JP2022052177A - レーザ照射ヘッド及びレーザ照射装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 41
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 37
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 20
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/467—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing gases, e.g. air
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
- B23K26/703—Cooling arrangements
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/502—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components
- F21V29/503—Cooling arrangements characterised by the adaptation for cooling of specific components of light sources
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/54—Cooling arrangements using thermoelectric means, e.g. Peltier elements
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/56—Cooling arrangements using liquid coolants
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
- F21V29/50—Cooling arrangements
- F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02315—Support members, e.g. bases or carriers
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
Abstract
【課題】移動機構に取り付けて用いるような用途に好適なレーザ照射ヘッド、及びそのようなレーザ照射ヘッドを備えるレーザ照射装置を提供する。【解決手段】レーザ照射ヘッド10は、半導体レーザ素子及びレンズを含む半導体レーザモジュール14と、冷媒の流路を有するヒートシンク11と、流路に冷媒を供給するための第1配管5の着脱が可能な第1配管コネクタ15と、を備える。ヒートシンク11は、第1エリアA1、及び第1エリアA1と交差する関係にある第2エリアA2を含む外表面11aを有する。半導体レーザモジュール14は、第1エリアA1において、ヒートシンク11に対してねじ止めされている。第1配管コネクタ15は、第2エリアA2において、ヒートシンク11に対してねじ止めされている。【選択図】図3
Description
本発明は、レーザ照射ヘッド及びレーザ照射装置に関する。
特許文献1には、半導体レーザと、冷却ジャケットと、を備えるレーザ装置において、伝熱性の接着剤を介して半導体レーザを冷却ジャケット上の所定位置に設置することが記載されている。
特許文献1に記載のレーザ装置をロボットアーム等の移動機構に取り付けてレーザ照射ヘッドとして用いると、接着剤が劣化した場合に、冷却ジャケット上の所定位置から半導体レーザが不意に脱落するおそれがある。つまり、特許文献1に記載のレーザ装置は、移動機構に取り付けて用いるような用途に不適当である。
本発明は、移動機構に取り付けて用いるような用途に好適なレーザ照射ヘッド、及びそのようなレーザ照射ヘッドを備えるレーザ照射装置を提供することを目的とする。
本発明のレーザ照射ヘッドは、半導体レーザ素子及びレンズを含む半導体レーザモジュールと、冷媒の流路を有するヒートシンクと、流路に冷媒を供給するための第1配管の着脱が可能な第1配管コネクタと、を備え、ヒートシンクは、第1エリア、及び第1エリアと交差する関係にある第2エリアを含む外表面を有し、半導体レーザモジュールは、第1エリアにおいて、ヒートシンクに対してねじ止めされており、第1配管コネクタは、第2エリアにおいて、ヒートシンクに対してねじ止めされている。
上記レーザ照射ヘッドでは、半導体レーザモジュール及び第1配管コネクタがヒートシンクに対してねじ止めされている。これにより、上記レーザ照射ヘッドをロボットアーム等の移動機構に取り付けて用いた場合に、ヒートシンクから半導体レーザモジュール及び第1配管コネクタが不意に脱落するのを防止することができる。更に、第1配管コネクタがヒートシンクに対してねじ止めされる第2エリアが、半導体レーザモジュールがヒートシンクに対してねじ止めされる第1エリアと交差する関係にある。これにより、ヒートシンクの小型化を図りつつも、ヒートシンクに対して半導体レーザモジュール及び第1配管コネクタを空間的に効率良く配置することができる。以上により、上記レーザ照射ヘッドは、移動機構に取り付けて用いるような用途に好適である。
本発明のレーザ照射ヘッドは、流路から冷媒を排出するための第2配管の着脱が可能な第2配管コネクタを更に備え、第2配管コネクタは、第2エリアにおいて、ヒートシンクに対してねじ止めされていてもよい。これによれば、上記レーザ照射ヘッドをロボットアーム等の移動機構に取り付けて用いた場合に、ヒートシンクから第2配管コネクタが不意に脱落するのを防止することができる。更に、ヒートシンクの小型化を図りつつも、ヒートシンクに対して半導体レーザモジュール、第1配管コネクタ及び第2配管コネクタを空間的に効率良く配置することができる。
本発明のレーザ照射ヘッドでは、ヒートシンクは、第1エリア及び第2エリアを有する本体部、並びに、蓋部を含み、本体部は、流路を含み且つ第1エリアとは反対側に開口する凹部を有し、蓋部は、凹部の開口部を塞ぐように本体部に取り付けられていてもよい。これによれば、ヒートシンクの本体部に半導体レーザモジュール及び第1配管コネクタがねじ止めされた状態で、流路のメンテナンスを実施することができる。
本発明のレーザ照射ヘッドでは、本体部は、凹部を画定する底壁部及び側壁部、並びに、底壁部から凹部内に突出する突出部を含み、底壁部、側壁部及び突出部は、一体的に形成されていてもよい。これによれば、底壁部、側壁部及び突出部の相互間で熱が伝わり易くなるため、本体部に対してねじ止めされた半導体レーザモジュールの冷却効果を向上させることができる。
本発明のレーザ照射ヘッドでは、半導体レーザモジュールは、第1エリアにおいて、側壁部に対してねじ止めされていてもよい。これによれば、本体部に対する半導体レーザモジュールのねじ止めの安定性を向上させることができる。
本発明のレーザ照射ヘッドでは、半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子を収容する筐体、及びレンズを支持する支持部材を更に含んでもよい。これによれば、半導体レーザ素子に対するレンズの設計の自由度を向上させることができる。
本発明のレーザ照射ヘッドは、ヒートシンクと半導体レーザモジュールとの間に配置された設置部材を更に備え、筐体及び支持部材は、第1エリアにおいて、設置部材を介して、ヒートシンクに対してねじ止めされていてもよい。これによれば、例えば、筐体及び支持部材が別々の部材に配置された構成に比べ、半導体レーザ素子の光軸とレンズの光軸とを容易に且つ精度良く位置合せすることができる。
本発明のレーザ照射ヘッドは、設置部材は、第1エリアに平行な第1面及び第2面を有し、第2面は、第1面よりも低い位置に位置しており、筐体は、第1面に配置されており、支持部材は、第2面に配置されていてもよい。これによれば、例えば、レンズのサイズが大きい場合に、半導体レーザ素子の光軸とレンズの光軸とを容易に且つ精度良く位置合せすることができる。
本発明のレーザ照射ヘッドは、ヒートシンクと設置部材との間に配置されたペルチェ素子を更に備えてもよい。これによれば、ペルチェ素子からヒートシンクに排熱させて、半導体レーザ素子の温度が一定となるように半導体レーザモジュールを冷却することができる。
本発明のレーザ照射ヘッドでは、筐体及び支持部材は、第1エリアにおいて、直接的に、ヒートシンクに対してねじ止めされていてもよい。これによれば、例えば、筐体及び支持部材が別々の部材に配置された構成に比べ、構造の単純化を図りつつ、半導体レーザ素子の光軸とレンズの光軸とを容易に且つ精度良く位置合せすることができる。
本発明のレーザ照射ヘッドは、ヒートシンクは、第1エリアである第3面及び第4面を有し、第4面は、第3面よりも低い位置に位置しており、筐体は、第3面に配置されており、支持部材は、第4面に配置されていてもよい。これによれば、例えば、レンズのサイズが大きい場合に、半導体レーザ素子の光軸とレンズの光軸とを容易に且つ精度良く位置合せすることができる。
本発明のレーザ照射装置は、上記レーザ照射ヘッドと、可撓性を有し、第1配管コネクタに接続された第1配管と、第1配管を介して流路に冷媒を供給する冷媒供給源と、レーザ照射ヘッドを移動させる移動機構と、を備える。
上記レーザ照射装置によれば、好適なレーザ照射を実現することができる。
本発明によれば、移動機構に取り付けて用いるような用途に好適なレーザ照射ヘッド、及びそのようなレーザ照射ヘッドを備えるレーザ照射装置を提供することが可能となる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1に示されるように、レーザ照射装置1は、筐体2と、支持部3と、冷媒供給源4と、第1配管5と、第2配管6と、移動機構7と、レーザ照射ヘッド10と、を備えている。支持部3は、筐体2内において複数のワークWを支持する。冷媒供給源4は、第1配管5を介してレーザ照射ヘッド10(後述するヒートシンク11の流路24)に冷媒を供給し、レーザ照射ヘッド10から第2配管6を介して冷媒を排出する。冷媒供給源4は、例えば、冷媒である空気を圧送するポンプである。移動機構7は、筐体2内においてレーザ照射ヘッド10を移動させる。移動機構7は、例えば、ロボットアーム又は三次元ステージである。本実施形態では、レーザ照射装置1は、レーザ加工装置であって、レーザ照射ヘッド10から出射されたレーザ光Lを各ワークWに照射することで、各ワークWに加熱加工(例えば、半田付け、樹脂溶着、予備加熱等)を施す。
図2、図3及び図4に示されるように、レーザ照射ヘッド10は、ヒートシンク11と、ペルチェ素子12と、設置部材13と、半導体レーザモジュール14と、第1配管コネクタ15と、第2配管コネクタ16と、を備えている。ヒートシンク11、ペルチェ素子12、設置部材13及び半導体レーザモジュール14は、例えば直方体箱状に形成されたカバー(図示省略)によって覆われている。以下、レーザ光Lの出射方向に平行な方向をZ軸方向といい、Z軸方向に垂直な一方向をX軸方向といい、Z軸方向及びX軸方向の両方向に垂直な方向をY軸方向という。また、レーザ光Lが出射される側を前側といい、その反対側を後側という。
ヒートシンク11は、本体部21及び蓋部22を含んでいる。本体部21は、Y軸方向に垂直な表面21a及び裏面21b、並びに、Z軸方向に垂直な後面21cを有している。後面21cは、本体部21における凹部23とは反対側の表面である。本体部21は、例えば、アルミニウムによって直方体状に形成されている。蓋部22は、Y軸方向に垂直な表面22a及び裏面22bを有している。蓋部22の表面22aは、本体部21の裏面21bに接触している。蓋部22は、例えば、アルミニウムによって長方形板状に形成されていている。一例として、Y軸方向から見た場合に、蓋部22の外縁は、本体部21の外縁と一致している。
本実施形態では、本体部21の表面21aが、ヒートシンク11の外表面11aのうちの第1エリアA1であり、本体部21の後面21cが、ヒートシンク11の外表面11aのうちの第2エリアA2である。つまり、本体部21は、第1エリアA1及び第2エリアA2を有している。本実施形態では、第2エリアA2は、第1エリアA1と直交している(すなわち、垂直に交差している)。ただし、第2エリアA2は、第1エリアA1と交差する関係にあればよい。なお、第2エリアA2が第1エリアA1と交差する関係にあるとは、「第2エリアA2を含む面」が「第1エリアA1を含む面」と交差していること(直交していることに限定されない)を意味する。
図5及び図6に示されるように、本体部21は、凹部23を有している。凹部23は、裏面21bに形成されており、第1エリアA1とは反対側に開口している。凹部23は、ヒートシンク11が有する冷媒Rの流路24を含んでいる。本実施形態では、冷媒Rは、冷媒供給源4(図1参照)から圧送される空気である。
本体部21は、底壁部25及び側壁部26、並びに、複数の突出部27を含んでいる。底壁部25及び側壁部26、並びに、複数の突出部27は、一体的に形成されている。底壁部25及び側壁部26は、凹部23を画定している。つまり、底壁部25は、Y軸方向において凹部23の開口部23aに対向しており、側壁部26は、Y軸方向から見た場合に凹部23を包囲している。複数の突出部27は、底壁部25から凹部23内に突出している。本実施形態では、複数の突出部27は、各突出部27がX軸方向に延在した状態で、Z軸方向において並設されている。一例として、各突出部27における底壁部25とは反対側の端面の位置(Y軸方向おける位置)は、Y軸方向における裏面21bの位置と同じである。
本体部21は、冷媒Rの供給口28及び排出口29を有している。供給口28は、第2エリアA2及び凹部23の内面に開口するように、側壁部26のうち第2エリアA2側の部分に形成されている。同様に、排出口29は、第2エリアA2及び凹部23の内面に開口するように、側壁部26のうち第2エリアA2側の部分に形成されている。供給口28及び排出口29は、それぞれがZ軸方向に延在した状態で、X軸方向において並設されている。
蓋部22は、凹部31を有している。凹部31は、表面22aに形成されている。Y軸方向から見た場合に、凹部31の外縁は、凹部23の開口部23aの外縁の外側に位置している。凹部31には、ゴムシート32が配置されている。Y軸方向から見た場合に、ゴムシート32の外縁は、凹部31の外縁と一致している。ゴムシート32が単体で存在する場合、ゴムシート32の厚さは、凹部31の深さよりも大きい。蓋部22は、凹部31にゴムシート32が配置された状態で、凹部23の開口部23aを塞ぐように本体部21に取り付けられている。蓋部22は、裏面21bにおいて、本体部21に対してねじ止めされている。本実施形態では、少なくとも裏面21bに開口するように本体部21に複数のねじ穴21dが形成されており、複数のねじ穴21dに対応するように蓋部22に複数のばか穴22cが形成されている。蓋部22は、裏面22b側から各ばか穴22cを介して各ねじ穴21dにボルト33が螺合されることで、本体部21に取り付けられている。
ヒートシンク11では、本体部21の裏面21bのうちの開口部23aの周囲部分が、ゴムシート32に密着している。これにより、流路24からの冷媒Rの漏れが防止されている。本実施形態では、各突出部27における底壁部25とは反対側の端面も、ゴムシート32に密着している。なお、Y軸方向から見た場合に開口部23aを包囲するように延在する溝が蓋部22の表面22aに形成されており、当該溝にOリングが配置されていてもよい。その場合にも、流路24からの冷媒Rの漏れを防止することができる。
第1配管コネクタ15は、第2エリアA2において、ヒートシンク11に対してねじ止めされている。本実施形態では、本体部21の供給口28の内周面に雌ねじが形成されており、第1配管コネクタ15の一端部15aの外周面に雄ねじが形成されている。第1配管コネクタ15は、後側から供給口28に一端部15aが螺合されることで、本体部21に取り付けられている。第1配管コネクタ15には、流路24に冷媒Rを供給するための第1配管5が接続されている。第1配管コネクタ15は、第1配管5の着脱が可能なコネクタである。第1配管5は、可撓性を有している。第1配管5の材料は、例えば、ナイロン、ポリウレタン又はフッ素樹脂等である。本実施形態では、第1配管コネクタ15は、第1配管5における第1配管コネクタ15側の端部(可撓性を有する端部)の着脱が可能なコネクタである。なお、第1配管5における第1配管コネクタ15側の端部に、第1配管コネクタ15に対する着脱が可能な接続部が設けられていてもよい。
第2配管コネクタ16は、第2エリアA2において、ヒートシンク11に対してねじ止めされている。本実施形態では、本体部21の排出口29の内周面に雌ねじが形成されており、第2配管コネクタ16の一端部16aの外周面に雄ねじが形成されている。第2配管コネクタ16は、後側から排出口29に一端部16aが螺合されることで、本体部21に取り付けられている。第2配管コネクタ16には、流路24から冷媒Rを排出するための第2配管6が接続されている。第2配管コネクタ16は、第2配管6の着脱が可能なコネクタである。第2配管6は、可撓性を有している。第2配管6の材料は、例えば、ナイロン、ポリウレタン又はフッ素樹脂等である。本実施形態では、第2配管コネクタ16は、第2配管6における第2配管コネクタ16側の端部(可撓性を有する端部)の着脱が可能なコネクタである。なお、第2配管6における第2配管コネクタ16側の端部に、第2配管コネクタ16に対する着脱が可能な接続部が設けられていてもよい。
図2、図3及び図4に示されるように、ペルチェ素子12は、素子部41及び一対の配線42を含んでいる。素子部41は、吸熱エリア41a及び発熱エリア41bを有している。素子部41は、発熱エリア41bが凹部21eの底面に接触し且つ一対の配線42が素子部41から後側に延在するように、凹部21eに配置されている。凹部21eは、本体部21の表面21aに形成された座ぐり部である。素子部41が凹部21eに配置されることで、X軸方向、Y軸方向及びZ軸方向のそれぞれの方向において、素子部41が本体部21に対して位置決めされる。一対の配線42は、電源(図示省略)と接続されている。
設置部材13は、ペルチェ素子12がヒートシンク11と設置部材13との間に配置されるように、ヒートシンク11に取り付けられている。設置部材13は、中間部51、前側部52及び後側部53を含んでいる。中間部51、前側部52及び後側部53は、例えばアルミニウムによって、一体的に形成されている。
中間部51は、Y軸方向に垂直な表面(第1面)51a及び裏面51bを有している。前側部52は、Y軸方向に垂直な表面(第2面)52a及び裏面52bを有している。後側部53は、Y軸方向に垂直な表面53a及び裏面53bを有している。中間部51の裏面51bは、ペルチェ素子12の吸熱エリア41aに接触している。前側部52の裏面52bは、ヒートシンク11の第1エリアA1に近接している。後側部53の裏面53bは、ヒートシンク11の第1エリアA1に近接している。中間部51の表面51a及び後側部53の表面53aは、同一平面上に位置している。前側部52の表面52aは、表面51a,53aに対してヒートシンク11側に位置している。つまり、設置部材13は、第1エリアA1に平行な表面51a及び表面52aを有しており、表面52aは、表面51aよりも低い位置に位置している。
設置部材13は、第1エリアA1において、本体部21に対してねじ止めされている。本実施形態では、少なくとも表面21aに開口するように本体部21に複数のねじ穴21fが形成されており、複数のねじ穴21fに対応するように前側部52及び後側部53に複数のばか穴52c,53cが形成されている。設置部材13は、本体部21とは反対側から各ばか穴52c,53cを介して各ねじ穴21fにボルト54が螺合されることで、本体部21に取り付けられている。なお、第1エリアA1と前側部52の裏面52bとの間、及び第1エリアA1と後側部53の裏面53bとの間には、複数の断熱ワッシャ(図示省略)が配置されており、各ボルト54は、各断熱ワッシャを通っている。各断熱ワッシャの材料は、例えば、樹脂である。これにより、設置部材13は、ヒートシンク11から熱的に切断された状態で、ペルチェ素子12の吸熱エリア41aと熱的に接続されている。
半導体レーザモジュール14は、設置部材13がヒートシンク11と半導体レーザモジュール14との間に配置されるように、設置部材13に取り付けられている。本実施形態では、Z軸方向における半導体レーザモジュール14の中心が、Z軸方向におけるヒートシンク11の中心に対して前側に位置している。図7に示されるように、半導体レーザモジュール14は、筐体61、支持部材62、絶縁部材63、配線基板64、半導体レーザ素子65、一対の電極ピン66及び一対のワイヤ67を含んでいる。筐体61は、支持部材62、絶縁部材63、配線基板64及び半導体レーザ素子65を気密に収容している。筐体61における前側の側壁部には、半導体レーザ素子65から出射されたレーザ光Lを透過させる窓部材61aが設けられている。筐体61のうち窓部材61aを除く部分は、例えば、銅によって直方体箱状に形成されている。窓部材61aは、例えば、サファイヤによって円形板状に形成されている。
支持部材62は、筐体61における設置部材13側(図3参照)の壁部上に固定されている。絶縁部材63は、支持部材62上に固定されている。配線基板64は、絶縁部材63上に固定されている。半導体レーザ素子65は、Z軸方向において窓部材61aに対向するように、配線基板64上に実装されている。一対の電極ピン66は、後側に延在するように絶縁部材63上に固定されており、筐体61における後側の壁部を貫通している。一対の電極ピン66は、当該壁部から電気的に絶縁された状態で、当該壁部を気密に貫通している。一対のワイヤ67は、配線基板64と一対の電極ピン66との間に掛け渡されている。これにより、一対の電極ピン66は、半導体レーザ素子65に電気的に接続されている。一対の電極ピン66は、一対の配線(図示省略)を介して電源(図示省略)と接続されている。
図2、図3及び図4に示されるように、筐体61には、一対の取付部68が一体的に形成されている。一対の取付部68は、筐体61の裏面61b及び各取付部68の裏面68aが同一平面上に位置するように、X軸方向における筐体61の両側に設けられている。筐体61の裏面61b及び各取付部68の裏面68aは、設置部材13の中間部51の表面51aに接触している。筐体61は、中間部51の表面51aにおいて、中間部51に対してねじ止めされている。本実施形態では、少なくとも表面51aに開口するように中間部51に複数のねじ穴51cが形成されており、複数のねじ穴51cに対応するように一対の取付部68に複数のばか穴68bが形成されている。筐体61は、設置部材13とは反対側から各ばか穴68bを介して各ねじ穴51cにボルト69が螺合されることで、中間部51に取り付けられている。
半導体レーザモジュール14は、支持部材71、ホルダ72及びレンズ73を更に含んでいる。レンズ73は、円筒状のホルダ72内に取り付けられており、ホルダ72は、支持部材71に取り付けられている。つまり、支持部材71は、レンズ73を支持している。
支持部材71は、取付部74及び支持部75を含んでいる。取付部74は、Y軸方向を厚さ方向とする板状の部分である。支持部75は、Z軸方向を厚さ方向とする板状の部分である。支持部75は、取付部74における後側の端部に沿って立設されている。取付部74及び支持部75は、例えばアルミニウムによって、一体的に形成されている。
取付部74は、Y軸方向に垂直な裏面74aを有している。裏面74aは、取付部74におけるヒートシンク11側の表面である。裏面74aは、設置部材13の前側部52の表面52aに接触している。支持部75は、Z軸方向に垂直な後面75aを有している。後面75aは、支持部75における筐体61側の表面である。後面75aは、設置部材13の中間部51の前面51dに接触している。前面51dは、中間部51の表面51aと前側部52の表面52aとの段差によって形成された表面であり、Z軸方向に垂直な表面である。支持部材71は、前側部52の表面52aにおいて、前側部52に対してねじ止めされている。本実施形態では、前側部52に形成された複数のばか穴52cに対応するように取付部74に複数のばか穴74bが形成されている。支持部材71は、ヒートシンク11の本体部21とは反対側から各ばか穴74b及び各ばか穴52cを介して各ねじ穴21fにボルト54が螺合されることで、前側部52に取り付けられている。
ホルダ72は、レンズ73を保持した状態で、支持部75に形成された開口75bに配置されている。支持部75には、ねじ穴75cが形成されている。ねじ穴75cは、支持部75における取付部74とは反対側の端面から開口75bの内面に至っている。ホルダ72は、ねじ穴75cに螺合された止めねじ76によって、支持部75に固定されている。レンズ73の光軸は、半導体レーザ素子65(図7参照)の光軸と一致している。レンズ73は、数度~数十度の出射角で半導体レーザ素子65から出射されたレーザ光LをワークW(図1参照)に対して集光する集光レンズである。
上述したように、設置部材13は、第1エリアA1において、ヒートシンク11の本体部21に対してねじ止めされており、筐体61は、中間部51の表面51aにおいて、設置部材13の中間部51に対してねじ止めされている。つまり、筐体61は、第1エリアA1において、設置部材13を介して、ヒートシンク11に対してねじ止めされている。また、上述したように、設置部材13は、第1エリアA1において、ヒートシンク11の本体部21に対してねじ止めされており、支持部材71は、前側部52の表面52aにおいて、設置部材13の前側部52に対してねじ止めされている。つまり、支持部材71は、第1エリアA1において、設置部材13を介して、ヒートシンク11に対してねじ止めされている。以上のように、筐体61及び支持部材71を含む半導体レーザモジュール14は、第1エリアA1において、ヒートシンク11に対してねじ止めされている。レーザ照射ヘッド10では、ヒートシンク11の本体部21のうちの側壁部26に複数のねじ穴21fが形成されているから、半導体レーザモジュール14は、第1エリアA1において、側壁部26に対してねじ止めされている。
なお、本明細書において、「第1構成(部、部材、モジュール、コネクタ等)が、エリア(面等を含む)において、第2構成(部、部材等)に対してねじ止めされている」とは、第1構成がエリア内又はエリア上に位置した状態で(第1構成がエリアに接触していてもよいし、第1構成がエリアから離間していてもよい)、ねじを用いた手段によって第1構成が第2構成に直接的に(他の部材を介さずに)又は間接的に(他の部材を介して)取り付けられていることを意味する。ここで、ねじを用いた手段としては、ボルト、ナット、第1構成に形成された雌ねじ、第1構成に形成された雄ねじ、第2構成に形成された雌ねじ、第2構成に形成された雄ねじ等から選択される任意の組合せを選択することができる。
以上のように構成されたレーザ照射ヘッド10では、半導体レーザ素子65からレーザ光Lが出射されると、半導体レーザ素子65から熱が発せられる。半導体レーザ素子65から発せられた熱は、筐体61を介して設置部材13に伝わり、ペルチェ素子12の吸熱エリア41aにおいて回収される。ペルチェ素子12の発熱エリア41bから排出された熱は、ヒートシンク11に伝わり、隣り合う突出部27の間等を含む流路24を流れる冷媒Rによって回収される。
以上説明したように、レーザ照射ヘッド10では、半導体レーザモジュール14、第1配管コネクタ15及び第2配管コネクタ16がヒートシンク11に対してねじ止めされている。これにより、レーザ照射ヘッド10をロボットアーム等の移動機構7に取り付けて用いた場合に、ヒートシンク11から半導体レーザモジュール14、第1配管コネクタ15及び第2配管コネクタ16が不意に脱落するのを防止することができる。更に、第1配管コネクタ15及び第2配管コネクタ16がヒートシンク11に対してねじ止めされる第2エリアA2が、半導体レーザモジュール14がヒートシンク11に対してねじ止めされる第1エリアA1と交差する関係にある。これにより、ヒートシンク11の小型化を図りつつも、ヒートシンク11に対して半導体レーザモジュール14、第1配管コネクタ15及び第2配管コネクタ16を空間的に効率良く配置することができる。以上により、レーザ照射ヘッド10は、移動機構7に取り付けて用いるような用途に好適である。
半導体レーザモジュール14、第1配管コネクタ15及び第2配管コネクタ16(「半導体レーザモジュール14等」という)がヒートシンク11に対してねじ止めされていることで、次のような効果も奏される。すなわち、ヒートシンク11に対する半導体レーザモジュール14等のねじ止めに緩みが生じたとしても、当該緩みは徐々に進行するため、レーザ光Lの出力が徐々に低下する等、異常が段階的に現れる。したがって、ヒートシンク11から半導体レーザモジュール14等が脱落する前に、当該緩みを発見し得る確率が高まる。よって、ヒートシンク11から半導体レーザモジュール14等が不意に脱落する場合に比べ、レーザ照射装置1の被害を小さく抑えることができる。また、ヒートシンク11に対する半導体レーザモジュール14等のねじ止めによって、メンテナンスの容易化も実現される。
レーザ照射ヘッド10では、ヒートシンク11が、第1エリアA1及び第2エリアA2を有する本体部21、並びに、蓋部22を含んでおり、本体部21が、流路24を含み且つ第1エリアA1とは反対側に開口する凹部23を有しており、蓋部22が、凹部23の開口部23aを塞ぐように本体部21に取り付けられている。これにより、ヒートシンク11の本体部21に半導体レーザモジュール14、第1配管コネクタ15及び第2配管コネクタ16がねじ止めされた状態で、流路24のメンテナンスを実施することができる。
レーザ照射ヘッド10では、本体部21が、凹部23を画定する底壁部25及び側壁部26、並びに、底壁部25から凹部23内に突出する突出部27を含んでおり、底壁部25、側壁部26及び突出部27が、一体的に形成されていている。これにより、底壁部25、側壁部26及び突出部27の相互間で熱が伝わり易くなるため、本体部21に対してねじ止めされた半導体レーザモジュール14の冷却効果を向上させることができる。
レーザ照射ヘッド10では、半導体レーザモジュール14が、第1エリアA1において、本体部21の側壁部26に対してねじ止めされている。これにより、本体部21に対する半導体レーザモジュール14のねじ止めの安定性を向上させることができる。
レーザ照射ヘッド10では、半導体レーザモジュール14が、半導体レーザ素子65を収容する筐体61、及びレンズ73を支持する支持部材71を含んでいる。これにより、半導体レーザ素子65に対するレンズ73の設計の自由度を向上させることができる。
レーザ照射ヘッド10では、筐体61及び支持部材71が、第1エリアA1において、設置部材13を介して、ヒートシンク11に対してねじ止めされている。これにより、例えば、筐体61及び支持部材71が別々の部材に配置された構成に比べ、半導体レーザ素子65の光軸とレンズ73の光軸とを容易に且つ精度良く位置合せすることができる。つまり、設置部材13の加工精度のみで、半導体レーザ素子65及びレンズ73の高さの調整が可能である。
レーザ照射ヘッド10では、設置部材13が、第1エリアA1に平行な表面51a及び表面52aを有しており、表面52aが、表面51aよりも低い位置に位置している。そして、そして、筐体61が、表面51aに配置されており、支持部材71が、表面52aに配置されている。これにより、例えば、レンズ73のサイズが大きい場合に、半導体レーザ素子65の光軸とレンズ73の光軸とを容易に且つ精度良く位置合せすることができる。
レーザ照射ヘッド10では、ヒートシンク11と設置部材13との間にペルチェ素子12が配置されている。これにより、ペルチェ素子12からヒートシンク11に排熱させて、半導体レーザ素子65の温度が一定となるように半導体レーザモジュール14を冷却することができる。
レーザ照射ヘッド10では、Z軸方向(レーザ光Lの出射方向に平行な方向)における半導体レーザモジュール14の中心が、Z軸方向におけるヒートシンク11の中心に対して前側(レーザ光Lが出射される側)に位置している。これにより、ヒートシンク11上において半導体レーザモジュール14の後側にスペースを設け、例えば、当該スペースに半導体レーザ素子65用の電源を配置することができる。また、ヒートシンク11に対するねじ穴の加工もし易くなる。
以上のようなレーザ照射ヘッド10を備えるレーザ照射装置1によれば、好適なレーザ照射を実現することができる。
本発明は、上記実施形態に限定されない。レーザ照射ヘッド10は、ペルチェ素子12を備えていなくてもよい。その場合にも、半導体レーザ素子65から発せられた熱は、筐体61及び設置部材13を介してヒートシンク11に伝わり、流路24を流れる冷媒Rによって回収される。
レーザ照射ヘッド10は、ペルチェ素子12及び設置部材13を備えていなくてもよい。図8に示されるレーザ照射ヘッド10では、筐体61及び支持部材71が、第1エリアA1において、直接的に、ヒートシンク11に対してねじ止めされている。これにより、例えば、筐体61及び支持部材71が別々の部材に配置された構成に比べ、構造の単純化を図りつつ、半導体レーザ素子65の光軸とレンズ73の光軸とを容易に且つ精度良く位置合せすることができる。つまり、ヒートシンク11の加工精度のみで、半導体レーザ素子65及びレンズ73の高さの調整が可能である。
ここで、図8に示されるレーザ照射ヘッド10の構成について説明する。図8に示されるように、筐体61の裏面61b及び各取付部68の裏面68aは、本体部21の表面(第3面)21aに接触している。本体部21には、少なくとも表面21aに開口するように複数のねじ穴21gが形成されている。筐体61は、本体部21とは反対側から各ばか穴68bを介して各ねじ穴21gにボルト69が螺合されることで、本体部21に取り付けられている。このように、筐体61は、第1エリアA1である表面21aにおいて、本体部21に対してねじ止めされている。
支持部材71の取付部74の裏面74aは、本体部21の表面(第4面)21hに接触している。表面21hは、Y軸方向に垂直な表面であり、表面21aに対して蓋部22側に位置している。支持部材71の支持部75の後面75aは、本体部21の前面21iに接触している。前面21iは、表面21aと表面21hとの段差によって形成された表面であり、Z軸方向に垂直な表面である。支持部材71は、本体部21とは反対側から各ばか穴74bを介して各ねじ穴21fにボルト54が螺合されることで、本体部21に取り付けられている。このように、支持部材71は、第1エリアA1である表面21hにおいて、本体部21に対してねじ止めされている。図8に示されるレーザ照射ヘッド10では、ヒートシンク11が、第1エリアA1である表面21a及び表面21hを有しており、表面21hが、表面21aよりも低い位置に位置している。そして、筐体61が、表面21aに配置されており、支持部材71が、表面21hに配置されている。これにより、例えば、レンズ73のサイズが大きい場合に、半導体レーザ素子65の光軸とレンズ73の光軸とを容易に且つ精度良く位置合せすることができる。
図9及び図10に示されるように、筐体61が設置部材13を介してヒートシンク11に取り付けられ、支持部材71が設置部材13を介さずにヒートシンク11に取り付けらることで、半導体レーザモジュール14が、第1エリアA1において、ヒートシンク11に対してねじ止めされていてもよい。これによれば、設置部材13とヒートシンク11とでペルチェ素子12を挟持することができる。また、半導体レーザ素子65の光軸とレンズ73の光軸とを容易に位置合せすることができる。
ヒートシンク11において、底壁部25から凹部23内に突出する突出部27は、放熱フィンとしての機能を有するものであってもよいし、流路24を画定する機能を有するものであってもよい。また、図11に示されるように、例えばヒートパイプ等がヒートシンク11に埋設されることで、ヒートシンク11に冷媒Rの流路24が形成されていてもよい。また、冷媒Rは、空気に限定されず、不活性ガス等の他の気体であってもよいし、水等の液体であってもよい。ただし、冷媒Rが空気であれば、ヒートシンク11から冷媒Rが漏れたとしても、ワークW等が冷媒Rによって汚染されるのを防止することができる。また、冷媒Rが空気であれば、第2配管コネクタ16及び第2配管6を介して流路24から冷媒供給源4に冷媒Rを戻さなくてもよい。また、上記レーザ照射装置1において、冷媒Rを冷却しながら循環供給してもよい。
図12の(a)に示されるように、半導体レーザモジュール14では、半導体レーザ素子65を収容する筐体61と集光レンズであるレンズ73との間に、コリメートレンズであるレンズ77が配置されていてもよい。また、図12の(b)に示されるように、半導体レーザモジュール14では、集光レンズであるレンズ73に代えて、コリメートレンズであるレンズ77が配置されていてもよい。図12の(a)及び(b)では、レンズ73,77の少なくとも1つを支持する支持部材71の図示が省略されているが、筐体61とは別の支持部材71にレンズ73,77の少なくとも1つを支持させることで、半導体レーザ素子65に対するレンズ73の設計の自由度を向上させることができる。
図13の(a)に示されるように、半導体レーザモジュール14では、半導体レーザ素子65を収容する筐体61に、窓部材61a(図7参照)に代えて、コリメートレンズであるレンズ77が配置されていてもよい。また、図13の(b)に示されるように、半導体レーザモジュール14では、半導体レーザ素子65を収容する筐体61に、窓部材61a(図7参照)に代えて、集光レンズであるレンズ73が配置されていてもよい。これによれば、レンズ73,77の少なくとも1つを支持する支持部材71の構成を単純化したり、支持部材71を省略したりすることができる。
半導体レーザモジュール14は、複数の半導体レーザ素子65(例えば、半導体レーザ素子アレイ等)を含んでいてもよい。また、熱的に接続される部材間には、カーボングラファイトシート等のヒートスプレッダが配置されていてもよい。また、レーザ照射ヘッド10は、半導体レーザ素子65用の電源を搭載していてもよい。
1…レーザ照射装置、4…冷媒供給源、5…第1配管、6…第2配管、7…移動機構、10…レーザ照射ヘッド、11…ヒートシンク、11a…外表面、12…ペルチェ素子、13…設置部材、14…半導体レーザモジュール、15…第1配管コネクタ、16…第2配管コネクタ、21…本体部、21a…表面(第3面)、21h…表面(第4面)、22…蓋部、23…凹部、23a…開口部、24…流路、25…底壁部、26…側壁部、27…突出部、51a…表面(第1面)、52a…表面(第2面)、61…筐体、65…半導体レーザ素子、71…支持部材、73,77…レンズ、A1…第1エリア、A2…第2エリア、R…冷媒。
Claims (12)
- 半導体レーザ素子及びレンズを含む半導体レーザモジュールと、
冷媒の流路を有するヒートシンクと、
前記流路に前記冷媒を供給するための第1配管の着脱が可能な第1配管コネクタと、を備え、
前記ヒートシンクは、第1エリア、及び前記第1エリアと交差する関係にある第2エリアを含む外表面を有し、
前記半導体レーザモジュールは、前記第1エリアにおいて、前記ヒートシンクに対してねじ止めされており、
前記第1配管コネクタは、前記第2エリアにおいて、前記ヒートシンクに対してねじ止めされている、レーザ照射ヘッド。 - 前記流路から前記冷媒を排出するための第2配管の着脱が可能な第2配管コネクタを更に備え、
前記第2配管コネクタは、前記第2エリアにおいて、前記ヒートシンクに対してねじ止めされている、請求項1に記載のレーザ照射ヘッド。 - 前記ヒートシンクは、前記第1エリア及び前記第2エリアを有する本体部、並びに、蓋部を含み、
前記本体部は、前記流路を含み且つ前記第1エリアとは反対側に開口する凹部を有し、
前記蓋部は、前記凹部の開口部を塞ぐように前記本体部に取り付けられている、請求項1又は2に記載のレーザ照射ヘッド。 - 前記本体部は、前記凹部を画定する底壁部及び側壁部、並びに、前記底壁部から凹部内に突出する突出部を含み、
前記底壁部、前記側壁部及び前記突出部は、一体的に形成されている、請求項3に記載のレーザ照射ヘッド。 - 前記半導体レーザモジュールは、前記第1エリアにおいて、前記側壁部に対してねじ止めされている、請求項4に記載のレーザ照射ヘッド。
- 前記半導体レーザモジュールは、前記半導体レーザ素子を収容する筐体、及び前記レンズを支持する支持部材を更に含む、請求項1~5のいずれか一項に記載のレーザ照射ヘッド。
- 前記ヒートシンクと前記半導体レーザモジュールとの間に配置された設置部材を更に備え、
前記筐体及び前記支持部材は、前記第1エリアにおいて、前記設置部材を介して、前記ヒートシンクに対してねじ止めされている、請求項6に記載のレーザ照射ヘッド。 - 前記設置部材は、前記第1エリアに平行な第1面及び第2面を有し、
前記第2面は、前記第1面よりも低い位置に位置しており、
前記筐体は、前記第1面に配置されており、
前記支持部材は、前記第2面に配置されている、請求項7に記載のレーザ照射ヘッド。 - 前記ヒートシンクと前記設置部材との間に配置されたペルチェ素子を更に備える、請求項7又は8に記載のレーザ照射ヘッド。
- 前記筐体及び前記支持部材は、前記第1エリアにおいて、直接的に、前記ヒートシンクに対してねじ止めされている、請求項6に記載のレーザ照射ヘッド。
- 前記ヒートシンクは、前記第1エリアである第3面及び第4面を有し、
前記第4面は、前記第3面よりも低い位置に位置しており、
前記筐体は、前記第3面に配置されており、
前記支持部材は、前記第4面に配置されている、請求項10に記載のレーザ照射ヘッド。 - 請求項1~11のいずれか一項に記載のレーザ照射ヘッドと、
可撓性を有し、前記第1配管コネクタに接続された第1配管と、
前記第1配管を介して前記流路に前記冷媒を供給する冷媒供給源と、
前記レーザ照射ヘッドを移動させる移動機構と、を備える、レーザ照射装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020158393A JP2022052177A (ja) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | レーザ照射ヘッド及びレーザ照射装置 |
DE112021004980.1T DE112021004980T5 (de) | 2020-09-23 | 2021-08-31 | Laserbestrahlungskopf und Laserbestrahlungseinrichtung |
PCT/JP2021/031876 WO2022064971A1 (ja) | 2020-09-23 | 2021-08-31 | レーザ照射ヘッド及びレーザ照射装置 |
US18/026,944 US20230261434A1 (en) | 2020-09-23 | 2021-08-31 | Laser irradiation head and laser irradiation device |
CN202180064769.8A CN116325141A (zh) | 2020-09-23 | 2021-08-31 | 激光照射头和激光照射装置 |
GB2303210.5A GB2612760A (en) | 2020-09-23 | 2021-08-31 | Laser irradiation head and laser irradiation device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020158393A JP2022052177A (ja) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | レーザ照射ヘッド及びレーザ照射装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022052177A true JP2022052177A (ja) | 2022-04-04 |
Family
ID=80846434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020158393A Pending JP2022052177A (ja) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | レーザ照射ヘッド及びレーザ照射装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230261434A1 (ja) |
JP (1) | JP2022052177A (ja) |
CN (1) | CN116325141A (ja) |
DE (1) | DE112021004980T5 (ja) |
GB (1) | GB2612760A (ja) |
WO (1) | WO2022064971A1 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6320557B2 (ja) * | 2014-10-22 | 2018-05-09 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源装置 |
JP7174899B2 (ja) * | 2017-07-07 | 2022-11-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置 |
CN112154580A (zh) * | 2018-05-21 | 2020-12-29 | 松下知识产权经营株式会社 | 半导体激光装置 |
-
2020
- 2020-09-23 JP JP2020158393A patent/JP2022052177A/ja active Pending
-
2021
- 2021-08-31 WO PCT/JP2021/031876 patent/WO2022064971A1/ja active Application Filing
- 2021-08-31 GB GB2303210.5A patent/GB2612760A/en active Pending
- 2021-08-31 DE DE112021004980.1T patent/DE112021004980T5/de active Pending
- 2021-08-31 US US18/026,944 patent/US20230261434A1/en active Pending
- 2021-08-31 CN CN202180064769.8A patent/CN116325141A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112021004980T5 (de) | 2023-07-13 |
WO2022064971A1 (ja) | 2022-03-31 |
US20230261434A1 (en) | 2023-08-17 |
GB202303210D0 (en) | 2023-04-19 |
CN116325141A (zh) | 2023-06-23 |
GB2612760A (en) | 2023-05-10 |
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|
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