JP6189015B2 - 放熱装置および放熱装置の製造方法 - Google Patents
放熱装置および放熱装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6189015B2 JP6189015B2 JP2012095485A JP2012095485A JP6189015B2 JP 6189015 B2 JP6189015 B2 JP 6189015B2 JP 2012095485 A JP2012095485 A JP 2012095485A JP 2012095485 A JP2012095485 A JP 2012095485A JP 6189015 B2 JP6189015 B2 JP 6189015B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing material
- stress relaxation
- hole
- relaxation member
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 229
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 224
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 88
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 51
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 28
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 217
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
本発明の目的は、応力緩和部材の応力緩和効果を損ねることなく応力緩和部材をロウ付けすることができる放熱装置および放熱装置の製造方法を提供することにある。
図1,2に示すように、半導体モジュール10は、発熱する半導体素子40を冷却する放熱装置11を備えている。放熱装置11は、半導体素子40としてのパワーデバイス(IGBT等)を冷却するのに好適に用いられる。詳しくは、電力変換装置が電気自動車、ハイブリッド自動車、電車などに搭載され、この電力変換装置に用いられるパワーデバイス(IGBT等)を放熱装置11により冷却する場合に好適である。放熱装置11は、絶縁基板20と、金属層30と、応力緩和部材50と、冷却器(ヒートシンク)60と、を有する。金属層30は、半導体素子40を接合可能である。
また、冷却器60は、扁平なアルミ製容器61と、波状の薄い板材よりなる仕切り板62を備えている。アルミ製容器61内に仕切り板62が配置されている。そして、アルミ製容器61内に冷却流体が通過するようになっている。冷却器60は、応力緩和部材50の裏面(下面)に接続されている。
半導体素子40は駆動に伴い発熱する。半導体素子40の発する熱は絶縁基板20および応力緩和部材50を介して冷却器60に伝達される。そして、冷却器60のアルミ製容器61内を流れる冷却流体に逃がされる(放熱される)。
まず、図5に示すように、絶縁基板20の表面に第一のロウ材70を介して金属層30を配置する。また、表面および裏面に開口する応力緩和空間としての貫通孔51を有し、純度が4Nのアルミニウムからなる応力緩和部材50の表面と絶縁基板20の裏面との間に、貫通孔81を有する第二のロウ材80を配置する。さらに、応力緩和部材50の裏面と冷却器60との間に、貫通孔91を有する第三のロウ材90を配置する。
引き続き、図1に示すように、金属層30の表面に半導体素子40をはんだで接続する。
図10に示すように、応力緩和部材50をロウ付けする際に、ロウ材箔200,210を使用する場合を考える。このとき、図11に示すように、ロウ材箔200,210は一様である。
(1)放熱装置11の構成として、第二のロウ材80および第三のロウ材90は、開口部の縁が応力緩和部材50の貫通孔51の開口部の縁よりも外側に位置する状態で貫通孔51の開口部と重なる貫通孔81,91を有する。これにより、応力緩和部材50の応力緩和効果を損ねることなく応力緩和部材50をロウ付けすることができる。
(2)応力緩和部材50と絶縁基板20との間に配する第二のロウ材80については、絶縁基板20はロウ材の濡れ性が悪いので、溶融したロウ材は応力緩和部材50の貫通孔51に入り込みやすい。この場合、第二のロウ材80に貫通孔81を設けて応力緩和部材50の貫通孔51へのロウ材の入り込みを防止することは有用である。
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
Claims (4)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に接続され、半導体素子を接合可能な金属層と、
表裏方向に貫通して表面および裏面に開口する貫通孔を有し、前記絶縁基板の裏面に接続される応力緩和部材と、
前記応力緩和部材の裏面に接続される冷却器と、
を有する放熱装置であって、
前記応力緩和部材は、純度が99.99wt%以上のアルミニウムからなり、
前記絶縁基板と前記金属層とは第一のロウ材で接続され、前記絶縁基板と前記応力緩和部材とは第二のロウ材で接続され、前記応力緩和部材と前記冷却器とは第三のロウ材で接続され、
前記第二のロウ材および第三のロウ材の少なくとも一方は、開口部の縁が前記応力緩和部材の貫通孔の開口部の縁よりも外側に位置する状態で前記応力緩和部材の貫通孔の開口部と重なる貫通孔を有することを特徴とする放熱装置。 - 前記冷却器における前記応力緩和部材が接続される部位とは異なる部位に位置する第2の絶縁基板と、
前記第2の絶縁基板の表面に接続され、半導体素子を接合可能な第2の金属層と、
表裏方向に貫通して表面および裏面に開口する貫通孔を有し、前記第2の絶縁基板の裏面に接続されるとともに前記冷却器に接続される第2の応力緩和部材と、を有し、
前記第2の応力緩和部材は、純度が99.99wt%以上のアルミニウムからなり、
前記第2の絶縁基板と前記第2の金属層とは第四のロウ材で接続され、前記第2の絶縁基板と前記第2の応力緩和部材とは第五のロウ材で接続され、前記第2の応力緩和部材と前記冷却器とは第六のロウ材で接続され、
前記第五のロウ材および第六のロウ材の少なくとも一方は、開口部の縁が前記応力緩和部材の貫通孔の開口部の縁よりも外側に位置する状態で前記応力緩和部材の貫通孔の開口部と重なる貫通孔を有することを特徴とする請求項1に記載の放熱装置。 - 絶縁基板の表面に第一のロウ材を介して金属層を配置し、表裏方向に貫通して表面および裏面に開口する貫通孔を有し、純度が99.99wt%以上のアルミニウムからなる応力緩和部材の表面と前記絶縁基板の裏面との間に第二のロウ材を、また、前記応力緩和部材の裏面と冷却器との間に第三のロウ材を、前記第二のロウ材および第三のロウ材の少なくとも一方に形成した貫通孔が前記応力緩和部材の貫通孔の開口部と重なるとともに前記貫通孔の開口部の縁が前記応力緩和部材の貫通孔の開口部の縁よりも外側に位置するようにして配置する配置工程と、
前記第一のロウ材を溶かして前記絶縁基板と前記金属層とを接続し、前記第二のロウ材を溶かして前記応力緩和部材と前記絶縁基板とを接続し、前記第三のロウ材を溶かして前記応力緩和部材と前記冷却器とを接続する接続工程と、を有することを特徴とする放熱装置の製造方法。 - 前記配置工程は、更に、第2の絶縁基板の表面に第四のロウ材を介して第2の金属層を配置し、表裏方向に貫通して表面および裏面に開口する貫通孔を有し、純度が99.99wt%以上のアルミニウムからなる第2の応力緩和部材の表面と前記第2の絶縁基板の裏面との間に第五のロウ材を、また、前記第2の応力緩和部材の裏面と前記冷却器との間に第六のロウ材を、前記第五のロウ材および第六のロウ材の少なくとも一方に形成した貫通孔が前記第2の応力緩和部材の貫通孔の開口部と重なるとともに前記第五のロウ材および第六のロウ材の少なくとも一方に形成した貫通孔の開口部の縁が前記第2の応力緩和部材の貫通孔の開口部の縁よりも外側に位置するようにして配置し、
前記接続工程は、更に、前記第四のロウ材を溶かして前記第2の絶縁基板と前記第2の金属層とを接続し、前記第五のロウ材を溶かして前記第2の応力緩和部材と前記第2の絶縁基板とを接続し、前記第六のロウ材を溶かして前記第2の応力緩和部材と前記冷却器とを接続することを特徴とする請求項3に記載の放熱装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012095485A JP6189015B2 (ja) | 2012-04-19 | 2012-04-19 | 放熱装置および放熱装置の製造方法 |
EP13162857.0A EP2654079A2 (en) | 2012-04-19 | 2013-04-09 | Heat dissipation device and method for manufacturing the same |
US13/862,861 US20130277034A1 (en) | 2012-04-19 | 2013-04-15 | Heat dissipation device and method for manufacturing the same |
KR20130041795A KR101486137B1 (ko) | 2012-04-19 | 2013-04-16 | 방열 장치 및 그 제조 방법 |
CN2013101321359A CN103378024A (zh) | 2012-04-19 | 2013-04-16 | 散热装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012095485A JP6189015B2 (ja) | 2012-04-19 | 2012-04-19 | 放熱装置および放熱装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013222930A JP2013222930A (ja) | 2013-10-28 |
JP6189015B2 true JP6189015B2 (ja) | 2017-08-30 |
Family
ID=48143075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012095485A Active JP6189015B2 (ja) | 2012-04-19 | 2012-04-19 | 放熱装置および放熱装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130277034A1 (ja) |
EP (1) | EP2654079A2 (ja) |
JP (1) | JP6189015B2 (ja) |
KR (1) | KR101486137B1 (ja) |
CN (1) | CN103378024A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102804368B (zh) * | 2009-06-10 | 2015-12-02 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置 |
JP5392272B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2014-01-22 | 株式会社豊田自動織機 | 両面基板、半導体装置、半導体装置の製造方法 |
DE102013102821A1 (de) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | Hydro Aluminium Rolled Products Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines walzplattierten Aluminiumwerkstücks, walzplattiertes Aluminiumwerkstück und Verwendung dafür |
SG10201400390YA (en) * | 2014-03-05 | 2015-10-29 | Delta Electronics Int L Singapore Pte Ltd | Package structure |
WO2016121159A1 (ja) | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
DE102017202066A1 (de) | 2017-02-09 | 2018-08-09 | Mahle International Gmbh | Kühlvorrichtung, Elektronikanordnung und zugehöriges Herstellungsverfahren |
JP1602558S (ja) * | 2017-04-25 | 2018-04-23 | ||
DE102020213850A1 (de) * | 2020-11-04 | 2022-05-05 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines Kühlkörpers sowie Anordnung, umfassend einen Kühlkörper |
CN114783975B (zh) * | 2022-06-21 | 2022-09-23 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 缓冲焊垫及其制造方法和芯片及其制造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3993595A (en) * | 1971-12-27 | 1976-11-23 | Merkl George | Activated aluminum and method of preparation thereof |
JP2002237556A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Mitsubishi Electric Corp | パワー半導体装置 |
US7270885B1 (en) * | 2001-11-14 | 2007-09-18 | Marlene Rossing, legal representative | Method for brazing ceramic-containing bodies, and articles made thereby |
KR101108454B1 (ko) * | 2004-04-05 | 2012-01-31 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | Al/AlN 접합체, 전력 모듈용 기판 및 전력 모듈, 그리고 Al/AlN 접합체의 제조 방법 |
JP4617209B2 (ja) * | 2005-07-07 | 2011-01-19 | 株式会社豊田自動織機 | 放熱装置 |
JP4759384B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2011-08-31 | 昭和電工株式会社 | 半導体モジュール |
JP4618136B2 (ja) * | 2006-01-17 | 2011-01-26 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP2008235672A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Toyota Industries Corp | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP4945319B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2012-06-06 | 昭和電工株式会社 | 半導体装置 |
JP2008294280A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Showa Denko Kk | 半導体装置 |
JP2008294279A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Showa Denko Kk | 半導体装置 |
JP2009130060A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Toyota Industries Corp | 放熱装置 |
US8472193B2 (en) * | 2008-07-04 | 2013-06-25 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | Semiconductor device |
JP5023020B2 (ja) * | 2008-08-26 | 2012-09-12 | 株式会社豊田自動織機 | 液冷式冷却装置 |
JP5480722B2 (ja) * | 2010-05-28 | 2014-04-23 | 新光電気工業株式会社 | 放熱用部品及びそれを備えた半導体パッケージ |
-
2012
- 2012-04-19 JP JP2012095485A patent/JP6189015B2/ja active Active
-
2013
- 2013-04-09 EP EP13162857.0A patent/EP2654079A2/en not_active Withdrawn
- 2013-04-15 US US13/862,861 patent/US20130277034A1/en not_active Abandoned
- 2013-04-16 KR KR20130041795A patent/KR101486137B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2013-04-16 CN CN2013101321359A patent/CN103378024A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2654079A2 (en) | 2013-10-23 |
KR101486137B1 (ko) | 2015-01-23 |
KR20130118252A (ko) | 2013-10-29 |
US20130277034A1 (en) | 2013-10-24 |
CN103378024A (zh) | 2013-10-30 |
JP2013222930A (ja) | 2013-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6189015B2 (ja) | 放熱装置および放熱装置の製造方法 | |
JP5344888B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6323522B2 (ja) | 冷却器付パワーモジュール用基板 | |
JP4438489B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5515947B2 (ja) | 冷却装置 | |
JP6041469B2 (ja) | 高融点半田層の形成方法 | |
JP5672324B2 (ja) | 接合体の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5125241B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
KR20130125321A (ko) | 냉각기의 제조 방법 | |
WO2011040313A1 (ja) | 半導体モジュールおよびその製造方法 | |
JP5989465B2 (ja) | 絶縁基板の製造方法 | |
JP5349572B2 (ja) | 放熱装置及び放熱装置の製造方法 | |
JP2007088030A (ja) | 半導体装置 | |
JP6008750B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008294282A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008294281A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2014072314A (ja) | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP2008159946A (ja) | 半導体モジュールの冷却装置およびその製造方法 | |
JP6118583B2 (ja) | 絶縁基板 | |
JP7298201B2 (ja) | ヒートシンク付き絶縁回路基板及びパワーモジュール | |
JP6139331B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP5206399B2 (ja) | レーザ装置及びその製造方法 | |
JP2016092222A (ja) | 半導体装置 | |
WO2016060079A1 (ja) | 冷却器付パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP6673635B2 (ja) | 接合体の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンクの製造方法、及び、接合体、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150408 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20151105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20151105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160324 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160329 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160921 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160929 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20161118 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170802 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6189015 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |