JP2008294281A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単に製造することができるとともに、熱応力によるクラックや剥離の発生を抑制することができる半導体装置、及びその半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、セラミック基板１４の一面１４ａに半導体素子１２が熱的に結合されるとともに他面１４ｂに金属板１６を介してヒートシンク１３が熱的に結合されている。ヒートシンク１３と金属板１６の間には、板状をなし一面に金属板１６より面積の小さい第１接合面２０ａを備えるとともに他面に第２接合面２０ｂを備える応力緩和部材２０が介装されている。この応力緩和部材２０は、第１接合面２０ａが金属板１６の周縁１６ｃより内側に配置されて金属板１６に熱的に結合されているとともに第２接合面２０ｂがヒートシンク１３に熱的に結合されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、回路基板の一面に半導体素子が熱的に結合されるとともに他面に金属層を介して放熱装置が熱的に結合された半導体装置及びその製造方法に関する。

従来、窒化アルミニウムなどのセラミック基板の表裏両面に金属層を設けるとともに、表面金属層に半導体素子を熱的に結合（接合）し、さらに裏面金属層に半導体素子の発する熱を放熱するためのヒートシンク（放熱装置）を熱的に結合（接合）してモジュール化した半導体装置が知られている。ところで、半導体装置では、ヒートシンクの放熱性能が長期間にわたって維持されることが要求されている。しかし、従来の構成によれば、使用条件によってはセラミック基板、金属層及びヒートシンクとの線膨張係数の相違に起因して発生する熱応力によってセラミック基板と裏面金属層との接合部にクラックが生じたり、さらにはクラックの伸展による剥離が生じ、放熱性能が低下する虞がある。

そこで、従来、このような問題を解決するために、特許文献１に記載の半導体モジュールが提案されている。図６に示すように、特許文献１に記載の半導体モジュール７０は、セラミックス基板７４の裏面側の金属板７１に所定深さの段差、溝、凹陥部で形成した熱応力緩和部７１ａを設けるとともにヒートシンク７２と裏面側の金属板７１との間の一部分に厚い半田部を有する半田層（図示せず）が形成されてなる。また、特許文献１に記載の半導体モジュール７０では、セラミックス基板７４の表面側の金属板７３に半導体素子７５が接合されている。また、熱応力緩和部７１ａは、表面側の金属板７３の体積に対する裏面側の金属板７１の体積比が０．６以下となるように金属板７１に設けられている。そして、特許文献１に記載の半導体モジュール７０においては、半田部によって半田層内に生じる熱応力が大幅に緩和低減されて半田クラックが発生しにくくなるとともに、ヒートシンク７２の反りも熱応力緩和部７１ａにおいて吸収される。
特開２００３−１７６２７号公報

ところで、特許文献１の半導体モジュール７０において、熱応力を緩和し、放熱性能の低下を抑制するための熱応力緩和部７１ａは、裏面側の金属板７１をエッチング処理又はプレス加工して形成されており非常に製造し難く、半導体モジュール７０が製造し難い。

この発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、簡単に製造することができるとともに、熱応力によるクラックや剥離の発生を抑制することができる半導体装置、及びその半導体装置の製造方法を提供することにある。

上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、セラミック基板の一面に半導体素子が熱的に結合されるとともに他面に金属層を介して放熱装置が熱的に結合された半導体装置であって、前記放熱装置と前記金属層の間に、板状をなし一面に前記金属層より面積の小さい第１接合面を備えるとともに他面に第２接合面を備える応力緩和部材が介装され、前記第１接合面が前記金属層の周縁より内側に配置されて該金属層に熱的に結合されているとともに前記第２接合面が前記放熱装置に熱的に結合されている。

また、請求項５に記載の発明は、セラミック基板の一面に半導体素子が熱的に結合されるとともに他面に金属層を介して放熱装置が熱的に結合された半導体装置の製造方法であって、前記放熱装置と前記金属層との間に、板状をなし一面に前記金属層より面積の小さい第１接合面を備えるとともに他面に第２接合面を備える応力緩和部材を介在させ、該応力緩和部材の前記第１接合面を金属層の周縁より内側に配置し、該第１接合面を金属層に熱的に結合するとともに前記第２接合面を放熱装置に熱的に結合する。

請求項１及び請求項５に記載の発明によれば、金属層において、該金属層の周縁から内側に向けて離れた位置に第１接合面が接合されている。このため、セラミック基板と金属層の線膨張係数の相違に起因して熱応力が発生したとき、金属層において熱応力が集中的に作用する周縁部には第１接合面が接合されていない。よって、例えば、金属層の全面に放熱装置が直接接合されている場合に比して熱応力を緩和することができる。また、金属層の周縁部には第１接合面が接合されていないため、熱応力が作用したとき金属層の周縁部の変形が許容される。したがって、金属層の全面に放熱装置が直接接合されている場合に比して、セラミック基板と金属層との接合部における熱応力が緩和される。その結果として、セラミック基板と金属層との接合部にクラックや剥離が生じることを抑制することができる。

そして、熱応力を緩和するために設けられた応力緩和部材は、セラミック基板（金属層）及び放熱装置とは別部材を加工し、セラミック基板及び放熱装置に接合されている。このため、熱応力の緩和のために、厚みが薄く、サイズの小さい金属層をエッチング処理する場合に比して半導体装置を簡単に製造することができる。また、応力緩和部材は、放熱装置及びセラミック基板とは別体であるため、応力緩和部材を形成する材料を自由に選択することができる。このため、金属層及び放熱装置の線膨張係数や材質に合わせて応力緩和部材の材料を選択することにより、セラミック基板と金属層との接合部における熱応力の緩和に貢献することができる。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体装置において、前記第１接合面は全面が金属層に熱的に結合されている。この発明によれば、半導体素子から発せられた熱はセラミック基板及び金属層を介して応力緩和部材から放熱装置に伝導される。このとき、第１接合面の全面が金属層に接合されているため、例えば、応力緩和部材の一面に金属層への非接合領域がある場合に比して半導体素子で発せられた熱を放熱装置に効率良く伝導することができる。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置において、前記第１接合面は前記金属層に直接ろう付けされている。この発明によれば、第１接合面と金属層の間に他の部材が介在する場合に比して、半導体素子で発せられた熱を放熱装置に効率良く伝導することができる。

請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の半導体装置において、前記応力緩和部材、金属層、及び放熱装置は同系の金属材料により形成されている。なお、「同系の金属材料」とは、基となる材質が同じで、一方の材料を溶融させて他方の材料に接合した場合に、両者の間に界面を作らない材料を意味する。例えば、純アルミニウムや各種アルミニウム合金は同系の金属材料である。以下、この明細書では「同系の金属材料」とは上記と同じ意味で使用する。そして、この発明によれば、応力緩和部材と金属層とを直接、又は同系の金属材料であるろう材を介して接合した箇所に熱伝導を阻害する界面の形成が抑制されるため、高い熱伝導度を確保できる。

本発明によれば、簡単に製造することができるとともに、熱応力によるクラックや剥離の発生を抑制することができる。

以下、本発明の半導体装置及び該半導体装置の製造方法を具体化した一実施形態を図１〜図３にしたがって説明する。なお、図１〜図３は、半導体装置を模式的に示したものであり、図示の都合上、一部の寸法を誇張して分かり易くするために、それぞれの部分の幅、長さ、厚さ等の寸法の比は実際の比と異なっている。

図２に示すように、半導体装置１０は、回路基板１１に半導体素子１２が接合されるとともに、回路基板１１に放熱装置としてのヒートシンク１３が応力緩和部材２０を介して接合されて構成されている。前記回路基板１１は、セラミック基板（絶縁基板）１４の一面１４ａ（表面）に金属回路１５を接合し、セラミック基板１４において前記一面１４ａに背向する他面１４ｂ（裏面）に金属板１６を接合して構成されている。そして、図３に示すように、回路基板１１におけるセラミック基板１４及び金属板１６は平面視四角形状に形成されている。なお、図３は、説明を分かり易くするため、半導体装置１０における半導体素子１２及び金属回路１５の図示を略している。図１及び図２に示すように、半導体素子１２は平面視四角形状をなすとともに半田層Ｈを介して金属回路１５に接合されている。すなわち、半導体素子１２はセラミック基板１４の一面１４ａに金属回路１５を介して熱的に結合されている。

半導体素子１２は、例えば、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＭＯＳＦＥＴ、ダイオードが用いられ、回路基板１１には複数の半導体素子１２が接合されている。また、図２に示すように、セラミック基板１４の他面１４ｂには金属板１６が接合されている。そして、金属板１６は、応力緩和部材２０を介してセラミック基板１４の他面１４ｂとヒートシンク１３とを接合する金属層として機能する。よって、半導体素子１２とヒートシンク１３とは、回路基板１１及び応力緩和部材２０を介して熱的に結合されている。

前記回路基板１１において、セラミック基板１４は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素等により形成されている。また、金属回路１５及び金属板１６はアルミニウムで形成されている。前記ヒートシンク１３はアルミニウムで形成されている。なお、アルミニウムとは純アルミニウム又はアルミニウム合金を意味する。また、アルミニウム以外の高熱伝導性材料として、例えば銅や銅合金等によって金属回路１５、金属板１６及びヒートシンク１３を形成してもよい。そして、ヒートシンク１３は、回路基板１１における金属板１６の形成材料に合わせて同じ金属材料によって形成され、金属板１６とヒートシンク１３は線膨張係数が同じになっている。ヒートシンク１３の内部には冷却媒体（例えば、冷却水）が流れる冷媒流路１３ａが形成されている。

次に、前記応力緩和部材２０について詳しく説明する。
図２に示すように、ヒートシンク１３の一面たる上面１３ｂと、金属板１６において、ヒートシンク１３の上面１３ｂに対向する下面１６ａとの間には、四角板状をなす応力緩和部材２０が介装されている。応力緩和部材２０は、金属板１６及びヒートシンク１３と同じ金属材料（アルミニウムや銅等）によって形成されている。図２及び図３に示すように、応力緩和部材２０の一面には平面形状が四角形状をなすとともに平滑面をなす第１接合面２０ａが形成され、該第１接合面２０ａに背向する他面には平面形状が四角形状をなすとともに平滑面をなす第２接合面２０ｂが形成されている。なお、第１接合面２０ａ及び第２接合面２０ｂの平面形状は金属板１６の平面形状より小さい相似形である。また、第１接合面２０ａ及び第２接合面２０ｂの面積は、金属板１６における下面１６ａの面積より小さくなっている。

そして、応力緩和部材２０は、第１接合面２０ａが金属板１６の下面１６ａにろう付けされ、第２接合面２０ｂがヒートシンク１３の上面１３ｂにろう付けされている。このため、セラミック基板１４とヒートシンク１３とは、金属板１６及び応力緩和部材２０を介して熱的に結合されている。なお、第１接合面２０ａは全面が金属板１６の下面１６ａに接合されている。また、第１接合面２０ａは、金属板１６（下面１６ａ）の範囲内に収まるように金属板１６の下面１６ａに接合されている。このため、第１接合面２０ａの周縁よりも外側となる位置には、金属板１６の全周に亘って一定の幅で延びる周縁部１６ｂが存在している。よって、第１接合面２０ａは金属板１６の下面１６ａ全面に亘って接合されているのではなく、金属板１６の周縁１６ｃよりも内側に向けて離れた位置に配置された状態で金属板１６に接合されている。

なお、前記周縁部１６ｂにおいて、金属板１６の周方向に対して直交する方向への長さ（以下、周縁部１６ｂの幅Ｗとする）が所定の値になるように、第１接合面２０ａの面積、すなわち、応力緩和部材２０の大きさが設定されている。これは、第１接合面２０ａの面積が小さくなり過ぎて周縁部１６ｂの幅Ｗが長くなり過ぎると、応力緩和部材２０を介したヒートシンク１３への熱の伝導効率が低下して好ましくないからである。また、第１接合面２０ａの面積が大きくなり過ぎて周縁部１６ｂの幅Ｗが短くなり過ぎると、以下に述べる応力緩和の機能が十分に発揮できなくなり好ましくないからである。
また、金属板１６の下面１６ａとヒートシンク１３の上面１３ｂとの間には応力緩和空間Ｓが形成されている。この応力緩和空間Ｓが形成されることにより、金属板１６が熱膨張した際、金属板１６の周縁部１６ｂにおける変形が許容されるようになっている。

次に、本実施形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。
なお、ヒートシンク１３に接合する回路基板１１は、セラミック基板１４に金属回路１５及び金属板１６が予め接合された市販のものを使用する。また、応力緩和部材２０は、第１接合面２０ａ及び第２接合面２０ｂが金属板１６の面積より小さくなるように予め成形されたものを使用する。

まず、ヒートシンク１３の上面１３ｂに、アルミニウム系のろう材（図示せず）、応力緩和部材２０、アルミニウム系のろう材（図示せず）、及び回路基板１１の順序で積層する。なお、応力緩和部材２０は、第２接合面２０ｂがヒートシンク１３側に面し、回路基板１１は金属板１６が応力緩和部材２０側に面するように載置する。また、回路基板１１は、金属板１６の周縁１６ｃより内側に応力緩和部材２０の第１接合面２０ａが位置し、かつ第１接合面２０ａの周囲に一定幅で周縁部１６ｂが形成されるように、ろう材を介した応力緩和部材２０上に載置する。

そして、ヒートシンク１３、ろう材、応力緩和部材２０、ろう材及び回路基板１１が積層された全体を加熱する。なお、ろう付けは、不活性ガス雰囲気又は還元ガス雰囲気に雰囲気調整された加熱装置内で行われる。また、加熱装置としては、リフロー炉などが用いられる。ろう付けは、ろう材の溶融温度以上の温度に加熱してろう材を溶融し、その後に溶融したろう材を溶融温度未満に冷却して凝固させることにより行われる。

すると、ヒートシンク１３の上面１３ｂと応力緩和部材２０の第２接合面２０ｂとがろう付けされるとともに、金属板１６の下面１６ａと応力緩和部材２０の第１接合面２０ａとがろう付けされる。その結果、回路基板１１とヒートシンク１３とが応力緩和部材２０を介して一体化され、半導体装置１０が製造される。

さて、このように構成した半導体装置１０は、例えば車載電動モータの駆動に適用されることにより、車両の運転状況に応じて車載電動モータに供給する電力を制御する。そして、半導体装置１０における半導体素子１２から発せられた熱は、金属回路１５、セラミック基板１４、金属板１６及び応力緩和部材２０を介してヒートシンク１３に伝導される。半導体素子１２から発せられた熱がヒートシンク１３に伝導された際には、回路基板１１に加えヒートシンク１３も高温となり、熱膨張する。一方、半導体素子１２からの発熱が停止すると、回路基板１１及びヒートシンク１３の温度は低下し、熱収縮する。そして、熱膨張及び熱収縮の際には、ヒートシンク１３とセラミック基板１４との線膨張係数の相違に起因し、半導体装置１０に熱応力が発生する。

しかし、本実施形態の半導体装置１０において、金属板１６と、応力緩和部材２０と、ヒートシンク１３とは同じ金属材料（アルミニウム）によって形成されているため、金属板１６と、応力緩和部材２０と、ヒートシンク１３の線膨張係数が同じになっている。また、第１接合面２０ａは金属板１６の下面１６ａ全面に亘って接合されておらず、金属板１６の周縁１６ｃより内側に接合され、金属板１６における周縁部１６ｂの下面１６ａとヒートシンク１３の上面１３ｂとの間には応力緩和空間Ｓが形成されている。このため、周縁部１６ｂは応力緩和空間Ｓに向けて変形が許容される。

また、セラミック基板１４と金属板１６とは線膨張係数が異なるため、セラミック基板１４と金属板１６との間には熱応力が作用する。ここで、第１接合面２０ａは金属板１６の周縁１６ｃより内側に配置された状態で接合されている。すなわち、金属板１６において熱応力が集中して作用する周縁部１６ｂを避けて第１接合面２０ａが接合されている。このため、金属板１６の下面１６ａ全面が、応力緩和部材２０を介さずヒートシンク１３の上面１３ｂに接合されている場合に比してセラミック基板１４と金属板１６との接合部における熱応力が緩和される。

また、半導体素子１２から発せられた熱は、金属回路１５、セラミック基板１４、金属板１６及び応力緩和部材２０を介してヒートシンク１３に伝導される。ヒートシンク１３に伝導された熱は、ヒートシンク１３内の冷媒流路１３ａを流れる冷却媒体に伝導されるとともに持ち去られる。すなわち、ヒートシンク１３は、冷媒流路１３ａを流れる冷却媒体によって強制冷却されるため、半導体素子１２で発せられた熱が効率良く除去され、結果として半導体素子１２が回路基板１１への結合側（接合側）から冷却される。

また、半導体装置１０において、半導体素子１２の直下となる位置には回路基板１１を介して応力緩和部材２０の第１接合面２０ａが位置している。そして、第１接合面２０ａは全面が金属板１６の下面１６ａに接合されている。また、第１接合面２０ａが金属板１６の周縁１６ｃより内側に配置された状態で接合される構成であっても、金属板１６にて第１接合面２０ａが非接合となる周縁部１６ｂの幅は長くなり過ぎないように第１接合面２０ａの大きさが設定されている。このため、熱応力を緩和する構成を設けても、半導体素子１２からヒートシンク１３への熱伝導率が極端に低下しないようになっている。

上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）回路基板１１における金属板１６とヒートシンク１３との間に応力緩和部材２０を介装し、該応力緩和部材２０における金属板１６への第１接合面２０ａの面積を金属板１６の面積より小さく形成した。そして、金属板１６の下面１６ａと、ヒートシンク１３の上面１３ｂとの間には応力緩和空間Ｓが形成されている。このため、熱応力を受けた金属板１６の変形が応力緩和空間Ｓによって許容され、例えば、金属板１６の下面１６ａ全面にヒートシンク１３の上面１３ｂが接合されている場合に比して熱応力が緩和される。

また、金属板１６において熱応力が集中的に作用する周縁部１６ｂには第１接合面２０ａが接合されていないため、金属板１６の下面１６ａ全面にヒートシンク１３の上面１３ｂが接合されている場合に比して金属板１６側の熱膨張及び熱収縮による変形量が抑えられ、セラミック基板１４と金属板１６との接合部における熱応力が緩和される。その結果として、セラミック基板１４と金属板１６との接合部にクラックや剥離が生じることを抑制することができる。そして、熱応力を緩和するための応力緩和部材２０は、セラミック基板１４及びヒートシンク１３とは別部材である。このため、熱応力の緩和のために、厚みが薄く、サイズの小さい金属板１６をエッチング処理する場合に比して半導体装置１０を簡単に製造することができる。

（２）半導体装置１０は、熱応力の緩和のためにセラミック基板１４とヒートシンク１３との間に応力緩和部材２０を介装しただけである。そして、この半導体装置１０においては、市販されている回路基板１１を加工したり処理することなく、セラミック基板１４とヒートシンク１３に応力緩和部材２０を接合するだけで熱応力を緩和することができる。よって、熱応力を緩和することができる半導体装置１０を簡単に製造することができる。

（３）第１接合面２０ａはその全面が金属板１６の下面１６ａに接合されている。このため、半導体素子１２から発せられた熱を、金属板１６を介して応力緩和部材２０に効率良く伝導することができる。

（４）応力緩和部材２０を形成する材料と、金属板１６を形成する材料と、ヒートシンク１３を形成する材料は同じである（同系材料である）。このため、応力緩和部材２０と金属板１６とヒートシンク１３とが異なる材料で形成される場合に比して、各部材間に熱伝導を阻害する界面が形成されることが抑制され、金属板１６と応力緩和部材２０との間での熱伝導度、さらには、応力緩和部材２０とヒートシンク１３との間での熱伝導度を高くすることができる。

（５）応力緩和部材２０は、第１接合面２０ａが金属板１６の下面１６ａに対し直接ろう付けされている。このため、応力緩和部材２０の第１接合面２０ａと、金属板１６の下面１６ａとの間に他の部材が介在する場合に比して、半導体素子１２で発せられた熱をヒートシンク１３に効率良く伝導することができる。

なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○ 図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、応力緩和部材２０に、該応力緩和部材２０を厚み方向に貫通する複数の凹部２０ｃを形成してもよい。このように構成すると、半導体装置１０に熱応力が発生したとき、凹部２０ｃにより応力緩和部材２０の変形が許容され、熱応力が緩和される。なお、図４において、凹部２０ｃは丸孔状に形成されているが、孔形状は四角や三角のように任意に変更してもよい。また、凹部２０ｃは、応力緩和部材２０を厚み方向に貫通しておらず、穴状であってもよい。

○ 図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、応力緩和部材２０の一面に複数の溝部２０ｄを形成してもよい。このように構成すると、半導体装置１０に熱応力が発生したとき、溝部２０ｄにより応力緩和部材２０の変形が許容され、熱応力が緩和される。

○ 応力緩和部材２０は、金属板１６及びヒートシンク１３と全く同じ材料でなく、同系の材料で形成されていてもよく、例えば、金属板１６及びヒートシンク１３が純アルミニウムで形成され、応力緩和部材２０がアルミニウム合金で形成されていてもよい。

○ ヒートシンク１３は強制冷却式の冷却器であればよく、ヒートシンク１３を流れる冷却媒体は水に限らず、例えば、他の液体や空気などの気体であってもよい。また、沸騰冷却式の冷却器であってもよい。

○ 回路基板１１上に金属回路１５が２個形成される構成に限らず、金属回路１５が１個又は３個以上形成されるとともに、金属回路１５上に半導体素子１２が１個又は３個以上接合された構成としてもよい。

○ 半導体装置１０は、車載用に限らず他の用途に使用するものに適用してもよい。
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について以下に追記する。
（１）前記金属層において第１接合面の外側に位置する周縁部と、放熱装置において前記周縁部に対向する面との間には応力緩和空間が形成されている請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の半導体装置。

実施形態の半導体装置を示す平面図。 図１のＡ−Ａ線断面図。 半導体装置におけるセラミック基板及び応力緩和部材を示す平面図。 （ａ）は応力緩和部材の別例を示す平面図、（ｂ）は応力緩和部材を示す図４（ａ）の４ｂ−４ｂ線断面図。 （ａ）は応力緩和部材の別例を示す平面図、（ｂ）は応力緩和部材を示す図５（ａ）の５ｂ−５ｂ断面図。 背景技術の半導体モジュールを示す断面図。

符号の説明

１０…半導体装置、１２…半導体素子、１３…放熱装置としてのヒートシンク、１４…セラミック基板、１４ａ…一面、１４ｂ…他面、１６…金属層としての金属板、１６ｃ…周縁、２０…応力緩和部材、２０ａ…第１接合面、２０ｂ…第２接合面。

Claims (5)

1. セラミック基板の一面に半導体素子が熱的に結合されるとともに他面に金属層を介して放熱装置が熱的に結合された半導体装置であって、
   前記放熱装置と前記金属層の間に、板状をなし一面に前記金属層より面積の小さい第１接合面を備えるとともに他面に第２接合面を備える応力緩和部材が介装され、前記第１接合面が前記金属層の周縁より内側に配置されて該金属層に熱的に結合されているとともに前記第２接合面が前記放熱装置に熱的に結合されている半導体装置。
2. 前記第１接合面は全面が金属層に熱的に結合されている請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１接合面は前記金属層に直接ろう付けされている請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記応力緩和部材、金属層及び放熱装置は同系の金属材料により形成されている請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の半導体装置。
5. セラミック基板の一面に半導体素子が熱的に結合されるとともに他面に金属層を介して放熱装置が熱的に結合された半導体装置の製造方法であって、
   前記放熱装置と前記金属層との間に、板状をなし一面に前記金属層より面積の小さい第１接合面を備えるとともに他面に第２接合面を備える応力緩和部材を介在させ、該応力緩和部材の前記第１接合面を金属層の周縁より内側に配置し、該第１接合面を金属層に熱的に結合するとともに前記第２接合面を放熱装置に熱的に結合する半導体装置の製造方法。

Images