JP2004152808A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来に比べて半導体発光素子の温度上昇を抑制することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】青色発光ダイオードチップからなる半導体発光素子１と、半導体発光素子１がフリップチップ実装される実装基板２とを備えている。半導体発光素子１は、サファイア基板からなるベース基板１１の一表面側に発光部１２が形成され、発光部１２にアノード電極１３ａおよびカソード電極１３ｂが設けられている。実装基板２は、第１の金属板２ａと第２の金属板２ｂとが電気絶縁性を有する絶縁性材料からなる絶縁部２ｃにより連結されている。実装基板２には、半導体発光素子１のアノード電極１３ａがバンプ３ａを介して第１の金属板２ａに電気的に接続され、半導体発光素子１のカソード電極１３ｂがバンプ３ｂを介して第２の金属板２ｂに電気的に接続されている。
【選択図】 図１
【解決手段】青色発光ダイオードチップからなる半導体発光素子１と、半導体発光素子１がフリップチップ実装される実装基板２とを備えている。半導体発光素子１は、サファイア基板からなるベース基板１１の一表面側に発光部１２が形成され、発光部１２にアノード電極１３ａおよびカソード電極１３ｂが設けられている。実装基板２は、第１の金属板２ａと第２の金属板２ｂとが電気絶縁性を有する絶縁性材料からなる絶縁部２ｃにより連結されている。実装基板２には、半導体発光素子１のアノード電極１３ａがバンプ３ａを介して第１の金属板２ａに電気的に接続され、半導体発光素子１のカソード電極１３ｂがバンプ３ｂを介して第２の金属板２ｂに電気的に接続されている。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子と半導体発光素子がフリップチップ実装される実装基板とを備えた半導体発光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、図８に示すように化合物半導体材料からなる発光部１２を発光部１２にて発光する光に対して透明なベース基板１１の一表面側（図８における下面側）に形成した発光ダイオードチップからなる半導体発光素子１と、半導体発光素子１をフリップチップ実装した実装基板７とを備えた半導体発光装置が提案されている。この種の半導体発光装置に用いる半導体発光素子１としては、例えば、発光部１２の化合物半導体材料として窒化ガリウム系材料を採用するとともにベース基板１１としてサファイア基板を採用したものが知られている。
【０００３】
上述の実装基板７としては、樹脂基板７０を基材として樹脂基板７０の一面に回路パターン（導電パターン）７１ａ，７１ｂが形成されたものが用いられており、半導体発光素子１の発光部１２に設けられたアノード電極１３ａが回路パターン７１ａにバンプ３ａを介して接続され、カソード電極１３ｂが回路パターン（導電パターン）７１ｂにバンプ３ｂを介して接続されている。
【０００４】
ところで、図８に示した構成の半導体発光装置は、半導体発光素子１がいわゆるフェースダウン構造で実装されており、発光部１２にて発光した光がベース基板１１を通して図８（ｂ）の上面側へ取り出されることになる。しかして、半導体発光素子１をいわゆるフェースアップ構造で実装して各電極１３ａ，１３ｂと回路パターン７１ａ，７１ｂとを導電ワイヤ（ボンディングワイヤ）を介して接続した構成のものに比べて、発光部１２にて発光した光の吸収が少なく、しかも、各電極１３ａ，１３ｂによるけられが生じることがなく、発光部１２にて発光した光を外部へ効率良く取り出すことが可能である。
【０００５】
一方、上記半導体発光装置では、半導体発光素子１の発光時に発生する熱が各電極１３ａ，１３ｂおよびバンプ３ａ，３ｂを介して回路パターン７１ａ，７１ｂを通じて放熱されるが、上述の回路パターン７１ａ，７１ｂが樹脂基板７０の上記一面に形成されているので、樹脂基板７０の熱抵抗が非常に大きく、半導体発光素子１の温度上昇による特性劣化が起こり、半導体発光素子１の発光効率が低下してしまう。
【０００６】
そこで、上記半導体発光装置では、樹脂基板７０に放熱用のスルーホール７３ａ，７３ｂを複数ずつ貫設し、樹脂基板７０の上記一面の回路パターン７１ａ，７１ｂと他面の導電パターン７２ａ，７２ｂとをスルーホール７３ａ，７３ｂの内面に被着した金属材料からなる接続部７４ａ，７４ｂを介して接続することで、半導体発光素子１の温度上昇を抑制することが考えられている。
【０００７】
しかしながら、樹脂基板７０に放熱用のスルーホール７３ａ，７３ｂを形成したとしても、樹脂基板７０に占めるスルーホール７３ａ，７３ｂの密度が小さく、実装基板７の熱抵抗をわずかにしか低減できなかった。
【０００８】
また、近年では、図８に示した構成と同様に樹脂基板を基材とする実装基板の一面側に半導体発光素子をフリップチップ実装しながらも放熱性を向上させた半導体発光装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−３５８３７１号公報（第３頁−第５頁、図１、図４）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記各従来構成の半導体発光装置では、半導体発光素子をフリップチップ実装する実装基板の基材として樹脂基板が用いられているので、実装基板の熱抵抗を十分に小さくすることができず、十分な放熱性が得られないという不具合があった。
【００１１】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、従来に比べて半導体発光素子の温度上昇を抑制することができる半導体発光装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、半導体材料からなる発光部が前記発光部にて発光する光に対して透明なベース基板の厚み方向の一表面側に形成された半導体発光素子と、前記半導体発光素子がフリップチップ実装される実装基板とを備え、前記ベース基板の厚み方向の他表面側から光が取り出される半導体発光装置であって、前記実装基板は、前記半導体発光素子の前記発光部に設けたアノード電極がバンプを介して接続される第１の金属板と、前記半導体発光素子の前記発光部に設けたカソード電極がバンプを介して接続される第２の金属板と、前記第１の金属板と前記第２の金属板との互いの対向する側縁間に介在し前記両金属板を電気的に絶縁する絶縁性材料からなる絶縁部とを有することを特徴とする。この請求項１の発明の構成によれば、前記半導体発光素子を前記第１の金属板および前記第２の金属板に熱的に結合することができ、前記半導体発光素子で発生した熱が、前記アノード電極にバンプを介して接続された前記第１の金属板を通して放熱されるとともに、前記カソード電極にバンプを介して接続された前記第２の金属板を通して放熱されるので、従来のように樹脂基板を基材とする実装基板に半導体発光素子を実装したものに比べて放熱性が向上し、前記半導体発光素子の温度上昇を抑制でき、結果的に温度上昇に伴う前記半導体発光素子の発光効率の低下を抑制できる。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記実装基板における前記半導体発光素子との対向面側で前記半導体発光素子の周部を全周に亘って囲み前記半導体発光素子からの光を前記ベース基板の前記他表面側へ反射させる反射枠を備えることを特徴とする。この請求項２の発明の構成によれば、前記半導体発光素子から側方へ放射された光が前記反射枠の内周面で反射されて外部へ取り出されることになり、前記半導体発光素子で発光した光の外部への取り出し効率を向上させることができる。
【００１４】
請求項３の発明は、請求項２の発明において、前記反射枠は、前記各金属板にそれぞれ一体形成された一対の枠部材と前記両枠部材を連結し且つ電気的に絶縁する絶縁性材料からなる連結部とからなることを特徴とする。この請求項３の発明の構成によれば、前記各金属板に加えて前記反射枠も前記半導体発光素子で発生した熱を外部へ放熱させる放熱部材として機能することになるので、放熱面積が広くなって放熱性をさらに向上させることができる。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記実装基板の外周面を全周に亘って被覆する絶縁性材料からなる絶縁被覆部を備えることを特徴とする。この請求項４の発明の構成によれば、前記実装基板の外周面を外部と電気的に絶縁することができるので、取り扱いが容易になって静電気などによる前記半導体発光素子の破壊を防止することができる。
【００１６】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４の発明において、前記実装基板における前記半導体発光素子との対向面とは反対の面側に配置される放熱板を備え、前記一方の金属板がろう材からなる第１の接合部を介して前記放熱板に接続され、前記他方の金属板が前記放熱板において前記実装基板との対向面に絶縁層を介して形成された配線とろう材からなる第２の接合部を介して接続されてなることを特徴とする。この請求項５の発明の構成によれば、前記第１の金属板と前記第２の金属板とを電気的に絶縁しながらも前記各金属板を前記放熱板と熱的に結合することができ、放熱性をより一層向上させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本実施形態の半導体発光装置は、図１に示すように、青色発光ダイオードチップからなる半導体発光素子１と、半導体発光素子１がフリップチップ実装される実装基板２とを備えている。
【００１８】
半導体発光素子１は、サファイア基板（α−Ａｌ２Ｏ３基板）からなるベース基板１１の厚み方向の一表面（図１（ｂ）における下面）側にｎ形ＧａＮ層１２ｂとｐ形ＧａＮ層１２ａとからなる発光部１２が形成されており、ｐ形ＧａＮ層１２ａの表面にアノード電極１３ａが形成され、ｎ形ＧａＮ層１２ｂの表面にカソード電極１３ｂが形成されている。
【００１９】
本実施形態の半導体発光装置では、上記従来構成と同様に、半導体発光素子１に用いているベース基板１１が発光部１２にて発光する光に対して透明なので、発光部１２にて発光した光がベース基板１１を通して外部へ取り出される。つまり、発光部１２にて発光した光がベース基板１１の厚み方向の他表面（図１（ｂ）における上面）側から取り出される。
【００２０】
ここに、ベース基板１１の上記一表面はＣ面であり、発光部１２は、ベース基板１１の上記一表面側にエピタキシャル成長された上記ｎ形ＧａＮ層１２ｂと上記ｐ形ＧａＮ層１２ａとで構成されているが、発光部１２の構造は特に限定するものではなく、例えば、周知のシングルへテロ構造やダブルへテロ構造などの構造を採用してもよい。ただし、いずれの構造を採用する場合にも、ベース基板１１と発光部１２との間にいわゆるバッファ層を介在させることが好ましい。
【００２１】
なお、発光部１２の材料についてもＧａＮに特に限定するものではなく、所望の発光色に応じてＧａＮ以外の半導体材料を採用してもよいことは勿論である。
また、ベース基板１１の材料についてもＡｌ２Ｏ３に限定するものではなく、例えば、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＳｉＣなどの材料を発光部１２の半導体材料に応じて適宜採用してもよい。
【００２２】
ところで、実装基板２は、金属材料（例えば、アルミニウム、銅など）からなる矩形板状の第１の金属板２ａと金属材料（例えば、アルミニウム、銅など）からなる矩形板状の第２の金属板２ｂとが電気的に絶縁性を有する絶縁性材料（例えば、絶縁性の樹脂）からなる絶縁部２ｃにより連結されている。言い換えれば、実装基板２は、第１の金属板２ａと、第２の金属板２ｂと、第１の金属板２ａと第２の金属板２ｂとの互いの対向する側縁間に介在し両金属板２ａ，２ｂを電気的に絶縁する絶縁部２ｃとで構成されている。
【００２３】
ここにおいて、実装基板２には、半導体発光素子１のアノード電極（パッド）１３ａが導電性材料（例えば、金、はんだなど）からなるバンプ（突起電極）３ａを介して第１の金属板２ａに電気的に接続され、半導体発光素子１のカソード電極（パッド）１３ｂが導電性材料（例えば、金、はんだなど）からなるバンプ（突起電極）３ｂを介して第２の金属板２ｂに電気的に接続されている。したがって、半導体発光素子１が第１の金属板２ａおよび第２の金属板２ｂに熱的に結合されており、各金属板２ａ，２ｂが放熱部材として機能することになる。なお、図示していないが、半導体発光素子１は、実装基板２にフェースダウンで実装した後で、半導体発光素子１から発光する光に対して透明な樹脂（例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂など）により封止すれば、半導体発光素子１を封止樹脂部にて保護することができる。ここに、半導体発光素子１を封止する封止樹脂中に半導体発光素子１の発光によって励起されて所望の波長の光を放射する蛍光物質を分散させておけば、半導体発光素子１から放射される光と蛍光物質から放射される光との合成光を得ることができ、例えば白色光を得ることも可能となる。
【００２４】
以上説明した本実施形態の半導体発光装置では、半導体発光素子１のアノード電極１３ａがバンプ３ａを介して接続される第１の金属板２ａと、半導体発光素子１のカソード電極１３ｂがバンプ３ｂを介して接続される第２の金属板２ｂとが絶縁部２ｃにより連結された実装基板２を用いており、半導体発光素子１が第１の金属板２ａおよび第２の金属板２ｂに熱的に結合しているので、半導体発光素子１の発光時（つまり、半導体発光素子１への通電時）に発生した熱が、アノード電極１３ａにバンプ３ａを介して接続された第１の金属板２ａを通して放熱されるとともに、カソード電極１３ｂにバンプ３ｂを介して接続された第２の金属板２ｂを通して放熱されるから、従来のように樹脂基板７０を基材とする実装基板７に半導体発光素子１を実装したものに比べて放熱性が向上し、半導体発光素子１の温度上昇を抑制でき、結果的に温度上昇に伴う半導体発光素子１の発光効率の低下を抑制できる。また、本実施形態の半導体発光装置では、上述のように放熱性が向上するので、半導体発光素子１への入力を増やす可能となり、半導体発光素子１の光出力（発光量）を増加させることができる。また、半導体発光素子１の温度上昇を抑制することで、半導体発光素子１の寿命低下、半導体発光素子１を封止している封止樹脂部の劣化を抑制することができ、長寿命化を図ることができる。
【００２５】
また、第１の金属板２ａおよび第２の金属板２ｂにおいて半導体発光素子１が実装される表面は、光を反射する反射面となっていることが好ましく、このようにしておくことで半導体発光素子１の発光部１２から実装基板２側に放射される光をロスすることなく効率良く外部へ取り出すことができる。
【００２６】
（実施形態２）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態１と略同じであって、図２に示すように、実装基板２における半導体発光素子１との対向面側（図２（ｂ）の上面側）で半導体発光素子１の周部を全周に亘って囲み半導体発光素子１から側方へ放射された光をベース基板１１の上記他表面側へ反射させる矩形枠状の反射枠４を備えている点が相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００２７】
反射枠４は、例えば白色系の樹脂により形成してあり、実装基板２に対して接着剤を用いて固着されている。したがって、反射枠４と実装基板２との間には上記接着剤からなる接着層５が介在している。ここにおいて、反射枠４は、実装基板２の厚み方向において実装基板２から離れるほど開口幅が徐々に大きくなるように形成されている。また、図示していないが、本実施形態の半導体発光装置では、反射枠４の内側にエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの透明な樹脂を充填して半導体発光素子１を封止すれば、半導体発光素子１から放射された光は反射枠４の内側に充填された封止樹脂からなる封止樹脂部を通して外部へ取り出される。
【００２８】
しかして、本実施形態の半導体発光装置では、半導体発光素子１から側方へ放射された光が反射枠４の内周面４ａで反射されて外部へ取り出されることになるので、反射枠４を設けていない場合に比べて、半導体発光素子１にて発光した光の外部への取り出し効率を向上させることができる。
【００２９】
なお、本実施形態では、反射枠４を白色系の樹脂により形成してあるが、反射枠４を金属材料により形成してもよいし、反射枠４の内周面４ａに反射率の高い金属材料（例えば、アルミニウム、銀など）からなる反射膜を被着するようにしてもよい。
【００３０】
（実施形態３）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態２と略同じであって、図３に示すように、反射枠４が、実装基板２における第１の金属板２ａに一体形成されたコ字状の枠部材４１ａと、実装基板２における第２の金属板２ｂに一体形成されたコ字状の枠部材４１ｂと、実装基板２における絶縁部２ｃに一体形成され両枠部材４１ａ，４１ｂの一端部同士および他端部同士それぞれを連結する連結部４１ｃとで構成されている点が相違する。すなわち、本実施形態における反射枠４は、枠部材４１ａ，４１ｂが各金属板２ａ，２ｂと同じ材料（つまり、金属材料）により各金属板２ａ２ｂそれぞれと連続一体に形成され、連結部４１ｃが絶縁部２ｃと同じ材料（つまり、電気絶縁性を有する絶縁材料）により絶縁部２ｃと連続一体に形成されている。なお、実施形態２と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３１】
しかして、本実施形態の半導体発光装置では、各金属板２ａ，２ｂに加えて反射枠４も半導体発光素子１で発生した熱を外部へ放熱させる放熱部材として機能することになるので、実施形態２に比べて放熱面積が広くなって放熱性をさらに向上させることができる。また、反射枠４を別途に形成する必要がないから、実施形態２の半導体発光装置に比べて組立作業が容易になるという利点がある。
【００３２】
なお、実施形態２のように反射枠４を白色系の樹脂により形成し、半導体発光素子１として青色発光ダイオードチップを用いている場合には、半導体発光素子１から放射される光によって反射枠４が着色されて反射性能が低下し外部への光の取り出し効率が低下してしまうことがあるが、本実施形態では、反射枠４の枠部材４１ａ，４１ｂが金属板２ａ，２ｂと同じ金属材料により形成されているので、半導体発光素子１から放射される光によって反射枠４の反射性能が低下するのを防止することができる。また、実装基板２への半導体発光素子１の実装時に反射枠４が着色されるような問題の発生も防止することができる。
【００３３】
（実施形態４）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態３と略同じであって、図４に示すように、実装基板２および反射枠４の外周面を全周に亘って被覆する絶縁材料（例えば、電気絶縁性を有する樹脂）からなる絶縁被覆部６を備えている点が相違する。なお、実施形態３と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３４】
しかして、本実施形態の半導体発光装置では、実装基板２の外周面および反射枠４の外周面を全周に亘って被覆する絶縁被覆部６を備えているので、実装基板２の外周面を外部と電気的に絶縁することができ、取り扱いが容易になって静電気などによる半導体発光素子１の破壊を防止することができる。なお、絶縁被覆部６の材料は、実装基板２における絶縁部２ｃと同じ材料でも異なる材料でもよい。また、絶縁被覆部６の材料として電気絶縁性を有し且つ熱伝導率の高い材料を採用すれば、放熱性を損なうことなく、静電気などによる半導体発光素子１の破壊を防止することが可能となる。
【００３５】
（実施形態５）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態４と略同じであって、図５に示すように、実装基板２における半導体発光素子１との対向面とは反対の面側に配置される熱伝導率の高い金属材料からなる放熱板７を備え、第１の金属板２ａがろう材（例えば、はんだなど）からなる第１の接合部１０ａを介して放熱板７に接続され、第２の金属板２ｂが放熱板７において実装基板２との対向面に絶縁層８を介して形成された配線（回路パターン）９とろう材（例えば、はんだなど）からなる第２の接合部１０ｂを介して接続されている点が相違する。なお、実施形態４と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３６】
しかして、本実施形態の半導体発光装置では、第１の金属板２ａと第２の金属板２ｂとを電気的に絶縁しながらも各金属板２ａ，２ｂを放熱板７と熱的に結合することができ、放熱性をより一層向上させることができる。
【００３７】
（実施形態６）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態５と略同じであって、図６に示すように、実施形態５にて説明した半導体発光装置で１単位の発光素子モジュールを構成し、複数個（図示例では、４個）の発光素子モジュールで１枚の放熱板７を共通利用している点などが相違する。ここにおいて、本実施形態の半導体発光装置では、各半導体発光素子１のアノード電極１３ａが放熱板７に電気的に共通接続され、各半導体発光素子１のカソード電極１３ｂが配線（回路パターン）９に電気的に共通接続されている。なお、実施形態５と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３８】
しかして、本実施形態では、実施形態５に比べて大面積の半導体発光装置を実現することができる。また、実施形態５に比べて半導体発光装置全体としての発光量を増加させることができる。また、本実施形態では、複数個の発光素子モジュールで放熱板７を共通化しているので、実施形態５の半導体発光装置を複数個並べる場合に比べて部品点数を削減することができ、低コスト化を図ることができる。
【００３９】
（実施形態７）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態２と略同じであって、図７に示すように、各金属板２ａ，２ｂそれぞれの一端部から段差部２２ａ，２２ｂを介してリード片２３ａ，２３ｂが延設されている点などが相違する。また、本実施形態では、反射枠４の材料として実装基板２の絶縁部２ｃと同じ材料を採用しており、反射枠４および両金属板２ａ，２ｂを絶縁部２ｃと一体成形してある。なお、実施形態２と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４０】
しかして、本実施形態の半導体発光装置では、反射枠４および両金属板２ａ，２ｂを絶縁部２ｃと一体成形しているので、反射枠４および両金属板２ａ，２ｂを個別部品として組み立てる場合に比べて組立作業が容易になるとともに、製造コストを低減することができる。
【００４１】
【発明の効果】
請求項１の発明は、上記構成を採用したことにより、前記半導体発光素子を前記第１の金属板および前記第２の金属板に熱的に結合することができ、前記半導体発光素子で発生した熱が、前記アノード電極にバンプを介して接続された前記第１の金属板を通して放熱されるとともに、前記カソード電極にバンプを介して接続された前記第２の金属板を通して放熱されるので、従来のように樹脂基板を基材とする実装基板に半導体発光素子を実装したものに比べて放熱性が向上し、前記半導体発光素子の温度上昇を抑制でき、結果的に温度上昇に伴う前記半導体発光素子の発光効率の低下を抑制できるという効果がある。
【００４２】
請求項２の発明は、上記構成を採用したことにより、前記半導体発光素子から側方へ放射された光が前記反射枠の内周面で反射されて外部へ取り出されることになり、前記半導体発光素子で発光した光の外部への取り出し効率を向上させることができるという効果がある。
【００４３】
請求項３の発明は、上記構成を採用したことにより、前記各金属板に加えて前記反射枠も前記半導体発光素子で発生した熱を外部へ放熱させる放熱部材として機能することになるので、放熱面積が広くなって放熱性をさらに向上させることができるという効果がある。
【００４４】
請求項４の発明は、上記構成を採用したことにより、前記実装基板の外周面を外部と電気的に絶縁することができるので、取り扱いが容易になって静電気などによる前記半導体発光素子の破壊を防止することができるという効果がある。
【００４５】
請求項５の発明は、上記構成を採用したことにより、前記第１の金属板と前記第２の金属板とを電気的に絶縁しながらも前記各金属板を放熱板と熱的に結合することができ、放熱性をより一層向上させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図２】実施形態２を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】実施形態３を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】実施形態４を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図５】実施形態５を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図６】実施形態６を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図７】実施形態７を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図８】従来例を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体発光素子
２ 実装基板
２ａ 第１の金属板
２ｂ 第２の金属板
２ｃ 絶縁部
３ａ，３ｂ バンプ
４ 反射枠
６ 絶縁被覆部
７ 放熱板
８ 絶縁層
９ 配線
１０ａ 第１の接合部
１０ｂ 第２の接合部
１１ ベース基板
１２ 発光部
１２ａ ｐ形ＧａＮ層
１２ｂ ｎ形ＧａＮ層
１３ａ アノード電極
１３ｂ カソード電極
４１ａ，４１ｂ 枠部材
４１ｃ 連結部
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子と半導体発光素子がフリップチップ実装される実装基板とを備えた半導体発光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、図８に示すように化合物半導体材料からなる発光部１２を発光部１２にて発光する光に対して透明なベース基板１１の一表面側（図８における下面側）に形成した発光ダイオードチップからなる半導体発光素子１と、半導体発光素子１をフリップチップ実装した実装基板７とを備えた半導体発光装置が提案されている。この種の半導体発光装置に用いる半導体発光素子１としては、例えば、発光部１２の化合物半導体材料として窒化ガリウム系材料を採用するとともにベース基板１１としてサファイア基板を採用したものが知られている。
【０００３】
上述の実装基板７としては、樹脂基板７０を基材として樹脂基板７０の一面に回路パターン（導電パターン）７１ａ，７１ｂが形成されたものが用いられており、半導体発光素子１の発光部１２に設けられたアノード電極１３ａが回路パターン７１ａにバンプ３ａを介して接続され、カソード電極１３ｂが回路パターン（導電パターン）７１ｂにバンプ３ｂを介して接続されている。
【０００４】
ところで、図８に示した構成の半導体発光装置は、半導体発光素子１がいわゆるフェースダウン構造で実装されており、発光部１２にて発光した光がベース基板１１を通して図８（ｂ）の上面側へ取り出されることになる。しかして、半導体発光素子１をいわゆるフェースアップ構造で実装して各電極１３ａ，１３ｂと回路パターン７１ａ，７１ｂとを導電ワイヤ（ボンディングワイヤ）を介して接続した構成のものに比べて、発光部１２にて発光した光の吸収が少なく、しかも、各電極１３ａ，１３ｂによるけられが生じることがなく、発光部１２にて発光した光を外部へ効率良く取り出すことが可能である。
【０００５】
一方、上記半導体発光装置では、半導体発光素子１の発光時に発生する熱が各電極１３ａ，１３ｂおよびバンプ３ａ，３ｂを介して回路パターン７１ａ，７１ｂを通じて放熱されるが、上述の回路パターン７１ａ，７１ｂが樹脂基板７０の上記一面に形成されているので、樹脂基板７０の熱抵抗が非常に大きく、半導体発光素子１の温度上昇による特性劣化が起こり、半導体発光素子１の発光効率が低下してしまう。
【０００６】
そこで、上記半導体発光装置では、樹脂基板７０に放熱用のスルーホール７３ａ，７３ｂを複数ずつ貫設し、樹脂基板７０の上記一面の回路パターン７１ａ，７１ｂと他面の導電パターン７２ａ，７２ｂとをスルーホール７３ａ，７３ｂの内面に被着した金属材料からなる接続部７４ａ，７４ｂを介して接続することで、半導体発光素子１の温度上昇を抑制することが考えられている。
【０００７】
しかしながら、樹脂基板７０に放熱用のスルーホール７３ａ，７３ｂを形成したとしても、樹脂基板７０に占めるスルーホール７３ａ，７３ｂの密度が小さく、実装基板７の熱抵抗をわずかにしか低減できなかった。
【０００８】
また、近年では、図８に示した構成と同様に樹脂基板を基材とする実装基板の一面側に半導体発光素子をフリップチップ実装しながらも放熱性を向上させた半導体発光装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−３５８３７１号公報（第３頁−第５頁、図１、図４）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記各従来構成の半導体発光装置では、半導体発光素子をフリップチップ実装する実装基板の基材として樹脂基板が用いられているので、実装基板の熱抵抗を十分に小さくすることができず、十分な放熱性が得られないという不具合があった。
【００１１】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、従来に比べて半導体発光素子の温度上昇を抑制することができる半導体発光装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、半導体材料からなる発光部が前記発光部にて発光する光に対して透明なベース基板の厚み方向の一表面側に形成された半導体発光素子と、前記半導体発光素子がフリップチップ実装される実装基板とを備え、前記ベース基板の厚み方向の他表面側から光が取り出される半導体発光装置であって、前記実装基板は、前記半導体発光素子の前記発光部に設けたアノード電極がバンプを介して接続される第１の金属板と、前記半導体発光素子の前記発光部に設けたカソード電極がバンプを介して接続される第２の金属板と、前記第１の金属板と前記第２の金属板との互いの対向する側縁間に介在し前記両金属板を電気的に絶縁する絶縁性材料からなる絶縁部とを有することを特徴とする。この請求項１の発明の構成によれば、前記半導体発光素子を前記第１の金属板および前記第２の金属板に熱的に結合することができ、前記半導体発光素子で発生した熱が、前記アノード電極にバンプを介して接続された前記第１の金属板を通して放熱されるとともに、前記カソード電極にバンプを介して接続された前記第２の金属板を通して放熱されるので、従来のように樹脂基板を基材とする実装基板に半導体発光素子を実装したものに比べて放熱性が向上し、前記半導体発光素子の温度上昇を抑制でき、結果的に温度上昇に伴う前記半導体発光素子の発光効率の低下を抑制できる。
【００１３】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記実装基板における前記半導体発光素子との対向面側で前記半導体発光素子の周部を全周に亘って囲み前記半導体発光素子からの光を前記ベース基板の前記他表面側へ反射させる反射枠を備えることを特徴とする。この請求項２の発明の構成によれば、前記半導体発光素子から側方へ放射された光が前記反射枠の内周面で反射されて外部へ取り出されることになり、前記半導体発光素子で発光した光の外部への取り出し効率を向上させることができる。
【００１４】
請求項３の発明は、請求項２の発明において、前記反射枠は、前記各金属板にそれぞれ一体形成された一対の枠部材と前記両枠部材を連結し且つ電気的に絶縁する絶縁性材料からなる連結部とからなることを特徴とする。この請求項３の発明の構成によれば、前記各金属板に加えて前記反射枠も前記半導体発光素子で発生した熱を外部へ放熱させる放熱部材として機能することになるので、放熱面積が広くなって放熱性をさらに向上させることができる。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記実装基板の外周面を全周に亘って被覆する絶縁性材料からなる絶縁被覆部を備えることを特徴とする。この請求項４の発明の構成によれば、前記実装基板の外周面を外部と電気的に絶縁することができるので、取り扱いが容易になって静電気などによる前記半導体発光素子の破壊を防止することができる。
【００１６】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４の発明において、前記実装基板における前記半導体発光素子との対向面とは反対の面側に配置される放熱板を備え、前記一方の金属板がろう材からなる第１の接合部を介して前記放熱板に接続され、前記他方の金属板が前記放熱板において前記実装基板との対向面に絶縁層を介して形成された配線とろう材からなる第２の接合部を介して接続されてなることを特徴とする。この請求項５の発明の構成によれば、前記第１の金属板と前記第２の金属板とを電気的に絶縁しながらも前記各金属板を前記放熱板と熱的に結合することができ、放熱性をより一層向上させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本実施形態の半導体発光装置は、図１に示すように、青色発光ダイオードチップからなる半導体発光素子１と、半導体発光素子１がフリップチップ実装される実装基板２とを備えている。
【００１８】
半導体発光素子１は、サファイア基板（α−Ａｌ２Ｏ３基板）からなるベース基板１１の厚み方向の一表面（図１（ｂ）における下面）側にｎ形ＧａＮ層１２ｂとｐ形ＧａＮ層１２ａとからなる発光部１２が形成されており、ｐ形ＧａＮ層１２ａの表面にアノード電極１３ａが形成され、ｎ形ＧａＮ層１２ｂの表面にカソード電極１３ｂが形成されている。
【００１９】
本実施形態の半導体発光装置では、上記従来構成と同様に、半導体発光素子１に用いているベース基板１１が発光部１２にて発光する光に対して透明なので、発光部１２にて発光した光がベース基板１１を通して外部へ取り出される。つまり、発光部１２にて発光した光がベース基板１１の厚み方向の他表面（図１（ｂ）における上面）側から取り出される。
【００２０】
ここに、ベース基板１１の上記一表面はＣ面であり、発光部１２は、ベース基板１１の上記一表面側にエピタキシャル成長された上記ｎ形ＧａＮ層１２ｂと上記ｐ形ＧａＮ層１２ａとで構成されているが、発光部１２の構造は特に限定するものではなく、例えば、周知のシングルへテロ構造やダブルへテロ構造などの構造を採用してもよい。ただし、いずれの構造を採用する場合にも、ベース基板１１と発光部１２との間にいわゆるバッファ層を介在させることが好ましい。
【００２１】
なお、発光部１２の材料についてもＧａＮに特に限定するものではなく、所望の発光色に応じてＧａＮ以外の半導体材料を採用してもよいことは勿論である。
また、ベース基板１１の材料についてもＡｌ２Ｏ３に限定するものではなく、例えば、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＳｉＣなどの材料を発光部１２の半導体材料に応じて適宜採用してもよい。
【００２２】
ところで、実装基板２は、金属材料（例えば、アルミニウム、銅など）からなる矩形板状の第１の金属板２ａと金属材料（例えば、アルミニウム、銅など）からなる矩形板状の第２の金属板２ｂとが電気的に絶縁性を有する絶縁性材料（例えば、絶縁性の樹脂）からなる絶縁部２ｃにより連結されている。言い換えれば、実装基板２は、第１の金属板２ａと、第２の金属板２ｂと、第１の金属板２ａと第２の金属板２ｂとの互いの対向する側縁間に介在し両金属板２ａ，２ｂを電気的に絶縁する絶縁部２ｃとで構成されている。
【００２３】
ここにおいて、実装基板２には、半導体発光素子１のアノード電極（パッド）１３ａが導電性材料（例えば、金、はんだなど）からなるバンプ（突起電極）３ａを介して第１の金属板２ａに電気的に接続され、半導体発光素子１のカソード電極（パッド）１３ｂが導電性材料（例えば、金、はんだなど）からなるバンプ（突起電極）３ｂを介して第２の金属板２ｂに電気的に接続されている。したがって、半導体発光素子１が第１の金属板２ａおよび第２の金属板２ｂに熱的に結合されており、各金属板２ａ，２ｂが放熱部材として機能することになる。なお、図示していないが、半導体発光素子１は、実装基板２にフェースダウンで実装した後で、半導体発光素子１から発光する光に対して透明な樹脂（例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂など）により封止すれば、半導体発光素子１を封止樹脂部にて保護することができる。ここに、半導体発光素子１を封止する封止樹脂中に半導体発光素子１の発光によって励起されて所望の波長の光を放射する蛍光物質を分散させておけば、半導体発光素子１から放射される光と蛍光物質から放射される光との合成光を得ることができ、例えば白色光を得ることも可能となる。
【００２４】
以上説明した本実施形態の半導体発光装置では、半導体発光素子１のアノード電極１３ａがバンプ３ａを介して接続される第１の金属板２ａと、半導体発光素子１のカソード電極１３ｂがバンプ３ｂを介して接続される第２の金属板２ｂとが絶縁部２ｃにより連結された実装基板２を用いており、半導体発光素子１が第１の金属板２ａおよび第２の金属板２ｂに熱的に結合しているので、半導体発光素子１の発光時（つまり、半導体発光素子１への通電時）に発生した熱が、アノード電極１３ａにバンプ３ａを介して接続された第１の金属板２ａを通して放熱されるとともに、カソード電極１３ｂにバンプ３ｂを介して接続された第２の金属板２ｂを通して放熱されるから、従来のように樹脂基板７０を基材とする実装基板７に半導体発光素子１を実装したものに比べて放熱性が向上し、半導体発光素子１の温度上昇を抑制でき、結果的に温度上昇に伴う半導体発光素子１の発光効率の低下を抑制できる。また、本実施形態の半導体発光装置では、上述のように放熱性が向上するので、半導体発光素子１への入力を増やす可能となり、半導体発光素子１の光出力（発光量）を増加させることができる。また、半導体発光素子１の温度上昇を抑制することで、半導体発光素子１の寿命低下、半導体発光素子１を封止している封止樹脂部の劣化を抑制することができ、長寿命化を図ることができる。
【００２５】
また、第１の金属板２ａおよび第２の金属板２ｂにおいて半導体発光素子１が実装される表面は、光を反射する反射面となっていることが好ましく、このようにしておくことで半導体発光素子１の発光部１２から実装基板２側に放射される光をロスすることなく効率良く外部へ取り出すことができる。
【００２６】
（実施形態２）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態１と略同じであって、図２に示すように、実装基板２における半導体発光素子１との対向面側（図２（ｂ）の上面側）で半導体発光素子１の周部を全周に亘って囲み半導体発光素子１から側方へ放射された光をベース基板１１の上記他表面側へ反射させる矩形枠状の反射枠４を備えている点が相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００２７】
反射枠４は、例えば白色系の樹脂により形成してあり、実装基板２に対して接着剤を用いて固着されている。したがって、反射枠４と実装基板２との間には上記接着剤からなる接着層５が介在している。ここにおいて、反射枠４は、実装基板２の厚み方向において実装基板２から離れるほど開口幅が徐々に大きくなるように形成されている。また、図示していないが、本実施形態の半導体発光装置では、反射枠４の内側にエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの透明な樹脂を充填して半導体発光素子１を封止すれば、半導体発光素子１から放射された光は反射枠４の内側に充填された封止樹脂からなる封止樹脂部を通して外部へ取り出される。
【００２８】
しかして、本実施形態の半導体発光装置では、半導体発光素子１から側方へ放射された光が反射枠４の内周面４ａで反射されて外部へ取り出されることになるので、反射枠４を設けていない場合に比べて、半導体発光素子１にて発光した光の外部への取り出し効率を向上させることができる。
【００２９】
なお、本実施形態では、反射枠４を白色系の樹脂により形成してあるが、反射枠４を金属材料により形成してもよいし、反射枠４の内周面４ａに反射率の高い金属材料（例えば、アルミニウム、銀など）からなる反射膜を被着するようにしてもよい。
【００３０】
（実施形態３）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態２と略同じであって、図３に示すように、反射枠４が、実装基板２における第１の金属板２ａに一体形成されたコ字状の枠部材４１ａと、実装基板２における第２の金属板２ｂに一体形成されたコ字状の枠部材４１ｂと、実装基板２における絶縁部２ｃに一体形成され両枠部材４１ａ，４１ｂの一端部同士および他端部同士それぞれを連結する連結部４１ｃとで構成されている点が相違する。すなわち、本実施形態における反射枠４は、枠部材４１ａ，４１ｂが各金属板２ａ，２ｂと同じ材料（つまり、金属材料）により各金属板２ａ２ｂそれぞれと連続一体に形成され、連結部４１ｃが絶縁部２ｃと同じ材料（つまり、電気絶縁性を有する絶縁材料）により絶縁部２ｃと連続一体に形成されている。なお、実施形態２と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３１】
しかして、本実施形態の半導体発光装置では、各金属板２ａ，２ｂに加えて反射枠４も半導体発光素子１で発生した熱を外部へ放熱させる放熱部材として機能することになるので、実施形態２に比べて放熱面積が広くなって放熱性をさらに向上させることができる。また、反射枠４を別途に形成する必要がないから、実施形態２の半導体発光装置に比べて組立作業が容易になるという利点がある。
【００３２】
なお、実施形態２のように反射枠４を白色系の樹脂により形成し、半導体発光素子１として青色発光ダイオードチップを用いている場合には、半導体発光素子１から放射される光によって反射枠４が着色されて反射性能が低下し外部への光の取り出し効率が低下してしまうことがあるが、本実施形態では、反射枠４の枠部材４１ａ，４１ｂが金属板２ａ，２ｂと同じ金属材料により形成されているので、半導体発光素子１から放射される光によって反射枠４の反射性能が低下するのを防止することができる。また、実装基板２への半導体発光素子１の実装時に反射枠４が着色されるような問題の発生も防止することができる。
【００３３】
（実施形態４）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態３と略同じであって、図４に示すように、実装基板２および反射枠４の外周面を全周に亘って被覆する絶縁材料（例えば、電気絶縁性を有する樹脂）からなる絶縁被覆部６を備えている点が相違する。なお、実施形態３と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３４】
しかして、本実施形態の半導体発光装置では、実装基板２の外周面および反射枠４の外周面を全周に亘って被覆する絶縁被覆部６を備えているので、実装基板２の外周面を外部と電気的に絶縁することができ、取り扱いが容易になって静電気などによる半導体発光素子１の破壊を防止することができる。なお、絶縁被覆部６の材料は、実装基板２における絶縁部２ｃと同じ材料でも異なる材料でもよい。また、絶縁被覆部６の材料として電気絶縁性を有し且つ熱伝導率の高い材料を採用すれば、放熱性を損なうことなく、静電気などによる半導体発光素子１の破壊を防止することが可能となる。
【００３５】
（実施形態５）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態４と略同じであって、図５に示すように、実装基板２における半導体発光素子１との対向面とは反対の面側に配置される熱伝導率の高い金属材料からなる放熱板７を備え、第１の金属板２ａがろう材（例えば、はんだなど）からなる第１の接合部１０ａを介して放熱板７に接続され、第２の金属板２ｂが放熱板７において実装基板２との対向面に絶縁層８を介して形成された配線（回路パターン）９とろう材（例えば、はんだなど）からなる第２の接合部１０ｂを介して接続されている点が相違する。なお、実施形態４と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３６】
しかして、本実施形態の半導体発光装置では、第１の金属板２ａと第２の金属板２ｂとを電気的に絶縁しながらも各金属板２ａ，２ｂを放熱板７と熱的に結合することができ、放熱性をより一層向上させることができる。
【００３７】
（実施形態６）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態５と略同じであって、図６に示すように、実施形態５にて説明した半導体発光装置で１単位の発光素子モジュールを構成し、複数個（図示例では、４個）の発光素子モジュールで１枚の放熱板７を共通利用している点などが相違する。ここにおいて、本実施形態の半導体発光装置では、各半導体発光素子１のアノード電極１３ａが放熱板７に電気的に共通接続され、各半導体発光素子１のカソード電極１３ｂが配線（回路パターン）９に電気的に共通接続されている。なお、実施形態５と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３８】
しかして、本実施形態では、実施形態５に比べて大面積の半導体発光装置を実現することができる。また、実施形態５に比べて半導体発光装置全体としての発光量を増加させることができる。また、本実施形態では、複数個の発光素子モジュールで放熱板７を共通化しているので、実施形態５の半導体発光装置を複数個並べる場合に比べて部品点数を削減することができ、低コスト化を図ることができる。
【００３９】
（実施形態７）
本実施形態の半導体発光装置の基本構成は実施形態２と略同じであって、図７に示すように、各金属板２ａ，２ｂそれぞれの一端部から段差部２２ａ，２２ｂを介してリード片２３ａ，２３ｂが延設されている点などが相違する。また、本実施形態では、反射枠４の材料として実装基板２の絶縁部２ｃと同じ材料を採用しており、反射枠４および両金属板２ａ，２ｂを絶縁部２ｃと一体成形してある。なお、実施形態２と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４０】
しかして、本実施形態の半導体発光装置では、反射枠４および両金属板２ａ，２ｂを絶縁部２ｃと一体成形しているので、反射枠４および両金属板２ａ，２ｂを個別部品として組み立てる場合に比べて組立作業が容易になるとともに、製造コストを低減することができる。
【００４１】
【発明の効果】
請求項１の発明は、上記構成を採用したことにより、前記半導体発光素子を前記第１の金属板および前記第２の金属板に熱的に結合することができ、前記半導体発光素子で発生した熱が、前記アノード電極にバンプを介して接続された前記第１の金属板を通して放熱されるとともに、前記カソード電極にバンプを介して接続された前記第２の金属板を通して放熱されるので、従来のように樹脂基板を基材とする実装基板に半導体発光素子を実装したものに比べて放熱性が向上し、前記半導体発光素子の温度上昇を抑制でき、結果的に温度上昇に伴う前記半導体発光素子の発光効率の低下を抑制できるという効果がある。
【００４２】
請求項２の発明は、上記構成を採用したことにより、前記半導体発光素子から側方へ放射された光が前記反射枠の内周面で反射されて外部へ取り出されることになり、前記半導体発光素子で発光した光の外部への取り出し効率を向上させることができるという効果がある。
【００４３】
請求項３の発明は、上記構成を採用したことにより、前記各金属板に加えて前記反射枠も前記半導体発光素子で発生した熱を外部へ放熱させる放熱部材として機能することになるので、放熱面積が広くなって放熱性をさらに向上させることができるという効果がある。
【００４４】
請求項４の発明は、上記構成を採用したことにより、前記実装基板の外周面を外部と電気的に絶縁することができるので、取り扱いが容易になって静電気などによる前記半導体発光素子の破壊を防止することができるという効果がある。
【００４５】
請求項５の発明は、上記構成を採用したことにより、前記第１の金属板と前記第２の金属板とを電気的に絶縁しながらも前記各金属板を放熱板と熱的に結合することができ、放熱性をより一層向上させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図２】実施形態２を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】実施形態３を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】実施形態４を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図５】実施形態５を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図６】実施形態６を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図７】実施形態７を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図８】従来例を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体発光素子
２ 実装基板
２ａ 第１の金属板
２ｂ 第２の金属板
２ｃ 絶縁部
３ａ，３ｂ バンプ
４ 反射枠
６ 絶縁被覆部
７ 放熱板
８ 絶縁層
９ 配線
１０ａ 第１の接合部
１０ｂ 第２の接合部
１１ ベース基板
１２ 発光部
１２ａ ｐ形ＧａＮ層
１２ｂ ｎ形ＧａＮ層
１３ａ アノード電極
１３ｂ カソード電極
４１ａ，４１ｂ 枠部材
４１ｃ 連結部
Claims (5)
- 半導体材料からなる発光部が前記発光部にて発光する光に対して透明なベース基板の厚み方向の一表面側に形成された半導体発光素子と、前記半導体発光素子がフリップチップ実装される実装基板とを備え、前記ベース基板の厚み方向の他表面側から光が取り出される半導体発光装置であって、前記実装基板は、前記半導体発光素子の前記発光部に設けたアノード電極がバンプを介して接続される第１の金属板と、前記半導体発光素子の前記発光部に設けたカソード電極がバンプを介して接続される第２の金属板と、前記第１の金属板と前記第２の金属板との互いの対向する側縁間に介在し前記両金属板を電気的に絶縁する絶縁性材料からなる絶縁部とを有することを特徴とする半導体発光装置。
- 前記実装基板における前記半導体発光素子との対向面側で前記半導体発光素子の周部を全周に亘って囲み前記半導体発光素子からの光を前記ベース基板の前記他表面側へ反射させる反射枠を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
- 前記反射枠は、前記各金属板にそれぞれ一体形成された一対の枠部材と前記両枠部材を連結し且つ電気的に絶縁する絶縁性材料からなる連結部とからなることを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置。
- 前記実装基板の外周面を全周に亘って被覆する絶縁性材料からなる絶縁被覆部を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 前記実装基板における前記半導体発光素子との対向面とは反対の面側に配置される放熱板を備え、前記一方の金属板がろう材からなる第１の接合部を介して前記放熱板に接続され、前記他方の金属板が前記放熱板において前記実装基板との対向面に絶縁層を介して形成された配線とろう材からなる第２の接合部を介して接続されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の半導体発光装置。
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