JPH10189845A - 半導体素子の放熱装置 - Google Patents

半導体素子の放熱装置

Info

Publication number
JPH10189845A
JPH10189845A JP34438796A JP34438796A JPH10189845A JP H10189845 A JPH10189845 A JP H10189845A JP 34438796 A JP34438796 A JP 34438796A JP 34438796 A JP34438796 A JP 34438796A JP H10189845 A JPH10189845 A JP H10189845A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
outer edge
groove
heat sink
pattern
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP34438796A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Torii
孝史 鳥井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP34438796A priority Critical patent/JPH10189845A/ja
Publication of JPH10189845A publication Critical patent/JPH10189845A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加工工数をさほど増大させることなく、基板
と放熱板とを接合しているハンダの剥離防止が可能であ
る半導体素子の放熱装置を提供すること。 【解決手段】 本発明の半導体素子の放熱装置は、半導
体素子７が表面に搭載されておりハンダ接合用のプリン
トパターン４が裏面に形成されているセラミック基板３
と、プリントパターン４に対面している接合面２１と接
合面２１の外縁部に沿って所定の幅で形成されている溝
２０とでプリントパターン４にハンダ付けされている放
熱板２とを有する。溝２０の外縁はプリントパターン４
の外縁よりも外側に形成されており、溝２０の内縁はプ
リントパターン４の外縁よりも内側に形成されている。
溝２０を形成するだけで、プリントパターン４の外縁付
近に集中する熱歪みが溝２０内の厚いハンダ層９に吸収
され、大きな応力集中が生じないのでハンダの剥離が防
止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱量が大きく冷
却を必要とする半導体素子の放熱装置の技術分野ないし
は同素子の実装技術分野に属する。このような半導体素
子としては、ＩＧＢＴ、同素子に逆並列接続されるダイ
オード、パワートランジスタ、およびＭＯＳＦＥＴを含
むＦＥＴなどがある。
【０００２】
【従来の技術】大電力を扱うパワートランジスタなどの
半導体素子は、動作時に発熱量が大きくて高温となり過
熱しがちである。それゆえ、同素子の発熱を効率よく放
熱させ同素子の温度を正常領域に抑制することは、実装
技術上の重要な課題である。上記課題を解決するため、
近年では窒化アルミニウムなどの熱伝導率が高い材料か
らなる基板のプリントパターン上に直接半導体素子を実
装し、ハンダ付けで基板を放熱板に搭載する手段がとら
れるようになってきている。ところがこの手段では、基
板と放熱板との線膨張率の差に起因する熱膨張差によっ
て、基板と放熱板とを接合しているハンダが熱応力で剥
離してしまうという不具合が生じやすかった。
【０００３】この不具合を解決するために、特開平８−
８３７３号公報では、基板裏面の導体板を基板からはみ
出させて、このはみ出し部分を放熱板から離れる方向に
曲げて傾斜部を形成し、この傾斜部でハンダの厚みを増
す従来技術が開示されている。これは、基板と放熱板と
の間に形成されているハンダ接合部の厚みを、外縁部で
厚くすることにより分厚いハンダ層で熱歪みを吸収して
剥離を防ごうというものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記公報の従
来技術では、基板からはみ出して導体板を基板に接合
し、さらに基板との接合部分の平面性を保ちながら基板
からはみ出している部分に傾斜角を付ける必要があり、
加工工数の増加を招いていた。また上記公報には、基板
の裏面に外縁部付近で傾斜角を付け、同裏面に導体板を
形成して同様の効果をねらったものがあるが、基板の加
工および基板の裏面への導体板の接合などを行うため
に、やはり加工工数の増加を避け得なかった。
【０００５】そこで本発明は、加工工数をさほど増大さ
せることなく、基板と放熱板とを接合しているハンダの
剥離防止が可能である半導体素子の放熱装置を提供する
ことを解決すべき課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記課題を解決するために、発明者は以下の手段を発明し
た。 （第１手段）本発明の第１手段は、請求項１記載の半導
体素子の放熱装置である。本手段では、不導体からなる
基板の裏面のプリントパターンと放熱板の表面の接合面
とを接合しているハンダの層の厚さが、接合面の外縁部
に沿って放熱板に形成されている溝の部分で増大してい
る。それゆえ、プリントパターンと接合面の外縁部との
間に生じる熱歪みが、溝内の厚いハンダ層の変形により
吸収されてハンダ層の外縁部での熱歪みによる応力が緩
和される。その結果、半導体素子が搭載されている基板
と放熱板との間で、両者を接合しているハンダが剥離す
る不具合は防止される。
【０００７】したがって本手段によれば、放熱板の接合
面の周囲に溝を形成するという工数が少ない加工だけ
で、基板と放熱板とを接合しているハンダが剥離する不
具合は防止されるという効果がある。その結果、低コス
トでハンダの剥離防止がなされている半導体素子の放熱
装置を量産することが可能になるという効果もある。ま
た、放熱板の接合面の外縁部に形成されている溝の位置
がはっきりしているので、基板を放熱板に接合する際に
溝が位置決めの基準になり、位置決めが容易になるとい
う効果もある。
【０００８】（第２手段）本発明の第２手段は、請求項
２記載の半導体素子の放熱装置である。本手段では、プ
リントパターンの外縁が所定幅の溝の中間部に位置する
ので、プリントパターンの外縁は内側方向にも外側方向
にも溝内の厚いハンダ層と接合しており、プリントパタ
ーンの外縁での応力集中が生じにくい。
【０００９】したがって本手段によれば、よりいっそう
ハンダの剥離防止作用が有効になるという効果がある。 （第３手段）本発明の第３手段は、請求項３記載の半導
体素子の放熱装置である。本手段では、放熱板の接合面
が溝の周囲の表面と同一平面にあるので、接合面には何
も加工を加えることなく、接合面の周囲に溝を形成する
だけで、周囲の表面と隔離されている接合面が自然に形
成される。
【００１０】したがって本手段によれば、加工工数がい
っそう少なくて済み、コストダウンになるという効果が
ある。
【００１１】
【発明の実施の形態および実施例】本発明の半導体素子
の放熱装置の実施の形態については、当業者に実施可能
な理解が得らえるよう、以下の実施例で明確かつ十分に
説明する。 ［実施例］ （実施例の構成）本発明の一実施例としての半導体素子
の放熱装置は、図１に示すように、半導体素子７が表面
に搭載されている不導体からなる基板３と、不導体基板
３の裏面と表面の接合面２１で接合している放熱板２
と、放熱板２の裏面と接合されている放熱器（ヒートシ
ンク）１とから構成されている。
【００１２】基板３は、窒化アルミニウムを主成分とす
る熱伝導性の高いセラミックス製の薄手の板であり、そ
の厚さは一定であって表面および裏面は平面である。基
板３の表面には銅の薄板からなるプリント配線５および
プリントパターン６が形成されており、発熱する半導体
素子７はプリントパターン６の表面にハンダ層１０でハ
ンダ付けにより接合されている。プリントパターン６の
一部からは、外部取り出し用の端子１１が突出してい
る。また、半導体素子７とプリント配線５とは、ボンデ
ィングワイヤ８で互いに接続されている。一方、基板３
の裏面には、銅の薄板からなるハンダ接合用のプリント
パターン４が形成されている。
【００１３】基板３の裏面と対面している放熱板２の表
面には、前述のプリントパターン４の外縁部と対向する
位置に、溝２０が形成されている。溝２０の断面形状
は、プリントパターン４と対向しており表面に平行な底
面と、プリントパターン４の外縁よりも外側で垂直に立
ち上がっている外側面と、プリントパターン４の外縁よ
りも内側から立ち上がり緩やかな傾斜面を形成している
内側面とから構成されている。溝２０の内側の領域は基
板３の裏面に平行な接合面２１を形成しており、接合面
２１は溝２０の外側の放熱板２の表面２２と同一平面内
にある。
【００１４】すなわち放熱板２には、プリントパターン
４に対面している接合面２１とその外縁部に沿って所定
の幅で形成されている溝２０とが、表面に形成されてい
る。そして、放熱板２の接合面２１および溝２０は、プ
リントパターン４にハンダ付けされていて、放熱板２は
基板３と接合されている。また、溝２０の外縁をなす上
記外側面は、プリントパターン４の外縁よりも外側に形
成されており、溝２０の内縁をなす上記内側面は、プリ
ントパターン４の外縁よりも内側に形成されている。そ
して、放熱板２の接合面２１は、溝２０の周囲の表面２
２と同一平面にある。
【００１５】なお、溝２０を形成する加工方法は、鍛造
あるいはフライス加工等のいずれかである。放熱板２は
放熱器１にネジ止めで固定されており、放熱板２の裏面
は薄いサーマルグリス（シリコンオイル）の層を介して
全面で放熱器１の表面に当接している。放熱器１は銅合
金（またはアルミニウム合金）で形成されており、その
内部には冷媒１２を通す流路１０が複数本形成されて連
通している。冷媒１２は水や油等の液体であり、図示し
ないポンプにより強制的に循環させられていて図示しな
いラジエータで冷却される。
【００１６】（実施例の作用効果）本実施例としての半
導体素子の放熱装置は以上のように構成されているの
で、次のようにして強力な放熱作用を発揮する。すなわ
ち、半導体素子７で発生した大量の熱量は、ハンダ層１
０、プリントパターン６、基板３、プリントパターン
４、ハンダ層９、放熱板２を順に熱伝導で伝わり、最後
に放熱器１を介して冷媒１２伝わって冷媒１２により外
部へ排出される。ここで、プリントパターン６，４、放
熱板２および放熱器１は、熱伝導率が極めて高い銅また
は銅合金で形成されており、ハンダ層９，１０は厚さが
極めて薄いうえに熱伝導率が高い。また、放熱板２と放
熱器１との間にはサーマルグリスの薄い膜が介在してお
り、両者２，１の間の熱伝導性も極めて高い。
【００１７】それゆえ、半導体素子７で発生した大量の
熱量は、速やかに放熱器１内の冷媒１２に伝導され、半
導体素子７は十分に冷却されているので半導体素子７の
過熱は防止されている。この際、セラミックス製の基板
３と放熱板２とでは線膨張係数が違うので、両者３，２
の間に熱応力が生じるが、この熱応力は、ハンダ層９と
接合しているプリントパターン４の外縁部で最も高ま
る。ところが本実施例では、基板３の裏面のプリントパ
ターン４と放熱板２の表面の接合面２１とを接合してい
るハンダ層９の厚さが、接合面２１の外縁部に沿って放
熱板２に形成されている溝２０の部分で増大している。
【００１８】すなわち、プリントパターン４の外縁が所
定幅の溝２０の中間部に位置するので、プリントパター
ン４の外縁は内側方向にも外側方向にも溝２０内の厚い
ハンダ層９と接合しており、プリントパターン４の外縁
での応力集中が生じにくい。それゆえ、プリントパター
ン４と接合面２１の外縁部との間に生じる熱歪みが、溝
２０内の厚いハンダ層９の変形により吸収されて、ハン
ダ層９の外縁部での熱歪みによる応力が緩和される。そ
の結果、半導体素子７が搭載されている基板３と放熱板
２との間で、両者を接合しているハンダ層９が剥離する
不具合は防止され、半導体素子７の冷却不良による過熱
不具合が防止されて、半導体素子７の信頼性が向上す
る。
【００１９】したがって本実施例によれば、放熱板２の
接合面２１の周囲に溝２０を形成するという工数が少な
い加工だけで、基板３と放熱板２とを接合しているハン
ダ層９が剥離する不具合は防止されるという効果があ
る。その結果、低コストでハンダ層９の剥離防止がなさ
れている半導体素子７の放熱装置を量産することが可能
になるという効果もある。
【００２０】また、放熱板２の接合面２１の外縁部に形
成されている溝２０の位置がはっきりしているので、基
板３を放熱板２に接合する際に溝２０が位置決めの基準
になり、基板３の放熱板２上での位置決めが容易になる
という効果もある。さらに本実施例では、放熱板２の接
合面２１が溝の周囲の表面２２と同一平面にあるので、
接合面２１には何も加工を加えることなく、接合面２１
の周囲に溝２０を形成するだけで、周囲の表面２２と隔
離されている接合面２１が自然に形成される。したがっ
て本実施例によれば、加工工数がいっそう少なくて済
み、コストダウンになるという効果がある。
【００２１】（実施例の変形態様）本実施例では、前述
のように放熱板２の溝２０を鍛造により形成していた
が、その他にもケミカルミーリング、フライス加工等の
加工方法で溝を形成することも可能である。また、放熱
板２の接合面２１を周囲の表面２２よりも低く形成し、
基板３の位置決め精度を高めることができる変形態様も
可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例としての半導体素子の放熱装置の構成
を示す断面図
【符号の説明】
１：放熱器（ヒートシンク） １０：冷媒の流路
１２：冷媒 ２：放熱板 ２０：溝 ２１：接合面 ２２：表
面 ３：セラミック基板 ４，６：プリントパターン
５：プリント配線 ７：半導体素子 ８：ボンディングワイヤ ９：ハンダ層 １１：外部取り出し端子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】発熱する半導体素子が表面に搭載されてお
    り、ハンダ接合用のプリントパターンが裏面に形成され
    ている不導体からなる基板と、 該プリントパターンに対面している接合面と該接合面の
    外縁部に沿って所定の幅で形成されている溝とが表面に
    形成されており、該接合面および該溝は該プリントパタ
    ーンにハンダ付けされていて該不導体基板と接合されて
    いる放熱板と、を有することを特徴とする、半導体素子
    の放熱装置。
  2. 【請求項２】前記溝の外縁は、前記プリントパターンの
    外縁よりも外側に形成されており、 該溝の内縁は、該プリントパターンの該外縁よりも内側
    に形成されている、 請求項１記載の半導体素子の放熱装置。
  3. 【請求項３】前記放熱板の前記接合面は、前記溝の周囲
    の前記表面と同一平面にある、 請求項１記載の半導体素子の放熱装置。
JP34438796A 1996-12-25 1996-12-25 半導体素子の放熱装置 Pending JPH10189845A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34438796A JPH10189845A (ja) 1996-12-25 1996-12-25 半導体素子の放熱装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34438796A JPH10189845A (ja) 1996-12-25 1996-12-25 半導体素子の放熱装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10189845A true JPH10189845A (ja) 1998-07-21

Family

ID=18368863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34438796A Pending JPH10189845A (ja) 1996-12-25 1996-12-25 半導体素子の放熱装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10189845A (ja)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6762491B1 (en) 2003-01-23 2004-07-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor device
EP1450401A1 (en) * 2001-11-29 2004-08-25 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Module structure and module comprising it
JP2005282715A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Denso Corp 制御装置
WO2007074889A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-05 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置
WO2007077688A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法
WO2008078788A1 (ja) * 2006-12-26 2008-07-03 Kyocera Corporation 放熱基板およびこれを用いた電子装置
JP2009188164A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置
EP1901350A4 (en) * 2005-07-07 2010-03-10 Toyota Jidoshokki Kk HEAT DISSIPATING DEVICE AND POWER MODULE
JP2010062203A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 放熱基板ユニット
JP2011054732A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Toyota Motor Corp 半導体モジュール
JP2013123016A (ja) * 2011-12-12 2013-06-20 Denso Corp 半導体装置
JP2013187396A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Daikin Ind Ltd パワーモジュール
JP2013229363A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Daikin Ind Ltd パワーモジュール
JP2014146645A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO2015033515A1 (ja) * 2013-09-04 2015-03-12 三菱電機株式会社 半導体モジュール及びインバータ装置
WO2015080161A1 (ja) * 2013-11-29 2015-06-04 株式会社神戸製鋼所 ベース板及びベース板を備えた半導体装置
JP2015518660A (ja) * 2012-04-23 2015-07-02 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 冷却構造を備える一体型電子モジュール
EP2863425A3 (en) * 2005-04-06 2015-08-19 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Heat radiator
CN105207449A (zh) * 2015-09-29 2015-12-30 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块
CN105428333A (zh) * 2014-09-11 2016-03-23 三菱电机株式会社 半导体装置
JPWO2016009741A1 (ja) * 2014-07-18 2017-04-27 富士電機株式会社 半導体装置
DE112019005234B4 (de) 2018-11-21 2022-12-22 Hitachi Astemo, Ltd. Leistungshalbleitervorrichtung
EP4036965A4 (en) * 2019-09-25 2023-11-01 Kyocera Corporation MOUNTING BASE FOR ELECTRONIC COMPONENTS AND ELECTRONIC DEVICE
US11967584B2 (en) 2018-11-21 2024-04-23 Hitachi Astemo, Ltd. Power semiconductor device

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1450401A1 (en) * 2001-11-29 2004-08-25 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Module structure and module comprising it
EP1450401A4 (en) * 2001-11-29 2007-12-05 Denki Kagaku Kogyo Kk MODULE STRUCTURE AND MODULE COMPRISING THE SAME
US7355853B2 (en) 2001-11-29 2008-04-08 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Module structure and module comprising it
US6762491B1 (en) 2003-01-23 2004-07-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor device
JP2005282715A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Denso Corp 制御装置
EP2863425A3 (en) * 2005-04-06 2015-08-19 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Heat radiator
EP1873827B1 (en) * 2005-04-06 2020-09-09 Showa Denko K.K. Heat radiating device
EP1901350A4 (en) * 2005-07-07 2010-03-10 Toyota Jidoshokki Kk HEAT DISSIPATING DEVICE AND POWER MODULE
KR101004587B1 (ko) * 2005-12-28 2010-12-28 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 납땜 방법 및 반도체 모듈의 제조 방법 그리고 납땜 장치
WO2007074889A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-05 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置
WO2007077688A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法
JP2007180457A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Toyota Industries Corp 半田付け方法及び半導体モジュールの製造方法並びに半田付け装置
WO2008078788A1 (ja) * 2006-12-26 2008-07-03 Kyocera Corporation 放熱基板およびこれを用いた電子装置
JPWO2008078788A1 (ja) * 2006-12-26 2010-04-30 京セラ株式会社 放熱基板およびこれを用いた電子装置
JP5202333B2 (ja) * 2006-12-26 2013-06-05 京セラ株式会社 放熱基板およびこれを用いた電子装置
JP2009188164A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置
JP2010062203A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 放熱基板ユニット
JP2011054732A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Toyota Motor Corp 半導体モジュール
JP2013123016A (ja) * 2011-12-12 2013-06-20 Denso Corp 半導体装置
JP2013187396A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Daikin Ind Ltd パワーモジュール
JP2015518660A (ja) * 2012-04-23 2015-07-02 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 冷却構造を備える一体型電子モジュール
JP2013229363A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Daikin Ind Ltd パワーモジュール
JP2014146645A (ja) * 2013-01-28 2014-08-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO2015033515A1 (ja) * 2013-09-04 2015-03-12 三菱電機株式会社 半導体モジュール及びインバータ装置
CN105408997A (zh) * 2013-09-04 2016-03-16 三菱电机株式会社 半导体模块以及逆变器装置
JP6045709B2 (ja) * 2013-09-04 2016-12-14 三菱電機株式会社 半導体モジュール及びインバータ装置
US9812377B2 (en) 2013-09-04 2017-11-07 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module and inverter device
WO2015080161A1 (ja) * 2013-11-29 2015-06-04 株式会社神戸製鋼所 ベース板及びベース板を備えた半導体装置
JPWO2016009741A1 (ja) * 2014-07-18 2017-04-27 富士電機株式会社 半導体装置
CN105428333A (zh) * 2014-09-11 2016-03-23 三菱电机株式会社 半导体装置
CN105207449A (zh) * 2015-09-29 2015-12-30 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块
CN105207449B (zh) * 2015-09-29 2019-01-29 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块
DE112019005234B4 (de) 2018-11-21 2022-12-22 Hitachi Astemo, Ltd. Leistungshalbleitervorrichtung
US11967584B2 (en) 2018-11-21 2024-04-23 Hitachi Astemo, Ltd. Power semiconductor device
EP4036965A4 (en) * 2019-09-25 2023-11-01 Kyocera Corporation MOUNTING BASE FOR ELECTRONIC COMPONENTS AND ELECTRONIC DEVICE

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10189845A (ja) 半導体素子の放熱装置
US5825625A (en) Heat conductive substrate mounted in PC board for transferring heat from IC to heat sink
JPH11330750A (ja) 伝熱経路の形成方法および伝熱経路装置
JPH06252285A (ja) 回路基板
RU2742524C1 (ru) Радиатор, интегральная микросхема и печатная плата
WO2008075409A1 (ja) パワーモジュール用ベース、パワーモジュール用ベースの製造方法及びパ ワーモジュール
JP3733783B2 (ja) 発熱素子の放熱構造を有するモジュール
JPH06309532A (ja) Ｉｃカード
JPH10335521A (ja) 半導体装置
US7236367B2 (en) Power electronics component
JPH09213847A (ja) 半導体集積回路装置及びこの製造方法並びにそれを用いた電子装置
JP2006128571A (ja) 半導体装置
JPH11312770A (ja) 薄型ｉｃの放熱フィン
JPH06252299A (ja) 半導体装置及びこの半導体装置を実装した基板
JP7306294B2 (ja) 半導体モジュール
JP2000091481A (ja) 電力用トランジスタケースおよび電力用トランジスタ
JP2002217346A (ja) 電子素子チップモジュール
JP2002043486A (ja) 半導体装置
JPH07122868A (ja) 放熱装置
JPH06181395A (ja) 放熱形プリント配線板
JP2003017634A (ja) 半導体モジュール
JP2002208660A (ja) 電子素子チップ用載置基板及び電子素子チップモジュール
JPH10247703A (ja) ボールグリッドアレイパッケージ及びプリントボード
JP2000223617A (ja) 半導体装置の実装構造
JPH1187576A (ja) 基 板