JP2006128571A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置1に、基板2と、基板の上面に接合される半導体素子3と、基板の下面に接合される放熱板4と、放熱板の下面に対向して配置されるヒートシンク5と、放熱板に接合されて放熱板とヒートシンクとの間に配置され、該半導体素子に応じて設定された放熱領域10の全部または一部を占有する伝熱部材7と、放熱板とヒートシンクとの間に配置され、伝熱部材とヒートシンクとの間で押し広げられた充填材6の余剰分を排出するための充填材逃がし部8と、を具備する。
【選択図】図1
Description
このような半導体装置は、一般的には基板と、基板の上面に接合される半導体素子と、基板の下面に接合される放熱板と、放熱板の下面に対向して配置されるヒートシンクと、を具備し、放熱板とヒートシンクとの間に熱伝導率が高いシリコーングリス等の充填材を塗布して、放熱板をボルト締結によりヒートシンクに取り付ける。
しかし、放熱板およびヒートシンクの接触面の加工精度等の観点から、実際には放熱板とヒートシンクとを完全に密着させることは困難である。
そのため、図10に示す如く、従来の半導体装置1001においては、半導体素子1003a・1003bが上面に接合された基板1002・基板1002・基板1002の下面に接合された放熱板1004とヒートシンク1005との間に熱伝導性に優れた充填材1006を塗布し、放熱板1004とヒートシンク1005とをボルト1009で締結することにより、放熱板1004とヒートシンク1005との間の密着性を向上させている。
気泡(空気)の熱伝導率は、熱伝導性に優れた充填材1006の約十分の一であり、放熱板1004やヒートシンク1005を構成する材料である一般的な金属材料の約一万分の一である。従って、半導体素子1003の下方に位置する充填材1006の内部に気泡が残留することは、半導体装置1001の放熱性を著しく低下させることとなる。
また、特許文献2に記載の半導体装置は、放熱板が反ることにより生じた放熱板とヒートシンクとの隙間に金属板を挿入し、該隙間に充填される充填材の厚みを小さくして放熱性を高めたものである。
また、特許文献2に記載の半導体装置は、放熱板とヒートシンクとの隙間に挿入された金属板の上下に充填材が存在するとともに放熱板の略中央部に向かって充填材が流動し、半導体素子の下方の充填材に気泡が残留して放熱性が低下する場合がある。
基板と、
基板の上面に接合される半導体素子と、
基板の下面に接合される放熱板と、放熱板の下面に対向して配置されるヒートシンクと、
放熱板に接合されて放熱板とヒートシンクとの間に配置され、該半導体素子に応じて設定された放熱領域の全部または一部を占有する伝熱部材と、
放熱板とヒートシンクとの間に配置され、伝熱部材とヒートシンクとの間で押し広げられた充填材の余剰分を排出するための充填材逃がし部と、
を具備するものである。
前記放熱領域は、
半導体素子の下方に配置され、かつ、該半導体素子の平面視形状を外形線とする第一有効放熱領域を含むものである。
前記放熱領域は、
前記第一有効放熱領域の外側に配置され、かつ、半導体素子と基板との接合面における半導体素子の外形線から下方かつ外側に45度の角度で延ばした延長線と、ヒートシンクにおいて放熱板と対向する面と、の交差点を結んだ線を外形線とする第二有効放熱領域を含むものである。
隣り合う半導体素子にそれぞれ対応する二つの第二有効放熱領域の一部が互いに重なり合う場合において、該二つの第二有効放熱領域が重なり合う部分に充填材逃がし部を具備するものである。
前記伝熱部材は、
銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金のいずれかからなるものである。
前記伝熱部材の厚さを前記放熱板の反り量以上とするものである。
半導体装置1は、主に基板2、半導体素子3、放熱板4、ヒートシンク5、充填材6、伝熱部材7、充填材逃がし部8、ボルト9等を具備する。
基板2は絶縁性材料からなる板状の部材であり、該基板2の上面側に接合されることにより実装される半導体素子3と放熱板4とを絶縁しつつ、該半導体素子3にて発生する熱を放熱板4に伝達することにより放熱するものである。
基板2を構成する絶縁性材料の具体例としては、紙フェノールやガラスエポキシ等の樹脂系の材料、あるいは、AlN等のセラミックスが挙げられる。
また、基板2の下面にも銅またはアルミニウム等の導電性材料からなる層が形成されるが、これは基板2と放熱板4とのはんだ付けによる接合を容易とするためである。
半導体素子3は主にシリコンやSiC等の半導体からなる素子である。半導体素子3の具体例としてはIGBT(Insulated(またはInerted) Gate Bipolar Transistor)、BT(Bipolar Transistor)、FET(Field Effect Transistor)、ダイオード、GTOサイリスタ(Gate Turn Off Thyristor)、その他のサイリスタ等が挙げられる。
半導体素子3は基板2の上面にはんだ付け等の方法で接合される。
なお、本実施例では基板2の上面に接合されている半導体素子3の個数は二個であるが、基板2に接合される半導体素子3の個数は限定されない。
放熱板4は基板2の下面にはんだ付け等の方法で接合される板状の部材であり、半導体素子3で発生し、基板2を介して伝達された熱をヒートシンク5に伝達するものである。
放熱板4を構成する材料には熱伝導率が高いことが要求され、通常は銅、モリブデン、あるいはこれらの合金等の金属材料が用いられる。
ヒートシンク5は半導体素子3で発生し、基板2および放熱板4を介して伝達された熱を半導体装置1の外部に放熱するものである。本実施例のヒートシンク5はアルミニウム等の熱伝導率が高い金属材料で構成され、その内部に形成された通路を流通する冷却水に熱を伝達することにより、半導体素子3で発生した熱を半導体装置1の外部に放熱する。
また、本実施例のヒートシンク5は、半導体装置1のケースの下部としての機能を兼ねる。
充填材6は放熱板4とヒートシンク5との間、あるいは後述する伝熱部材7とヒートシンク5との間に充填される材料である。充填材6は粘度が高い液体状の材料であり、流動性および熱伝導性を有する。
充填材6の具体例としては、熱伝導率が高いシリコーングリス等が挙げられる。
伝熱部材7は放熱板4の下面にろう付けまたは接合圧延により接合され、放熱板4とヒートシンク5との間、すなわち、放熱板4とヒートシンク5とで挟まれる領域に配置される。
放熱板4とヒートシンク5とで挟まれる領域における伝熱部材7および充填材逃がし部8の配置は、半導体装置1の放熱性を決定づける重要な因子であり、充填材6に巻き込まれる気泡に起因する放熱性の低下を防止しつつ、半導体素子3で発生した熱を放熱するための熱の伝達経路に、熱伝導率の高い材料を互いに密着させつつ配置することが要求される。
充填材6・6は伝熱部材7とヒートシンク5との間で押し広げられる。そして、伝熱部材7とヒートシンク5との間には薄い充填材6の層が形成され、伝熱部材7とヒートシンク5との間において接触が不十分な部分に気泡が残留し、放熱性が低下することを防止している。
これは、充填材6に巻き込まれた気泡を余剰分の充填材6とともに伝熱部材7とヒートシンク5との間から充填材逃がし部8に排出するためである。
結果として、伝熱部材とヒートシンクとの間の熱の伝達を効率良く行うことができず、半導体装置の放熱性が低下する。
図2の(a)および(b)に示す如く、本実施例の半導体装置1においては、放熱板4とヒートシンク5とで挟まれる領域に予め放熱領域10を設定し、該放熱領域10の全部または一部を占有するように伝熱部材7の形状を定めて配置する。
放熱領域10は、第一有効放熱領域11および第二有効放熱領域12を含む。
第一有効放熱領域11は、半導体素子3からヒートシンク5までの距離が最小となる領域である。従って、伝熱部材7の単位面積当たりの放熱量が大きく、放熱領域10において特に伝熱部材7を配置するのに適した領域である。
このように、第二有効放熱領域12は、平面視において(本実施例の場合、半導体素子3が接合されている基板2の上面に垂直な方向から見たときに)半導体素子3の外側にはみ出しているが、面積の増分に応じて半導体装置1の放熱量を増大させることが可能であり、第一有効放熱領域11に次いで伝熱部材7を配置するのに適した領域である。
従って、第二有効放熱領域12に配置される伝熱部材7の面積を大きくすることにより半導体装置1の放熱性を向上させることが可能である。
特に、半導体素子3の発熱量が大きく、伝熱部材7を第一有効放熱領域11の全部を占有するように配置しても十分な放熱量を確保することが困難な場合や、他の部材との位置的な制約から第一有効放熱領域11に配置される伝熱部材7の面積を大きくすることが困難な場合に有効である。
そして、半導体素子3の発熱量や伝熱部材7を通過する熱量等を考慮して、適宜放熱領域10、より厳密には第一有効放熱領域11および第二有効放熱領域12に対する伝熱部材7の形状および配置を決定する必要がある。
また、第一有効放熱領域11の全部を伝熱部材7により占有した場合には放熱量が不足するが、それに加えて第二有効放熱領域12の全部を伝熱部材7により占有した場合には十分な放熱量を確保することが可能な場合には、図5に示す如く伝熱部材7を配置すれば良い。
また、第一有効放熱領域11および第二有効放熱領域12の全部を伝熱部材7により占有した場合にようやく十分な放熱量を確保することが可能な場合には、図6に示す如く伝熱部材7を配置すれば良い。
また、基板2に接合される半導体素子3の周囲の部材等との位置的な関係において、第一有効放熱領域11の全部を伝熱部材7により占有することができないが、第一有効放熱領域11において伝熱部材7が専有する部分だけでは放熱量が不足する場合には、図7や図8に示す如く伝熱部材7を配置すれば良い。
これは、ボルト締結時のヒートシンク5への伝熱部材7の押し付け圧を大きくして、伝熱部材7とヒートシンク5との間に形成される充填材6の層を薄くすることが可能であるとともに、充填材6を押し広げた際における充填材逃がし部8(放熱板4とヒートシンク5との間において伝熱部材7が配置される以外の領域)までの余剰分の充填材6の移動距離を短くして、より確実に余剰分の充填材6と気泡とを伝熱部材7とヒートシンク5との間から充填材逃がし部8に排出することが可能となるからである。
なお、本実施例における伝熱部材7とヒートシンク5との間に形成される充填材6の層の厚さは、約100μmである。
なお、本実施例における伝熱部材7の厚さは300μmから500μm程度である。
基板2と、
基板2の上面に接合される半導体素子3と、
基板2の下面に接合される放熱板4と、
放熱板4の下面に対向して配置されるヒートシンク5と、
放熱板4に接合されて放熱板4とヒートシンク5との間に配置され、かつ、該半導体素子3に応じて設定された放熱領域10の全部または一部を占有する伝熱部材7と、
放熱板4とヒートシンク5との間に配置され、伝熱部材7とヒートシンク5との間で押し広げられた充填材6の余剰分を逃がすための充填材逃がし部8と、
を具備する。
第一に、伝熱部材7は放熱板4に接合されており、伝熱部材7と放熱板4との間に充填材6および気泡が侵入することが無く、伝熱部材7と放熱板4との間の熱の伝達効率が良い。
第二に、半導体素子3で発生する熱をヒートシンク5に効率良く伝達するのに適した放熱領域10の全部または一部を占有するように伝熱部材7を配置することにより、放熱性が向上する。
第三に、充填材逃がし部8を具備することにより、充填材6の余剰分とともに気泡を伝熱部材7とヒートシンク5の間から容易に排出することが可能であり、気泡に起因する放熱性の低下を防止することが可能である。
従って、半導体装置1は、充填材6に巻き込まれる気泡に起因する放熱性の低下を防止することが可能であり、放熱性に優れる。
また、これらに付随する利点としては、半導体装置1の製造工程において充填材6を予め放熱板4とヒートシンク5の間に薄くのばした状態に塗布せずとも、ボルト締結時に充填材6を容易に押し広げることが可能であるため、予め放熱板4とヒートシンク5の間に薄くのばすという工程を省略することが可能である。結果として、半導体装置1の生産性が向上する。
二つの第二有効放熱領域12・12が重なり合う部分に充填材逃がし部8を具備する。
2 基板
3 半導体素子
4 放熱板
5 ヒートシンク
6 充填材
7 伝熱部材
8 充填材逃がし部
10 放熱領域
Claims (6)
- 基板と、
基板の上面に接合される半導体素子と、
基板の下面に接合される放熱板と、
放熱板の下面に対向して配置されるヒートシンクと、
放熱板に接合されて放熱板とヒートシンクとの間に配置され、該半導体素子に応じて設定された放熱領域の全部または一部を占有する伝熱部材と、
流動性および熱伝導性を有し、放熱板とヒートシンクとの間に充填される充填材と、
放熱板とヒートシンクとの間に配置され、伝熱部材とヒートシンクとの間で押し広げられた充填材の余剰分を排出するための充填材逃がし部と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記放熱領域は、半導体素子の下方に配置され、かつ、該半導体素子の平面視形状を外形線とする第一有効放熱領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記放熱領域は、前記第一有効放熱領域の外側に配置され、かつ、半導体素子と基板との接合面における半導体素子の外形線から下方かつ外側に45度の角度で延ばした延長線と、ヒートシンクにおいて放熱板と対向する面と、の交差点を結んだ線を外形線とする第二有効放熱領域を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 隣り合う半導体素子にそれぞれ対応する二つの第二有効放熱領域の一部が互いに重なり合う場合において、
該二つの第二有効放熱領域が重なり合う部分に充填材逃がし部を具備することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記伝熱部材は、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金のいずれかからなることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記伝熱部材の厚さを前記放熱板の反り量以上とすることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の半導体装置。
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