JP7174899B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
[半導体レーザ装置の構成]
図1,2は、それぞれ、本実施形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す斜視図と上面図である。図3は、図1のIII-III線での断面を示す。図4は、図3の一点鎖線で囲まれた部分の拡大断面を示す。図5A~5Gは、半導体レーザ装置の組立方法の説明図である。なお、説明の便宜上、図2~4において、ヒートシンク110と締結部材91,91及び92,92、さらに外部端子94a,94bの図示を省略している。
次に、半導体レーザ装置1の組立方法を図面を用いて説明する。
図7,8は、それぞれ、本変形例に係る半導体レーザ装置の構成を示す斜視図と上面図である。なお、説明の便宜上、図7,8において、ヒートシンク110と締結部材91,91及び92,92、さらに外部端子94a,94bの図示を省略している。
10 下部電極ブロック
11 切欠状凹部(サブマウント配設部)
12 接続孔(第1接続孔)
13 接続孔(第2接続孔)
14 端子孔(第1端子孔)
20 サブマウント
30 絶縁層
31 絶縁層
32 絶縁層
40 半導体レーザ素子
50 バンプ
60 上部電極ブロック
61 接続孔(第3接続孔)
62 端子孔(第2端子孔)
63 凹部
90 締結部材(第1締結部材)
91 締結部材(第2締結部材)
92 締結部材(第3締結部材)
93 ブッシュ(絶縁部材)
94a,94b 外部端子
100 レンズユニット
101 保持ブロック
102 レンズ
110 ヒートシンク
112 絶縁層
113 接続孔(第4接続孔)
Claims (5)
- レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
上面に前記半導体レーザ素子が配設され、前記半導体レーザ素子に電気的に接続された導電材料からなるサブマウントと、
前記サブマウントの下側に設けられて前記サブマウントに電気的に接続され、上面に前記サブマウントを配設するためのサブマウント配設部を有し、少なくとも前記サブマウント配設部の両側に第1接続孔が設けられ、前記サブマウント配設部の両側に第2接続孔が前記第1接続孔と離間して設けられ、前記サブマウント配設部、前記第1及び第2接続孔と離間して第1端子孔が設けられた下部電極ブロックと、
前記下部電極ブロックの上に前記サブマウント及び前記半導体レーザ素子を覆うように設けられ、前記第1接続孔と連通した第3接続孔と、前記第3接続孔と離間して設けられた第2端子孔とを有し、前記半導体レーザ素子に電気的に接続され、前記下部電極ブロックと電気的に絶縁された上部電極ブロックと、
上面に前記下部電極ブロックが配設され、前記第2接続孔に連通した第4接続孔を有するヒートシンクと、
前記上部電極ブロックに取り付けられ、前記半導体レーザ素子からの前記レーザ光を受ける光学部品とを備え、
前記下部電極ブロックと上部電極ブロックとは、前記第1及び第3接続孔に挿通される第1締結部材により締結され、
前記下部電極ブロックと前記ヒートシンクとは、前記第2及び第4接続孔に挿通される第2締結部材によって締結され、
前記第1及び第2端子孔にそれぞれ挿通されて締結され、前記半導体レーザ素子に電力を供給する外部端子をそれぞれ前記下部電極ブロック及び上部電極ブロックに電気的に接続する導電材料からなる第3締結部材を備え、
前記第3締結部材はネジであり、前記第1及び第2端子孔は前記第3締結部材と螺合するためのネジ孔であり、
前記第1接続孔は、前記サブマウント配設部の両側に1箇所ずつ設けられたものと、前記レーザ光の出射方向と反対側で前記サブマウント配設部と離間した1箇所に設けられたものとの3つからなり、上面視で、前記第2端子孔は、3つの前記第1接続孔を結ぶ三角形の重心近傍に設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
前記第1締結部材は絶縁材料からなるネジであり、前記第1接続孔は前記第1締結部材と螺合するためのネジ孔であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1または2に記載の半導体レーザ装置において、
前記第2締結部材は金属材料からなるネジであり、前記第4接続孔は前記第2締結部材と螺合するためのネジ孔であり、絶縁部材により前記第2締結部材と前記下部電極ブロックとが電気的に絶縁されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置において、
前記サブマウント配設部は、前記レーザ光の出射方向が開放された切欠状凹部であることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置において、
前記上部電極ブロックの下面には、前記サブマウント及び前記半導体レーザ素子を収容する凹部が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
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