JP2004103735A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】目的とするところは,放熱性を飛躍的に向上することにあり,ひいては発光素子の光出力を安定化させ,劣化を防ぎ寿命特性を向上させることにある.
【解決手段】本発明の発光装置は、アイレッド2上に少なくとも第1ヒートシンク1が載置されてなるステムと、前記第1ヒートシンクに保持されてなる発光素子4とを有する発光装置において、前記第1ヒートシンクにおける発光素子の保持面に対向するする面側であって、前記アイレッド上に第2ヒートシンク1’が形成され、前記発光素子が第1のヒートシンクと第2のヒートシンクによって挟み込まれ、電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする。例えば従来パッケージであるステムの場合,その放熱性はヒートシンクの熱容量で大方決まる.本発明の構成をとることにより,発光素子の両面より熱を放熱させることが可能となり,第1ヒートシンクをアイレッドに形成しただけの場合に比べ,約2倍の放熱性を容易に実現できる.このことは,副次的効果としてワイヤーが必要でなくなるばかりか、場合によっては工程の簡略化も可能である。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明の発光装置は、アイレッド2上に少なくとも第1ヒートシンク1が載置されてなるステムと、前記第1ヒートシンクに保持されてなる発光素子4とを有する発光装置において、前記第1ヒートシンクにおける発光素子の保持面に対向するする面側であって、前記アイレッド上に第2ヒートシンク1’が形成され、前記発光素子が第1のヒートシンクと第2のヒートシンクによって挟み込まれ、電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする。例えば従来パッケージであるステムの場合,その放熱性はヒートシンクの熱容量で大方決まる.本発明の構成をとることにより,発光素子の両面より熱を放熱させることが可能となり,第1ヒートシンクをアイレッドに形成しただけの場合に比べ,約2倍の放熱性を容易に実現できる.このことは,副次的効果としてワイヤーが必要でなくなるばかりか、場合によっては工程の簡略化も可能である。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体を実装する発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザダイオード等の発光素子を実装する発光装置としては、図2,3に示すように、アイレッド2とヒートシンク1とアウターリード3により構成されるステムがある.発光素子4はヒートシンク上に実装され,封止キャップ6により外界から遮断されている.封止キャップ内は通常,不活性ガス等が充填される.また,封止キャップには窓部が形成されていて,発光素子からの光を外界へ取り出すことができる。
【0003】発光素子は,一方の面を放熱部材であるヒートシンクが接続され,他方の面にワイヤーが張られる.この場合,発光素子からワイヤーへ熱輸送される量は,発熱量の数パーセント程度にしか過ぎず,大半が放熱部材であるヒートシンクを経由し,アイレッドへと放熱される.
【0004】より多くの発熱を伴う発光素子においては,サブマウント上に発光素子と同じ高さを有するスペーサーを設け,発光素子とスペーサーをまたぐように冷却装置が固定される技術が開示されている.この場合,発光素子の放熱面で特に熱抵抗の小さい側にペルチェ素子等の冷却装置を配置させると冷却効果が増すことが記されている(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開昭和57−5381号公報
【0006】また,材料の熱抵抗は熱伝導率に反比例することから,ヒートシンクの材料をより熱伝導率の高い材料に置きかえるといったことが通常なされる.
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,サブマウント上に発光素子と同じ高さを有するスペーサーを設け,発光素子とスペーサーをまたぐように冷却装置が固定される技術では,熱源を分散させたアレイレーザーなどには可能であるものの,より多くの発熱を伴う発光素子においては無理が生じる.なぜなら,冷却装置として上げられるペルチェ素子では,一つのペルチェ素子で吸熱できる熱量は少なく,発光素子が発する熱量を効率よく吸熱するには,複数個のペルチェ素子を並べたペルチェモジュールが必要であるばかりでなく,熱応答速度が求められるからである.また,ヒートシンクの材料をより熱伝導率の高い材料に置きかえるといったことが通常なされるが,発光素子の熱量が大ければ大きいほど,放熱以外の面で問題点が生じる.例えば,ヒートシンクと発光素子との熱膨張係数差を考慮すること等である.この場合,ヒートシンクと発光素子との間に熱膨張係数を緩和させる緩和材料をはさむ等考慮した放熱設計が必要となり,対策が複雑化する.
【0008】このように,これまで発光素子から発生する熱量を効率よく放熱する手段は幾つか考案されてきたものの,飛躍的に向上する放熱手段はなされていなかった。
【0009】従って,本発明はこのような事情により成されたものであって,その目的とするところは,放熱性を飛躍的に向上することにあり,ひいては発光素子の光出力を安定化させ,劣化を防ぎ寿命特性を向上させることにある.
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の発光装置は、アイレッド2上に少なくとも第1ヒートシンク1が載置されてなるステムと、前記第1ヒートシンクに保持されてなる発光素子4とを有する発光装置において、前記第1ヒートシンクにおける発光素子の保持面に対向するする面側であって、前記アイレッド上に第2ヒートシンク1’が形成され、前記発光素子が第1のヒートシンクと第2のヒートシンクによって挟み込まれ、電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする。例えば従来パッケージであるステムの場合,その放熱性はヒートシンクの熱容量で大方決まる.本発明の構成をとることにより,発光素子の両面より熱を放熱させることが可能となり,第1ヒートシンクをアイレッドに形成しただけの場合に比べ,約2倍の放熱性を容易に実現できる.このことは,副次的効果としてワイヤーが必要でなくなるばかりか、場合によっては工程の簡略化も可能である。
【0011】また本発明の発光装置において、発光素子からの発光がヒートシンクにより妨げられないよう,発光素子がヒートシンクに搭載されている。発光素子は,発光素子に形成された電極とヒートシンクとが導電性接着剤を介して電気的及び熱的に接続される.図4に示すように,少なくとも発光素子出射側端部をヒートシンク端部より突出させることで,接続時に生じる導電性接着剤の光出射端面への回り込みを防ぎ,発光素子からの発光を外界へ確実に取り出すことができる.
【0012】さらにまた本発明の発光素子は、該発光素子に形成された電極と第1及び第2ヒートシンクとが導電性接着材料を介して接続されている.発光素子とヒートシンクの接続部は,導電性接着材料を経由してヒートシンクへ放熱される熱輸送経路となるだけでなく,素子に電力を供給する電極としての機能を兼ね備えている.よって,導電性接着材料として,熱伝導性にも優れた材料を選択することにより,電気的及び熱的に接続させることが可能となる.
【0013】さらにまた本発明の発光装置における導電性接着部材は、共晶材料である。発光素子の電極及び,ヒートシンクが,導電性接着材料を介して一度で固定できる.特にAuSn,AuSi,SnAgCu,SnCu,PbSn,InSn,Inからなる群から選択される少なくとも1種又は1種を含む接着材料を含む導電性接着材料である。
【0014】さらにまた本発明の発光装置における共晶材料が、前記発光素子における第1ヒートシンク側と第2ヒートシンク側で融点温度が同一又は異なる。第1ヒートシンクと発光素子と第2ヒートシンクを同時に貼り合わせる場合は共晶材料の融点は統一させた方が発光素子と第1ヒートシンクの接続面、及び発光素子と第2ヒートシンクの接続面を同時に融着することが可能となるので都合がよく、また、一方のヒートシンクと発光素子を融着した後に他方のヒートシンクを融着するような2段階工程の場合は、先に融着する共晶材料を後に融着する共晶材料よりも融点の高いものを使用することにより、後の融着時に先の共晶材料が再度溶融し、実装がズレるという問題が生じない。
【0015】さらにまた本発明の発酵装置において、共晶材料が、発光素子における第2ヒートシンクとアイレッドとの接続面に用いられ、かつ第2ヒートシンクとアイレッドとの接続面に用いられる共晶材料の融点温度が、発光素子と第2ヒートシンクとの接続面に用いられる共晶材料の融点温度と同一である。このように共晶材料を選択することにより、第2ヒートシンクを発光素子とアイレッドへ一度に接続することが可能となる。
【0016】さらにまた本発明の発光装置において、発光素子が,発光層に垂直な面から発光を取り出す端面発光素子である.端面発光素子の場合,電極は発光層に平行な面として形成され,ヒートシンクと電気的に接続する面として用いる.このように形成された電極を放熱面として有効に用いることにより,発熱した熱を効率よく放熱させることができる.端面発光素子の例として,例えば端面発光LEDや端面発光LDが挙げられる.
【0017】さらにまた本発明の発光装置において,発光素子としての端面発光LED又はLDが窒化物半導体からなることを特徴とする。窒化物半導体から成る発光素子は,他のGaAs系やGaInP系と比べて発熱量が大きいため,本発明の構成は特に放熱面において有効である。
【0018】
【発明の実施の形態】以下図面に基づいて、本発明の実施の形態につき説明する。図1(a)に本発明の発光装置を展開した場合の模式的斜視図,また図1(b)に図1(a)を組み立てた模式的斜視図を示す。
【0019】発光素子の実装方法として,まず第1ヒートシンクと発光素子とを貼り合わせした後,第2ヒートシンクを貼り合わせる方法が考えられる(逆に第2ヒートシンクと発光素子とを貼り合わせた後に第1ヒートシンクを貼り合わせても良い).このように2段階で貼り合わせる場合、先に貼り合わせる面に用いる導電性接着材料の融点が,後に貼り合わせる面に用いる導電性接着材料の融点より高くなるようにすると,先に貼り合わせた発光素子が後で貼り合わせる際にヒートシンクよりはがれる問題がなくなる.
【0020】また、第1ヒートシンクと発光素子と第2ヒートシンクを同時に貼り合わせても良い。この場合,実装に用いられる実装導電性接着材料の融点は統一され,一度に貼り合わせることが可能となり,工程が簡略化できる。
【0021】
【実施例】以下に実施例を示すが、本発明は当然これに限定されるものではない。窒化物半導体レーザを成長基板(例えばサファイア基板)上にエピタキシャル成長させ、共振器,電極等を形成した後,成長基板を除去する。このようにして形成した窒化物半導体レーザ素子の一方の電極面と,第1ヒートシンクとの間に導電性接着部材として共晶材料AuSnを挟み、第1ヒートシンク上に300℃で実装する。次に窒化物半導体レーザ素子の他方の電極面と,第2ヒートシンクとの間に導電性接着部材として先ほどとは異なる組成比より成るAuSnを形成し、第2ヒートシンク上に280℃で実装する。このとき,第2ヒートシンクとアイレッドとの接続も,同じ組成比より成るAuSnを用いる.その後,これを窒素ガス雰囲気中において封止キャップを溶着し、窒化物半導体レーザを封止する。
【0022】これによりCW駆動室温連続発振するワット光源が得られる。第2ヒートシンクを設けない従来品と比較して熱抵抗を約半分に低減できる。
【0023】
【発明の効果】本発明の構成をとることにより,第一ヒートシンクをアイレッドに形成しただけの場合に比べ,約2倍の放熱性を容易に実現することができる.また、それに伴う副次的効果としてワイヤーボンドが必要なくなり、場合によっては工程の簡略化も可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の発光装置における模式的展開斜視図である。
(b)本発明の発光装置の封止キャップを外した状態の模式的斜視図である。
【図2】従来技術の発光装置における模式的断面図である。
【図3】従来技術の発光装置における模式的斜視図である。
【図4】本発明の発光装置における発光素子のヒートシンクに対する実装図である。
【図5】従来技術の発光装置における模式的断面図である。
【符号の説明】
1・・・第1ヒートシンク
1’・・・第2ヒートシンク
2・・・アイレッド
3・・・アウターリード
4・・・発光素子
5・・・モニター用フォトダイオード
6・・・封止キャップ
7・・・板ガラス
8・・・導電性基板
9・・・活性層
11・・・導電性接着部材
12・・・スペーサ
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体を実装する発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザダイオード等の発光素子を実装する発光装置としては、図2,3に示すように、アイレッド2とヒートシンク1とアウターリード3により構成されるステムがある.発光素子4はヒートシンク上に実装され,封止キャップ6により外界から遮断されている.封止キャップ内は通常,不活性ガス等が充填される.また,封止キャップには窓部が形成されていて,発光素子からの光を外界へ取り出すことができる。
【0003】発光素子は,一方の面を放熱部材であるヒートシンクが接続され,他方の面にワイヤーが張られる.この場合,発光素子からワイヤーへ熱輸送される量は,発熱量の数パーセント程度にしか過ぎず,大半が放熱部材であるヒートシンクを経由し,アイレッドへと放熱される.
【0004】より多くの発熱を伴う発光素子においては,サブマウント上に発光素子と同じ高さを有するスペーサーを設け,発光素子とスペーサーをまたぐように冷却装置が固定される技術が開示されている.この場合,発光素子の放熱面で特に熱抵抗の小さい側にペルチェ素子等の冷却装置を配置させると冷却効果が増すことが記されている(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開昭和57−5381号公報
【0006】また,材料の熱抵抗は熱伝導率に反比例することから,ヒートシンクの材料をより熱伝導率の高い材料に置きかえるといったことが通常なされる.
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,サブマウント上に発光素子と同じ高さを有するスペーサーを設け,発光素子とスペーサーをまたぐように冷却装置が固定される技術では,熱源を分散させたアレイレーザーなどには可能であるものの,より多くの発熱を伴う発光素子においては無理が生じる.なぜなら,冷却装置として上げられるペルチェ素子では,一つのペルチェ素子で吸熱できる熱量は少なく,発光素子が発する熱量を効率よく吸熱するには,複数個のペルチェ素子を並べたペルチェモジュールが必要であるばかりでなく,熱応答速度が求められるからである.また,ヒートシンクの材料をより熱伝導率の高い材料に置きかえるといったことが通常なされるが,発光素子の熱量が大ければ大きいほど,放熱以外の面で問題点が生じる.例えば,ヒートシンクと発光素子との熱膨張係数差を考慮すること等である.この場合,ヒートシンクと発光素子との間に熱膨張係数を緩和させる緩和材料をはさむ等考慮した放熱設計が必要となり,対策が複雑化する.
【0008】このように,これまで発光素子から発生する熱量を効率よく放熱する手段は幾つか考案されてきたものの,飛躍的に向上する放熱手段はなされていなかった。
【0009】従って,本発明はこのような事情により成されたものであって,その目的とするところは,放熱性を飛躍的に向上することにあり,ひいては発光素子の光出力を安定化させ,劣化を防ぎ寿命特性を向上させることにある.
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の発光装置は、アイレッド2上に少なくとも第1ヒートシンク1が載置されてなるステムと、前記第1ヒートシンクに保持されてなる発光素子4とを有する発光装置において、前記第1ヒートシンクにおける発光素子の保持面に対向するする面側であって、前記アイレッド上に第2ヒートシンク1’が形成され、前記発光素子が第1のヒートシンクと第2のヒートシンクによって挟み込まれ、電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする。例えば従来パッケージであるステムの場合,その放熱性はヒートシンクの熱容量で大方決まる.本発明の構成をとることにより,発光素子の両面より熱を放熱させることが可能となり,第1ヒートシンクをアイレッドに形成しただけの場合に比べ,約2倍の放熱性を容易に実現できる.このことは,副次的効果としてワイヤーが必要でなくなるばかりか、場合によっては工程の簡略化も可能である。
【0011】また本発明の発光装置において、発光素子からの発光がヒートシンクにより妨げられないよう,発光素子がヒートシンクに搭載されている。発光素子は,発光素子に形成された電極とヒートシンクとが導電性接着剤を介して電気的及び熱的に接続される.図4に示すように,少なくとも発光素子出射側端部をヒートシンク端部より突出させることで,接続時に生じる導電性接着剤の光出射端面への回り込みを防ぎ,発光素子からの発光を外界へ確実に取り出すことができる.
【0012】さらにまた本発明の発光素子は、該発光素子に形成された電極と第1及び第2ヒートシンクとが導電性接着材料を介して接続されている.発光素子とヒートシンクの接続部は,導電性接着材料を経由してヒートシンクへ放熱される熱輸送経路となるだけでなく,素子に電力を供給する電極としての機能を兼ね備えている.よって,導電性接着材料として,熱伝導性にも優れた材料を選択することにより,電気的及び熱的に接続させることが可能となる.
【0013】さらにまた本発明の発光装置における導電性接着部材は、共晶材料である。発光素子の電極及び,ヒートシンクが,導電性接着材料を介して一度で固定できる.特にAuSn,AuSi,SnAgCu,SnCu,PbSn,InSn,Inからなる群から選択される少なくとも1種又は1種を含む接着材料を含む導電性接着材料である。
【0014】さらにまた本発明の発光装置における共晶材料が、前記発光素子における第1ヒートシンク側と第2ヒートシンク側で融点温度が同一又は異なる。第1ヒートシンクと発光素子と第2ヒートシンクを同時に貼り合わせる場合は共晶材料の融点は統一させた方が発光素子と第1ヒートシンクの接続面、及び発光素子と第2ヒートシンクの接続面を同時に融着することが可能となるので都合がよく、また、一方のヒートシンクと発光素子を融着した後に他方のヒートシンクを融着するような2段階工程の場合は、先に融着する共晶材料を後に融着する共晶材料よりも融点の高いものを使用することにより、後の融着時に先の共晶材料が再度溶融し、実装がズレるという問題が生じない。
【0015】さらにまた本発明の発酵装置において、共晶材料が、発光素子における第2ヒートシンクとアイレッドとの接続面に用いられ、かつ第2ヒートシンクとアイレッドとの接続面に用いられる共晶材料の融点温度が、発光素子と第2ヒートシンクとの接続面に用いられる共晶材料の融点温度と同一である。このように共晶材料を選択することにより、第2ヒートシンクを発光素子とアイレッドへ一度に接続することが可能となる。
【0016】さらにまた本発明の発光装置において、発光素子が,発光層に垂直な面から発光を取り出す端面発光素子である.端面発光素子の場合,電極は発光層に平行な面として形成され,ヒートシンクと電気的に接続する面として用いる.このように形成された電極を放熱面として有効に用いることにより,発熱した熱を効率よく放熱させることができる.端面発光素子の例として,例えば端面発光LEDや端面発光LDが挙げられる.
【0017】さらにまた本発明の発光装置において,発光素子としての端面発光LED又はLDが窒化物半導体からなることを特徴とする。窒化物半導体から成る発光素子は,他のGaAs系やGaInP系と比べて発熱量が大きいため,本発明の構成は特に放熱面において有効である。
【0018】
【発明の実施の形態】以下図面に基づいて、本発明の実施の形態につき説明する。図1(a)に本発明の発光装置を展開した場合の模式的斜視図,また図1(b)に図1(a)を組み立てた模式的斜視図を示す。
【0019】発光素子の実装方法として,まず第1ヒートシンクと発光素子とを貼り合わせした後,第2ヒートシンクを貼り合わせる方法が考えられる(逆に第2ヒートシンクと発光素子とを貼り合わせた後に第1ヒートシンクを貼り合わせても良い).このように2段階で貼り合わせる場合、先に貼り合わせる面に用いる導電性接着材料の融点が,後に貼り合わせる面に用いる導電性接着材料の融点より高くなるようにすると,先に貼り合わせた発光素子が後で貼り合わせる際にヒートシンクよりはがれる問題がなくなる.
【0020】また、第1ヒートシンクと発光素子と第2ヒートシンクを同時に貼り合わせても良い。この場合,実装に用いられる実装導電性接着材料の融点は統一され,一度に貼り合わせることが可能となり,工程が簡略化できる。
【0021】
【実施例】以下に実施例を示すが、本発明は当然これに限定されるものではない。窒化物半導体レーザを成長基板(例えばサファイア基板)上にエピタキシャル成長させ、共振器,電極等を形成した後,成長基板を除去する。このようにして形成した窒化物半導体レーザ素子の一方の電極面と,第1ヒートシンクとの間に導電性接着部材として共晶材料AuSnを挟み、第1ヒートシンク上に300℃で実装する。次に窒化物半導体レーザ素子の他方の電極面と,第2ヒートシンクとの間に導電性接着部材として先ほどとは異なる組成比より成るAuSnを形成し、第2ヒートシンク上に280℃で実装する。このとき,第2ヒートシンクとアイレッドとの接続も,同じ組成比より成るAuSnを用いる.その後,これを窒素ガス雰囲気中において封止キャップを溶着し、窒化物半導体レーザを封止する。
【0022】これによりCW駆動室温連続発振するワット光源が得られる。第2ヒートシンクを設けない従来品と比較して熱抵抗を約半分に低減できる。
【0023】
【発明の効果】本発明の構成をとることにより,第一ヒートシンクをアイレッドに形成しただけの場合に比べ,約2倍の放熱性を容易に実現することができる.また、それに伴う副次的効果としてワイヤーボンドが必要なくなり、場合によっては工程の簡略化も可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の発光装置における模式的展開斜視図である。
(b)本発明の発光装置の封止キャップを外した状態の模式的斜視図である。
【図2】従来技術の発光装置における模式的断面図である。
【図3】従来技術の発光装置における模式的斜視図である。
【図4】本発明の発光装置における発光素子のヒートシンクに対する実装図である。
【図5】従来技術の発光装置における模式的断面図である。
【符号の説明】
1・・・第1ヒートシンク
1’・・・第2ヒートシンク
2・・・アイレッド
3・・・アウターリード
4・・・発光素子
5・・・モニター用フォトダイオード
6・・・封止キャップ
7・・・板ガラス
8・・・導電性基板
9・・・活性層
11・・・導電性接着部材
12・・・スペーサ
Claims (8)
- アイレッド2上に少なくとも第1ヒートシンク1が載置されてなるステムと、前記第1ヒートシンクに保持されてなる発光素子4とを有する発光装置において、前記第1ヒートシンクにおける発光素子の保持面に対向するする面側であって、前記アイレッド上に第2ヒートシンク1’が形成され、前記発光素子が第1のヒートシンクと第2のヒートシンクによって挟み込まれ、電気的及び熱的に接続されていることを特徴とする発光装置。
- 前記発光装置において、発光素子からの発光がヒートシンクにより妨げられないよう,発光素子がヒートシンクに搭載されている請求項1に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、該発光素子に形成された電極と第1及び第2ヒートシンクとが導電性接着材料を介して接続されている請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
- 前記導電性接着部材が共晶材料である請求項3に記載の発光装置。
- 前記共晶材料が、前記発光素子における第1ヒートシンク側と第2ヒートシンク側で融点温度が同一又は異なる請求項4に記載の発光装置。
- 前記共晶材料が、前記発光素子における第2ヒートシンクとアイレッドとの接続面に用いられ、かつ第2ヒートシンクとアイレッドとの接続面に用いられる共晶材料の融点温度が、前記発光素子と第2ヒートシンクとの接続面に用いられる共晶材料の融点温度と同一である請求項5に記載の発光装置。
- 前記発光装置において、発光素子が,発光層に垂直な面から発光を取り出す端面発光素子である請求項1乃至請求項6に記載の発光装置。
- 前記端面発光素子が窒化物半導体からなる請求項7に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002261882A JP2004103735A (ja) | 2002-09-06 | 2002-09-06 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002261882A JP2004103735A (ja) | 2002-09-06 | 2002-09-06 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004103735A true JP2004103735A (ja) | 2004-04-02 |
Family
ID=32262127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002261882A Pending JP2004103735A (ja) | 2002-09-06 | 2002-09-06 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004103735A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8031751B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-10-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device |
JP2011243951A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-12-01 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光装置 |
US9203213B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
CN111463654B (zh) * | 2020-04-22 | 2021-07-20 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种发光装置及其制造方法与应用 |
-
2002
- 2002-09-06 JP JP2002261882A patent/JP2004103735A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8031751B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-10-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser device |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061128 |