JP2011054732A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体モジュール1は、半導体素子3と、半導体素子3の熱を放熱するヒートシンク5と、半導体素子3とヒートシンク5との間に位置し配線層13,15を両面に有する絶縁基板10と、を備えた半導体モジュールであって、絶縁基板10の一方の配線層13には、はんだを介して半導体素子3が接合されており、絶縁基板10の他方の配線層15には、はんだを介してヒートシンク5が接合されており、一方の配線層13と、他方の配線層15と、が、絶縁基板10の中央部に対応する部分において周囲よりも厚く形成された厚板部13a,15aを有する。
【選択図】図1
Description
図1に示す半導体モジュール1は、絶縁基板10と、半導体素子3と、ヒートシンク(放熱体)5と、を備えている。絶縁基板10の絶縁基材部10aの上下両面には、それぞれ配線層13,15が形成されている。そして、絶縁基板10の上面側の配線層13(以下、「上面配線層13」と言う)に、半導体素子3がはんだ付けされており、絶縁基板10の下面側の配線層15(以下、「下面配線層15」と言う)に、ヒートシンク5がはんだ付けされている。半導体素子3と上面配線層13との間には、はんだが充填されて成るはんだ層23(以下、「上面はんだ層23」と言う)が形成される。また、ヒートシンク5と下面配線層15との間にも同様に、はんだが充填されて成るはんだ層25(以下、「下面はんだ層25」と言う)が形成される。このような構成の半導体モジュール1は、例えば、自動車のパワーモジュールに使用される。
銅の熱伝導率 :390W/(m・K)
アルミニウムの熱伝導率:236W/(m・K)
はんだの熱伝導率 : 40W/(m・K)
続いて、本発明の第2実施形態に係る半導体モジュール101について図2を参照し説明する。この半導体モジュール101において、前述の半導体モジュール1と同一又は同等の構成部分には、図面で半導体モジュール1と同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
Claims (4)
- 半導体素子と、前記半導体素子の熱を放熱する放熱体と、前記半導体素子と前記放熱体との間に位置し配線層を両面に有する絶縁基板と、を備えた半導体モジュールであって、
前記絶縁基板の一方の前記配線層には、はんだを介して前記半導体素子が接合されており、
前記絶縁基板の他方の前記配線層には、はんだを介して前記放熱体が接合されており、
前記一方の前記配線層と、前記他方の前記配線層と、が、
前記絶縁基板の中央部に対応する部分において周囲よりも厚く形成された厚板部を有することを特徴とする半導体モジュール。 - 各前記配線層が有する各前記厚板部は、
前記放熱体に近いものほど、厚み方向から見た面積が大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 半導体素子と、前記半導体素子の熱を放熱する放熱体と、前記半導体素子と前記放熱体との間に位置し配線層を両面に有する絶縁基板と、を備えた半導体モジュールであって、
前記絶縁基板の一方の前記配線層には、はんだを介して前記半導体素子が接合されており、
前記絶縁基板の他方の前記配線層には、はんだを介して前記放熱体が接合されており、
前記一方の前記配線層は、
前記絶縁基板の中央部に対応する部分において周囲よりも厚く形成された厚板部を有し、
前記放熱体は、
前記絶縁基板の中央部に対応する部分において周囲よりも高く前記絶縁基板側に向かって盛り上がる突出部を有することを特徴とする半導体モジュール。 - 前記突出部は、前記厚板部と比較して、厚み方向から見た面積が大きいことを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。
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