JP2021163840A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数のレーザアッセンブリが集積された半導体レーザ装置において、小型化が可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置１０００は、断面視で楔形状であり、上面とこれに対向する下面が、それぞれ後方から前方に向けて互いに近づくように傾斜した平面である第１基体３００と、第１基体３００の上面に実装された第１レーザアッセンブリ１００と、第１基体３００の下面に実装された第２レーザアッセンブリ２００と、を少なくとも備えている。第１レーザアッセンブリ１００から出射されたレーザ光の光軸は、第１基体３００の上面と略平行であり、第２レーザアッセンブリ２００から出射されたレーザ光の光軸は、第１基体３００の下面と略平行である。【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、半導体レーザ装置に関する。

従来、複数の半導体レーザ素子のそれぞれから出射されたレーザ光を合成して、レーザ加工機等のレーザ光源として利用する技術が知られている。このようなレーザ光源として、半導体レーザ素子を有するレーザ組立体（以下、レーザアッセンブリという）を一方向に複数配列して、複数のレーザアッセンブリのそれぞれから出力されたレーザ光を結合し、出力を高めた半導体レーザ装置が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。

特開２００４−１４６７２０号公報 国際公開第１９９９／０３９４１２号

しかし、１つの半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の出力は、せいぜい数十Ｗ〜百数十Ｗ程度であることが多く、レーザ加工機等で必要とされるｋＷクラスの出力を得ようとすると、特許文献１，２に開示された半導体レーザ装置では、レーザアッセンブリの個数が非常に多くなる。また、レーザアッセンブリの配列方向において、半導体レーザ装置のサイズが大きくなる。一方で、レーザ加工機等の小型化、軽量化の要請に対応して、半導体レーザ装置のさらなる小型化が求められてきている。

本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、その目的は、複数のレーザアッセンブリが集積された半導体レーザ装置において、小型化が可能な半導体レーザ装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本開示に係る半導体レーザ装置は、断面視で楔形状であり、上面とこれに対向する下面が、それぞれ後方から前方に向けて互いに近づくように傾斜した平面である第１基体と、前記第１基体の上面に実装された第１レーザアッセンブリと、前記第１基体の下面に実装された第２レーザアッセンブリと、を少なくとも備え、前記第１レーザアッセンブリから出射されたレーザ光の光軸は、前記第１基体の上面と略平行であり、前記第２レーザアッセンブリから出射されたレーザ光の光軸は、前記第１基体の下面と略平行であることを特徴とする。

本開示によれば、レーザ光の集光位置を簡便に合わせることができ、半導体レーザ装置の小型化が図れる。

実施形態１に係る半導体レーザ装置の斜視図である。 図１ＡのＩＢ−ＩＢでの断面模式図である。 図１ＡのＩＣ−ＩＣでの断面模式図である。 図１Ｂの部分拡大図である。 半導体レーザ装置における放熱に関する部分の寸法関係を示す図である。 実施形態１に係る別の半導体レーザ装置の斜視図である。 図３ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢでの断面模式図である。 図３ＡのＩＩＩＣ−ＩＩＩＣでの断面模式図である。 変形例１に係る半導体レーザ装置の斜視図である。 変形例１に係る半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図である。 変形例１に係る別の半導体レーザ装置の斜視図である。 変形例１に係る別の半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図である。 実施形態２に係る半導体レーザ装置の概略構成図である。 比較のための半導体レーザ装置の概略構成図である。 変形例２に係る半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図である。 変形例２に係る別の半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図である。 変形例２に係るさらなる別の半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図である。 変形例３に係る半導体レーザ装置の概略構成図である。 変形例３に係る半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図である。 変形例３に係る別の半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図である。 実施形態３に係る半導体レーザ装置の斜視図である。 図１１ＡのＸＩＢ−ＸＩＢでの断面模式図である。

以下、本開示の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本開示、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものでは全くない。

（実施形態１）
［半導体レーザ装置の構成］
図１Ａは、本実施形態に係る半導体レーザ装置の斜視図を、図１Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢでの断面模式図を、図１Ｃは、図１ＡのＩＣ−ＩＣでの断面模式図を、図１Ｄは、図１Ｂの部分拡大図をそれぞれ示す。また、図２は、半導体レーザ装置における放熱に関する部分の寸法関係を示す。

なお、以降の説明において、第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００と第１基体３００及び第２基体４００の積層方向を上下方向と呼び、第１基体３００から見て第１レーザアッセンブリ１００が配置された側を上または上方と呼び、第２レーザアッセンブリ２００が配置された側を下または下方と呼ぶことがある。第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００からそれぞれ出射されたレーザ光が向かう方向を前後方向と呼び、前後方向において、第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００のそれぞれの発光部１７（図１Ｃ参照）が配置された側を前または前方と呼び、その反対側を後または後方と呼ぶことがある。また、前後方向は、第１基体３００の厚さが変化する方向でもある。前後方向において、第１基体３００の厚さが薄くなる側を前または前方と呼び、その反対側つまり、第１基体３００の厚さが厚くなる側を後または後方と呼ぶことがある。上下方向及び前後方向とそれぞれ交差する方向を左右方向と呼ぶことがある。

図１Ａ〜１Ｃに示すように、半導体レーザ装置１０００は、第１レーザアッセンブリ１００と第２レーザアッセンブリ２００と第１基体３００と第２基体４００とを有している。また、第１基体３００の上面に第１レーザアッセンブリ１００が、下面に第２レーザアッセンブリ２００がそれぞれ取り付けられている。

図１Ａ，１Ｃに示すように、第１基体３００は、断面視で略楔形状の部品であり、上面が後方から前方にかけて、下方に向けて直線的に傾斜した平面である。また、下面が後方から前方にかけて、上方に向けて直線的に傾斜した平面である。つまり、第１基体３００の上面及び下面は、後方から前方に向かうにつれて互いに近づくように傾斜した平面である。

第１基体３００の前方部分には左右方向に第１基体３００を貫通する冷媒流路３０１が設けられている。図１Ｃに示すように、上方から見て、第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００のそれぞれの発光部１７に対し、冷媒流路３０１が重なるように配置される。冷媒流路３０１には、抵抗率が調整された冷却水等の冷媒が流れて、第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００のそれぞれで発生した熱を外部に排出するように構成されている。また、第１基体３００の材質は銅系合金であり、第１基体３００の表面は、最表面がＡｕ（金）である金属メッキ膜（図示せず）で覆われている。

第１レーザアッセンブリ１００は、半導体レーザ素子１０と、第１電極体２１と、第２電極体２２と、絶縁体３０と、少なくとも有している。

第１レーザアッセンブリ１００の第１電極体２１は、絶縁性接着材４０を介して下面が第１基体３００の上面に接して実装されている。また、第１電極体２１の上面に、半導体レーザ素子１０のｐ側電極１１（図１Ｄ参照）が接合され、半導体レーザ素子１０と第１電極体２１とが電気的に接続されている。

図１Ｄに示すように、半導体レーザ素子１０は、ｐ側電極１１と半導体積層体１２とｎ側電極１４とＡｕバンプ１５とを有している。半導体積層体１２は、発光層である活性層１３を含んだ複数の半導体層の積層体であり、活性層１３を挟んで一方の層がｐ型不純物を含み、他方の層がｎ型不純物を含んでいる。通常、ｐ型不純物を含む層は、ｎ型不純物を含む層よりも薄く、例えば、ｎ型不純物を含む層の数十分の一の厚さに形成される。ｐ側電極１１はｐ型不純物を含む層と、ｎ側電極１４はｎ型不純物を含む層とそれぞれオーミック接触している。ｐ側電極１１及びｎ側電極１４ともに、最表面はＡｕまたはＡｕを主として含む合金である。また、ｎ側電極１４の表面には、複数のＡｕバンプ１５が形成されている。Ａｕバンプ１５の高さは１００μｍ程度である。

第１電極体２１及び第２電極体２２を介して、ｐ側電極１１とｎ側電極１４との間に所定以上の電圧を印加すると、半導体積層体１２に電流が注入されて活性層１３内で発光し、半導体レーザ素子１０の前端面からレーザ光が前方に出射される。図１Ｄに示す発光点１６を含む半導体レーザ素子１０の前方部分が、図１Ｃに示す第１レーザアッセンブリ１００の発光部１７に相当する。これは、第２レーザアッセンブリ２００についても同様に当てはまる。なお、本実施形態において、１つの半導体レーザ素子１０に含まれる発光点１６は、複数であるが１つでもよい。発光点１６が複数ある場合には、それらは左右方向に間隔をあけて配置され、それらの間は左右方向で電気的に分離されている。

また、前述したように、ｐ型不純物を含む層はｎ型不純物を含む層よりも薄いため、半導体レーザ素子１０は、その発光点１６が第２基体４００よりも第１基体３００に近い側に位置するように第１電極体２１の上面に配置されている。また、半導体レーザ素子１０は、その前端面が第１電極体２１の前端面よりもわずかに前方に突き出して第１電極体２１の上面に配置されている。なお、左右方向から見て、半導体レーザ素子１０の前端面が第１電極体２１の前端面が略面一であってもよい。

第１レーザアッセンブリ１００の第２電極体２２は、半導体レーザ素子１０のｎ側電極１４と電気的に接続されるとともに、第１電極体２１とで半導体レーザ素子１０を挟み込むように配置される。

なお、第１電極体２１及び第２電極体２２ともに、第１基体３００及び第２基体４００の後端よりも後方に延びて配置されている。第１電極体２１及び第２電極体２２のそれぞれの後方部分に、給電用の外部配線（図示せず）が接続される。また、半導体レーザ素子１０に大電流を流すため、第１電極体２１及び第２電極体２２ともに、抵抗率が低く、かつ熱伝導率の高い材料であることが好ましい。例えば、無酸素銅や銅系合金等が好適である。ただし、半導体レーザ素子１０に加わる熱的応力を緩和するために、第１電極体２１は、半導体レーザ素子１０と線膨張係数が近い材料、例えば、ＣｕＷやＣｕＭｏ、あるいはＣｕ−ダイヤとしてもよい。また、ｐ側電極１１及びｎ側電極１４やＡｕバンプ１５との良好な接合を確保するために、第１電極体２１及び第２電極体２２ともに、最表面がＡｕであるメッキ膜（図示せず）で覆われている。

絶縁体３０は、第１電極体２１と第２電極体２２とに挟み込まれるとともに、半導体レーザ素子１０の後方にこれと間隔をあけて配置されている。絶縁体３０は、第１電極体２１と第２電極体２２とを電気的に絶縁するとともに、第１電極体２１と第２電極体２２との上下方向の間隔を保つために設けられている。このため、絶縁体３０の材質として、寸法の温度変化を生じにくい材料、例えば、ＳｉＣやＡｌＮが用いられる。また、これらの材料は、他の絶縁材料に比べて熱伝導性にも優れるため、給電により第１電極体２１や第２電極体２２に生じた熱を、絶縁体３０を介して第１基体３００に排出することもできる。なお、第１電極体２１及び第２電極体２２と強固に接合させるために、絶縁体３０の表面を最表面がＡｕである金属メッキ膜（図示せず）で覆うようにしてもよい。絶縁体３０の表面を金属メッキ膜で覆うことにより、第２電極体２２から絶縁体３０と第１電極体２１とを介して第１基体３００に排出される排熱量を大きくできる。

なお、半導体レーザ素子１０と第２電極体２２とは上下方向に１００μｍ程度の間隔をあけて配置されている。第２電極体２２をＡｕバンプ１５に圧接することで、半導体レーザ素子１０が第２電極体２２に電気的に接続される。また、半導体レーザ素子１０が第２電極体２２と間隔をあけて配置されていること及び第１電極体２１と第２電極体２２との間に絶縁体３０が配置されていることにより、第１電極体２１及び第２電極体２２が半導体レーザ素子１０を上下方向から直接に強固に挟むことがない。このため、半導体レーザ素子１０に加わる実装応力を小さくして、半導体レーザ素子１０、ひいては半導体レーザ装置１０００の故障を抑制し、長期使用時の信頼性を向上できる。なお、Ａｕバンプ１５に代えて、ｎ側電極１４の表面にループ状のＡｕワイヤ（図示せず）を接合し、これに第２電極体２２を圧接するようにしてもよい。このようにすることで、半導体レーザ素子１０に加わる実装応力をさらに小さくできる。

第２レーザアッセンブリ２００は、第１レーザアッセンブリ１００と同様の構造を有しており、半導体レーザ素子１０と、第１電極体２１と、第２電極体２２と、絶縁体３０と、少なくとも有している。

ただし、図１Ａ〜１Ｃに示すように、第１レーザアッセンブリ１００と第２レーザアッセンブリ２００とは第１基体３００を挟んで上下対称となるように、第１基体３００にそれぞれ実装されている。

つまり、第２レーザアッセンブリ２００の第１電極体２１は、その上面が絶縁性接着材４０を介して第１基体３００に実装され、下面に半導体レーザ素子１０のｐ側電極１１が接合されている。また、第２レーザアッセンブリ２００の第２電極体２２は、その上面に半導体レーザ素子１０のＡｕバンプ１５が圧接され、下面に絶縁性接着材５０を介して第２基体４００が実装されている。

第２基体４００は、絶縁性接着材５０を介して、第２電極体２２の半導体レーザ素子１０と電気的に接続される面と対向する面に実装されている。第２基体４００の材質は、第１基体３００と同様に銅系合金である。

図１Cに示すように、左右方向から見て、第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００は、それぞれの第１電極体２１及び第２電極体２２の前端面の位置が第１基体３００及び第２基体４００のそれぞれの前端面の位置と揃うように配置されている。よって、第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００のそれぞれに設けられた半導体レーザ素子１０の前端面は、第１基体３００及び第２基体４００のそれぞれの前端面よりもわずかに前方に突き出すように配置されている。また、第１基体３００や第２基体４００の前端面を光学部品配設部３０４，４０１として利用できる。

例えば、第１基体３００や第２基体４００の光学部品配設部３０４，４０１に、図１Ｃに破線で示すように、レンズユニット（光学部品）５００をそれぞれ取り付けることが容易となる。半導体レーザ素子１０から出射されるレーザ光は、光照射面で楕円形状となるため、例えば、レーザ加工に用いる場合には、レーザ光の形状を整形する必要がある。発光点１６の近傍にレンズユニット５００を配置することで、レーザ光の形状を整形することが容易となる。また、レーザ光の光軸調整が容易に行える。これに限られず、別の光学部品を第１基体３００や第２基体４００の光学部品配設部３０４，４０１に取り付けてもよい。

また、図２に示すように、半導体レーザ素子１０で発生した熱は、第１電極体２１と第１基体３００とを通って、冷媒流路３０１に到達し、冷媒とともに外部に排出される。この放熱経路は、図２に破線で示した領域の内側である。よって、半導体レーザ素子１０から外部に十分に熱を排出するためには、第１基体３００の左右方向の幅Ｗ１は、半導体レーザ素子１０の左右方向の幅をＷとし、冷媒流路３０１の内周面から半導体レーザ素子１０のｐ側電極１１までの上下方向に沿った長さを放熱経路長Ｔ１とするとき、以下の式（１）の関係を満たすことが好ましい。

Ｗ１＝Ｗ＋２×Ｔ１ ・・・（１）

なお、本実施形態において、第１電極体２１の厚さは３ｍｍ、半導体レーザ素子１０の左右方向の幅Ｗは１０ｍｍであり、第２電極体２２の左右方向の幅は最大で１６ｍｍ程度である。また、第１基体３００の左右方向の幅Ｗ１は最大で１８ｍｍ程度である。つまり、第１基体３００は、第１電極体２１の左右両側にそれぞれ１ｍｍ程度突き出している。なお、半導体レーザ装置１０００の仕様等に応じて、これらの値は適宜変更されうる。その場合も式（１）の関係を満たすことが好ましい。

図１Ａ〜１Ｃに示す半導体レーザ装置１０００において、第１レーザアッセンブリ１００から出射されるレーザ光は、第１基体３００の上面と略平行な方向であって、前方に出射される。同様に、第２レーザアッセンブリ２００から出射されるレーザ光は、第１基体３００の下面と略平行な方向であって、前方に出射される。つまり、第１レーザアッセンブリ１００から出射されるレーザ光の光軸は、第１基体３００の上面と略平行であり、第２レーザアッセンブリ２００から出射されるレーザ光は、第１基体３００の下面と略平行である。

前述したように、第１基体３００の上面及び下面は、後方から前方に向かうにつれて互いに近づくように傾斜した平面である。よって、第１レーザアッセンブリ１００と第２レーザアッセンブリ２００から出射されるそれぞれのレーザ光は、所定の集光位置Ｐ１（図１Ｃ参照）で上下方向に重なり合って集光される。さらに、第１レーザアッセンブリ１００と第２レーザアッセンブリ２００の半導体レーザ素子１０は、左右方向にそれぞれの発光点１６の位置を揃えて配置されている。よって、それぞれのレーザ光は、所定の集光位置Ｐ１（図１Ｃ参照）で左右方向にも重なり合って集光される。

［効果等］
以上説明したように、本実施形態に係る半導体レーザ装置１０００は、断面視で楔形状であり、上面とこれに対向する下面が、それぞれ後方から前方に向けて互いに近づくように傾斜した平面である第１基体３００と、第１基体３００の上面に実装された第１レーザアッセンブリ１００と、第１基体３００の下面に実装された第２レーザアッセンブリ２００と、を少なくとも備えている。

第１レーザアッセンブリ１００から出射されたレーザ光の光軸は、第１基体３００の上面と略平行であり、第２レーザアッセンブリ２００から出射されたレーザ光の光軸は、第１基体３００の下面と略平行である。

半導体レーザ装置１０００をこのように構成することで、第１レーザアッセンブリ１００から出射されたレーザ光と第２レーザアッセンブリ２００から出射されたレーザ光とを所定の集光位置Ｐ１に簡便に集光させることができる。このことにより、同じ出力のレーザ光を得るにあたって、半導体レーザ装置１０００のサイズを小さくできる。つまり、半導体レーザ装置１０００の小型化が図れる。

第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００はそれぞれ、半導体レーザ素子１０と、第１電極体２１と、第２電極体２２と、絶縁体３０と、少なくとも有している。第１電極体２１は、一方の面に第１基体３００が実装され、一方の面と対向する他方の面に半導体レーザ素子１０が接合されている。半導体レーザ素子１０は、発光点１６が第２基体４００よりも第１基体３００に近い側に位置するように第１電極体２１に接合されている。第２電極体２２は、半導体レーザ素子１０に電気的に接続されるとともに、第１電極体２１とで半導体レーザ素子１０を挟み込むように配置されている。絶縁体３０は、第１電極体２１と第２電極体２２とに挟み込まれて、半導体レーザ素子１０の後方に配置されている。

第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００をこのように構成することで、動作中に半導体レーザ素子１０で発生した熱を第１電極体２１及び第２電極体２２を介して効率よく第１基体３００に排出することができる。特に、半導体レーザ素子１０の発光点１６が第２基体４００よりも第１基体３００に近い側に位置するように、半導体レーザ素子１０を第１電極体２１に接合することで、半導体レーザ素子１０で発生した熱を速やかに第１基体３００に排出することができ、第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００の排熱効率を高められる。また、前述のように絶縁体３０を配置することで、第１電極体２１と第２電極体２２との間を確実に絶縁できる。また、第１電極体２１と第２電極体２２との上下方向の間隔を保って、半導体レーザ素子１０に加わる実装応力を小さくし、半導体レーザ装置１０００の故障抑制や長期使用時の信頼性向上が図れる。

第１基体３００の内部には冷媒流路３０１が形成されており、冷媒流路３０１は、左右方向に延び、かつ上方から見て、第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００の発光部１７とそれぞれ重なるように配置された部分を有している。

冷媒流路３０１をこのように形成し、配置することで、第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００のそれぞれにおいて、半導体レーザ素子１０で発生した熱を第１電極体２１を介して速やかに外部に排出することができる。特に、上方から見て、第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００の発光部１７とそれぞれ重なるように、冷媒流路３０１を設けることで、発熱部である第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００の発光部１７との距離を縮められ、排熱効率をより高められる。このことにより、半導体レーザ装置１０００、特に半導体レーザ素子１０の温度上昇が抑制でき、光出射特性を安定化できる。また、温度上昇に起因した半導体レーザ装置１０００の信頼性の低下を抑制できる。

第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００には、第１基体３００に実装された面と対向する面にそれぞれ第２基体４００が実装されている。

第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００のそれぞれに第２基体４００を実装することで、第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００を機械的に保護できる。また、絶縁性接着材５０の材質や厚さによっては、第２基体４００へ半導体レーザ素子１０で発生した熱を排出することも可能である。

なお、第２基体４００を、最表面がＡｕである金属メッキ膜（図示せず）で表面が覆われた構造とし、絶縁性接着材５０に代えて導電性接合材を用いると、第２電極体２２と第２基体４００との間の熱伝導性をより高めることができる。このことにより、半導体レーザ素子１０で発生した熱を第２電極体２２から排出する排熱効率をさらに高められる。なお、この場合、第２基体４００にも電流が流れるので、注意が必要である。

なお、図３Ａ〜３Ｃに示すように、１つの第１基体３１０に複数の第１レーザアッセンブリ１００と第２レーザアッセンブリ２００とが実装されていてもよい。図３Ａは、本実施形態に係る別の半導体レーザ装置の斜視図を、図３Ｂは、図３ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢでの断面模式図を、図３Ｃは、図３ＡのＩＩＩＣ−ＩＩＩＣでの断面模式図をそれぞれ示す。

図３Ａ〜３Ｃに示す例では、１つの第１基体３１０の上面に、左右方向に互いに間隔をあけて３つの第１レーザアッセンブリ１００が実装されている。同様に、第１基体３１０の下面に、左右方向に互いに間隔をあけて３つの第２レーザアッセンブリ２００が実装されている。上下方向で互いに対向する第１レーザアッセンブリ１００と第２レーザアッセンブリ２００とは、それぞれの発光部１７、具体的には、半導体レーザ素子１０の発光点１６が、上方から見て、互いに重なるように配置されている。また、３つの第１レーザアッセンブリ１００に対して共通の第２基体４１０が実装されている。同様に、３つの第２レーザアッセンブリ２００に対して共通の第２基体４１０が実装されている。また、第１基体３１０には、１つの冷媒流路３１１が設けられている。冷媒流路３１１は、上方から見て、３つの第１レーザアッセンブリ１００の発光部１７及び３つの第２レーザアッセンブリ２００の発光部１７とそれぞれ重なる部分を有している。このことにより、３組の第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００のそれぞれで発生した熱が、第１基体３１０を介して冷媒流路３１１を流れる冷媒により速やかに外部に排出される。

図３Ａ〜３Ｃに示す半導体レーザ装置１０００において、上方から見て互いに重なるように配置された第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００のそれぞれから出射されたレーザ光を所定の集光位置に簡便に集光させることができる。また、同じ出力のレーザ光を得るにあたって、半導体レーザ装置１０００のサイズを小さくできる。つまり、半導体レーザ装置１０００の小型化が図れる。また、１つの第１基体３１０に複数の第１レーザアッセンブリ１００と第２レーザアッセンブリ２００とを実装することで、半導体レーザ装置１０００を構成する部品点数を削減できる。また、組立工数を低減できる。また、複数の第１レーザアッセンブリ１００に共通して１つの第２基体４１０を実装し、かつ複数の第２レーザアッセンブリ２００に共通して１つの第２基体４１０を実装することによっても、半導体レーザ装置１０００の部品点数の削減及び組立工数の低減が図れる。

なお、図３Ａ〜３Ｃでは、１つの第１基体３１０に３つの第１レーザアッセンブリ１００と３つの第２レーザアッセンブリ２００とをそれぞれ実装する例を示したが、特にこれに限定されず、１つの第１基体３１０に２つ、または４つ以上の第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００をそれぞれ実装してもよい。

＜変形例１＞
図４Ａは、本変形例に係る半導体レーザ装置の斜視図を、図４Ｂは、本変形例に係る半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図をそれぞれ示す。図５Ａは、本変形例に係る別の半導体レーザ装置の斜視図を、図５Ｂは、本変形例に係る別の半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図をそれぞれ示す。なお、図４Ａ〜５Ｂ及び以降に示す各図面において、実施形態１と同様の箇所については同一の符号を付して詳細な説明を省略する。

１つの半導体レーザ素子１０の出力が数十Ｗ〜百数十Ｗ程度になる場合、動作時に半導体レーザ素子１０に流れる電流も数十Ａ〜数百Ａと大きくなることがある。このため、第１レーザアッセンブリ１００や第２レーザアッセンブリ２００のサイズによっては、第１電極体２１及び第２電極体２２で発生するジュール熱が大きくなり、半導体レーザ素子１０への熱的影響が無視できなくなる場合がある。

このような場合、例えば、図４Ａ，４Ｂに示すように、前後方向に互いに間隔をあけて第１基体３００に複数の冷媒流路３０２ａ〜３０２ｃを含む冷媒流路３０２を設けることにより、第１レーザアッセンブリ１００や第２レーザアッセンブリ２００の発光部１７直下の第１電極体２１だけでなく、その後方部分も冷媒流路３０２に流れる冷媒により冷却することができ、ひいては、半導体レーザ素子１０の動作中の温度上昇を抑制できる。なお、冷媒流路３０２ａが、図１Ａ〜図１Ｃに示す冷媒流路３０１に相当する。また、絶縁体３０として、ＡｌＮやＳｉＣ等の熱伝導性の高い材料を用いる場合、絶縁体３０を介して、第２電極体２２も冷却することができる。これらのことにより、半導体レーザ素子１０の温度上昇が抑制でき、光出射特性を安定化できる。また、半導体レーザ素子１０や第１電極体２１及び第２電極体２２の温度上昇に起因した半導体レーザ装置の信頼性の低下を抑制できる。

また、図５Ａ，５Ｂに示すように、冷媒流路３０３を、左右方向に延びる第１流路３０３ａと、第１流路３０３ａと連通し、前後方向に延びる第２流路３０３ｂと、を有する構成としてもよい。

このようにすることで、図４Ａ，４Ｂに示すのと同様に、第１レーザアッセンブリ１００や第２レーザアッセンブリ２００の発光部１７直下の第１電極体２１だけでなく、その後方部分も冷媒流路３０３の第２流路３０３ｂに流れる冷媒により冷却することができる。また、熱伝導性の高い絶縁体３０を介して、第２電極体２２も冷却することができる。これらのことにより、半導体レーザ素子１０の温度上昇が抑制でき、光出射特性を安定化できる。また、半導体レーザ装置１０００の信頼性の低下を抑制できる。

（実施形態２）
図６は、本実施形態に係る半導体レーザ装置の概略構成図を、図７は、比較のための半導体レーザ装置の概略構成図をそれぞれ示す。

図７に示す半導体レーザ装置２１００では、一方向に複数配置された半導体レーザ装置１０００と、複数の半導体レーザ装置１０００のそれぞれに対応させて複数の反射体６００を配置する。このときの半導体レーザ装置１０００は、１つの第１基体３００に１つの半導体レーザ素子１０が配置された構成である。また、複数の反射体６００は、集光位置Ｐ２を中心に等距離の位置にそれぞれ配置される。

複数の半導体レーザ装置１０００のそれぞれからレーザ光を出射し、レーザ光のそれぞれの光路中に配置された反射体６００の角度を調整することで、同じ集光位置Ｐ２に複数のレーザ光を集光させることができる。このことにより、ｋＷクラスの非常に大きな出力のレーザ光を得ることができる。しかし、図７に示す構成では、半導体レーザ装置２０００を小型化することは難しい。

一方、図６に示す本実施形態の半導体レーザ装置２０００によれば、複数の半導体レーザ装置１０００のそれぞれを図１Ａ〜図１Ｃに示す構成としている。このことにより、第１基体３００の上面に実装された第１レーザアッセンブリ１００から出射されるレーザ光と第１基体３００の下面に実装された第２レーザアッセンブリ２００から出射されるレーザ光とを同じ集光位置Ｐ１に集光させることができる。

また、複数の第１レーザアッセンブリ１００が、左右方向に互いに間隔をあけて配置されるとともに、複数の第２レーザアッセンブリ２００が、左右方向に互いに同じ間隔をあけて配置されている。例えば、前述の集光位置Ｐ１に反射体６００を設け、その配置角度を調整することで、複数の半導体レーザ装置１０００のそれぞれから出射されたレーザ光を同じ集光位置Ｐ２に集光でき、ｋＷクラスの非常に大きな出力のレーザ光を得ることができる。言い換えると、反射体６００で反射されたそれぞれのレーザ光が集光位置Ｐ２に集光されるように、複数の第１レーザアッセンブリ１００と複数の第２レーザアッセンブリ２００と複数の反射体６００とが配置されている。

また、半導体レーザ装置１０００は、第１レーザアッセンブリ１００と第２レーザアッセンブリ２００とが第１基体３００を挟んで積層された構造であるため、同じ出力であれば、図７に示す構成に比べて、半導体レーザ装置１０００の配置個数を低減でき、半導体レーザ装置２０００を小型化できる。

なお、図６に示す半導体レーザ装置２０００において、半導体レーザ装置１０００のそれぞれを図３Ａ〜３Ｃに示す構成としてもよい。また、反射体６００は、レーザ光の波長に応じて反射率が最大または極大となるように調整されているのが好ましい。

＜変形例２＞
図８Ａは、本変形例に係る半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図を、図８Ｂは、別の半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図を、図８Ｃは、さらなる別の半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図をそれぞれ示す。なお、図８Ａ〜８Ｃにおいて、冷媒流路３１１の図示を省略している。

図３Ａ〜３Ｃに示す構成では、それぞれ出射されたレーザ光の光軸が略平行となるように、３つの第１レーザアッセンブリ１００が第１基体３１０の上面に実装されている。同様に、それぞれ出射されたレーザ光の光軸が略平行となるように、３つの第２レーザアッセンブリ２００が第１基体３１０の下面に実装されている。

一方、図８Ａ〜８Ｃに示す本変形例の半導体レーザ装置１０００では、複数の第１レーザアッセンブリ１００は、それぞれから出射されたレーザ光の光軸が交差するように第１基体３１０，３２０，３３０の上面にそれぞれ実装されている。また、図示しないが、複数の第２レーザアッセンブリ２００は、それぞれから出射されたレーザ光の光軸が交差するように第１基体３１０，３２０，３３０の下面にそれぞれ実装されている。

例えば、図８Ａに示すように、第１基体３１０の上面に３つの第１レーザアッセンブリ１００が実装される場合、真ん中に位置する第１レーザアッセンブリ１００のレーザ光の光軸を基準として、左右対称となるように、第１レーザアッセンブリ１００がそれぞれ配置されている。このとき、真ん中に位置する第１レーザアッセンブリ１００のレーザ光の光軸とその隣の第１レーザアッセンブリ１００のレーザ光の光軸とがなす角度をθ１としている。

半導体レーザ装置１０００をこのように構成することで、左右方向に配列して配置された第１レーザアッセンブリ１００のそれぞれから出射されたレーザ光を同じ位置に集光することができる。また、同様に、左右方向に配列して配置された第２レーザアッセンブリ２００のそれぞれから出射されたレーザ光を同じ位置に集光することができる。さらに、前述したように、上下方向に積層された第１レーザアッセンブリ１００と第２レーザアッセンブリ２００のそれぞれから出射されたレーザ光は同じ位置に集光される。

よって、図８Ａに示す構成によれば、第１基体３１０に実装された３組の第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００の配置関係を適切に設定することで、計６つのレーザアッセンブリのそれぞれから出射されたレーザ光を同じ位置に集光することができる。

なお、図８Ａに示す構成は、第１基体３１０の平面形状が長方形である一方、図８Ｂに示す構成は、第１基体３２０の平面形状が台形である。また、図８Ｃに示す構成は、第１基体３２０の平面形状が略扇形状である。しかし、３つの第１レーザアッセンブリ１００の配置関係は、図８Ａ〜８Ｃに示す構成とも同じである。また、図示しないが、３つの第２レーザアッセンブリ２００の配置関係も、図８Ａ〜８Ｃに示す構成とも同じである。つまり、図８Ｂ及び図８Ｃに示す構成においても、１つの第１基体３２０，３３０に実装された計６つのレーザアッセンブリのそれぞれから出射されたレーザ光を同じ位置に集光することができる。

なお、本変形例において、第１レーザアッセンブリ１００のレーザ光の光軸は、当該第１レーザアッセンブリ１００の前端面における中点と後端面における中点とを通る第２仮想線Ａ２と略一致している。したがって、前述の角度θ１は、互いに隣り合う第１レーザアッセンブリ１００において、それぞれの前端面における中点と後端面における中点とを通る第２仮想線Ａ２同士がなす角度であると言える。

なお、第２レーザアッセンブリ２００のレーザ光の光軸が、当該第２レーザアッセンブリ２００の前端面における中点と後端面における中点とを通る仮想線と略一致しており、上方から見て当該仮想線が第２仮想線Ａ２と重なっていることは言うまでもない。

なお、本変形例において、第１基体３１０，３２０，３３０にそれぞれ実装される第１レーザアッセンブリ１００の個数は３つであったが、特にこれに限定されず、１つの第１基体３１０，３２０，３３０に２つ、または４つ以上の第１レーザアッセンブリ１００をそれぞれ実装してもよい。同様に、１つの第１基体３１０，３２０，３３０に２つ、または４つ以上の第２レーザアッセンブリ２００をそれぞれ実装してもよい。

また、図８Ｂ及び図８Ｃに示す構成では、上方から見て、第１基体３２０，３３０の前端面における中点と後端面における中点とを通る第１仮想線Ａ１と第１基体３２０，３３０の側面とがなす角度をθ２とするとき、角度θ１と角度θ２とは、式（２）または式（３）に示す関係を満たしている。

θ２＝（ｎ／２）θ１＋（１／２）×θ１＝（（ｎ＋１）／２）×θ１ ・・・（２）
θ２＝（（ｍ−１）／２）θ１＋（１／２）×θ１＝（ｍ／２）×θ１ ・・・（３）

ここで、ｍ，ｎは、１つの第１基体３２０，３３０に実装される第１レーザアッセンブリ１００の個数であり、ｍは奇数、ｎは偶数である。

＜変形例３＞
図９は、本変形例に係る半導体レーザ装置の概略構成図を、図１０Ａは、半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図を、図１０Ｂは、別の半導体レーザ装置の要部を上から見た模式図をそれぞれ示す。

図９に示す本変形例の半導体レーザ装置２０００は、反射体６００を設けていない点で図６に示す実施形態２の半導体レーザ装置２０００と異なる。図９に示す複数の半導体レーザ装置１０００のそれぞれは、例えば、図８Ａ〜８Ｃに示す構成となっている。よって、前述したように、１つの半導体レーザ装置１０００から出射される複数のレーザ光は同じ集光位置Ｐ１に集光される。また、図９に示す半導体レーザ装置２０００は、複数の半導体レーザ装置１０００からそれぞれ出射される複数のレーザ光が同じ集光位置Ｐ２に集光されるように、複数の半導体レーザ装置１０００の配置関係が規定されている。

本変形例によれば、実施形態２に示す構成と同様の効果を奏することができる。つまり、複数の半導体レーザ装置１０００のそれぞれから出射されたレーザ光を同じ集光位置Ｐ２に集光でき、ｋＷクラスの非常に大きな出力のレーザ光を得ることができる。

また、図６に示す構成に比べて、反射体６００を省略できるため、半導体レーザ装置２０００のさらなる小型化が図れる。ただし、図６に示すように反射体６００を設けるのか、あるいは、図９に示すように反射体６００を省略するのかは、半導体レーザ装置２０００のサイズ設定や、トータルのレーザ光出力の設定値等により適宜選択されるものである。

また、図９に示す半導体レーザ装置２０００において、複数のレーザ光を同じ集光位置Ｐ２に集光させるためには、上方から見て、複数の第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００における発光点１６が、同じ円弧上か楕円弧上、または多角形の外周上にそれぞれ配置されているのが好ましい。

図１０Ａは、図８Ａに示す構成の半導体レーザ装置１０００が互いに隣り合う構造を示している。なお、図１０Ａに示す第１基体３１０は、図４Ａ，４Ｂに示すのと同様に３本の冷媒流路３１２ａ〜３１２ｃを含む冷媒流路３１２を有している。

図１０Ａに示す第１基体３１０の平面形状は、長方形であるため、それぞれの第１レーザアッセンブリ１００における発光点１６を前述の位置に配置すると、第１基体３１０の間に隙間が生じる。充填材等でこの隙間を埋めるとともに、第１基体３１０同士を接続することで、図９に示す半導体レーザ装置２０００が構成される。ただし、この場合は、冷媒流路３１２同士、例えば、冷媒流路３１２ｃ同士を接続するのに別工程が必要となる。

一方、図１０Ｂは、図８Ｂに示す構成の半導体レーザ装置１０００が互いに隣り合う構造を示している。なお、図１０Ｂに示す第１基体３２０は、図１０Ａに示すのと同様に３本の冷媒流路３２１ａ〜３２１ｃを含む冷媒流路３２１を有している。

図１０Ｂに示す第１基体３２０の平面形状は、台形である。また、前述したように、角度θ２が規定されている。この場合、第１基体３２０の最も外側に位置する第１レーザアッセンブリ１００の第２仮想線Ａ２と第１基体３２０の側面とがなす角度は、（１／２）×θ１となる。よって、２つの半導体レーザ装置１０００をそれぞれの第１基体３２０の側面同士が接するように配置することで、隙間が生じることなく２つの第１基体３２０を接続できる。また、２つの第１基体３２０に跨って互いに隣り合う第１レーザアッセンブリ１００の第２仮想線Ａ２、言い換えるとレーザ光の光軸間の角度はθ１に一致する。

つまり、図１０Ｂに示す構成によれば、互いに隣り合う第１レーザアッセンブリ１００におけるレーザ光の光軸間の角度は一定（＝θ１）となる。このことにより、複数のレーザ光を同じ集光位置Ｐ２に集光させることが容易となる。また、互いに隣り合う第１基体３２０の間に隙間がなくなるため、第１基体３２０同士を、冷媒流路３２１をそれぞれ連通させた状態で接続することができる。このことにより、図９に示す半導体レーザ装置２０００を構成するにあたって、その冷却機構を簡便に構成できる。

なお、図１０Ｂにおいて、それぞれの半導体レーザ装置１０００の第１基体３２０を、図８Ｃに示す構成に代えても、図１０Ｂに示す構成が奏するのと同様の効果を奏することは言うまでもない。また、図１０Ａ、１０Ｂに示すそれぞれの第１基体３１０，３２０において、冷媒流路３１２，３２１は１本でもよい。

（実施形態３）
図１１Ａは、本実施形態に係る半導体レーザ装置の斜視図を、図１１Ｂは、図１１ＡのＸＩＢ−ＸＩＢでの断面模式図をそれぞれ示す。

図１１Ａ，１１Ｂに示す本実施形態の半導体レーザ装置１１００は、第１レーザアッセンブリ１１０及び第２レーザアッセンブリ２１０ともに、第１電極体２３と第２電極体２４との間に、左右方向に互いに間隔をあけて複数の半導体レーザ素子１０が配置されて構成されている点で、図３Ａ〜３Ｃに示す半導体レーザ装置１０００と異なる。

つまり、本実施形態の半導体レーザ装置１１００では、共通の第１電極体２３及び第２電極体２４に電気的に接続されることで、第１レーザアッセンブリ１１０に含まれる複数の半導体レーザ素子１０が並列接続されている。同様に、共通の第１電極体２３及び第２電極体２４に電気的に接続されることで、第２レーザアッセンブリ２１０に含まれる複数の半導体レーザ素子１０が並列接続されている。

本実施形態によれば、特に複数の半導体レーザ素子１０が共通の第１電極体２３に接続され、さらに第１基体３１０に実装されているため、半導体レーザ素子１０で発生した熱を最短経路で冷媒流路３１１に排熱できる。また、それぞれの半導体レーザ素子１０に関する放熱経路間の熱干渉が抑制され、全体としての排熱効率が高められる。

また、図３Ａ〜３Ｃに示す半導体レーザ装置１０００は、複数の第１レーザアッセンブリ１００及び第２レーザアッセンブリ２００のそれぞれに、給電用の外部配線を接続できるため、例えば、第１レーザアッセンブリ１００同士を直列接続したり、第２レーザアッセンブリ２００同士を直列接続したりできる。また、第１レーザアッセンブリ１００と第２レーザアッセンブリ２００とをまとめて直列接続できる。このように、レーザアッセンブリ間の結線に関する自由度が高められる。

一方で、給電用電源の容量等の制約により、多数のレーザアッセンブリを直列接続できないこともある。また、図３Ａ〜３Ｃに示す半導体レーザ装置１０００では、第１レーザアッセンブリ１００や第２レーザアッセンブリ２００を第１基体３１０に実装する組立工数が多くなり、また、部品点数も増加する。

本実施形態によれば、給電用電源の容量が小さい場合にも特別な結線等を行うことなく半導体レーザ装置１１００を動作させることができる。また、組立工数や部品点数の低減が図れる。

なお、図１１Ａ，１１Ｂに示す構成では、複数の半導体レーザ素子１０のそれぞれに対して、後方に絶縁体３０を配置するようにしたが、共通の絶縁体を複数の半導体レーザ素子１０のそれぞれの後方に配置するようにしてもよい。

（その他の実施形態）
各実施形態及び各変形例に示した各構成要素を適宜組み合わせて、新たな実施形態とすることもできる。例えば、実施形態３に示す半導体レーザ装置１１００の第１基体３１０に、図５Ａに示す変形例１の冷媒流路３０３を設けるようにしてもよい。このようにすることで、変形例１に示す構成が奏するのと同様の効果を奏することができる。また、実施形態３に示す半導体レーザ装置１１００において、左右方向で互いに隣り合う半導体レーザ素子１０のレーザ光の光軸が、変形例２に示す角度θ１をなすように半導体レーザ素子１０を配置してもよい。このようにすることで、例えば、実施形態３に示す半導体レーザ装置１１００を１つまたは一方向に複数配置すると、変形例２に示す構成が奏するのと同様の効果を奏することができる。

また、各変形例及び各実施形態において、第２基体４００，４１０に冷媒流路（図示せず）を設けて、第１レーザアッセンブリ１００，１１０及び第２レーザアッセンブリ２００，２１０からの排熱効率、特に第２電極体２２，２４からの排熱効率を高めるようにしてもよい。その場合、第２基体４００の形状を第１基体３００と同じとしてもよい。第２基体４１０の形状を第１基体３１０，３２０，３３０と同じとしてもよい。また、変形例１に示す冷媒流路３０２や冷媒流路３０３を設けるようにしてもよい。

本開示の半導体レーザ装置は、複数のレーザアッセンブリが集積された半導体レーザ装置の小型化を可能とし、高出力のレーザ加工機等に適用する上で有用である。

１０ 半導体レーザ素子
１１ ｐ側電極
１２ 半導体積層体
１３ 活性層
１４ ｎ側電極
１５ Ａｕバンプ
１６ 発光点
１７ 発光部
２１，２３ 第１電極体
２２，２４ 第２電極体
３０ 絶縁体
４０，５０ 絶縁性接着材
１００，１１０ 第１レーザアッセンブリ
２００，２１０ 第２レーザアッセンブリ
３００，３１０，３２０，３３０ 第１基体
３０１〜３０３，３１１，３２１ 冷媒流路
４００，４１０ 第２基体
５００ レンズユニット（光学部品）
６００ 反射体
１０００ 半導体レーザ装置
２０００ 半導体レーザ装置
Ａ１ 第１仮想線
Ａ２ 第２仮想線
Ｐ１，Ｐ２ 集光位置

Claims (13)

1. 断面視で楔形状であり、上面とこれに対向する下面が、それぞれ後方から前方に向けて互いに近づくように傾斜した平面である第１基体と、
   前記第１基体の上面に実装された第１レーザアッセンブリと、
   前記第１基体の下面に実装された第２レーザアッセンブリと、を少なくとも備え、
   前記第１レーザアッセンブリから出射されたレーザ光の光軸は、前記第１基体の上面と略平行であり、
   前記第２レーザアッセンブリから出射されたレーザ光の光軸は、前記第１基体の下面と略平行であることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
   前記第１レーザアッセンブリ及び前記第２レーザアッセンブリには、前記第１基体に実装された面と対向する面にそれぞれ第２基体が実装されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
3. 請求項１または２に記載の半導体レーザ装置において、
   前記第１基体の内部には冷媒流路が形成されており、
   前記冷媒流路は、上下方向及び前後方向とそれぞれ交差する左右方向に延び、かつ上方から見て、前記第１レーザアッセンブリ及び前記第２レーザアッセンブリの発光部とそれぞれ重なるように配置された部分を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
4. 請求項３に記載の半導体レーザ装置において、
   複数の前記冷媒流路が、前後方向に互いに間隔をあけて設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
5. 請求項３に記載の半導体レーザ装置において、
   前記冷媒流路は、左右方向に延びる第１流路と、前記第１流路と連通し、前後方向に延びる第２流路と、を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。
6. 請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置において、
   前記第１レーザアッセンブリ及び前記第２レーザアッセンブリはそれぞれ、
   半導体レーザ素子と、
   第１電極体と、
   第２電極体と、
   絶縁体と、少なくとも有しており、
   前記第１電極体は、一方の面に前記第１基体が実装され、前記一方の面と対向する他方の面に前記半導体レーザ素子が接合されており、
   前記半導体レーザ素子は、発光点が第２基体よりも前記第１基体に近い側に位置するように前記第１電極体に接合されており、
   前記第２電極体は、前記半導体レーザ素子に電気的に接続されるとともに、前記第１電極体とで前記半導体レーザ素子を挟み込むように配置されており、
   前記絶縁体は、前記第１電極体と前記第２電極体とに挟み込まれて、前記半導体レーザ素子の後方に配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
7. 請求項１ないし６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置において、
   複数の前記第１レーザアッセンブリが左右方向に互いに間隔をあけて前記第１基体の上面に実装されており、かつ
   複数の前記第２レーザアッセンブリが左右方向に互いに間隔をあけて前記第１基体の下面に実装されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
8. 請求項７に記載の半導体レーザ装置において、
   前記複数の第１レーザアッセンブリは、それぞれから出射されたレーザ光の光軸が交差するように前記第１基体の上面に実装されており、かつ
   前記複数の第２レーザアッセンブリは、それぞれから出射されたレーザ光の光軸が交差するように前記第１基体の下面に実装されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
9. 請求項８に記載の半導体レーザ装置において、
   上方から見て、前記第１基体の前端面における中点と後端面における中点とを通る第１仮想線と前記第１基体の側面とがなす角度をθ２とし、互いに隣り合う前記第１レーザアッセンブリにおいて、それぞれの前端面における中点と後端面における中点とを通る第２仮想線同士がなす角度をθ１とし、前記第１基体に実装される前記第１レーザアッセンブリの個数をｎ（ｎは偶数）とするとき、
   θ２＝（ｎ／２）×θ１＋１／２×θ１＝（（ｎ＋１）／２）×θ１の関係を満たし、
   前記第１基体に実装される前記第１レーザアッセンブリの個数をｍ（ｍは奇数）とするとき、
   θ２＝（（ｍ−１）／２）×θ１＋１／２×θ１＝（ｍ／２）×θ１の関係を満たすことを特徴とする半導体レーザ装置。
10. 請求項９に記載の半導体レーザ装置において、
    前記複数の第１レーザアッセンブリ及び前記複数の第２レーザアッセンブリがそれぞれ実装された前記第１基体が複数設けられ、
    互いに隣り合う前記第１基体は、側面同士が接するように、かつそれぞれの内部に設けられた冷却流路が連通するように配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
11. 請求項６に記載の半導体レーザ装置において、
    前記第１レーザアッセンブリは、前記第１電極体と前記第２電極体との間に互いに間隔をあけて複数の前記半導体レーザ素子が配置されて構成され、かつ
    前記第２レーザアッセンブリは、前記第１電極体と前記第２電極体との間に互いに間隔をあけて複数の前記半導体レーザ素子が配置されて構成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
12. 請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置において、
    複数の前記第１レーザアッセンブリが、左右方向に互いに所定の間隔をあけて配置されるとともに、
    複数の前記第２レーザアッセンブリが、左右方向に互いに前記所定の間隔をあけて配置され、
    さらに、複数の前記第１レーザアッセンブリ及び複数の前記第２レーザアッセンブリは、それぞれから出射されるレーザ光が所定の集光位置に集光されるように配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
13. 請求項１２に記載の半導体レーザ装置において、
    複数の前記第１レーザアッセンブリ及び複数の前記第２レーザアッセンブリのそれぞれから出射されるレーザ光の光路中に反射体がそれぞれ配置され、
    前記反射体で反射されたそれぞれのレーザ光が所定の集光位置に集光されるように、複数の前記第１レーザアッセンブリと複数の前記第２レーザアッセンブリと複数の前記反射体とが配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。

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