半导体发光元件10及半导体发光装置1的长期可靠性。
再有，作为第2热沉30的特征，形成有分别在上下方向贯通绝缘性基板31的导电性的过孔(via)电极36、37。过孔电极36例如将形成在绝缘性基板31的下表面的第1电极32与形成在上表面的第3电极34各自连接。还有，过孔电极37例如将形成在绝缘性基板31的下表面的第2电极33与形成在上表面的第4电极35各自连接。
另外，设置于第2热沉30的凹部未限于设置在第2热沉30的构成。即，该凹部也可以取代设置于第2热沉30而设置在第1热沉20的与半导体发光元件10对置的区域。此外，也可以设置于第1热沉20与第2热沉30双方。总而言之，在使第1热沉20与第2热沉30对置而进行了连接的情况下，只要形成能够设置半导体发光元件10的下表面与上表面均可连接的程度的空隙部31c的凹部即可。
以下更详细地进行说明。
半导体发光元件10具有：设置在半导体层叠体11的下表面的下部电极12、和设置在上表面的上部电极13。图1中，半导体发光元件10具有与纸面垂直的方向较长的长方体状。半导体层叠体11例如将n型半导体基板、n型缓冲层、n型涂层、n型导向层、发光层、p型导向层及p型涂层等半导体膜层叠而构成。下部电极12及上部电极13例如是从钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、金锗(AuGe)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)及金(Au)等之中选择出的多个金属层叠而构成，与半导体层叠体11之间形成欧姆接触。
在第1热沉20，例如依次形成第1导电膜22、及例如由金(Au)与锡(Sn)的合金、即AuSn焊锡构成的粘接层48，第1导电膜22是在由氮化铝(AlN)陶瓷构成的绝缘性基板21中的与半导体发光元件10相反侧的面、即下表面例如按顺序层叠钛(Ti)/铂(Pt)/金(Au)而成。在绝缘性基板21的上表面，进行图案化而形成例如由Ti/Pt/Au的层叠金属构成且相互被绝缘的第2导电膜23与第3导电膜24。第2导电膜23自过孔电极36的下侧区域起形成至半导体发光元件10的下侧区域，而且在第2导电膜23的上表面中的半导体发光元件10的下侧部分进行图案化而形成用于与下部电极12连接的、例如由AuSn焊锡构成的粘接层41。
在第2热沉30，在绝缘性基板31中的半导体发光元件10的两侧方的区域、即凹部的两侧方的区域分别形成有过孔电极36、37。在绝缘性基板31的与第1热沉20对置且相对于半导体发光元件10而与第1电极32相反侧的下表面，形成有延伸至凹部的底面且与过孔电极37电连接的第2电极33。在此，第1电极32与第2电极33相互绝缘。
在第2热沉30的与半导体元件10相反侧的面、即上表面，与过孔电极36连接的第3电极34、及与过孔电极37连接的第4电极35相互绝缘地被图案化。在此，绝缘性基板31例如由氮化铝(AlN)陶瓷构成。过孔电极36、37例如由Cu、W或者Mo等电阻较低的金属构成。第1电极32、第2电极33、第3电极34及第4电极35例如由Ti/Pt/Au构成的层叠金属而构成。
接着，对在第1热沉20与第2热沉30上连接半导体发光元件10的方法进行说明。
首先，半导体发光元件10通过在第1热沉20的中央部形成于第2导电膜23之上的、例如由AuSn焊锡构成的粘接层41而被固定粘接。再有，半导体发光元件10与第2热沉30通过其凹部的底面所形成的、例如由AuSn焊锡构成的粘接层42而固定粘接。还有，第1热沉20与第2热沉30通过第2热沉30中的第1电极32的下表面及第2电极33的下表面各自所形成的粘接层43、44而被固定粘接。该粘接层43、44例如可以使用Sn、Ag及Cu的合金、即SnAgCu焊锡、或者AuSn焊锡等。
在这样构成的半导体发光装置1中的第3电极34及第4电极35上，从外部分别连接金细线91、92，由此从外部向半导体发光元件10供给电力。
接着，参照图2(a)～图2(f)及图3对第1实施方式涉及的半导体发光装置的制造方法进行说明。
图2(a)～图2(f)对第2热沉30的制造方法进行说明，图3对第1热沉20、半导体发光元件10与第2热沉30的固定粘接方法进行说明。
首先，如图2(a)所示，例如在由氮化铝陶瓷构成的绝缘性基板上例如通过钻孔加工2个2个地形成贯通孔。然后，例如通过将钨(W)或者钼(Mo)等构成的金属棒插入各贯通孔并进行加热，从而制作已形成过孔电极36a、37a与过孔电极36b、37b的、2枚带过孔电极的绝缘性基板31a、31b。
接着，例如在绝缘性基板31b的中央部通过钻孔加工形成开口沟槽31g。然后，通过研磨等使绝缘性基板31a、31b的相互连接的表面平坦化，进行表面的活化处理。然后，进行对位，以便将绝缘性基板31a的过孔电极36a与绝缘性基板31b的过孔电极36b连接，且将绝缘性基板31a的过孔电极37a与绝缘性基板31b的过孔电极37b连接。
接着，如图2(b)所示，在相互重合的状态下通过对绝缘性基板31a、31b进行加热，从而获得具有凹部的绝缘性基板31。此时，过孔电极36a与过孔电极36b、及过孔电极37a与过孔电极37b各自被相互连接，形成过孔电极36、37。由此，因为凹部的底面31d为被研磨过的绝缘性基板31a的表面，所以可以将其平坦性维持得较高。接着，对绝缘性基板31的凹部的高度进行调整。例如，对绝缘性基板31的凹部侧的下表面进行研磨等，精密地调整第1面31f1、31f2与凹部的底面31d的距离，同时使第1面31f1、31f2平坦。
接着，如图2(c)所示，通过真空蒸镀法或者溅射法与剥离法(lift-offmethod)，在绝缘性基板31的与第1面31f1、31f2相反侧的第2面31r之上，将Ti/Pt/Au的层叠膜构成的第3电极34及第4电极35形成为与过孔电极36、37分别连接。
接着，如图2(d)所示，通过真空蒸镀法或者溅射法与剥离法，在绝缘性基板31的第1面31f1、31f2上，将Ti/Pt/Au的层叠膜构成的第1电极32及第2电极33形成为与过孔电极36、37分别连接。此时，第2电极33中，第1电极32侧的端部图案化成到达凹部的底面上。另外，本实施方式中虽然在第1电极32及第2电极33之前先形成第3电极34及第4电极35，但也可以与此相反在第3电极34及第4电极35之前先形成第1电极32及第2电极33。即，第1电极32及第2电极33、与第3电极34及第4电极35，其形成顺序并未特别限定。
接着，如图2(e)所示，通过真空蒸镀法或者溅射法与剥离法，在第2电极33中的凹部的底面31d部分之上有选择地形成例如AuSn焊锡构成的粘接层42。
接着，如图2(f)所示，在第1电极32的下表面和第2电极33中的与绝缘性基板31的第1面31f2对置的下表面分别形成粘接层43、44，其例如由AuSn焊锡构成、优选由SnAgCu焊锡构成且是厚度为5μm～50μm左右的凸块。
通过以上的方法，形成第2热沉30。
接着，如图3所示，相互电连接和热连接第1热沉20、半导体发光元件10及第2热沉30。
首先，第1热沉20的制造方法例如是将AlN陶瓷构成的绝缘性基板21研磨至规定的厚度。然后，在绝缘性基板21的下表面、即第2面21r上，通过真空蒸镀法或者溅射法与剥离法，几乎整个面地形成例如Ti/Pt/Au构成的层叠膜、即第1导电膜22。接着，通过真空蒸镀法或者溅射法与剥离法，在第1导电膜22的下表面，几乎整个面地形成例如AuSn焊锡构成的粘接层48。然后，与第2面21r同样地，在绝缘性基板21的上表面、即第1面21f上也同样地通过真空蒸镀法或者溅射法与剥离法，分别进行图案化而形成例如Ti/Pt/Au构成的层叠膜、即第2导电膜23与第3导电膜24。如前所述，第2导电膜23与第3导电膜24相互电绝缘。接着，在第2导电膜23中的半导体发光元件10的固定粘接部分之上有选择地形成例如AuSn焊锡构成的粘接层41。
半导体发光元件10，在n型半导体基板之上通过结晶生长技术使n型缓冲层、n型涂层、n型导向层、发光层、p型导向层及p型涂层等半导体膜外延生长而成的半导体层叠体11，采取半导体工艺来形成光导波路。再有，在p型涂层之上形成下部电极12，在n型半导体基板的背面形成上部电极13。通过这些下部电极12及上部电极13，与半导体层叠体11之间形成欧姆接触。
接着，在加热装置(未图示)之上，依次重叠配置第1热沉20、半导体发光元件10及第2热沉30。然后，通过夹头(collet)等对第2热沉30的上表面(第2面31r)加重，同时利用加热装置进行规定的加热。此时，优选粘接层43、44的熔点或者软化温度比粘接层41、42更低。这样一来，在用于接合第1热沉20、半导体发光元件10及第2热沉30的升温时，粘接层43、44比粘接层41、42更快地液化(软化)，因此在降温时可以使其延迟固化。为此，在保持半导体发光元件10的粘接层41、42，可以通过规定的加重来固定粘接半导体发光元件10、第1热沉20及第2热沉30。结果，因为可以降低接触时的热阻，所以可以将半导体发光元件10产生的焦耳热等有效地散热。
另外，在此对第1热沉20及第2热沉30的制造方法进行说明之际仅示出了各热沉20、30，但优选在使用各热沉20、30被形成为矩阵状的晶片一并地制造后，通过进行切割等而被分离成各个部件。尤其，图2(a)所示的绝缘性基板31b，例如外周部分被物理性地连接至外框等，优选使用各自的中央部分已形成开口沟槽31g的帘子状的晶片来制造第2热沉30，最后通过切割等分离成各个部件。
接着，参照图4对第1实施方式涉及的半导体发光装置80进行说明。
如图4所示，本实施方式涉及的半导体发光装置80具有在所谓的被称为CAN类型的封装体81上搭载了本实施方式涉及的半导体发光装置1的构成。
封装体81例如具有基台82，其由铜(Cu)或者铁(Fe)等构成的圆盘状的基座82a、在该基座82a的主面上用于沿着垂直的方向固定粘接半导体发光装置1的支柱82b构成。
在基座82a上，阳极用引线管脚84、阴极用引线管脚85及接地用引线管脚88被设置成分别贯通基座82a的主面及其背面。各引线管脚84、85经由玻璃等绝缘材料构成的绝缘部86、87而被电绝缘并固持于基座82a。
在如上所述构成的封装体82中的支柱82b的上表面，半导体发光装置1被固定粘接成其第1热沉20与支柱82b相接。再有，第2热沉30的上表面所形成的第3电极34及第4电极35，通过金细线91、92而分别与引线管脚84及引线管脚85电连接。该构成中，从引线管脚84、85被投入的电力，由半导体发光元件10变换为光，变换后的光被向图中前方的方向辐射。
另外，本实施方式中虽然并未示出用于将半导体发光元件10气密地密封的带窗玻璃的盖，但根据半导体发光装置80的需要可以设置盖。
接着，参照图5(a)～图5(c)，对本实施方式涉及的半导体发光装置80的制造方法进行说明。
首先，如图5(a)所示，在构成封装体81的支柱82b的安装面82c之上，依次载置构成半导体发光装置1的第1热沉20、半导体发光元件10、及第2热沉30。此时，在载置这些构成部件之际通过夹头(未图示)等将构成封装体81的基座82a保持成支柱82b的安装面82c成为上侧。
接着，如图5(b)所示，通过加热装置(未图示)，对载置有半导体发光装置1的各构成部件的封装体81进行加热。由此，第1热沉20、半导体发光元件10及第2热沉30被相互固定粘接在支柱82b的安装面82c之上，获得半导体发光装置1。
接着，如图5(c)所示，通过金细线91、92，对构成封装体81的各引线管脚84、85与半导体发光装置1进行电连接。
接着，参照图6对本实施方式涉及的半导体发光装置80的动作进行说明。
如图6所示，从半导体发光装置80中的阳极用引线管脚84被施加的电流，通过金细线91而向第3电极34、过孔电极36、粘接层43、第2导电膜23及粘接层41传递，由此被施加给半导体发光元件10。被施加给半导体发光元件10的电流，向粘接层42、第2电极33、过孔电极37及第4电极35传递，从金细线92向阴极用引线管脚85流动。此时，被施加给半导体发光元件10的电力的一部分被变换成光，从半导体发光装置80向外部辐射。
另一方面，在被施加给半导体发光元件10的电力之中，未被变换成光的剩余部分成为焦耳热。该半导体发光元件10所产生的焦耳热，一部分直接通过向第1热沉20传递的第1散热路径95a而向外部的、例如支柱82b散热。另外，被传递至第2热沉30的热通过从粘接层43、44向第1热沉20传递的第2散热路径96a、96b而向外部的、例如支柱82b有效地散热。
此时，半导体发光装置1所保持的半导体发光元件10，其表面积最大的下表面及上表面分别与第1热沉20及第2热沉30热连接。为此，可以使半导体发光元件10所产生的焦耳热有效地向半导体发光元件10的外部散热。结果，可以抑制半导体发光元件10的温度上升引起的动作特性的劣化。
再有，与半导体发光元件10连接的第1热沉20及第2热沉30，隔着厚度小的金属膜、即导电膜22、23、24等，而与例如AlN陶瓷等的、热膨胀系数与半导体发光元件10接近的材料热连接。为此，在制造半导体发光装置1时，例如通过加重及加热而对半导体发光元件10与第1热沉20及第2热沉30进行接合时、或者半导体发光装置1动作而发热之际，因半导体发光元件10近旁的温度变化而对半导体发光元件10施加应力。通过该应力，可防止半导体发光装置1的动作特性劣化以及长期可靠性下降。
此外，图6中，在将半导体发光装置1安装至封装体81而制作了半导体发光装置80的情况下，半导体发光元件10所产生的焦耳热通过各散热路径95a、96a及96b后，经由支柱82b及基座82a而被散热至外部的安装夹具。
接着，参照图7(a)及图7(b)对本实施方式涉及的半导体发光装置中的电流-光输出特性及电流-电压特性进行说明。
图7(a)表示本实施方式涉及的半导体发光装置中、基座温度Tc为25℃、40℃及60℃时的电流-光输出特性及电流-电压特性。图7(b)表示参考例(reference)涉及的半导体发光装置中的、与本实施方式同等的条件下的电流-光输出特性及电流-电压特性。
在此，使用(In、Al、Ga、N)系的化合物半导体制作了半导体发光元件10。参考例涉及的半导体发光装置具有并未设置图1示出的本实施方式涉及的半导体发光装置1中的第2热沉30的构成，即在图4示出的半导体发光装置80中的支柱82b之上固定粘接第1热沉20，且在该第1热沉20上仅固定粘接了半导体发光元件10的构成。阳极用引线管脚84通过金细线91而与第2导电膜23连接。阴极用引线管脚85通过金细线92而与半导体发光元件10的上部电极13连接。为此，参考例涉及的半导体发光装置与本实施方式涉及的半导体发光装置80可以利用同一封装体81及同一引线管脚84、85进行比较。
首先，对本实施方式涉及的半导体发光装置与参考例涉及的半导体发光装置的热阻进行了比较。结果，参考例涉及的半导体发光装置中的热阻为10K/W，本实施方式涉及的半导体发光装置为6K/W。因此，根据本实施方式涉及的半导体发光装置的构成，可以使热阻降低40％。
再有，对图7(a)及图7(b)所示的电流-光输出特性进行比较可知，通过使用本实施方式涉及的半导体发光装置80，从而即便使用与参考例时相同的半导体发光元件10，也能容易地提高电流-光输出特性的热饱和等级，可以实现高输出化。再有，对电流-电压特性进行比较可知，也不会出现因设置本实施方式涉及的第2热沉30而引起的串联电阻的增大，因此不会使电流-电压特性恶化。
(第1实施方式的第1变形例)
以下，参照图8，对第1实施方式的第1变形例涉及的半导体发光装置进行说明。
如图8所示，本变形例涉及的半导体发光装置100的第2热沉130的构成及制造方法和第1实施方式涉及的半导体发光装置1不同。因此，在此对与半导体发光装置1不同的部分进行说明。
图8中，本变形例涉及的第2热沉130利用中间电极(接合层)138、139而固定粘接绝缘性基板131a与绝缘性基板131b。再有，绝缘性基板131a具有在其表背方向贯通的过孔电极136a、137a。还有，绝缘性基板131b具有在其表背方向贯通的过孔电极136b、137b。
进而，绝缘性基板131b在中央部形成沟槽部，该沟槽部成为配置半导体发光元件10的空隙部31c，中间电极139的一部分自该沟槽部的底面露出。在从沟槽部的底面露出的中间电极139的一部分，例如AuSn焊锡构成的粘接层142被图案化后与半导体发光元件10的上部电极13固定粘接。
过孔电极136a与过孔电极136b通过中间电极138而相互电连接。同样地，过孔电极137a与过孔电极137b通过中间电极139而相互电连接。
在第2热沉130中的绝缘性基板131a的上表面，形成有相互绝缘的第3电极134及第4电极135。第3电极134及第4电极135分别与过孔电极136a、137a连接。与此相对，在第2热沉130中的绝缘性基板131b的下表面形成有相互绝缘的第1电极132及第2电极133。第1电极132及第2电极133分别与过孔电极136b、137b连接。
在半导体发光装置100中，与第1实施方式同样地，第3电极134及第4电极135通过金细线91、92而与引线管脚电连接。从外部被施加的电流经由第3电极134、过孔电极136a、136b、粘接层143、第2导电膜23及粘接层41而被注入到半导体发光元件10。被注入至半导体发光元件10的电流向粘接层142、中间电极139、过孔电极137a、第4电极135及金细线92流动。此时，被注入至半导体发光元件10的电力的一部分被变换成光而从半导体发光装置100向外部辐射。
另一方面，半导体发光元件10所产生的焦耳热，与第1实施方式同样地从第1热沉20及第2热沉130双方有效地被散热。为此，可以降低半导体发光元件10所产生的热使半导体发光装置100的温度上升。结果，可以实现半导体发光元件10的光输出的提高及长期可靠性的提高。
接着，参照图9(a)～图9(e)对第1变形例涉及的半导体发光装置的制造方法进行说明。
本变形例中，也与第1实施方式同样地仅对每个热沉进行了表示，但优选使用多个热沉被形成为矩阵状的晶片一并地进行制造后通过切割等而分离成各个部件。以下所说明的其他变形例中也是同样的。
首先，如图9(a)所示，分别制作已形成过孔电极136a、137a的绝缘性基板131a和已形成过孔电极136b、137b的绝缘性基板131b。绝缘性基板131a与绝缘性基板131b的连接面首先通过研磨等使表面平坦。然后，例如通过真空蒸镀法及剥离法等对Ti/Pt/Au/AuSn等的层叠金属进行图案化，以形成作为接合层的中间电极138a、138b、139a及139b。此时，在绝缘性基板131b的中央部形成构成空隙部的开口沟槽131g。其中，如上所述在晶片状态下绝缘性基板131b在其周边部与外框相连接。
接着，如图9(b)所示，对中间电极138a、138b彼此、及中间电极139a、139b彼此分别进行对位。接着，对绝缘性基板131a与绝缘性基板131b进行加重的同时进行加热，由此相互接合而形成中间电极138、139。此时，中间电极139的一部分自开口沟槽131g露出。
接着，如图9(c)所示，对被接合的绝缘性基板131a的上表面进行研磨。接着，在研磨过的縁性基板131a的上表面，将第3电极134及第4电极135相对于过孔电极136a、137a分别进行对位，并进行图案化。另外，对绝缘性基板131b的背面进行研磨，以高精度地调整该绝缘性基板131b的厚度。然后，在研磨过的绝缘性基板131b的背面分别形成第1电极132及第2电极133。
接着，如图9(d)所示，在自开口沟槽131g露出的中间电极139之上，进行图案化来形成例如AuSn焊锡构成的粘接层142。再有，同样地在第1电极132及第2电极133上分别形成例如作为AuSn焊锡凸块的粘接层143、144。
接着，如图9(e)所示，与第1实施方式同样地在第1热沉20与第2热沉130之间，按照将半导体发光元件10夹持在开口沟槽131g的内部的方式相互进行电连接和热连接。即，第2热沉130的粘接层143与第1热沉20的第2导电膜23固定粘接，第2热沉130的粘接层144与第1热沉20的第3导电膜24固定粘接。再有，第2热沉130的粘接层142与半导体发光元件10的上部电极13固定粘接，第1热沉20的粘接层41与半导体发光元件10的下部电极12固定粘接。
通过上述的工序，可以容易地制造半导体发光元件10所产生的焦耳热等的散热性高的半导体发光装置100。
(第1实施方式的第2变形例)
参照图10对第1实施方式的第2变形例涉及的半导体发光装置进行说明。
如图10所示，本变形例涉及的半导体发光装置200的第2热沉230的构成及制造方法和第1实施方式涉及的半导体发光装置1不同。因此，在此对与半导体发光装置1不同的部分进行说明。
图10中，本变形例涉及的第2热沉230在已形成过孔电极236、237的绝缘性基板231的上表面分别形成第3电极234及第4电极235。第3电极234及第4电极235分别与过孔电极236、237连接。在绝缘性基板231的下表面形成有基底电极238a、238b。在此，基底电极238b的基底电极238a侧的端部延伸至绝缘性基板231的中央部。
在各基底电极238a、238b的下表面中的过孔电极236、237下侧的区域，例如形成有Cu凸块、即电铸245a、245b。另外，电铸是指通过电气铸造法形成的导电性部件。在各电铸245a、245b的下表面分别形成例如、Ti/Pt/Au被层叠的第1电极232及第2电极233。例如，第2热沉230的第1电极232及第2电极233分别通过AuSn焊锡构成的粘接层243、244而与第1热沉20的第2导电膜23及第3导电膜24连接。
接着，参照图11(a)～图11(e)对第2变形例涉及的半导体发光装置的制造方法进行说明。
首先，如图11(a)所示，形成在表背方向将例如由AlN陶瓷构成的绝缘性基板231的规定位置贯通的过孔电极236、237。在已形成过孔电极236、237的绝缘性基板231的一个面(例如、下表面)形成与过孔电极236、237分别电连接的基底电极238a、238b。
接着，如图11(b)所示，在基底电极238a、238b的下表面通过光刻法而形成抗蚀剂掩模。然后，通过电气铸造法而有选择地镀敷铜(Cu)，由此将作为Cu凸块的电铸245a、245b形成为分别在过孔电极236、237的下侧设置空隙部31c。接着，通过对所形成的电铸245a、245b的下表面进行研磨，从而高精度地调整各电铸245a、245b的高度，并且使各下表面的平坦性提高。
接着，如图11(c)所示，通过真空蒸镀法与剥离法，在电铸245a、245b的下表面分别形成例如由Ti/Pt/Au构成的金属层叠膜、即第1电极232及第2电极233。进而，与此同样地通过真空蒸镀法与剥离法，在绝缘性基板231的上表面分别形成例如由Ti/Pt/Au的层叠金属构成的第3电极234及第4电极235。在此，第1电极232及第2电极233和第3电极234及第4电极235的形成顺序并未特别限定。
接着，如图11(d)所示，在基底电极238b中的从电铸245a、245b彼此间露出的区域，对用于固定粘接半导体发光元件10的上部电极13的、例如AuSn焊锡构成的粘接层242进行图案化。再有，在第1电极232及第2电极233的下表面分别形成例如作为AuSn焊锡凸块的粘接层243、244。
接着，如图11(e)所示，与第1实施方式同样地，将半导体发光元件10夹入位于第1热沉20与第2热沉230之间且电铸245a、245b彼此间的区域，通过相互电连接和热连接，从而获得半导体发光装置200。
这样，在第2变形例中，第2热沉230不使用粘贴技术就能制作凹状部，可以低成本地制造半导体发光装置200。
(第1实施方式的第3变形例)
参照图12对第1实施方式的第3变形例涉及的半导体发光装置进行说明。
如图12所示，本变形例涉及的半导体发光装置300的第2热沉330的构成及制造方法和第1实施方式涉及的半导体发光装置1不同。因此，在此对半导体发光装置1不同的部分进行说明。
图12中，第2热沉330在例如由AlN陶瓷构成的绝缘性基板331的上表面上分别形成第3电极334及第4电极335，在其下表面分别形成基底电极338a、338b。进而，在绝缘性基板331的相互对置的侧面，分别形成侧面布线336、337。第3电极334与基底电极338a通过一个侧面布线336而电连接，第4电极335与基底电极338b通过另一侧面布线337而电连接。在此，基底电极338b的基底电极338a侧的端部延伸至绝缘性基板331的中央部。
在基底电极338a、338b的下表面形成有例如作为Cu凸块的电铸345a、345b。在各电铸345a、345b的下表面分别形成例如由Ti/Pt/Au的层叠金属构成的第1电极332及第2电极333。在第1电极332及第2电极333的下表面，通过例如AuSn焊锡构成的粘接层343、344而与第1热沉20电连接和热连接。
接着，参照图13(a)～图13(e)对第3变形例涉及的半导体发光装置的制造方法进行说明。
首先，如图13(a)所示，例如在AlN陶瓷构成的绝缘性基板331的与半导体元件对置的下表面，进行图案化而形成基底电极338a、338b。
接着，如图13(b)所示，在基底电极338a、338b的下表面，与第2变形例同样地有选择地镀敷铜(Cu)，由此将作为Cu凸块的电铸345a、345b分别形成为相互之间设置空隙部31c。接着，通过对所形成的电铸345a、345b的下表面进行研磨，从而高精度地调整各电铸345a、345b的高度，并且使各下表面的平坦性提高。
接着，如图13(c)所示，通过真空蒸镀法与剥离法，从而在绝缘性基板331的上表面分别形成例如Ti/Pt/Au的层叠金属构成的第3电极334及第4电极335。接着，与此同样地，通过真空蒸镀法与剥离法，在电铸345a、345b的下表面分别形成例如Ti/Pt/Au构成的金属层叠膜、即第1电极332及第2电极333。在此，第3电极334及第4电极335、和第1电极332及第2电极333的形成顺序也未特别限定。接着，在基底电极338b中的从电铸345a、345b彼此间露出的区域，对用于固定粘接半导体发光元件10的上部电极13的、例如AuSn焊锡构成的粘接层342进行图案化。接着，在第1电极332及第2电极333的下表面，分别形成例如作为AuSn焊锡凸块的粘接层343、344。
接着，如图13(d)所示，通过切割等对晶片状的绝缘性基板331各个进行分割。然后，通过镀敷法在芯片状的绝缘性基板331的侧面分别形成侧面布线336、337。
接着，如图13(e)所示，与第1实施方式同样地将半导体发光元件10夹入位于第1热沉20与第2热沉330之间且电铸345a、345b彼此间的区域，相互电连接和热连接，由此获得半导体发光装置300。
如上，在第3变形例中，第2热沉330不用设置过孔电极就能获取上表面与下表面的电导通，因此可以低成本地制造半导体发光装置300。
(第1实施方式的第4变形例)
参照图14对第1实施方式的第4变形例涉及的半导体发光装置进行说明。
如图14所示，第4变形例涉及的半导体发光装置480具有以下构造：第1实施方式涉及的半导体发光装置1被搭载到具有与图4示出的封装体81不同的构造的封装体481。
图14中，构成半导体发光装置480的封装体481是一般被称为框架型的、厚度小的封装体构造。封装体481例如具有以下构造：由铜(Cu)构成的基座482、接地用引线管脚488、阳极用引线管脚484及阴极用引线管脚485被例如聚丙烯等绝缘性树脂部486保持。在此，基座482由铜等的板状金属构成，其一部分的宽度形成得细到与其他引线484、485同等的程度，由此构成接地用引线管脚488。各引线管脚484、485与基座482绝缘。另外，绝缘性树脂部486形成为包围基座482。即，基座482在半导体发光装置1侧(表面侧)及其相反侧(背面侧)都有一部分露出，按照与该露出的背面侧相接的方式配置外部夹具(未图示)。
半导体发光装置1和各引线管脚484、485通过金细线491、492而电连接。根据该构成，因电力-光变换而产生的光向图14的前方辐射。再有，半导体发光装置1产生的焦耳热与第1实施方式1同样地被传递至基座482，然后向被配置在该基座482的背面的外部夹具传递，由此可以降低被第1热沉20与第2热沉30夹持的半导体发光元件10的温度的上升。
如上，第4变形例涉及的半导体发光装置480能将从半导体发光装置1产生的热不经由支柱而直接地向基座482传递，因此可以进一步提高散热性。
进而，在基座482的正下方不需要配置电气布线所需的引线管脚，使用基座482的整个背面就能与外部夹具热连接，因此可以进一步提高散热性。
(第2实施方式)
以下，参照图15(a)～图15(c)对第2实施方式涉及的半导体发光装置进行说明。
如图15(a)所示，第2实施方式涉及的半导体发光装置580将用于提高自半导体发光元件10的散热性的散热块570设置成跨越第2热沉530中的半导体发光元件10的正上方部分和支柱82b中的半导体发光元件101的侧方部分，在这一点上，与第1实施方式涉及的半导体发光装置80不同。在此，对与第1实施方式及其第1变形例～第4变形例不同的部分进行说明。
首先，被搭载于支柱82b上的本实施方式涉及的半导体发光装置501，在作为第2热沉530的上表面的第2面31r之上，除了第3电极34及第4电极35以外，还形成用于与散热块570热连接的金属膜550和粘接层551。在此，金属膜550可以为与各电极34、35相同的组成，例如可以使用Ti/Pt/Au的层叠膜。再有，粘接层例如可以使用AuSn焊锡。
如图15(b)所示，从与半导体发光元件10的出射面垂直的方向看，散热块570具有M字状，与第2热沉530及支柱82b双方热连接。散热块570可使用与基座82a及支柱82b相同的构成材料，例如可以使用Cu或者Fe等。
再有，如图15(c)所示，针对半导体发光元件10的电连接，使用分别在第2热沉530中的半导体发光元件10的两侧方的区域设置的各过孔电极36、37、在其上分别配置的第3电极34及第4电极35、以及分别配置在各电极34、35上的金细线91、92而进行。为此，不需要在第2热沉530中的半导体发光元件10的正上方的区域设置布线，还能通过被电绝缘的区域而将半导体发光元件10所产生的焦耳热向散热块570有效地散热。
因此，与第1实施方式及其变形例同样地，能容易地对半导体发光元件10进行电气布线，并且可以更进一步地提高半导体发光元件10的散热性。
接着，参照图16(a)及图16(b)对第2实施方式涉及的半导体发光装置的制造方法进行说明。
图16(a)表示第1热沉20、半导体发光元件10与第2热沉530的固定粘接方法。
与第1实施方式的差异点在于：在第2热沉530的上表面形成第3电极34及第4电极35的工序中，在第3电极34与第4电极35之间的区域有选择地形成由与各电极34、35相同的组成而构成的金属膜550；在所形成的金属膜550上有选择地形成例如由AuSn焊锡构成的粘接层551。除此以外的工序和第1实施方式同样。
接着，如图16(b)所示，在结构与第1实施方式相同的封装体81安装第1热沉20、半导体发光元件10及第2热沉530。此时的安装方法可以使用图16(a)中示出的方法。然后，通过金细线91、92来进行半导体发光装置501与各引线管脚84、85的电连接。
接着，从上方将M字状的散热块570的下表面连接至第2热沉530的粘接层551和支柱82b中的各引线管脚84、85的侧方的区域，进行加热而进行固定粘接。此时，也可以使例如由AuSn焊锡构成的焊锡颗粒介于支柱82b与散热块570之间。
根据以上构成，第2实施方式涉及的半导体发光装置580可以使来自半导体发光元件501的焦耳热有效地向半导体发光装置580的外部传递。为此，可以大大提高半导体发光元件10中的动作特性及可靠性。
另外，本实施方式中，作为半导体发光装置1，除了第1实施方式以外，也能适用于第1变形例～第3变形例涉及的构成。
(第3实施方式)
以下，参照图17对第3实施方式涉及的半导体发光装置进行说明。
图17中，第3实施方式涉及的半导体发光装置680与第1实施方式涉及的半导体发光装置1相比，在对半导体发光装置1与各引线管脚84、85进行电连接的结构上不同。在此，仅对与第1实施方式不同的部分进行说明。
如图17所示，本实施方式中，半导体发光装置1与各引线管脚84、85的电连接取代使用金细线91、92而使用布线部件690。布线部件690例如由以下部件构成：具有板状或者棒状的绝缘性部件690a；分别设置于绝缘性部件690a的下表面且将阳极用引线管脚84与第2热沉30上的第3电极34电连接的第1布线691；及将阴极用引线管脚85与第2热沉30上的第4电极35电连接的第2布线692。
具体是，布线部件690例如在由AlN陶瓷构成的绝缘部件690a的下表面形成例如由Ti/Pt/Au的层叠金属构成的第1布线691及第2布线692。第1布线691与第3电极34通过例如由AuSn焊锡构成的粘接层693b而连接。同样地，第2布线692与第4电极35通过例如由AuSn焊锡构成的粘接层693c而连接。再有，第1布线691与阳极用引线管脚84通过例如由SnAgCu焊锡构成的粘接部件693a而连接。同样地，第2布线692与阴极用引线管脚85通过例如由SnAgCu焊锡构成的粘接部件693d而连接。
根据该构成，可以增大半导体发光装置1与各引线管脚84、85之间的布线的横截面积。为此，可以将更大电流量的电力向半导体发光装置1施加。
第3实施方式涉及的半导体发光装置680的制造方法代替第1实施方式中形成金细线的工序，将具有上述构成的布线部件690配置成跨越半导体发光装置1及各引线管脚84、85，施以加重并进行加热，由此进行电连接。
由此，半导体发光元件10中产生的焦耳热通过向第1热沉20直接地传递的第1散热路径695a、传递至第2热沉30的热从粘接层43、44向第1热沉20传递的第2散热路径696a、696b、以及传递至第2热沉30的热从粘接层693b、693c向布线部件690传递的第3散热路径696c、696d，被有效地向外部的例如基座82a及支柱82b散热。由此，半导体发光装置1的散热性提高，可以提高向半导体发光元件10投入的电力。
此外，本实施方式中，作为半导体发光装置1，除了第1实施方式以外还能适用于第1变形例～第3变形例涉及的构成。
-工业实用性-
本发明涉及的半导体发光装置作为激光显示器及投影仪等的图像显示装置、或者激光加工及激光退火等的工业用激光设备等的需要比较高的光输出的半导体发光装置中的光源，是有用的。
-符号说明-
1 半导体发光装置
10 半导体发光元件
11 半导体层叠体
12 下部电极
13 上部电极
20 第1热沉
21 绝缘性基板
21f 第1面
21r 第2面
22 第1导电膜
23 第2导电膜
24 第3导电膜
30 第2热沉
31 绝缘性基板
31a、31b 绝缘性基板
31c 空隙部
31d 底面
31g 开口沟槽
31f1、31f2 第1面
31r 第2面
32 第1电极
33 第2电极
34 第3电极
35 第4电极
36、36a、36b 过孔电极
37、37a、37b 过孔电极
41 粘接层(AuSn)
42 粘接层(AuSn)
43 粘接层(SnAgCu)
44 粘接层(SnAgCu)
48 粘接层(AuSn)
80 半导体发光装置
81 封装体
82a 基座
82b 支柱
82c 安装面
84 阳极用引线管脚
85 阴极用引线管脚
86 绝缘部
87 绝缘部
88 接地用引线管脚
91 金细线
92 金细线
95a 第1散热路径
96a、96b 第2散热路径
100 半导体发光装置
131a、131b 绝缘性基板
131g 开口沟槽
132 第1电极
133 第2电极
134 第3电极
135 第4电极
136a、136b 过孔电极
137a、137b 过孔电极
138 中间电极(接合层)
139 中间电极(接合层)
142 粘接层(AuSn)
143 粘接层(AuSn)
144 粘接层(AuSn)
200 半导体发光装置
231 绝缘性基板
232 第1电极
233 第2电极
234 第3电极
235 第4电极
236 过孔电极
237 过孔电极
238a、238b 基底电极
243 粘接层(AuSn)
244 粘接层(AuSn)
245a、245b 电铸
300 半导体发光装置
330 第2热沉
331 绝缘性基板
332 第1电极
333 第2电极
334 第3电极
335 第4电极
336 侧面布线
337 侧面布线
338a、338b 基底电极
343 粘接层(AuSn)
344 粘接层(AuSn)
345a、345b 电铸
480 半导体发光装置
481 封装体
482 基座
484 阳极用引线管脚
485 阴极用引线管脚
486 绝缘性树脂部
488 接地引线
491 金细线
492 金细线
501 半导体发光装置
530 第2热沉
550 金属膜
551 粘接层(AuSn)
570 散热块
580 半导体发光装置
581 封装体
680 半导体发光装置
690 布线部件
690a 绝缘性部件
691 第1布线
692 第2布线
693a 粘接部件(SnAgCu)
693b 粘接层(AuSn)
693c 粘接层(AuSn)
693d 粘接部件(SnAgCu)
695a 第1散热路径
696a、696b 第2散热路径
696c、696d 第3散热路径

Claims (12)

1.一种半导体发光装置，具备：
第1热沉，其由绝缘性部件构成；
第2热沉，其由绝缘性部件构成，与上述第1热沉之间夹着空隙部对置，并且与上述第1热沉热连接；以及
半导体发光元件，其被保持在上述空隙部的内部，使得与上述第1热沉和上述第2热沉连接，
上述第2热沉在与上述第1热沉对置的第1面具有第1电极及第2电极，且在与上述第1面相反侧的面、即第2面具有第3电极及第4电极，
上述第1电极与上述半导体发光元件的下部电极电连接，
上述第2电极与上述半导体发光元件的上部电极电连接，
上述第1电极与上述第3电极电连接，上述第2电极与上述第4电极电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，
通过贯通上述第2热沉而形成的第1过孔电极，上述第1电极与上述第3电极被电连接，
通过贯通上述第2热沉而形成的第2过孔电极，上述第2电极与上述第4电极被电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，
上述第1电极与第3电极经由形成于上述第2热沉的一个侧面的第1导电膜而电连接，
上述第2电极与第4电极经由形成于上述第2热沉的另一侧面的第2导电膜而电连接。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，其中，
上述空隙部是被设置在上述第1热沉及上述第2热沉的至少一方的凹部。
5.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体发光装置，其中，
上述空隙部是被配置在上述第1热沉与上述第2热沉之间的2个导电性部件彼此间的空隙部。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体发光装置，其中，
上述第1热沉及上述第2热沉由热膨胀系数与上述半导体发光元件的构成材料接近的绝缘性材料构成。
7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其中，
上述绝缘性材料为氮化铝陶瓷、碳化硅陶瓷、氧化铝陶瓷或者硅。
8.根据权利要求1～7的任一项所述的半导体发光装置，其中，
该半导体发光装置还具备：固定粘接上述第1热沉的基台；和与上述基台电绝缘的第1引线管脚及第2引线管脚，
上述第3电极与上述第1引线管脚电连接，
上述第4电极与上述第2引线管脚电连接。
9.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其中，
上述基台由具有热传导性的支柱、和保持上述第1引线管脚及上述第2引线管脚的基座构成。
10.根据权利要求9所述的半导体发光装置，其中，
该半导体发光装置还具备散热块，该散热块与上述支柱中的上述第1热沉的侧方区域的上表面及上述第2热沉的上表面均热连接。
11.根据权利要求8所述的半导体发光装置，其中，
上述基台是与第3引线管脚连接的基座，
该半导体发光装置还具备保持上述基座、上述第1引线管脚、上述第2引线管脚及上述第3引线管脚的封装体。
12.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其中，
该半导体发光装置还具备布线部件，该布线部件将上述第3电极与上述第1引线管脚电连接，且将上述第4电极与上述第2引线管脚电连接，
上述布线部件具有：
与上述第1引线管脚电连接的第1布线；
与上述第2引线管脚电连接的第2布线；和
保持上述第1布线及上述第2布线的绝缘性部件。
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