JP2006190951A - 発光ダイオードパッケージ及びその製造プロセス - Google Patents
発光ダイオードパッケージ及びその製造プロセス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006190951A JP2006190951A JP2005195643A JP2005195643A JP2006190951A JP 2006190951 A JP2006190951 A JP 2006190951A JP 2005195643 A JP2005195643 A JP 2005195643A JP 2005195643 A JP2005195643 A JP 2005195643A JP 2006190951 A JP2006190951 A JP 2006190951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- package
- base material
- reflective cavity
- silicon base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 81
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 76
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 16
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 3
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】発光ダイオード(LED)パッケージ及びその製造プロセスは、二つのシリコンベース材料とそれらの間に介在される絶縁層を備えるシリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板を含む。シリコン・オン・インシュレータ基板を正極と負極の接触面に分割するために、シリコン・オン・インシュレータ基板の二つのシリコンベース材料は、各々エッチングされて反射キャビティと絶縁トレンチを形成する。次に、複数の金属ラインが、前記二つのシリコンベース材料を電気的に接続するために形成され、それによって、LEDチップが反射キャビティにマウントされ金属ラインによってシリコン・オン・インシュレータ基板の対応する電極に電気的に接続することが出来る。
【効果】このように、熱抵抗と熱分散の特性が改良されてプロセスが簡単化される。
【選択図】 図3D
Description
本願の第2発明は、前記第1のシリコンベース材料は、低抵抗半導体又は高抵抗半導体である、第1発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第3発明は、前記第2のシリコンベース材料は、低抵抗半導体又は高抵抗半導体である、第1発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第4発明は前記シリコン・オン・インシュレータ基板は、As、Sb及びPで重ドープされ且つ0.1Ω/cmよりも小さな抵抗値を有するNタイプ及びPタイプである前記第1のシリコンベース材料及び第2のシリコンベース材料よりなる、第1発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第5発明は、前記金属ラインは、Ag、Au、Cu、Al、Pt、Cr、Ni及び上記元素よりなる合金よりなる群から選択される材料よりなる、第1発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第6発明は、前記反射キャビティは、<100>結晶方位を有する前記第1のシリコンベース材料をエッチングすることによって傾斜面が形成される、第1発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第7発明は、前記反射キャビティは、エッチングのために<100>結晶方位を有する前記第1のシリコンベース材料をドライエッチング又は選択することによって垂直面が形成される、請求項1に記載のプロセスを提供する。
本願の第8発明は、前記LEDチップをマウントするステップ後、カプセル化エポキシを使用して前記反射キャビティを被覆し充填するステップを更に備える、第1発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第9発明は、前記カプセル化エポキシは、少なくとも一つのレンズを形成する、、請求項1に記載のプロセスを提供する。第8発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第10発明は、前記絶縁トレンチを形成するステップは、絶縁トレンチを強化するためにシリコン・オン・インシュレータ基板を酸化することによって前記絶縁トレンチに酸化層を形成するステップを更に備える、第1発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第11発明は、前記絶縁トレンチは、一つよりも多い、第10発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第12発明は、前記LEDチップは、一つよりも多い、第11発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第13発明は、前記絶縁トレンチに酸化層を形成するステップは、前記絶縁トレンチを介して伝導性ビアを形成するステップを更に備える、第12発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第14発明は、前記LEDチップは、前記伝導性ビアを介して直列、並列又は並直列に互いに接続される、第13発明に記載のプロセスを提供する。
本願の第16発明は、前記第1のシリコンベース材料は、低抵抗半導体又は高抵抗半導体である、第15発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第17発明は、前記第2のシリコンベース材料は、低抵抗半導体又は高抵抗半導体である、第15発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第18発明は、前記シリコン・オン・インシュレータ基板は、As、Sb及びPで重ドープされ且つ0.1Ω/cmよりも小さな抵抗値を有するNタイプ及びPタイプである前記第1のシリコンベース材料及び第2のシリコンベース材料を含む、第15発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第19発明は、前記金属ラインは、Ag、Au、Cu、Al、Pt、Cr、Ni及び上記元素よりなる合金よりなる群から選択される材料よりなる、第15発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第20発明は、前記反射キャビティは、<100>結晶方位を有する前記第1のシリコンベース材料をエッチングすることによって傾斜面が形成される、第15発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第21発明は、前記反射キャビティは、エッチングのために<100>結晶方位を有する前記第1のシリコンベース材料をドライエッチング又は選択することによって垂直面が形成される、第15発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第22発明は、前記反射キャビティを被覆し充填するカプセル化エポキシを更に備える、第15発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第23発明は、前記カプセル化エポキシは、少なくとも一つのレンズを形成する、第22発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第24発明は、前記絶縁トレンチの強化のために前記絶縁トレンチに酸化層を更に備える、第15発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第25発明は、前記絶縁トレンチは、一つよりも多い、第24発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第26発明は、前記LEDチップは、一つよりも多い、第25発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第27発明は、前記絶縁トレンチに伝導性ビアを更に備える、第26発明に記載のパッケージを提供する。
本願の第28発明は、前記LEDチップは、前記導電性ビアを介して直列、並列又は並直列接続で互いに接続する、第27発明に記載のパッケージを提供する。
Claims (28)
- 発光ダイオード(LED)パッケージを製造するプロセスであって、
第1のシリコンベース材料と、第2のシリコンベース材料と、前記シリコンベース材料同士間に介在される絶縁層とを含むシリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板を提供するステップと、
シリコン・オン・インシュレータ基板の第1のシリコンベース材料と第2のシリコンベース材料を各々エッチングし、反射キャビティと絶縁トレンチを形成するステップと、を備え、前記絶縁トレンチは、シリコン・オン・インシュレータ基板を正極と負極の接触面に分割し、
シリコン・オン・インシュレータ基板上に複数の金属ラインを形成するステップと、
シリコン・オン・インシュレータの反射キャビティ上にLEDチップをマウントするステップと、備え、LEDチップの正極と負極が金属ラインによってシリコン・オン・インシュレータ基板の対応する電極に電気的に接続する、ことを特徴とする発光ダイオードパッケージ製造プロセス。 - 前記第1のシリコンベース材料は、低抵抗半導体又は高抵抗半導体である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記第2のシリコンベース材料は、低抵抗半導体又は高抵抗半導体である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記シリコン・オン・インシュレータ基板は、As、Sb及びPで重ドープされ且つ0.1Ω/cmよりも小さな抵抗値を有するNタイプ及びPタイプである前記第1のシリコンベース材料及び第2のシリコンベース材料よりなる、請求項1に記載のプロセス。
- 前記金属ラインは、Ag、Au、Cu、Al、Pt、Cr、Ni及び上記元素よりなる合金よりなる群から選択される材料よりなる、請求項1に記載のプロセス。
- 前記反射キャビティは、<100>結晶方位を有する前記第1のシリコンベース材料をエッチングすることによって傾斜面が形成される、請求項1に記載のプロセス。
- 前記反射キャビティは、エッチングのために<100>結晶方位を有する前記第1のシリコンベース材料をドライエッチング又は選択することによって垂直面が形成される、請求項1に記載のプロセス。
- 前記LEDチップをマウントするステップ後、カプセル化エポキシを使用して前記反射キャビティを被覆し充填するステップを更に備える、請求項1に記載のプロセス。
- 前記カプセル化エポキシは、少なくとも一つのレンズを形成する、請求項8に記載のプロセス。
- 前記絶縁トレンチを形成するステップは、絶縁トレンチを強化するためにシリコン・オン・インシュレータ基板を酸化することによって前記絶縁トレンチに酸化層を形成するステップを更に備える、請求項1に記載のプロセス。
- 前記絶縁トレンチは、一つよりも多い、請求項10に記載のプロセス。
- 前記LEDチップは、一つよりも多い、請求項11に記載のプロセス。
- 前記絶縁トレンチに酸化層を形成するステップは、前記絶縁トレンチを介して伝導性ビアを形成するステップを更に備える、請求項12に記載のプロセス。
- 前記LEDチップは、前記伝導性ビアを介して直列、並列又は並直列に互いに接続される、請求項13に記載のプロセス。
- 発光ダイオード(LED)パッケージであって、
第1のシリコンベース材料と、第2のシリコンベース材料と、前記シリコンベース材料同士間に介在される絶縁層とを含むシリコン・オン・インシュレータ基板を備え、第1のシリコンベース材料上に反射キャビティがマウントされ、反射キャビティの底部がシリコン・オン・インシュレータ基板を正極と負極に分割するための絶縁トレンチを有すると共にシリコン・オン・インシュレータ基板が複数の金属ラインを有し、
反射キャビティにあるLEDチップを備え、LEDチップの正極と負極が金属ラインによって各々シリコン・オン・インシュレータ基板の対応する電極に電気的に接続することを特徴とする発光ダイオードパッケージ。 - 前記第1のシリコンベース材料は、低抵抗半導体又は高抵抗半導体である、請求項15に記載のパッケージ。
- 前記第2のシリコンベース材料は、低抵抗半導体又は高抵抗半導体である、請求項15に記載のパッケージ。
- 前記シリコン・オン・インシュレータ基板は、As、Sb及びPで重ドープされ且つ0.1Ω/cmよりも小さな抵抗値を有するNタイプ及びPタイプである前記第1のシリコンベース材料及び第2のシリコンベース材料を含む、請求項15に記載のパッケージ。
- 前記金属ラインは、Ag、Au、Cu、Al、Pt、Cr、Ni及び上記元素よりなる合金よりなる群から選択される材料よりなる、請求項15に記載のパッケージ。
- 前記反射キャビティは、<100>結晶方位を有する前記第1のシリコンベース材料をエッチングすることによって傾斜面が形成される、請求項15に記載のパッケージ。
- 前記反射キャビティは、エッチングのために<100>結晶方位を有する前記第1のシリコンベース材料をドライエッチング又は選択することによって垂直面が形成される、請求項15記載のパッケージ。
- 前記反射キャビティを被覆し充填するカプセル化エポキシを更に備える、請求項15に記載のパッケージ。
- 前記カプセル化エポキシは、少なくとも一つのレンズを形成する、請求項22に記載のパッケージ。
- 前記絶縁トレンチの強化のために前記絶縁トレンチに酸化層を更に備える請求項15に記載のパッケージ。
- 前記絶縁トレンチは、一つよりも多い、請求項24に記載のパッケージ。
- 前記LEDチップは、一つよりも多い、請求項25に記載のパッケージ。
- 前記絶縁トレンチに伝導性ビアを更に備える、請求項26に記載のパッケージ。
- 前記LEDチップは、前記導電性ビアを介して直列、並列又は並直列接続で互いに接続する、請求項27に記載のパッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW093141222 | 2004-12-29 | ||
TW093141222A TWI239670B (en) | 2004-12-29 | 2004-12-29 | Package structure of light emitting diode and its manufacture method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006190951A true JP2006190951A (ja) | 2006-07-20 |
JP4947929B2 JP4947929B2 (ja) | 2012-06-06 |
Family
ID=36610369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005195643A Expired - Fee Related JP4947929B2 (ja) | 2004-12-29 | 2005-07-05 | 発光ダイオードパッケージ及びその製造プロセス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7521724B2 (ja) |
JP (1) | JP4947929B2 (ja) |
KR (1) | KR100766028B1 (ja) |
TW (1) | TWI239670B (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278666A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Lg Electronics Inc | 光源装置及びその製造方法 |
JP2009004612A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Nippon Seiki Co Ltd | プリント配線板 |
JP2010278315A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
KR101045708B1 (ko) * | 2009-03-13 | 2011-06-30 | 안복만 | 발광소자 패키지 제조방법 및 그에 따른 발광소자 패키지 |
WO2012128270A1 (ja) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | 株式会社村田製作所 | 発光素子用台座基板およびledデバイス |
TWI385824B (zh) * | 2008-04-25 | 2013-02-11 | Advanced Optoelectronic Tech | 光源裝置 |
KR101917875B1 (ko) * | 2014-02-04 | 2018-11-13 | 호야 칸데오 옵트로닉스 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
WO2021039825A1 (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置 |
WO2022124204A1 (ja) * | 2020-12-10 | 2022-06-16 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光素子の支持基板 |
Families Citing this family (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9368428B2 (en) * | 2004-06-30 | 2016-06-14 | Cree, Inc. | Dielectric wafer level bonding with conductive feed-throughs for electrical connection and thermal management |
TWI261936B (en) * | 2005-01-25 | 2006-09-11 | Lustrous Technology Ltd | LED package structure and mass production method of making the same |
US7229876B2 (en) * | 2005-05-25 | 2007-06-12 | Macronix International Co., Ltd. | Method of fabricating memory |
TWI363437B (en) * | 2008-05-21 | 2012-05-01 | Ind Tech Res Inst | Light emitting diode package capable of providing electrostatic discharge circuit protection and process of making the same |
JP2007067326A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
TWI394300B (zh) * | 2007-10-24 | 2013-04-21 | Advanced Optoelectronic Tech | 光電元件之封裝結構及其製造方法 |
US7586125B2 (en) * | 2006-02-20 | 2009-09-08 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting diode package structure and fabricating method thereof |
EP1848042A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-10-24 | LEXEDIS Lighting GmbH | LED package with submount |
TWI302758B (en) * | 2006-04-21 | 2008-11-01 | Silicon Base Dev Inc | Package base structure of photo diode and manufacturing method of the same |
CN100392855C (zh) * | 2006-05-19 | 2008-06-04 | 广州南科集成电子有限公司 | U槽led集成芯片及制造方法 |
JP3914954B1 (ja) * | 2006-05-24 | 2007-05-16 | 株式会社エレメント電子 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2008016565A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置 |
US20120001203A1 (en) * | 2006-07-11 | 2012-01-05 | Harvatek Corporation | Led chip package structure |
US20080012035A1 (en) * | 2006-07-11 | 2008-01-17 | Bily Wang | LED chip package structure and method for manufacturing the same |
US10873002B2 (en) | 2006-10-20 | 2020-12-22 | Cree, Inc. | Permanent wafer bonding using metal alloy preform discs |
KR100879731B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2009-01-22 | 주식회사 이츠웰 | 측면 지향성을 갖는 표면실장형 발광다이오드 패키지 |
KR100850945B1 (ko) * | 2006-11-08 | 2008-08-08 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
US20080198572A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Medendorp Nicholas W | LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors |
US7510400B2 (en) * | 2007-03-14 | 2009-03-31 | Visteon Global Technologies, Inc. | LED interconnect spring clip assembly |
US7621752B2 (en) * | 2007-07-17 | 2009-11-24 | Visteon Global Technologies, Inc. | LED interconnection integrated connector holder package |
US20090023234A1 (en) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Hung-Tsung Hsu | Method for manufacturing light emitting diode package |
US7834365B2 (en) * | 2007-09-12 | 2010-11-16 | Harvatek Corporation | LED chip package structure with high-efficiency light-emitting effect and method of packing the same |
US8212271B2 (en) * | 2007-10-11 | 2012-07-03 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Substrate for mounting an optical semiconductor element, manufacturing method thereof, an optical semiconductor device, and manufacturing method thereof |
TWI367579B (en) * | 2007-12-10 | 2012-07-01 | Harvatek Corp | Led chip package structure with a high-efficiency light-emitting effect |
TWI344227B (en) * | 2007-12-12 | 2011-06-21 | Harvatek Corp | Led chip package structure generating a high-efficiency light-emitting effect via rough surfaces and method for manufacturing the same |
US7906786B2 (en) * | 2008-01-11 | 2011-03-15 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device |
TW200937674A (en) * | 2008-02-22 | 2009-09-01 | Harvatek Corp | LED chip package structure with a multifunctional integrated chip and its packaging method |
DE102008019667A1 (de) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh | LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung |
KR100992778B1 (ko) | 2008-05-23 | 2010-11-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
US8304785B2 (en) * | 2008-07-29 | 2012-11-06 | Industrial Technology Research Institute | LED structure, manufacturing method thereof and LED module |
KR100999699B1 (ko) * | 2008-09-01 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
US7807484B2 (en) * | 2008-10-15 | 2010-10-05 | Visera Technologies Company Limited | Light-emitting diode device and method for fabricating the same |
TWI462350B (zh) * | 2008-12-24 | 2014-11-21 | Ind Tech Res Inst | 多晶發光二極體 |
US20100176507A1 (en) * | 2009-01-14 | 2010-07-15 | Hymite A/S | Semiconductor-based submount with electrically conductive feed-throughs |
JP5406540B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2014-02-05 | 株式会社小糸製作所 | 光源モジュール、車輌用灯具及び光源モジュールの製造方法 |
US7883910B2 (en) * | 2009-02-03 | 2011-02-08 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting diode structure, LED packaging structure using the same and method of forming the same |
US8729591B2 (en) * | 2009-02-13 | 2014-05-20 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Opto-electronic device package with a semiconductor-based sub-mount having SMD metal contacts |
US20120009700A1 (en) * | 2009-04-17 | 2012-01-12 | Harvatek Corporation | Method of manufacturing a led chip package structure |
US8679865B2 (en) * | 2009-08-28 | 2014-03-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resin application apparatus, optical property correction apparatus and method, and method for manufacturing LED package |
DE102009039982A1 (de) * | 2009-09-03 | 2011-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
WO2011040703A2 (ko) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
US8598612B2 (en) | 2010-03-30 | 2013-12-03 | Micron Technology, Inc. | Light emitting diode thermally enhanced cavity package and method of manufacture |
US8698166B2 (en) | 2010-07-16 | 2014-04-15 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting chip package module and light emitting chip package structure and manufacturing method thereof |
CN103222073B (zh) * | 2010-08-03 | 2017-03-29 | 财团法人工业技术研究院 | 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法 |
US9178107B2 (en) | 2010-08-03 | 2015-11-03 | Industrial Technology Research Institute | Wafer-level light emitting diode structure, light emitting diode chip, and method for forming the same |
TWI433357B (zh) * | 2010-08-26 | 2014-04-01 | Huga Optotech Inc | 高亮度發光二極體結構 |
TWI462340B (zh) | 2010-09-08 | 2014-11-21 | Epistar Corp | 一種發光結構及其製造方法 |
CN102694081B (zh) * | 2011-03-21 | 2014-11-05 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管制造方法 |
KR20130007127A (ko) * | 2011-06-29 | 2013-01-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 패키지 |
US8878221B2 (en) * | 2011-08-19 | 2014-11-04 | Lg Innotex Co., Ltd. | Light emitting module |
US9117941B2 (en) * | 2011-09-02 | 2015-08-25 | King Dragon International Inc. | LED package and method of the same |
US20150001570A1 (en) * | 2011-09-02 | 2015-01-01 | King Dragon International Inc. | LED Package and Method of the Same |
US20130256704A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Yuchun Hsiao | LED, Backlight Module, and LCD Device |
CN102721721B (zh) * | 2012-06-18 | 2014-07-02 | 西安交通大学 | 一种硅杯结构的热扩散率传感器芯片及其制备方法 |
JP6209874B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2017-10-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US9299687B2 (en) | 2012-10-05 | 2016-03-29 | Bridgelux, Inc. | Light-emitting assemblies comprising an array of light-emitting diodes having an optimized lens configuration |
JP6064584B2 (ja) * | 2012-12-22 | 2017-01-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6094804B2 (ja) | 2013-04-02 | 2017-03-15 | 東芝ライテック株式会社 | 照明装置、および車両用灯具 |
TWI509842B (zh) | 2013-09-02 | 2015-11-21 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體的封裝結構及其製造方法 |
DE102014101155A1 (de) * | 2014-01-30 | 2015-07-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE102016112587A1 (de) | 2016-07-08 | 2018-01-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip |
DE102016113514A1 (de) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
CN107768500B (zh) * | 2017-09-27 | 2024-07-09 | 广东晶科电子股份有限公司 | 一种led支架及其发光器件 |
DE102018111324A1 (de) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
JP7210191B2 (ja) * | 2018-08-30 | 2023-01-23 | 京セラ株式会社 | 電子素子実装用基板、電子装置、および電子モジュール |
DE102020134702A1 (de) * | 2020-12-22 | 2022-06-23 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterbauteil und verfahren zu dessen herstellung |
NL2032294B1 (en) * | 2022-06-27 | 2024-01-12 | Schreder Sa | Light assembly comprising a side emitting light element |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0525484U (ja) * | 1991-09-09 | 1993-04-02 | 佳都子 中島 | 発光素子ドツトマトリツクス用基板 |
JPH07202350A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-08-04 | Siemens Ag | オプトエレクトロニクスデバイス及びその製造方法 |
JP2001308443A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Hitachi Ltd | サブマウント |
JP2001345508A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置および半導体基板 |
WO2004084319A1 (ja) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | 発光素子搭載用部材およびそれを用いた半導体装置 |
WO2004088760A2 (en) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Gelcore Llc | Led power package |
JP2006086176A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | Led用サブマウント及びその製造方法 |
JP2006135276A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-05-25 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子搭載用パッケージ及びその製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5256562A (en) * | 1990-12-31 | 1993-10-26 | Kopin Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film |
NL9300554A (nl) * | 1993-03-29 | 1994-10-17 | Doctro A V V | Samenstel van filterinrichting en een vervangbaar filter; alsmede filterinrichting en filter voor toepassing daarin. |
JP3091903B2 (ja) * | 1994-08-17 | 2000-09-25 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | アバランシェ・フォト・ダイオード及びその製造方法 |
US6583444B2 (en) * | 1997-02-18 | 2003-06-24 | Tessera, Inc. | Semiconductor packages having light-sensitive chips |
USRE38437E1 (en) * | 1998-12-01 | 2004-02-24 | Xerox Corporation | Method and apparatus for an integrated laser beam scanner using a carrier substrate |
US6852968B1 (en) * | 1999-03-08 | 2005-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface-type optical apparatus |
MY131962A (en) * | 2001-01-24 | 2007-09-28 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US6531328B1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-03-11 | Solidlite Corporation | Packaging of light-emitting diode |
CN100487898C (zh) * | 2001-11-05 | 2009-05-13 | 佐伊科比株式会社 | 固体图像传感器及其制造方法 |
US6599768B1 (en) * | 2002-08-20 | 2003-07-29 | United Epitaxy Co., Ltd. | Surface mounting method for high power light emitting diode |
EP1676160A4 (en) * | 2003-10-15 | 2008-04-09 | Xloom Photonics Ltd | ELECTRO-OPTICAL CIRCUITRY HAVING AN INTEGRATED CONNECTOR AND METHODS OF PRODUCING THE SAME |
US7129114B2 (en) * | 2004-03-10 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Methods relating to singulating semiconductor wafers and wafer scale assemblies |
KR100593935B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2006-06-30 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
-
2004
- 2004-12-29 TW TW093141222A patent/TWI239670B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-06-08 US US11/147,185 patent/US7521724B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-23 KR KR1020050054334A patent/KR100766028B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-07-05 JP JP2005195643A patent/JP4947929B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0525484U (ja) * | 1991-09-09 | 1993-04-02 | 佳都子 中島 | 発光素子ドツトマトリツクス用基板 |
JPH07202350A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-08-04 | Siemens Ag | オプトエレクトロニクスデバイス及びその製造方法 |
JP2001308443A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Hitachi Ltd | サブマウント |
JP2001345508A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置および半導体基板 |
WO2004084319A1 (ja) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | 発光素子搭載用部材およびそれを用いた半導体装置 |
WO2004088760A2 (en) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Gelcore Llc | Led power package |
JP2006086176A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | Led用サブマウント及びその製造方法 |
JP2006135276A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-05-25 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子搭載用パッケージ及びその製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278666A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Lg Electronics Inc | 光源装置及びその製造方法 |
JP4547290B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2010-09-22 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 光源装置の製造方法 |
JP2009004612A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Nippon Seiki Co Ltd | プリント配線板 |
TWI385824B (zh) * | 2008-04-25 | 2013-02-11 | Advanced Optoelectronic Tech | 光源裝置 |
KR101045708B1 (ko) * | 2009-03-13 | 2011-06-30 | 안복만 | 발광소자 패키지 제조방법 및 그에 따른 발광소자 패키지 |
JP2010278315A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
WO2012128270A1 (ja) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | 株式会社村田製作所 | 発光素子用台座基板およびledデバイス |
JP5590220B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2014-09-17 | 株式会社村田製作所 | 発光素子用台座基板およびledデバイス |
US9240535B2 (en) | 2011-03-24 | 2016-01-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Light-emitting-element mount substrate and LED device |
KR101917875B1 (ko) * | 2014-02-04 | 2018-11-13 | 호야 칸데오 옵트로닉스 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
WO2021039825A1 (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置 |
WO2022124204A1 (ja) * | 2020-12-10 | 2022-06-16 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光素子の支持基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200623450A (en) | 2006-07-01 |
US20060138436A1 (en) | 2006-06-29 |
US7521724B2 (en) | 2009-04-21 |
JP4947929B2 (ja) | 2012-06-06 |
KR20060076159A (ko) | 2006-07-04 |
KR100766028B1 (ko) | 2007-10-11 |
TWI239670B (en) | 2005-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4947929B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ及びその製造プロセス | |
CN102160197B (zh) | 光电元件封装基座 | |
US8350276B2 (en) | Alternating current light emitting device | |
US7405467B2 (en) | Power module package structure | |
KR101181112B1 (ko) | 발광 다이오드, 발광 다이오드 제조 방법 및 발광 다이오드 모듈 | |
JP2008311599A (ja) | モールド再構成ウェハー、これを利用したスタックパッケージ及びその製造方法 | |
JP4910220B1 (ja) | Ledモジュール装置及びその製造方法 | |
JPH07169796A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
CN101626056A (zh) | 半导体元件及其制造方法 | |
TW200807741A (en) | SI-substrate and structure of OPTO-electronic package having the same | |
CN102142509B (zh) | 发光二极管封装体及其形成方法 | |
JP4411695B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
US7867908B2 (en) | Method of fabricating substrate | |
KR20140100154A (ko) | 전자장치 | |
CN104037305B (zh) | 一种低热阻的晶圆级led封装方法及其封装结构 | |
CN100382344C (zh) | 发光二极管封装结构及其制作方法 | |
CN103633038A (zh) | 封装结构及其形成方法 | |
US7768104B2 (en) | Apparatus and method for series connection of two die or chips in single electronics package | |
KR101363980B1 (ko) | 광 모듈 및 그 제조 방법 | |
TW201104934A (en) | Semiconductor chip package structure for achieving electrical connection without using wire-bonding process and manufacturing method thereof | |
CN101419957A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
CN203503689U (zh) | 覆晶式led芯片 | |
CN108963054B (zh) | 覆晶式发光二极管及其制造方法 | |
CN106299077A (zh) | Led封装结构及其制作方法 | |
KR101815963B1 (ko) | 칩 패키지 및 칩 패키지 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090427 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090501 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090629 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090727 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100407 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100520 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100917 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110805 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110811 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120127 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120306 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150316 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4947929 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |