JP6323522B2 - 冷却器付パワーモジュール用基板 - Google Patents
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Description
図1に示す冷却器付パワーモジュール用基板10は、セラミックス基板11と、そのセラミックス基板11の一方の面に接合された回路層12と、セラミックス基板11の他方の面に接合された第1金属層13と、この第1金属層13のセラミックス基板11とは反対側の面に接合された第2金属層14と、この第2金属層14に接合された冷却器20と、第1金属層13と第2金属層14との間に介在するチタン層42とを有している。図1中符号48は後述する接合層である。そして、回路層12の上に図1の二点鎖線で示すように半導体素子30がはんだ材により接合されて、パワーモジュールを構成する。
まず、セラミックス基板11の一方の面に銅又は銅合金からなる金属板12′を接合して回路層12を形成するとともに、セラミックス基板11の他方の面に銅又は銅合金からなる金属板13′を接合して第1金属層13を形成する。すなわち、図2Aに示すように、セラミックス基板11の両面に銀チタン(Ag−Ti)系又は銀銅チタン(Ag−Cu−Ti)系の活性金属ろう材、例えばAg−27.4質量%Cu−2.0質量%Tiのろう材のペーストを塗布してろう材塗布層40を形成し、これらろう材塗布層40の上に回路層12及び第1金属層13となる銅板(金属板)12′、13′をそれぞれ積層する。
次に、アルミニウム又はアルミニウム合金,あるいはニッケル又はニッケル合金からなる金属板14′と第1金属層13とを固相拡散接合により接合して第2金属層14を形成する。すなわち、第1金属層13のセラミックス基板11とは反対側の面に第2金属層14を形成する。
次に、第2金属層14にアルミニウム合金からなる冷却器20をMg含有Al系ろう材を用いてろう付け接合する。
図4は参考例として示した冷却器付パワーモジュール用基板210であり、セラミックス基板211と、セラミックス基板211の一方の面に接合された銅又は銅合金からなる回路層212と、セラミックス基板211の他方の面に接合された銅又は銅合金からなる第1金属層213と、第1金属層213に接合されたニッケル又はニッケル合金からなる第2金属層214と、第2金属層214に接合されたアルミニウム合金からなる冷却器20とを備える。また、第1実施形態と同様に、冷却器20をろう付け接合するのに用いられた両面クラッド材の一部が、接合層48として第2金属層214と冷却器20との間に残存している。
図5は他の参考例として示した冷却器付パワーモジュール用基板310であり、セラミックス基板311と、セラミックス基板311の一方の面に接合された銅又は銅合金からなる回路層312と、セラミックス基板311の他方の面に接合された銅又は銅合金からなる第1金属層313と、第1金属層313に接合されたニッケル又はニッケル合金からなる第2金属層314と、第2金属層314に接合されたアルミニウム合金からなる冷却器20とを備え、さらに、第2金属層314と冷却器20との間に介在するアルミニウム層315を有する。また、上記各実施形態と同様に、冷却器20をろう付け接合するのに用いられた両面クラッド材の一部が、接合層48としてアルミニウム層315と冷却器20との間に残存している。
本発明の第2実施形態に係る冷却器付パワーモジュール用基板410は、図6に示すように、セラミックス基板411と、セラミックス基板411の一方の面に接合された銅又は銅合金からなる回路層412と、セラミックス基板411の他方の面に接合された銅又は銅合金からなる第1金属層413と、第1金属層413に接合されたアルミニウムまたはアルミニウム合金、あるいはニッケル又はニッケル合金からなる第2金属層414と、第2金属層414に接合されたアルミニウム合金からなる冷却器20とを備え、さらに、第1金属層413と第2金属層414との間に介在するチタン層415を有する。また、上記各実施形態と同様に、冷却器20をろう付け接合するのに用いられた両面クラッド材の一部が、接合層48として第2金属層414と冷却器20との間に残存している。
11,211,311,411 セラミックス基板
12,212,312,412 回路層
13,213,313,413 第1金属層
14,214,314,414 第2金属層
12′,13′ 銅板(金属板)
14′ 金属板
20 冷却器
21 筒体
21a 天板
22 流路
23 仕切り壁
30 半導体素子
40 ろう材塗布層
41 チタン箔
42,415 チタン層
45 両面ろうクラッド材(Mg含有Al系ろう材)
46 芯材
47 ろう層
48 接合層
315 アルミニウム層
Claims (1)
- セラミックス基板と、
前記セラミックス基板の一方の面に接合された銅又は銅合金からなる回路層と、
前記セラミックス基板の他方の面に接合された銅又は銅合金からなる第1金属層と、
前記第1金属層に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第2金属層と、
前記第2金属層に接合されたアルミニウム合金からなる冷却器と
を備え、
前記第1金属層中に、その表面に接合された部材中の金属原子が拡散した状態で存在しているとともに、
前記第2金属層中に、その表面に接合された部材中の金属原子が拡散した状態で存在しており、
前記第1金属層と前記第2金属層との間に介在するチタン層をさらに有し、
前記第1金属層中および前記第2金属層中に、前記チタン層中のチタンが拡散した状態で存在しており、
前記第2金属層と前記冷却器との間に、0.05mm以上0.6mm以下の厚みのアルミニウム合金からなる芯材が介在し、該芯材と前記第2金属層との間、及び前記芯材と前記冷却器との間がそれぞれろう付けされており、
前記チタン層は前記第1金属層よりも面積が大きいことを特徴とする冷却器付パワーモジュール用基板。
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Families Citing this family (18)
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US11535086B2 (en) * | 2016-12-20 | 2022-12-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Heating rod, heating module including same, and heating device including same |
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JP7122461B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2022-08-19 | 京セラ株式会社 | 回路基体およびこれを備える放熱基体または電子装置 |
KR102603213B1 (ko) * | 2019-09-02 | 2023-11-16 | 현대자동차주식회사 | 전력 반도체용 냉각 장치 및 그 제조 방법 |
JP7359647B2 (ja) * | 2019-10-30 | 2023-10-11 | 日立Astemo株式会社 | パワー半導体装置およびパワー半導体装置の製造方法 |
US10945333B1 (en) | 2019-11-22 | 2021-03-09 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Thermal management assemblies having cooling channels within electrically insulated posts for cooling electronic assemblies |
KR102611698B1 (ko) * | 2021-03-31 | 2023-12-08 | 주식회사 아모센스 | 파워모듈의 제조방법 |
TWI795199B (zh) * | 2022-01-28 | 2023-03-01 | 奇鋐科技股份有限公司 | 散熱模組製造方法 |
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Family Cites Families (27)
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---|---|---|---|---|
JP2999760B2 (ja) * | 1998-02-05 | 2000-01-17 | 日本碍子株式会社 | ベリリウムと銅合金のhip接合体の製造方法およびhip接合体 |
US6071389A (en) * | 1998-08-21 | 2000-06-06 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonded sputter target assembly and method of making |
EP1043111B1 (en) * | 1999-03-23 | 2006-05-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing beryllium-copper alloy hot isostatic press (Hip) bonded body and hip-bonded body |
US6619537B1 (en) * | 2000-06-12 | 2003-09-16 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of copper sputtering targets to backing plates using nickel alloy interlayers |
JP2002203932A (ja) | 2000-10-31 | 2002-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体パワー素子用放熱基板とその導体板及びヒートシンク材並びにロー材 |
ATE350217T1 (de) | 2001-10-26 | 2007-01-15 | Furukawa Sky Aluminum Corp | Flussmittelfreies verfahren zum hartlöten unter schutzgas |
WO2003106733A1 (en) * | 2002-06-14 | 2003-12-24 | Tosoh Smd, Inc. | Target and method of diffusion bonding target to backing plate |
JP4793622B2 (ja) | 2005-03-04 | 2011-10-12 | 日立金属株式会社 | セラミックス回路基板およびパワーモジュール並びにパワーモジュールの製造方法 |
JP2008147308A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Hitachi Metals Ltd | 回路基板およびこれを用いた半導体モジュール |
JP2008198706A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Hitachi Metals Ltd | 回路基板、その製造方法およびそれを用いた半導体モジュール |
CN102498564B (zh) * | 2009-09-09 | 2015-08-26 | 三菱综合材料株式会社 | 带散热器的功率模块用基板的制造方法、带散热器的功率模块用基板及功率模块 |
DK2662179T3 (da) * | 2009-10-26 | 2014-10-13 | Neomax Materials Co Ltd | Aluminiumbindingslegering af en nikkel-magnesiumlegering |
JP5707886B2 (ja) | 2010-11-15 | 2015-04-30 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュールおよびパワーモジュール用基板の製造方法 |
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JP5918008B2 (ja) * | 2012-05-08 | 2016-05-18 | 昭和電工株式会社 | 冷却器の製造方法 |
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JP2014097529A (ja) * | 2012-10-18 | 2014-05-29 | Fuji Electric Co Ltd | 発泡金属による接合方法、半導体装置の製造方法、半導体装置 |
US9642275B2 (en) * | 2012-12-25 | 2017-05-02 | Mitsubishi Materials Corporation | Power module |
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KR102130868B1 (ko) * | 2013-03-14 | 2020-07-08 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 접합체, 파워 모듈용 기판, 및 히트 싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 |
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