JP2006278666A - 光源装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光源装置は、一面に配線用電極111が形成されるステム110と、一面にグルーブ121aが形成され、前記グルーブ121a内に貫通ホール122が形成される本体部121、前記貫通ホール122を貫通して前記本体部121の一面に形成される第1電極125、前記第1電極125及び配線用電極111に電気的に連結されるように、前記本体部121の他面に形成される第2電極127、並びに前記第1電極125に形成される半田層129を備えるサブマウント120と、前記グルーブ121aに挿入され、前記サブマウント120の半田層129に接合される発光素子130とを含む。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態による光源装置100のサブマウント120及び発光素子130を示す分解斜視図で、図2は、本発明の第1実施形態による光源装置100を示す分解斜視図で、図3は、本発明の第1実施形態による光源装置100を示す縦断面図である。
以下、本発明の第2実施形態による光源装置200の製造方法を図12〜図15を参照して説明する。
以下、本発明の第3実施形態による光源装置300の製造方法を図16〜図20を参照して説明する。
以下、本発明の第4実施形態による光源装置400の製造方法を図21〜図24を参照して説明する。
110、210、310、410 ステム
111、211、311、411 配線用電極
120、220、320、420 サブマウント
121 本体部
121a、221a、321a、421a グルーブ
121b 傾斜面
122、222、322、422 貫通ホール
123、323、223、423 反射層
125、225、325、425 第1電極
126、226、326、426 絶縁層
127、227、327、427 第2電極
129、229、329、429 半田層
130、230、330、430 発光素子
M エッチングマスク
R1 第1フォトレジスト
R2 第2フォトレジスト
Claims (36)
- 一面に配線用電極が形成されるステムと、
一面にグルーブが形成され、前記グルーブ内に貫通ホールが形成される本体部、前記貫通ホールを貫通して前記本体部の一面に形成される第1電極、前記第1電極及び配線用電極に電気的に連結されるように、前記本体部の他面に形成される第2電極、並びに前記第1電極に形成される半田層を備えるサブマウントと、
前記グルーブに挿入され、前記サブマウントの半田層に接合される発光素子と、
を含むことを特徴とする光源装置。 - 前記サブマウントには、反射層及び絶縁層がさらに形成されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記サブマウントには、前記反射層、前記絶縁層、前記第1電極及び前記半田層が順次形成されることを特徴とする請求項2に記載の光源装置。
- 前記グルーブの深さは、前記発光素子の高さ(長さ)より相対的に大きく形成されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記ステムは、MC PCB(Metal Core Printed Circuit Board)であることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記発光素子は、LED(Light Emitting Diode)であることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記ステムには絶縁層が形成され、前記配線用電極が前記絶縁層上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記グルーブの内側面には、前記発光素子の側面から発光する光を前記ステムの前方に集光できるように、傾斜面が形成されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記第1電極及び第2電極は、前記絶縁層の一部分に形成されることを特徴とする請求項2に記載の光源装置。
- 前記絶縁層は、AlN、ZnO、BeO、SIO2及びSiNxの何れか1つにより形成されることを特徴とする請求項2に記載の光源装置。
- 前記半田層は、その融点が400℃未満であり、400℃未満で接合が可能な材質であることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記半田層は、Au−Sn、In、Pb、Pb−Sn及びAg−Snの何れか1つにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- シリコン基板に所定の間隔で複数のグルーブを形成する段階と、
前記グルーブが形成された前記シリコン基板に貫通ホールを形成する段階と、
前記グルーブが形成された前記シリコン基板の一面に第1電極を形成し、前記第1電極に半田層を形成する段階と、
前記貫通ホールを貫通して前記第1電極と電気的に連結されるように、前記シリコン基板の他面に第2電極を形成する段階と、
前記半田層に発光素子を接合させる段階と、
ステムの一面に配線用電極を形成する段階と、
前記配線用電極と前記第2電極とが連結されるように、前記ステムにサブマウントを接合して光源装置を完成する段階と、
を含むことを特徴とする光源装置の製造方法。 - 前記グルーブ及び前記貫通ホールを形成する段階においては、前記シリコン基板一面の一部をバルクエッチングしてグルーブを形成した後、第1フォトレジスト、第2フォトレジストをエッチングマスクとして利用して前記シリコン基板を乾式エッチングすることにより、前記シリコン基板に貫通ホールを形成することを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 前記乾式エッチングは、深堀り反応性イオンエッチング(Deep reactive ion etching)であることを特徴とする請求項14に記載の光源装置の製造方法。
- 前記貫通ホールを形成する段階以後に、前記シリコン基板に反射層及び絶縁層を順次形成する段階が含まれることを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 前記第1電極及び第2電極は、前記絶縁層の一部分に形成されることを特徴とする請求項16に記載の光源装置の製造方法。
- 前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接合する段階では、フリップチップボンディング方式を用いることを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 前記サブマウントは、フリップチップボンディング方式により、前記ステムに接合されることを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 前記光源装置は、バックライトユニット及びフラッシュユニットに利用されることを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 前記グルーブの内側面に傾斜面を形成し、前記傾斜面に沿って反射層を形成することにより、前記発光素子の側面から発光する光を前記ステムの前方に集光させることを特徴とする請求項13に記載の光源装置の製造方法。
- 両面に絶縁層が形成されたシリコン基板の一面に、バルクマイクロマシニング(Bulk micro-machining)によりグルーブを形成する段階と、
前記グルーブ及び絶縁層が形成された前記シリコン基板の一面に第1電極を形成する段階と、
前記シリコン基板の前記第1電極と隣接する位置に、バルクマイクロマシニングにより貫通ホールを形成する段階と、
前記貫通ホールを貫通して前記第1電極と連結されるように、前記シリコン基板の他面に第2電極を形成する段階と、
前記第1電極に半田層を形成してサブマウントを完成する段階と、
前記サブマウントの半田層に発光素子を接合させる段階と、
ステムの一面に配線用電極を形成する段階と、
前記第2電極と前記配線用電極とが電気的に接合されるように、前記サブマウントを前記ステムに装着して、光源装置を完成する段階と、
を含むことを特徴とする光源装置の製造方法。 - 前記第1電極及び前記第2電極は、前記絶縁層の一部分に形成されることを特徴とする請求項22に記載の光源装置の製造方法。
- 前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接合する段階では、フリップチップボンディング方式を用いることを特徴とする請求項22に記載の光源装置の製造方法。
- 前記サブマウントは、フリップチップボンディング方式により、前記ステムに接合されることを特徴とする請求項22に記載の光源装置の製造方法。
- 前記光源装置は、バックライトユニット及びフラッシュユニットに利用されることを特徴とする請求項22に記載の光源装置の製造方法。
- 両面に絶縁層が形成されたシリコン基板の一面に、その一部をバルクマイクロマシニング工程で除去してグルーブを形成する段階と、
前記グルーブの一部を乾式エッチングして貫通ホールを形成する段階と、
前記貫通ホールを貫通して、前記シリコン基板の一面に第1電極を形成する段階と、
前記貫通ホールを貫通して前記第1電極と連結されるように、前記シリコン基板の他面に第2電極を形成する段階と、
前記第1電極に半田層を形成してサブマウントを完成する段階と、
前記サブマウントの半田層に発光素子を接合させる段階と、
ステムの一面に配線用電極を形成する段階と、
前記第2電極と前記配線用電極とが電気的に接合されるように、前記サブマウントを前記ステムに装着して、光源装置を完成する段階と、
を含むことを特徴とする光源装置の製造方法。 - 前記第1電極及び第2電極は、前記絶縁層の一部分に形成されることを特徴とする請求項27に記載の光源装置の製造方法。
- 前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接合する段階では、フリップチップボンディング方式を用いることを特徴とする請求項27に記載の光源装置の製造方法。
- 前記サブマウントは、フリップチップボンディング方式により、前記ステムに接合されることを特徴とする請求項27に記載の光源装置の製造方法。
- 前記光源装置は、バックライトユニット及びフラッシュユニットに利用されることを特徴とする請求項27に記載の光源装置の製造方法。
- 両面に絶縁層が形成されたシリコン基板の一面に、その一部をバルクマイクロマシニング工程で除去してグルーブを形成し、前記グルーブから所定の間隔をおいて該グルーブの両側に貫通ホールを形成する段階と、
前記貫通ホールを貫通して、前記シリコン基板の一面に第1電極を形成する段階と、
前記貫通ホールを貫通して前記第1電極と連結されるように、前記シリコン基板の他面に第2電極を形成する段階と、
前記第1電極に半田層を形成してサブマウントを形成する段階と、
前記サブマウントの半田層に発光素子を接合する段階と、
ステムの一面に配線用電極を形成する段階と、
前記第2電極と前記配線用電極とが電気的に接合されるように、前記サブマウントを前記ステムに装着して、光源装置を完成する段階と、
を含むことを特徴とする光源装置の製造方法。 - 前記第1電極及び第2電極は、前記絶縁層の一部分に形成されることを特徴とする請求項32に記載の光源装置の製造方法。
- 前記サブマウントの半田層に前記発光素子を接合する段階では、フリップチップボンディング方式を用いることを特徴とする請求項32に記載の光源装置の製造方法。
- 前記サブマウントは、フリップチップボンディング方式により、前記ステムに接合されることを特徴とする請求項32に記載の光源装置の製造方法。
- 前記光源装置は、バックライトユニット及びフラッシュユニットに利用されることを特徴とする請求項32に記載の光源装置の製造方法。
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