JP7329775B2 - レーザ装置の製造方法及びフィンブロックの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ装置の製造方法及びフィンブロックの製造方法に関するものである。

特許文献１には、半導体モジュールとヒートシンクの間にグラファイトシートを挟んだ状態で、半導体モジュールをヒートシンクにネジ止めするようにした放熱装置が開示されている。

特許第５０１８１９５号公報

ところで、従来のヒートシンクでは、ヒートシンクの表面をスリット状に切削加工することでフィン部を形成している。

しかしながら、フィン部の数が多くなると、切削回数も増えることとなり、加工工数が増大することや、加工工程上の要因（歪みなどのおそれがある場合）によって、フィンの厚さが制限され、あまり大きく薄いフィンを作成することができないという問題がある。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体レーザ素子で生じた熱を放出するためのフィン部を容易に製造できるようにすることにある。

本発明は、レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の第１電極及び第２電極に電気的に接続される第１ブロック及び第２ブロックとを備えたレーザ装置の製造方法を対象とし、次のような解決手段を講じた。

すなわち、第１の発明は、板状のフィン部と、該フィン部に一体形成されて該フィン部よりも肉厚の接合部とを有する複数のフィンピースを、厚み方向に並べて配置する第１ステップと、
前記複数のフィンピースの並び方向の両側から前記接合部に圧力を加えることで、該複数の接合部を金属間結合させてフィンブロックを形成する第２ステップと、
前記第１ブロック又は前記第２ブロックに前記フィンブロックを当接させて圧力を加えることで、該フィンブロックを金属間結合させる第３ステップとを備え、
前記第１ステップでは、前記複数のフィンピースの並び方向の両側にそれぞれフランジ部材を配置し、
前記第２ステップでは、前記フランジ部材に圧力を加えることで、該複数の接合部及び該フランジ部材を金属間結合させ、
前記第３ステップでは、前記第１ブロック又は前記第２ブロックに前記フランジ部材を当接させて圧力を加えることで、該フランジ部材を金属間結合させる。

第１の発明では、複数のフィンピースを厚み方向に並べて配置し、並び方向の両側から接合部に圧力を加えて金属間接合することでフィンブロックを形成している。そして、第１ブロック又は第２ブロックとフィンブロックとを金属間結合させるようにしている。

このように、複数のフィンピースを金属間結合させてフィンブロックを形成するようにしたため、複数のフィン部を設けるためにブロックをスリット状に切削加工する必要が無く、加工工数を減らすことができる。

また、第１ブロック又は第２ブロックにフィンブロックを金属間結合させることで、ブロック間の熱結合の低下を抑え、半導体レーザ素子で生じる熱を効率良く放出させることができる。

また、複数のフィンピースを厚み方向に並べて配置し、並び方向の両側にフランジ部材を配置している。そして、並び方向の両側からフランジ部材及び接合部に圧力を加えて金属間接合することでフィンブロックを形成している。また、第１ブロック又は第２ブロックとフランジ部材とを金属間結合させるようにしている。

このように、フィンブロックにフランジ部材を設けることで、第１ブロック又は第２ブロックにフィンブロックを金属間結合させる際の組立作業性が向上する。

例えば、第１ブロック又は第２ブロックに段差部を形成しておき、フランジ部材に段差部を嵌め込んでブロック同士を位置合わせする。その後、ブロックの厚み方向からフランジ部材に圧力を加えることで、フィンブロックを金属間結合させることができる。

第２の発明は、レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の第１電極及び第２電極に電気的に接続される第１ブロック及び第２ブロックとを備えたレーザ装置の製造方法であって、
板状のフィン部と、該フィン部に一体形成されて該フィン部よりも肉厚の接合部とを有する複数のフィンピースを、厚み方向に並べて配置する第１ステップと、
前記複数のフィンピースの並び方向の両側から前記接合部に圧力を加えることで、該複数の接合部を金属間結合させてフィンブロックを形成する第２ステップと、
前記第１ブロック又は前記第２ブロックに前記フィンブロックを当接させて圧力を加えることで、該フィンブロックを金属間結合させる第３ステップとを備え、
前記第２ステップの後、前記複数のフィン部を所定の高さに切断する切断ステップをさらに備えている。

第２の発明では、第２ステップの後で、複数のフィン部を所定の高さに切断するようにしている。これにより、第２ステップを行う際に、フィン部の高さがずれないように揃えておく必要が無く、フィンブロックの組立作業性が向上する。

また、複数のフィン部を全て同じ高さに揃えるだけではなく、例えば、半導体レーザ素子の中央位置に対応したフィン部の高さを高くして、フィン部の表面積を大きくする等、放熱性を考慮したフィンブロックを形成することができる。

第３の発明は、第１又は第２の発明のうち何れか１つにおいて、
前記フィン部には、厚み方向に貫通する貫通孔が形成されている。

第３の発明では、フィン部に貫通孔が形成されている。これにより、貫通孔から熱を逃がし、隣接するフィン部の間に熱がこもるのを抑えることができる。

また、切削加工では、フィン部に貫通孔を形成することは困難であるが、フィン部に貫通孔が形成されたフィンピースを金属間結合させてフィンブロックを形成すれば、複雑な形状のフィン部を構成することができる。

第４の発明は、第１乃至第３の発明のうち何れか１つにおいて、
前記フィン部は、波板状に形成されている。

第４の発明では、フィン部が波板状に形成されているから、フィン部の表面積を大きくするとともに、剛性を確保することができる。

また、切削加工では、フィン部を波板状に形成することは困難であるが、波板状のフィン部を有するフィンピースを金属間結合させてフィンブロックを形成すれば、複雑な形状のフィン部を構成することができる。

第５の発明は、レーザ光を出射する半導体レーザ素子を備えたフィンブロックの製造方法であって、
板状のフィン部と、該フィン部に一体形成されて該フィン部よりも肉厚の接合部とを有する複数のフィンピースを、厚み方向に並べて配置する第１ステップと、
前記複数のフィンピースの並び方向の両側から前記接合部に圧力を加えることで、該複数の接合部を金属間結合させてフィンブロックを形成する第２ステップと、を備え、
前記第１ステップでは、前記複数のフィンピースの並び方向の両側にそれぞれフランジ部材を配置し、
前記第２ステップでは、前記フランジ部材に圧力を加えることで、該複数の接合部及び該フランジ部材を金属間結合させる。

第５の発明では、複数のフィンピースを厚み方向に並べて配置し、並び方向の両側にフランジ部材を配置している。そして、並び方向の両側からフランジ部材及び接合部に圧力を加えて金属間接合することでフィンブロックを形成している。

本発明によれば、半導体レーザ素子で生じた熱を放出するためのフィン部を容易に製造することができる。

本実施形態１に係るレーザ装置の構成を示す斜視図である。 レーザ装置の構成を示す平面図である。 図２のＡ－Ａ矢視断面図である。 複数のフィンピース及びフランジ部材を厚み方向に並べた状態を示す正面断面図である。 複数のフィンピースの接合部及びフランジ部に並び方向から圧力を加えた状態を示す正面断面図である。 複数のフィン部を所定の高さで切断することを説明する正面断面図である。 フィンブロックの構成を示す正面断面図である。 第２ブロックにフィンブロックを組み付ける手順を示す正面断面図である。 第２ブロック及びフィンブロックに厚み方向から圧力を加えた状態を示す正面断面図である。 第２ブロックにフィンブロックが金属間接合された状態を示す正面断面図である。 第２ブロックの構成を示す斜視図である。 本実施形態２に係るレーザ装置の構成を示す正面断面図である。 本変形例１に係るフィンピースの構成を示す斜視図である。 本変形例２に係るフィンピースの構成を示す斜視図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものではない。

《実施形態１》
図１～図３に示すように、レーザ装置１は、第１ブロック１０と、第２ブロック２０と、絶縁層３０と、半導体レーザ素子４０と、バンプ４５とを有する。

第１ブロック１０は、導電性を有する。第１ブロック１０は、主に銅（Ｃｕ）で構成されている。第１ブロック１０では、銅製のブロックに対して、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）とが順番にメッキされている。

第１ブロック１０の上面におけるレーザ光の出射方向５（図１に矢印線で示す方向）の側の端部には、凹部１１が設けられている。凹部１１内には、半導体レーザ素子４０が設けられている。半導体レーザ素子４０から出射方向５にレーザ光が照射される構成である。

第１ブロック１０には、第１ネジ孔１２と、第２ネジ孔１３と、第１端子孔１４とが設けられている。第１ネジ孔１２及び第２ネジ孔１３には、雌ネジが形成されている。第１ネジ孔１２は、レーザ光の出射方向５と直交する方向に間隔をあけて２つ設けられている。２つの第１ネジ孔１２の間には、凹部１１が設けられている。

第２ネジ孔１３は、レーザ光の出射方向５と直交する方向に間隔をあけて２つ設けられている。第２ネジ孔１３は、第１ネジ孔１２に対してレーザ光の出射方向５とは反対側に設けられている。

第１端子孔１４は、第１ブロック１０におけるレーザ光の出射方向５とは反対側の端部に設けられている。つまり、第１端子孔１４は、第１ブロック１０における凹部１１とは反対側の端部側に設けられている。第１端子孔１４は、ネジ孔で構成されている。第１端子孔１４には、電源用の接続端子が接続される。

絶縁層３０は、絶縁性を有する。絶縁層３０は、ポリイミドやセラミックなどで構成されている。絶縁層３０は、第１ブロック１０の上面において凹部１１の周りを囲むように配置されている。

半導体レーザ素子４０は、下面が正電極４１（第１電極）であり、上面が負電極４２（第２電極）である。半導体レーザ素子４０は、正電極４１から負電極４２に向かって電流が流れると、発光面（図２で下面）からレーザ光が出力される。

半導体レーザ素子４０は、凹部１１内に配置されている。半導体レーザ素子４０の発光面は、第１ブロック１０の凹部１１の側面と一致している。半導体レーザ素子４０の正電極４１は、第１ブロック１０と電気的に接続されている。第１ブロック１０は、半導体レーザ素子４０の正電極４１と電気的に接続する電極ブロックとしての機能を有する。

バンプ４５は、導電性を有する。バンプ４５は、主に金（Ａｕ）で構成されている。バンプ４５は、半導体レーザ素子４０の負電極４２上に複数設けられている。

バンプ４５は、溶融によって先端が球状になった金ワイヤを負電極４２に接触させ、超音波を与えることで負電極４２に接合されている。バンプ４５は、半導体レーザ素子４０の負電極４２と電気的に接続されている。

第２ブロック２０は、導電性を有する。第２ブロック２０は、主に銅（Ｃｕ）で構成されている。第２ブロック２０では、銅製のブロックに対して、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）とが順番にメッキされている。

第２ブロック２０は、半導体レーザ素子４０及び絶縁層３０の上に設けられている。第２ブロック２０は、バンプ４５を介して半導体レーザ素子４０と電気的に接続されている。第２ブロック２０は、半導体レーザ素子４０の負電極４２と電気的に接続する電極ブロックとしての機能を有する。

第２ブロック２０は、第２ブロック２０の下面であって、半導体レーザ素子４０に向かい合う領域以外の領域において、絶縁層３０と接着されている。

第２ブロック２０には、第１貫通孔２２と、第２貫通孔２３と、第２端子孔２４とが設けられている。第１貫通孔２２は、第１ブロック１０の第１ネジ孔１２に対応した位置に設けられている。第１貫通孔２２は、第１ブロック１０と第２ブロック２０とを締結するネジ３５の頭部が入り込めるようにザグリ孔で形成されている。

第２貫通孔２３は、第１ブロック１０の第２ネジ孔１３に対応した位置に設けられている。

第２端子孔２４は、第２ブロック２０の中央部に設けられている。第２端子孔２４には、電源用の接続端子が接続される。

なお、凹部１１の深さ（高さ）は、半導体レーザ素子４０、バンプ４５、及び絶縁層３０のそれぞれの厚さを考慮して設定される。

第１ブロック１０と第２ブロック２０とは、ネジ３５によって締結されている。ネジ３５は、第２ブロック２０の第１貫通孔２２と、第１ブロック１０の第１ネジ孔１２とに差し込まれる。

ネジ３５と第２ブロック２０との間には、絶縁部材３６が設けられている。これにより、第１ブロック１０と第２ブロック２０とが、電気的に接続されないようにしている。これにより、第１ブロック１０と第２ブロック２０とを、互いに電気的に絶縁された状態で締結することができる。

また、第１ブロック１０と第２ブロック２０とは、図示しないネジによって、互いに電気的に絶縁された状態で締結されている。このネジは、第２ブロック２０の第２貫通孔２３と、第１ブロック１０の第２ネジ孔１３とに差し込まれる。

なお、第１ブロック１０と第２ブロック２０とを、互いに電気的に絶縁された状態で締結するために、導電性のネジ３５と絶縁部材３６を用いても構わない。また、導電性のネジ３５と絶縁部材３６の代わりに絶縁性のネジを用いても構わない。

このような構成のレーザ装置１では、半導体レーザ素子４０の正電極４１から負電極４２に向かって電流が流れると、半導体レーザ素子４０の側面の発光面からレーザ光の出射方向５にレーザ光が出力される。このとき、半導体レーザ素子４０で生じた熱は、第１ブロック１０及び第２ブロック２０へ伝わる。

ところで、半導体レーザ素子４０が高温になると、レーザ出力の低下などの性能劣化が起こるおそれがある。そのため、半導体レーザ素子４０で生じた熱を効率良く伝熱及び放熱して、半導体レーザ素子４０の性能をより安定化させたいという要望がある。

そこで、本実施形態のレーザ装置１では、半導体レーザ素子４０で生じる熱をより効率良く放熱できるような構造としている。

具体的に、第２ブロック２０には、複数のフィン部５１が設けられている。フィン部５１は、板状に形成されている。フィン部５１は、第２ブロック２０における半導体レーザ素子４０に対向する面の反対側（図３で上側）から立設している。

複数のフィン部５１は、半導体レーザ素子４０から出射されるレーザ光の出射方向（図３で紙面手前方向）に沿って延びている。複数のフィン部５１は、厚み方向（図３で左右方向）に間隔をあけて配置されている。複数のフィン部５１は、全て同じ高さに設定されている。

複数のフィン部５１は、例えば、冷間圧接によって第２ブロック２０に一体に設けられている。以下、図４～図１１を用いて、複数のフィン部５１を有する第２ブロック２０の製造方法について説明する。

図４に示すように、複数のフィンピース５０と、左右一対のフランジ部材５３とを用意する。

フィンピース５０は、板状のフィン部５１と、フィン部５１に一体形成された接合部５２とを有する。接合部５２は、フィン部５１の高さ方向の端部（図４では下端部）に設けられている。接合部５２は、フィン部５１よりも肉厚に形成されている。

そして、複数のフィンピース５０を、厚み方向に並ぶように配置する（第１ステップ）。また、フランジ部材５３を、複数のフィンピース５０の並び方向（図４で左右方向）の両側にそれぞれ配置する。これにより、フィンピース５０の接合部５２とフランジ部材５３とが、厚み方向に沿って一列に並んでいる。

そして、図５に示すように、複数のフィンピース５０の並び方向の両側から、フランジ部材５３に圧力Ｐを加える。これにより、複数の接合部５２及びフランジ部材５３を金属間結合させ、フィンブロック５５を形成する（第２ステップ）。

図６に示す例では、複数のフィン部５１の高さ、及び複数の接合部５２の下部の高さがそれぞれ異なっている。そこで、複数のフィン部５１の高さ及び複数の接合部５２の下部の高さを揃えるために、フィン部５１及び接合部５２を所定の高さ（図６に仮想線で示す位置）で切断する（切断ステップ）。

図７に示す例では、複数のフィン部５１が全て同じ高さに揃っている。また、フィンブロック５５の下面が面一となっている。これにより、第２ステップを行う際に、フィン部５１の高さがずれないように揃えておく必要が無く、フィンブロック５５の組立作業性が向上する。

なお、複数のフィン部５１を全て同じ高さに揃えるだけではなく、例えば、半導体レーザ素子４０の中央位置に対応したフィン部５１の高さを高くして、フィン部５１の表面積を大きくする等、放熱性を考慮したフィンブロック５５を形成してもよい。

図８に示すように、第２ブロック２０は、左右一対のブロック本体２１を有する。ブロック本体２１には、段差部２１ａが形成されている。そして、フィンブロック５５の図８で左右のフランジ部材５３に対して、ブロック本体２１の段差部２１ａを嵌め込み、ブロック同士を位置合わせをする。

図９に示すように、第２ブロック２０のブロック本体２１に、フィンブロック５５のフランジ部材５３を当接させる。そして、第２ブロック２０及びフィンブロック５５の厚み方向（図９で上下方向）から、ブロック本体２１及びフランジ部材５３に圧力Ｐを加える（第３ステップ）。これにより、ブロック本体２１及びフランジ部材５３を金属間結合させる（図１０参照）。

そして、圧力Ｐを加えた部分の歪みを除去するとともに、第１貫通孔２２、第２貫通孔２３、及び第２端子孔２４を形成することで、複数のフィン部５１を有する第２ブロック２０が完成する（図１１参照）。

以上のように、本実施形態に係るレーザ装置１の製造方法では、複数のフィンピース５０を金属間結合させてフィンブロック５５を形成するようにしている。これにより、複数のフィン部５１を設けるために第２ブロック２０をスリット状に切削加工する必要が無く、加工工数を減らすことができる。

また、第２ブロック２０にフィンブロック５５を金属間結合させることで、第２ブロック２０とフィンブロック５５との間の熱結合の低下を抑え、半導体レーザ素子４０で生じる熱を効率良く放出させることができる。

なお、本実施形態では、第２ブロック２０にフィンブロック５５を金属間結合する形態について説明したが、第１ブロック１０及び第２ブロック２０の少なくとも一方にフィンブロック５５を金属間結合した構成であってもよい。

《実施形態２》
図１２に示すように、レーザ装置１は、第１ブロック１０と、第２ブロック２０と、第１絶縁層３１と、半導体レーザ素子４０と、バンプ４５と、第２絶縁層３２と、第３ブロック６０とを有する。

第１ブロック１０の上面には、凹部１１が設けられている。凹部１１内には、半導体レーザ素子４０が設けられている。第１ブロック１０の上面における凹部１１の周囲には、第１絶縁層３１が配置されている。

第２ブロック２０は、半導体レーザ素子４０及び第１絶縁層３１の上に設けられている。第２ブロック２０は、バンプ４５を介して半導体レーザ素子４０と電気的に接続されている。第１ブロック１０と第２ブロック２０とは、ネジ３５によって締結されている。

第１ブロック１０の下方には、第３ブロック６０が配置されている。第１ブロック１０と第３ブロック６０との間には、第２絶縁層３２が配置されている。これにより、第１ブロック１０と第３ブロック６０とが、電気的に接続されないようにしている。第１ブロック１０と第３ブロック６０とは、図示しない絶縁性のネジによって、互いに電気的に絶縁された状態で締結されている。

第３ブロック６０の内部には、内部通路６１が設けられている。内部通路６１には、冷却・温度制御装置であるチラーユニット（図示省略）から冷媒が供給される。図１２に示す例では、内部通路６１は、レーザ光の出射方向（図１２で紙面手前方向）に沿って延びている。内部通路６１には、チラーユニットからの冷却水６５が流通している。

第３ブロック６０の内部には、複数のフィン部５１が設けられている。フィン部５１は、半導体レーザ素子４０に対向する面の反対側（図１２で内部通路６１の天井面側）から内部通路６１内において下方に立設している。フィン部５１は、内部通路６１を流れる冷却水６５によって冷却される。

ここで、内部通路６１内にフィン部５１を形成する際には、第３ブロック６０を図示しない分割面で分割して内部通路６１を開放させた後、第３ブロック６０にフィンブロック５５を当接させて圧力を加える（第３ステップ）。これにより、第３ブロック６０にフィンブロック５５を金属間結合させる。

このように、第１ブロック１０と第３ブロック６０との間に第２絶縁層３２を配置して絶縁性を確保することで、フィン部５１の冷却方式として、空気を冷却媒体とした空冷方式だけではなく、水を冷却媒体とした水冷方式にも対応可能となる。そして、フィン部５１を水冷にて直接冷却することより、さらに冷却効果を高めることができる。

《変形例１》
図１３は、本変形例１に係るフィンピースの構成を示す斜視図である。図１３に示すように、フィンピース５０は、板状のフィン部５１と、フィン部５１に一体形成された接合部５２とを有する。フィン部５１は、厚み方向に貫通する複数の貫通孔５１ａを有する。

接合部５２は、フィン部５１の高さ方向の端部（図１３では下端部）に設けられている。接合部５２は、フィン部５１よりも肉厚に形成されている。

このような構成とすれば、貫通孔５１ａから熱を逃がし、隣接するフィン部５１の間に熱がこもるのを抑えることができる。

また、切削加工では、フィン部５１に貫通孔５１ａを形成することは困難であるが、フィン部５１に貫通孔５１ａが形成されたフィンピース５０を金属間結合させてフィンブロック５５を形成すれば、複雑な形状のフィン部５１を構成することができる。

《変形例２》
図１４は、本変形例２に係るフィンピースの構成を示す斜視図である。図１４に示すように、フィンピース５０は、波板状のフィン部５１と、フィン部５１に一体形成された接合部５２とを有する。接合部５２は、フィン部５１の高さ方向の端部（図１４では下端部）に設けられている。接合部５２は、フィン部５１よりも肉厚に形成されている。

このように、フィン部５１を波板状に形成することで、フィン部５１の表面積を大きくするとともに、剛性を確保することができる。

また、切削加工では、フィン部５１を波板状に形成することは困難であるが、波板状のフィン部５１を有するフィンピース５０を金属間結合させてフィンブロック５５を形成すれば、複雑な形状のフィン部５１を構成することができる。

以上説明したように、本発明は、半導体レーザ素子で生じた熱を放出するためのフィン部を容易に製造することができるという実用性の高い効果が得られることから、きわめて有用で産業上の利用可能性は高い。

１ レーザ装置
１０ 第１ブロック
２０ 第２ブロック
４０ 半導体レーザ素子
４１ 正電極（第１電極）
４２ 負電極（第２電極）
５０ フィンピース
５１ フィン部
５１ａ 貫通孔
５２ 接合部
５３ フランジ部材
５５ フィンブロック
６０ 第３ブロック

Claims (5)

1. レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の第１電極及び第２電極に電気的に接続される第１ブロック及び第２ブロックとを備えたレーザ装置の製造方法であって、
   板状のフィン部と、該フィン部に一体形成されて該フィン部よりも肉厚の接合部とを有する複数のフィンピースを、厚み方向に並べて配置する第１ステップと、
   前記複数のフィンピースの並び方向の両側から前記接合部に圧力を加えることで、該複数の接合部を金属間結合させてフィンブロックを形成する第２ステップと、
   前記第１ブロック又は前記第２ブロックに前記フィンブロックを当接させて圧力を加えることで、該フィンブロックを金属間結合させる第３ステップとを備え、
   前記第１ステップでは、前記複数のフィンピースの並び方向の両側にそれぞれフランジ部材を配置し、
   前記第２ステップでは、前記フランジ部材に圧力を加えることで、該複数の接合部及び該フランジ部材を金属間結合させ、
   前記第３ステップでは、前記第１ブロック又は前記第２ブロックに前記フランジ部材を当接させて圧力を加えることで、該フランジ部材を金属間結合させるレーザ装置の製造方法。
2. レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の第１電極及び第２電極に電気的に接続される第１ブロック及び第２ブロックとを備えたレーザ装置の製造方法であって、
   板状のフィン部と、該フィン部に一体形成されて該フィン部よりも肉厚の接合部とを有する複数のフィンピースを、厚み方向に並べて配置する第１ステップと、
   前記複数のフィンピースの並び方向の両側から前記接合部に圧力を加えることで、該複数の接合部を金属間結合させてフィンブロックを形成する第２ステップと、
   前記第１ブロック又は前記第２ブロックに前記フィンブロックを当接させて圧力を加えることで、該フィンブロックを金属間結合させる第３ステップとを備え、
   前記第２ステップの後、前記複数のフィン部を所定の高さに切断する切断ステップをさらに備えたレーザ装置の製造方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記フィン部は、厚み方向に貫通する貫通孔を有するレーザ装置の製造方法。
4. 請求項１乃至３のうち何れか１つにおいて、
   前記フィン部は、波板状に形成されているレーザ装置の製造方法。
5. レーザ光を出射する半導体レーザ素子を備えたフィンブロックの製造方法であって、
   板状のフィン部と、該フィン部に一体形成されて該フィン部よりも肉厚の接合部とを有する複数のフィンピースを、厚み方向に並べて配置する第１ステップと、
   前記複数のフィンピースの並び方向の両側から前記接合部に圧力を加えることで、該複数の接合部を金属間結合させてフィンブロックを形成する第２ステップと、を備え、
   前記第１ステップでは、前記複数のフィンピースの並び方向の両側にそれぞれフランジ部材を配置し、
   前記第２ステップでは、前記フランジ部材に圧力を加えることで、該複数の接合部及び該フランジ部材を金属間結合させるフィンブロックの製造方法。

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