JP2021034654A - レーザ装置 - Google Patents

レーザ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021034654A
JP2021034654A JP2019155902A JP2019155902A JP2021034654A JP 2021034654 A JP2021034654 A JP 2021034654A JP 2019155902 A JP2019155902 A JP 2019155902A JP 2019155902 A JP2019155902 A JP 2019155902A JP 2021034654 A JP2021034654 A JP 2021034654A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
electrode block
lower electrode
block
sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019155902A
Other languages
English (en)
Inventor
秀明 山口
Hideaki Yamaguchi
秀明 山口
大森 弘治
Hiroharu Omori
弘治 大森
誠 龍堂
Dang-Song Yong
誠 龍堂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2019155902A priority Critical patent/JP2021034654A/ja
Publication of JP2021034654A publication Critical patent/JP2021034654A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】半導体レーザモジュールが放熱部品の上面に取り付けられたレーザ装置において、冷却性能が安定したレーザ装置を提供する。【解決手段】レーザ装置1000は、水冷ジャケット100とその上面120に取り付けられた半導体レーザモジュール300とを備えている。半導体レーザモジュール300は、下部電極ブロック310と、下部電極ブロック310に接続されたサブマウント320と、サブマウント320に配設された半導体レーザ素子330と、下部電極ブロック310とでサブマウント320及び半導体レーザ素子330を挟持する上部電極ブロック350と、を有している。下部電極ブロック310は、第1金属ブロック311とDBCシート312と第2金属ブロック313とがこの順に積層された構造を有している。【選択図】図1

Description

本発明はレーザ装置に関し、特に放熱部品とこれに取り付けられた半導体レーザモジュールとを備えたレーザ装置に関する。
従来、半導体レーザ素子は動作時の発熱量が大きく、また、内部に熱が溜まることで、特性が変化したり、寿命が低下したりすることがあった。また、半導体レーザ素子が十分に冷却されないと、光出力を高めることができない。このため、ヒートシンクや水冷ジャケット等の放熱部品に半導体レーザ素子を実装して、動作時の発熱を速やかに排出する構成が種々提案されている。
例えば、特許文献1には、上面及び下面にそれぞれ形成された銅層で絶縁性セラミックが挟み込まれた積層体(以下、DBC(Direct copper−Bonding Ceramics)という)に半導体レーザ素子が実装された構成が開示されている。
また、特許文献2には、内部に冷媒の流れる流路が形成された水冷ジャケットに上部電極ブロックと下部電極ブロックとこれらに挟まれた半導体レーザ素子からなる半導体レーザモジュールが実装された構成が開示されている。また、水冷ジャケットと半導体レーザモジュールを絶縁し、また、半導体レーザモジュールから効率良く排熱するために、水冷ジャケットと半導体レーザモジュールとの間に、銅層で上下から挟まれた絶縁部材で構成されたヒートシンクが設けられている。
特開2002−124729号公報 国際公開第2019/009172号
ところで、DBCを挟んで水冷ジャケットに前述の半導体レーザモジュールを実装する場合、水冷ジャケットとDBCとの接着材及びDBCと下部電極ブロックとの接着材として金属材が用いられることが多い。例えば、インジウム(In)からなるシート材(以下、Inシートという)が用いられる。また、各部品の加工公差や部品間の組立公差に起因して、隣接する部品間で接触面の間に隙間を生じることがあるが、Inシートを設けることで、このような隙間等を無くして接触面積を維持し、半導体レーザモジュールの冷却効率が低下するのを抑制している。
しかし、Inシートは半導体レーザモジュールから加わる熱等により、マイグレーションを引き起こすことがある。このようなマイグレーションが起こると、半導体レーザモジュールとDBC、あるいはDBCと水冷ジャケットとの接触面積が減少して、半導体レーザモジュールから十分に排熱されず、高出力のレーザ装置を実現できないおそれがあった。
また、DBC等の絶縁部材を介して、水冷ジャケットに半導体レーザモジュールを取り付ける際、下部電極ブロックと絶縁部材との熱膨張係数の違いに起因して、絶縁部材に反りが生じ、下部電極ブロックと水冷ジャケットとの接触面積が減少してしまうおそれがあった。その結果、高出力のレーザ装置を実現できないおそれがあった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、その目的は、半導体レーザモジュールが放熱部品の上面に取り付けられたレーザ装置において、冷却性能が安定したレーザ装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明に係るレーザ装置は、放熱部品と前記放熱部品の上面に取り付けられた半導体レーザモジュールとを少なくとも備えたレーザ装置であって、前記半導体レーザモジュールは、前記放熱部品の上面に取り付けられた下部電極ブロックと、前記下部電極ブロックに電気的に接続されたサブマウントと、前記サブマウントに配設され、前記下部電極ブロックに電気的に接続された半導体レーザ素子と、前記下部電極ブロックとで前記サブマウント及び前記半導体レーザ素子を挟持するように設けられ、前記半導体レーザ素子に電気的に接続される一方、前記下部電極ブロックと電気的に絶縁された上部電極ブロックと、を少なくとも有し、前記下部電極ブロックは、第1金属ブロックと所定の熱伝導性を有する絶縁シートと第2金属ブロックとがこの順に積層された構造を有していることを特徴とする。
本発明のレーザ装置によれば、放熱部品と下部電極ブロックとの接触面積を確保でき、半導体レーザモジュールが十分にかつ安定して冷却され、半導体レーザ素子の高出力化が図れる。また、レーザ装置の長期使用時の動作寿命を維持できる。
本発明の一実施形態に係るレーザ装置の断面模式図である。 レーザ装置の分解斜視図である。 水冷ジャケットの斜視図である。 半導体レーザモジュールの分解斜視図である。 下部電極ブロックの反りの様子を示す模式図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものでは全くない。
(実施形態)
[レーザ装置及び各部の構成]
図1は、本実施形態に係るレーザ装置の断面模式図を、図2は、レーザ装置の分解斜視図を、図3は、水冷ジャケットの斜視図を、図4は、半導体レーザモジュールの分解斜視図をそれぞれ示す。なお、図1〜4において、レーザ装置1000及び各部の構造は模式図として例示的に示している。従って、図1〜4において、各部の形状、位置、配置関係、寸法は実際のものとは異なっている。また、図4において、金シート332と金属層333の図示を省略している。
また、以降の説明において、図1,2に示す水冷ジャケット100が配設された側を下側または下と、その反対側、つまり、半導体レーザモジュール300が配設された側を上側または上と呼ぶことがある。また、図3に示す水冷ジャケット100の流入口111が設けられた側を右側または右と、その反対側の流出口112が設けられた側を左側または左と呼ぶことがある。また、半導体レーザ素子330の光出射面が配置された側を前側または前と、その反対側を後側または後と呼ぶことがある。
図1,2に示すように、レーザ装置1000は、水冷ジャケット(放熱部品)100と半導体レーザモジュール300とを有している。
水冷ジャケット100は、外形が直方体の金属部品であり、内部に冷媒が流れる流路110が設けられている。水冷ジャケット100の材質は熱伝導性や耐腐食性等の観点から銅であることが好ましい。なお、酸化防止等の観点から、必要に応じて、表面に金属メッキが施されていてもよい。
流路110は、上面視でU字形状であり、一端部である流入口111は水冷ジャケット100の後方側面の右側に設けられ、他端部である排出口は水冷ジャケット100の後方側面の左側に流入口111と間隔をあけて設けられている。外部から供給された冷媒が流入口111から流入し、半導体レーザモジュール300の下側に設けられた流路110内を通過して、排出口から外部に排出される。また、本実施形態において、冷媒として、抵抗率が所定値以上に調整された冷却水を用いているが、特にこれに限定されない。例えば、エチレングリコール等を用いてもよい。また、流入口111と流出口112の位置が入れ替わっていてもよい。
また、図2,3に示すように、水冷ジャケット100の上面120には、左右方向に間隔をあけてねじ孔130が2箇所に設けられている。図示しないが、ねじ孔130の底部は流路110内に貫通せずに水冷ジャケット100の内部に留まっている。半導体レーザモジュール300の上部電極ブロック350及び下部電極ブロック310にそれぞれ設けられたねじ孔351,314(図4参照)と水冷ジャケット100に設けられたねじ孔130とが上面視で重なるように、水冷ジャケット100の上面120に半導体レーザモジュール300が配置された後、ねじ孔351,314,130のそれぞれにモジュール固定ねじ340が挿通される。モジュール固定ねじ340を締結することで水冷ジャケット100に半導体レーザモジュール300が位置決め固定される。
なお、モジュール固定ねじ340は、ステンレス等鋼の金属材料からなり、モジュール固定ねじ340の頭部と半導体レーザモジュール300の上部電極ブロック350との間には絶縁材料からなるブッシュ341が設けられる。このことにより、上部電極ブロック350とモジュール固定ねじ340とは電気的に絶縁される。また、水冷ジャケット100と半導体レーザモジュール300とがモジュール固定ねじ340を介して導通しないように絶縁処理が施されている。例えば、モジュール固定ねじ340の表面に絶縁処理を施してもよいし、ねじ孔351,314,130の内面に絶縁処理を施してもよい。
水冷ジャケット100の上面120にはInシート200が設けられており、後述する下部電極ブロック310との接着材として機能する。本実施形態において、Inシート200は、後述する下部電極ブロック310よりも上面視で大きくなっている。また、Inシート200には、ねじ孔351,314,130に対応する箇所に開口210が設けられている。
図1,2,4に示すように、半導体レーザモジュール300は、下部電極ブロック310と上部電極ブロック350と絶縁板345とサブマウント320と半導体レーザ素子330とを有している。また、半導体レーザ素子330にはバンプ331が設けられ、バンプ331と上部電極ブロック350との間には、下側から順に、金シート332と金属層333とが設けられている。
下部電極ブロック310は、第1金属ブロック311とDBCシート312と第2金属ブロック313とがこの順で積層されてなる板状の部材である。第1金属ブロック311は、銅からなる板材の表面にニッケル(図示せず)と金(図示せず)とをこの順にメッキして得られる。第1金属ブロック311は、ねじ孔314,315が形成された部分を除き、上面及び下面のいずれも平坦である。なお、本実施形態では、第1金属ブロック311の寸法は、上面視で、24mm×25mm程度であり、上下方向の厚さ(以下、単に厚さという)は、3.07mmであるが、特にこれに限定されず、適宜他の値を取りうる。
第2金属ブロック313は、第1金属ブロック311と同じく、銅からなる板材の表面に前述のメッキが施されてなる。第2金属ブロック313は、上面視で、第1金属ブロック311と同じ輪郭を有しており、その寸法は、上面視で、24mm×25mm程度である。ただし、第2金属ブロック313は、下面が平坦面である一方、上面及び前方側面の一部が切り欠かれて開放された凹部317が設けられている。凹部317はサブマウント320及び半導体レーザ素子330が収容される部分であり、凹部317の前方開放部を通して、半導体レーザ素子330からレーザ光が出射される。
また、第2金属ブロック313の厚さは第1金属ブロック311の厚さに等しく、3.07mmである。なお、本願明細書において、「厚さが同じ、または等しい」あるいは「輪郭が同じ、または等しい」とは、比較対象となる2つの部品の加工公差を含んで同じ、または等しいという意味であり、両者の厚さまたは輪郭が厳密に一致していることを意味するものではない。
DBCシート312は、上面及び下面にそれぞれ形成された銅層312aで絶縁性セラミックである窒化アルミニウム312bが挟み込まれた積層体からなる絶縁シートであり(図1の破線内参照)、上面視で、第1金属ブロック311及び第2金属ブロック313と同じ輪郭を有している。DBCシート312は、半導体レーザモジュール300と水冷ジャケット100とを電気的に絶縁するために設けられている。
本実施形態では、絶縁性セラミックとして、電気絶縁性が高く、高い熱伝導性を有する窒化アルミニウム312bを用いている。DBCシート312の寸法も、上面視で、24mm×25mm程度である。窒化アルミニウムの厚さは、0.38mmであるが、特にこの値に限定されず、適宜他の値を取りうる。窒化アルミニウムの厚さは、第1金属ブロック311と第2金属ブロック313との間の絶縁が確保できる値であればよい。
第1金属ブロック311とDBCシート312、また、第2金属ブロック313とDBCシート312はそれぞれ加熱接合されている。具体的には、第1金属ブロック311とDBCシート312と第2金属ブロック313と互いに位置合わせした上で重ね合わせ、重ね合わせ方向に加圧しながら、これらを加熱することで、3つの部材が接合される。この場合、第1金属ブロック311及び第2金属ブロック313にそれぞれ施された金メッキが各部材を接合する接着材として機能する。なお、第1金属ブロック311または第2金属ブロック313とDBCシート312とを接合した後に、残りの金属ブロックとDBCシート312とを接合してもよい。
また、下部電極ブロック310には、下部電極ブロック310を貫通するねじ孔314が設けられている。ねじ孔314は、上面視で、凹部317の左右に1箇所ずつ凹部317と離間して設けられている。また、ねじ孔314の前方にそれぞれねじ孔315が設けられている。これらのねじ孔315は、第2金属ブロック313を貫通する一方、その底面が第1金属ブロック311の内部に留まっている。ねじ孔315には図2に示す結合ねじ370が螺合される。なお、結合ねじ370は、樹脂またはセラミック等の絶縁材料からなる。
また、2つのねじ孔314の後方かつ上面視でこれらのねじ孔314の間を通る線上にねじ孔316が設けられている。ねじ孔316には図2に示すバスバー固定ねじ360が螺合される。また、バスバー固定ねじ360と第2金属ブロック313とに挟み込まれて、下部電極ブロック310にバスバー(図示せず)が接続される。バスバーは、半導体レーザモジュール300に駆動電流を供給するための板状の電線である。
絶縁板345は、下部電極ブロック310の上面、この場合は第2金属ブロック313の上面に凹部317を囲むように設けられており、下部電極ブロック310に設けられたねじ孔314,315と対応する位置に開口341が設けられている。また、絶縁板345は、下部電極ブロック310に上部電極ブロック350を取り付ける際に、両者に挟み込まれて、両者を電気的に絶縁する。絶縁板345は、例えば、ポリイミドやセラミック等の絶縁材料からなる。
サブマウント320は、例えば銅タングステン(Cu:W)等の導電材料からなる。図1,4に示すように、サブマウント320は、第2金属ブロック313の前方側面とサブマウント320の前方側面がほぼ一致するように凹部317内に配設されている。また、サブマウント320と第2金属ブロック313とは図示しない金属はんだにより接着され、電気的に接続されている。
半導体レーザ素子330は端面放射型の発光素子である。また、半導体レーザ素子330は下面に上側電極を、上面に下側電極をそれぞれ有しており(いずれも図示せず)、サブマウント320の上面に半導体レーザ素子330の上側電極が金−スズはんだ等(図示せず)を介して実装されることで、サブマウント320に電気的に接続されている。なお、本実施形態において、半導体レーザ素子330の下面に有する上側電極は正極(+極)であり、半導体レーザ素子330の上面に有する下側電極は負極(−極)である。また、サブマウント320の上面に半導体レーザ素子330の上側電極が直接接するようにしてもよい。また、下側電極の上面には複数のバンプ331が設けられている。半導体レーザ素子330の共振器(図示せず)は、前後方向に延びて設けられており、半導体レーザ素子330の前方側面(図1の左側)が、レーザ光の光出射面に相当する。また、半導体レーザ素子330は、光出射面とサブマウント320の前方側面とがほぼ一致するようにサブマウント320上に配設されている。なお、半導体レーザ素子330における共振器の数は複数であってもよい。
バンプ331は、例えば金(Au)を材料とするワイヤを溶融させて形成した金バンプである。金は銅等に比べて軟らかいため、半導体レーザ素子330と上部電極ブロック350とを接続する際にバンプ331が変形する。そのため、半導体レーザ素子330と上部電極ブロック350とに機械的なダメージをあまり与えることなく、両者の間を電気的に良好に接続することができる。なお、バンプ331の材料は金に限らず、導電性であって、半導体レーザ素子330の下側電極と上部電極ブロック350との電気的接続を確保できる材料であればよい。
金シート332は、厚さが数μm程度の金箔を数枚重ね合わせてなる。バンプ331と上部電極ブロック350との間に金シート332を挿入することにより、バンプ331と金シート332との接触面積を増加させることができ、バンプ331と上部電極ブロック350との間の電気抵抗を減少させることができる。また、バンプ331と金シート332とは物理的に接触している。これにより、半導体レーザ素子330と上部電極ブロック350との熱膨張率の差に対しても、バンプ331が金シート332を水平面方向に押すように移動でき、応力を緩和できる。なお、金シート332に限らず、他の導電材料からなるシートをバンプ331と上部電極ブロック350との間に挿入してもよい。また、バンプ331と金属層333あるいは上部電極ブロック350との間の電気的接続が十分に良好であれば、金シート332を挿入しなくてもよい。
上部電極ブロック350の下面に設けられる金属層333は導電性を有し、主な材料は金である。金属層333は、金シート332の上側に設けられ、金シート332とは電気的に接続されている。また、金属層333と金シート332とは、互いの面同士が物理的に接触していることが好ましい。これにより、半導体レーザ素子330と上部電極ブロック350との熱膨張率の差に対しても、金シート332が金属層333に沿って水平面方向にずれるように移動でき、応力を緩和できる。
上部電極ブロック350は、凹部317の上方を覆うように、絶縁板345を挟んで下部電極ブロック310の上面に設けられており、導電材料からなる板状の部材である。例えば、銅(Cu)からなる板材にニッケル(Ni)と金(Au)とをこの順にメッキして得られる。なお、本実施形態では、上部電極ブロック350の寸法は、上面視で、17.2mm×24.6mmで、厚さは、4.5mmであるが、特にこれに限定されず、下部電極ブロック310の寸法に応じて、適宜他の値を取りうる。
上部電極ブロック350には、下部電極ブロック310に設けられたねじ孔314に連通する位置にねじ孔351が設けられるとともに、ねじ孔351の前方にそれぞれねじ孔352が設けられている。ねじ孔352は、下部電極ブロック310に設けられたねじ孔315にそれぞれ連通しており、これらのねじ孔352,315に、結合ねじ370が螺合されて、上部電極ブロック350と下部電極ブロック310とが締結固定される。絶縁材料からなる結合ねじ370を用いることで、上部電極ブロック350と下部電極ブロック310とが導通することがない。
また、上部電極ブロック350には、ねじ孔351の後方かつ上面視で2つのねじ孔351の間を通る線上にねじ孔353を有している。ねじ孔351,352は上部電極ブロック350を貫通しているが、ねじ孔353は、その底面が上部電極ブロック350の内部に留まっている。ねじ孔352には図2に示すバスバー固定ねじ361が螺合される。また、バスバー固定ねじ361と上部電極ブロック350とに挟み込まれて、上部電極ブロック350にバスバー(図示せず)が接続される。
[効果等]
以上説明したように、本実施形態に係るレーザ装置1000は、半導体レーザモジュール300を少なくとも備えている。
半導体レーザモジュール300は、下部電極ブロック310と、下部電極ブロック310に電気的に接続されたサブマウント320と、サブマウント320に配設され、下部電極ブロック310に電気的に接続された半導体レーザ素子330と、を少なくとも有している。
また、半導体レーザモジュール300は、下部電極ブロック310とでサブマウント320及び半導体レーザ素子330を挟持するように設けられ、半導体レーザ素子330に電気的に接続される一方、下部電極ブロック310と電気的に絶縁された上部電極ブロック350と、を有している。
下部電極ブロック310は、第1金属ブロック311と所定の熱伝導性を有するDBCシート(絶縁シート)312と第2金属ブロック313とがこの順に積層された構造を有している。
また、レーザ装置1000は、水冷ジャケット(放熱部品)100を有しており、その上面120に半導体レーザモジュール300が取り付けられている。水冷ジャケット100の上面120に下部電極ブロック310が取り付けられている。
レーザ装置1000をこのように構成することで、半導体レーザモジュール300と水冷ジャケット100との電気的絶縁を維持しつつ、DBCシート312の反りを抑えて、下部電極ブロック310と水冷ジャケット100との接触面積が減少するのを抑制できる。このことについて、図5を用いてさらに説明する。
図5は、下部電極ブロックの反りの様子を模式的に示した図であり、(a)図は、比較のための模式図を、(b)図は、本実施形態に係る下部電極ブロックの模式図をそれぞれ示す。なお、図5において、下部電極ブロック310,318を含む半導体レーザモジュール300と水冷ジャケット100とのねじ止めは行っていない。
図5の(a)図に示すように、下部電極ブロック318と水冷ジャケット100との間に、上下をInシート400a,400cで挟まれた窒化アルミニウム400bからなる絶縁耐圧と熱伝導性が高い絶縁シート400を配置し、半導体レーザモジュール300の下部電極ブロック318と水冷ジャケット100を熱的に接合する。2枚のInシート400a,400cは、下部電極ブロック318及び水冷ジャケット100と絶縁シート400との接触面積をそれぞれ向上するために設けられている。
なお、(a)図に示す窒化アルミニウム400bの厚さは、0.38mm、Inシート400a,400cの厚さはそれぞれ40μmとする。また、下部電極ブロック318の寸法は、上面視で、24mm×25mm程度であり、厚さは、6.15mmとする。
この場合、窒化アルミニウムの線膨張係数(4.6×10−6/K)と、銅の線膨張係数(16.8×10−6/K)との違いから窒化アルミニウム400bが約80μmも反ってしまう。
一方、水冷ジャケット100との接触面積向上のために設けられたInシート400cの厚さは40μmであるため、窒化アルミニウム400bに80μmの反りが生じてしまうと、Inシート400cで、この反りを吸収することができない。その結果、(a)図に示すように、水冷ジャケット100と絶縁シート400との接触面積が大幅に低下し、ひいては、半導体レーザモジュール300が十分に冷却されないという不具合が生じる。
一方、図5の(b)図に示すように、下部電極ブロック311と水冷ジャケット100との間に、Inシート200を配置し、半導体レーザモジュール300の下部電極ブロック310と水冷ジャケット100を熱的に接合する。電気伝導性及び放熱性が高く、軟らかい材料であるInシート200は、水冷ジャケット100と下部電極ブロック310との間の接触面積をそれぞれ向上するために設けられている。
図5の(b)図に示す、第1金属ブロック311と第2金属ブロック313との間にDBCシート312を挟む構造の本実施形態の下部電極ブロック310を用いる場合、DBCシート312の窒化アルミニウム312b(図1参照)に対し、第1金属ブロック311から加わる熱的応力と第2金属ブロック313から加わる熱的応力とが相殺されるため、窒化アルミニウム312bの反りを抑え、DBCシート312にほとんど反りを生じない。
このように、本実施形態に係るレーザ装置1000は、下部電極ブロック310と水冷ジャケット100との接触面積が減少するのを抑制できるため、半導体レーザモジュール300が十分にかつ安定して冷却され、半導体レーザ素子330の高出力化が図れる。また、半導体レーザ素子330の光出射性能が安定し、レーザ装置1000の長期使用時の動作寿命を維持できる。
水冷ジャケット100の上面120と半導体レーザモジュール300の下部電極ブロック310との間にInシート200が介在していることが好ましい。
このようにすることで、水冷ジャケット100と下部電極ブロック310との接触面積を安定化でき、半導体レーザモジュール300が十分にかつ安定して冷却され、半導体レーザ素子330の高出力化が図れる。また、半導体レーザモジュール300の取り付け時に、下部電極ブロック310にわずかな反りが生じているような場合にも、水冷ジャケット100と下部電極ブロック310との間にInシート200を設けることにより、その接触面積を維持できる。
下部電極ブロック310が有する、第1金属ブロック311の厚さは第2金属ブロック313の厚さに等しいことが好ましい。
このようにすることで、第1金属ブロック311と第2金属ブロック313との間に挟まれるDBCシート312において、DBCシート312の絶縁性セラミックである窒化アルミニウム312bが第1金属ブロック311及び第2金属ブロック313のそれぞれから受ける熱的応力が確実に相殺される。このことにより、半導体レーザモジュール300が十分にかつ安定して冷却され、半導体レーザ素子330の高出力化が図れる。また、半導体レーザ素子330の光出射性能が安定し、レーザ装置1000の長期使用時の動作寿命を維持できる。
また、DBCシート(絶縁シート)312は、所定の絶縁耐圧と所定の熱伝導性を有するものとして、絶縁性セラミックが金属層で挟み込まれた積層体であり、窒化アルミニウム312bが銅層312aで挟み込まれた積層体であるのが好ましい。
絶縁性セラミックとして窒化アルミニウム312bを用いることで、DBCシート(絶縁シート)312の熱伝導性を高められ、半導体レーザモジュール300から水冷ジャケット100への熱排出効率を高められる。また、DBCシート312は、工業上、広く用いられているため、下部電極ブロック310を安価に製造できる。
第1金属ブロック311及び第2金属ブロック313を構成する主な材料は銅であることが好ましい。
このようにすることで、半導体レーザモジュール300の下部電極ブロック310として、電気抵抗を低くできるとともに熱伝導性を高められる。このことにより、半導体レーザ素子330を有する半導体レーザモジュール300が十分にかつ安定して冷却され、半導体レーザ素子330の高出力化が図れる。
水冷ジャケット100は、内部に冷媒が流れる流路110を有している。このことにより、半導体レーザモジュール300から水冷ジャケット100及び外部への熱排出効率をより高められ、半導体レーザ素子330の高出力化が図れる。また、半導体レーザ素子330の光出射性能が安定し、レーザ装置1000の長期使用時の動作寿命を維持できる。
(その他の実施形態)
なお、本実施形態では、水冷ジャケット100と下部電極ブロック310との間にInシート200が介在するようにしたが、特にこれに限定されない。例えば、金からなるシート材や銀からなるシート材等を用いるようにしてもよい。水冷ジャケット100と下部電極ブロック310との間に介在する金属シート材は、電気伝導性及び放熱性が高い材料を用いるのが好ましい。また、水冷ジャケット100と下部電極ブロック310との間の接触性を向上させる程度に軟らかい材料であることが好ましい。
また、本実施形態では、放熱部品として水冷ジャケット100を用いる例を示したが、例えば、銅等の板材からなるヒートシンクを用いるようにしてもよい。この場合、ヒートシンクの内部に冷媒が流れる流路110が設けられていなくてもよい。
本発明のレーザ装置は、半導体レーザモジュールが十分にかつ安定して冷却できるため、高出力のレーザ装置を適用する上で有用である。
100 水冷ジャケット(放熱部品)
110 流路
120 水冷ジャケットの上面
200 Inシート(金属シート)
300 半導体レーザモジュール
310 下部電極ブロック
311 第1金属ブロック
312 DBCシート(絶縁シート)
312a 銅層
312b 窒化アルミニウム(絶縁性セラミック)
313 第2金属ブロック
320 サブマウント
330 半導体レーザ素子
345 絶縁板
350 上部電極ブロック
400 絶縁シート
1000 レーザ装置

Claims (6)

  1. 放熱部品と前記放熱部品の上面に取り付けられた半導体レーザモジュールとを少なくとも備えたレーザ装置であって、
    前記半導体レーザモジュールは、
    前記放熱部品の上面に取り付けられた下部電極ブロックと、
    前記下部電極ブロックに電気的に接続されたサブマウントと、
    前記サブマウントに配設され、前記下部電極ブロックに電気的に接続された半導体レーザ素子と、
    前記下部電極ブロックとで前記サブマウント及び前記半導体レーザ素子を挟持するように設けられ、前記半導体レーザ素子に電気的に接続される一方、前記下部電極ブロックと電気的に絶縁された上部電極ブロックと、を少なくとも有し、
    前記下部電極ブロックは、第1金属ブロックと所定の熱伝導性を有する絶縁シートと第2金属ブロックとがこの順に積層された構造を有していることを特徴とするレーザ装置。
  2. 請求項1に記載のレーザ装置において、
    前記放熱部品の上面と前記下部電極ブロックとの間に金属シートが介在していることを特徴とするレーザ装置。
  3. 請求項1または2に記載のレーザ装置において、
    前記第1金属ブロックの厚さは前記第2金属ブロックの厚さに等しいことを特徴とするレーザ装置。
  4. 請求項1ないし3のいずれか1項に記載のレーザ装置において、
    前記放熱部品は、内部に冷媒が流れる流路を有していることを特徴とするレーザ装置。
  5. 請求項1ないし4のいずれか1項に記載のレーザ装置において、
    前記絶縁シートは、絶縁性セラミックが金属層で挟み込まれた積層体であることを特徴とするレーザ装置。
  6. 請求項5に記載のレーザ装置において、
    前記第1金属ブロック及び前記第2金属ブロックを構成する主な材料は銅であり、
    前記絶縁シートは、窒化アルミニウムが銅層で挟み込まれた積層体であることを特徴とするレーザ装置。
JP2019155902A 2019-08-28 2019-08-28 レーザ装置 Pending JP2021034654A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019155902A JP2021034654A (ja) 2019-08-28 2019-08-28 レーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019155902A JP2021034654A (ja) 2019-08-28 2019-08-28 レーザ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021034654A true JP2021034654A (ja) 2021-03-01

Family

ID=74677729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019155902A Pending JP2021034654A (ja) 2019-08-28 2019-08-28 レーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2021034654A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023032903A1 (ja) * 2021-08-30 2023-03-09 三菱電機株式会社 半導体レーザモジュール、レーザ発振器およびレーザ加工装置

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0537089A (ja) * 1991-07-25 1993-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JP2003086883A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Sony Corp 半導体レーザ装置
US20050141575A1 (en) * 2003-12-22 2005-06-30 Dirk Lorenzen Diode laser subelement and arrangements with such diode laser subelement
JP2008258489A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JP2010283197A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Mitsubishi Electric Corp レーザダイオード装置およびレーザダイオード装置の製造方法
JP2013211546A (ja) * 2012-02-29 2013-10-10 Hitachi Metals Ltd セラミックス−銅接合体およびその製造方法
US9001856B1 (en) * 2014-03-20 2015-04-07 Coherent, Inc. Diode laser bar mounted on a copper heat-sink
CN105244756A (zh) * 2015-11-24 2016-01-13 山东华光光电子有限公司 一种微通道半导体激光器的烧结夹具及其烧结方法
WO2016103536A1 (ja) * 2014-12-26 2016-06-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体装置
WO2017141894A1 (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 三菱電機株式会社 半導体レーザ光源装置
WO2017183300A1 (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2018113377A (ja) * 2017-01-12 2018-07-19 三菱電機株式会社 レーザー光源装置
WO2019009172A1 (ja) * 2017-07-07 2019-01-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体レーザ装置
WO2019009086A1 (ja) * 2017-07-07 2019-01-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体レーザ装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0537089A (ja) * 1991-07-25 1993-02-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JP2003086883A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Sony Corp 半導体レーザ装置
US20050141575A1 (en) * 2003-12-22 2005-06-30 Dirk Lorenzen Diode laser subelement and arrangements with such diode laser subelement
JP2008258489A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JP2010283197A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Mitsubishi Electric Corp レーザダイオード装置およびレーザダイオード装置の製造方法
JP2013211546A (ja) * 2012-02-29 2013-10-10 Hitachi Metals Ltd セラミックス−銅接合体およびその製造方法
US9001856B1 (en) * 2014-03-20 2015-04-07 Coherent, Inc. Diode laser bar mounted on a copper heat-sink
WO2016103536A1 (ja) * 2014-12-26 2016-06-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体装置
CN105244756A (zh) * 2015-11-24 2016-01-13 山东华光光电子有限公司 一种微通道半导体激光器的烧结夹具及其烧结方法
WO2017141894A1 (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 三菱電機株式会社 半導体レーザ光源装置
WO2017183300A1 (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2018113377A (ja) * 2017-01-12 2018-07-19 三菱電機株式会社 レーザー光源装置
WO2019009172A1 (ja) * 2017-07-07 2019-01-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体レーザ装置
WO2019009086A1 (ja) * 2017-07-07 2019-01-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 半導体レーザ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023032903A1 (ja) * 2021-08-30 2023-03-09 三菱電機株式会社 半導体レーザモジュール、レーザ発振器およびレーザ加工装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210057878A1 (en) Semiconductor laser device
JP7022901B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP7174899B2 (ja) 半導体レーザ装置
CN108604768B (zh) 半导体激光器装置及其制造方法
WO2016063814A1 (ja) レーザ光源装置
JP2016054279A (ja) 半導体レーザ
JP6580244B2 (ja) 半導体レーザ光源装置
JP6604926B2 (ja) 半導体モジュール
JP6576137B2 (ja) 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法
JP5381353B2 (ja) レーザダイオード装置
JP2021034654A (ja) レーザ装置
JP2006190728A (ja) 電力用半導体装置
JP2018113377A (ja) レーザー光源装置
JP2015176975A (ja) 半導体装置
WO2021044698A1 (ja) 半導体レーザ装置
JP4543651B2 (ja) ヒートシンク並びにヒートシンクを備えた光源装置
JP2021163840A (ja) 半導体レーザ装置
WO2021177094A1 (ja) 半導体レーザモジュール
US20230223737A1 (en) Laser module
KR20230126340A (ko) 세라믹 기판 유닛 및 그 제조방법
KR20230105373A (ko) 세라믹 기판 유닛 및 그 제조방법
JP2017059566A (ja) 半導体モジュール
KR20240068192A (ko) 파워모듈용 세라믹 기판 및 그 제조방법
KR20230105364A (ko) 세라믹 기판 유닛 및 그 제조방법
JP2002353405A (ja) パワー半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220411

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230303

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230704