JP2008277442A - 放熱基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】優れた放熱性能を得ることができる放熱基板を提供する。
【解決手段】放熱基板10は、セラミック基板14の一面14aに金属回路15が接合されるとともに他面14bに金属板16が接合されて形成された回路基板11を備え、該回路基板11における金属回路15に半導体素子12が接合されている。回路基板11の表面を形成するセラミック基板14及び金属回路15の周面14c,15aには放熱用の凹凸部141,151が設けられている。
【選択図】図2
【解決手段】放熱基板10は、セラミック基板14の一面14aに金属回路15が接合されるとともに他面14bに金属板16が接合されて形成された回路基板11を備え、該回路基板11における金属回路15に半導体素子12が接合されている。回路基板11の表面を形成するセラミック基板14及び金属回路15の周面14c,15aには放熱用の凹凸部141,151が設けられている。
【選択図】図2
Description
本発明は、セラミック基板の一面に第1金属板が接合されるとともに他面に第2金属板が接合されて形成された回路基板を備え、該回路基板における前記第1金属板に半導体素子が接合された放熱基板に関する。
一般に、パワーモジュール等に用いられる回路基板は、窒化アルミニウムなどのセラミック基板の表裏両側に金属板が設けられてなり、該回路基板における表側の金属板に半導体素子が熱的に結合(接合)されている。また、パワーモジュール等において、半導体素子から発せられた熱を放熱する技術として、例えば特許文献1〜特許文献3に開示されるものがある。
特許文献1に開示の半導体装置は、セラミック絶縁体を備え、該セラミック絶縁体の一方の面には回路導体が接合され、他方の面には裏面部材が接合されている。前記裏面部材には凸状形状が予め成形されており、裏面部材がセラミック絶縁体に接合されることにより凸状形状の内側に液体の通る液路が形成されている。さらに、液路の形成された裏面部材にブロック部材が接合されている。そして、回路導体に接合された半導体素子から発せられた熱は、回路導体及びセラミック絶縁体を介して液路を流れる液体に伝導されるとともに持ち去られ(放熱され)、半導体素子が冷却される。
特許文献2に開示の半導体装置は、セラミック基板と、セラミック基板の第1の面に形成される第1面側配線パターンと、セラミック基板の第2の面に形成される第2面側配線パターンと、第1面側配線パターンに実装された半導体素子を有する半導体回路部を備える。さらに、特許文献2に開示の半導体装置は、第2面側配線パターン側で半導体素子の直下範囲を含みセラミック基板の第2の面全体範囲内に塗布された接合部材と、セラミック基板の線膨張係数より大きな線膨張係数の金属材料からなり接合部材を介して複数の半導体回路部が接合された金属ベース板を備える。そして、この半導体装置では半導体素子で発生した熱はその下面から半導体回路部を介して金属ベース板に伝導されて放熱される。
特許文献3に開示の半導体装置における両面銅貼り基板は、互いに対向する第1面と第2面とを有するセラミック基板と、第1面に接合された第1銅板と、第2面に接合された第2銅板とを含み、第2銅板がフィンを有するヒートシンクからなる。第1銅板上に半導体素子が接合されて半導体装置が形成されている。そして、この半導体装置では、半導体素子から発生せられた熱は第1銅板、セラミック基板、及び第2銅板に伝導されて該第2銅板のフィンから放熱される。
特開平7−130925号公報
特開2005−150309号公報
特開2005−11922号公報
ところが、近年では、特許文献1〜特許文献3に開示の放熱技術を備えていてもさらなる放熱性能の向上が切望されている。この発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、優れた放熱性能を得ることができる放熱基板を提供することにある。
上記問題点を解決するために、請求項1に記載の発明は、絶縁基板の一面に第1金属板が接合されるとともに他面に第2金属板が接合されて形成された回路基板を備え、該回路基板における前記第1金属板に半導体素子が接合された放熱基板であって、前記回路基板の表面を形成する前記第1金属板、第2金属板、及び絶縁基板のうちの少なくとも一つに放熱用の凹凸部が設けられている。
第1金属板、第2金属板、及び絶縁基板において、他の部材が接合されず、露出した領域全てが回路基板の表面を形成している。そして、回路基板の表面を形成する第1金属板、第2金属板、及び絶縁基板のうちの少なくとも1つに凹凸部が設けられることにより、該凹凸部が設けられない場合に比して、凹凸部が設けられた板の表面積を増加させ、ひいては回路基板の表面積を増加させることができる。よって、凹凸部が設けられない場合に比して、回路基板の大気との接触面積を増加させ、回路基板からの放熱性能を向上させることができ、放熱基板において半導体素子から発せられた熱の放熱性能を優れたものとすることができる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の放熱基板において、前記凹凸部は、該凹凸部が設けられた板と同一材料より形成されている。この発明によれば、例えば、凹凸部を、該凹凸部が設けられた板とは別材料で形成し、該板に接合して設ける場合のように、材料が異なることによる接触熱抵抗のロスを抑えて放熱性能の向上に寄与することができる。
請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の放熱基板において、前記凹凸部は、該凹凸部が設けられた板の全周に亘って形成されている。この発明によれば、例えば、凹凸部が、第1金属板、第2金属板、及び絶縁基板のうちの少なくとも1つの周方向における一箇所だけに設けられる場合に比して表面積を増加させることができ、回路基板からの放熱性能を向上させることができる。
請求項4に記載の発明は、請求項1〜請求項3のうちいずれか一項に記載の放熱基板において、前記第2金属板には前記半導体素子の冷却を行う放熱装置が熱的に結合されている。この発明によれば、半導体素子から発せられた熱は回路基板における第2金属板から放熱装置に伝導され、該放熱装置から放熱される。よって、放熱基板においては、回路基板からの放熱性能の向上に加え、放熱装置からの放熱も行われるため、放熱基板の放熱性能がより一層優れたものとなる。
本発明によれば、優れた放熱性能を得ることができる。
以下、本発明の放熱基板を具体化した一実施形態を図1及び図2にしたがって説明する。なお、図1及び図2は、放熱基板を模式的に示したものであり、図示の都合上、一部の寸法を誇張して分かり易くするために、それぞれの部分の幅、長さ、厚さ等の寸法の比は実際の比と異なっている。
図2に示すように、放熱基板10は、回路基板11に半導体素子12が接合されてなり、さらに、放熱装置としてのヒートシンク13を備えているものである。まず、前記回路基板11の構成について説明する。回路基板11は、絶縁基板としての四角板状をなすセラミック基板14と、該セラミック基板14の一面14aに接合された第1金属板としての金属回路15と、セラミック基板14において前記一面14aに背向する他面14bに接合された第2金属板としての金属板16とから形成されている。図1に示すように、金属回路15は薄板状をなすとともに、セラミック基板14の一面14aに2個設けられている。また、図2に示すように、金属板16は薄板状をなし、セラミック基板14と前記ヒートシンク13とを接合する金属層として機能する。
前記回路基板11において、セラミック基板14は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素等により形成されている。また、金属回路15及び金属板16は、例えば、アルミニウム系金属や銅等で形成されている。前記ヒートシンク13はアルミニウム系金属や銅等で形成されている。なお、アルミニウム系金属とはアルミニウム又はアルミニウム合金を意味する。
図1に示すように、前記半導体素子12は平面視四角形状をなす。そして、半導体素子12は、半田層H(図2参照)を介して金属回路15に接合され、半導体素子12はセラミック基板14の一面14aに金属回路15を介して熱的に結合されている。なお、半導体素子12は、1個の金属回路15に2個ずつ接合されている。半導体素子12は、例えば、IGBT(Insurated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET、ダイオードが用いられている。前記ヒートシンク13の内部には流体(例えば、冷却水)が流れる流路13aが形成されている(図2参照)。
図2に示すように、ヒートシンク13と、回路基板11における金属板16との間には、四角板状をなす応力緩和部材20が介装されている。応力緩和部材20は、金属板16及びヒートシンク13と同じ金属材料(アルミニウム系金属や銅等)によって形成され、前記金属板16と平面形状が同じに形成されている。そして、応力緩和部材20は、第1接合面20aが金属板16にろう付けされ、第2接合面20bがヒートシンク13にろう付けされている。このため、回路基板11とヒートシンク13とは、応力緩和部材20を介して熱的に結合されている。
次に、放熱基板10に設けられた放熱性能を向上させるための構成について説明する。図1及び図2に示すように、前記セラミック基板14において、他の部材(金属回路15及び金属板16)が接合されず、露出した領域(表側の面、周面、及び表側の面に背向する裏側の面)が回路基板11の表面を形成している。そして、回路基板11の表面を形成するセラミック基板14の周面14cには、複数の凸部14dが形成されるとともに隣り合う凸部14dの間には凹部14eが形成されている。そして、セラミック基板14の周面14cには、複数の凸部14dと複数の凹部14eによってフィン構造よりなる放熱用の凹凸部141がセラミック基板14の全周に亘って設けられている。
複数の凸部14d及び複数の凹部14eは、セラミック基板14の周方向に沿って等間隔おきに形成されている。また、各凸部14dは、セラミック基板14の周囲を切削することにより形成され、複数の凸部14dが形成されると同時に凸部14dの間に凹部14eが形成されている。そして、セラミック基板14を直接切削することにより凸部14d及び凹部14eが形成されており、凹凸部141は、該凹凸部141が形成されたセラミック基板14(絶縁基板)と同一材料により形成されている。凸部14d及び凹部14eは、セラミック基板14の厚み方向全体に延びている。また、全ての凸部14dにおいて、平面視における幅及び突出長さは同じになっているとともに、全ての凹部14eにおいて、平面視における開口幅及び深さは同じになっている。
前記金属回路15において、他の部材(半導体素子12及びセラミック基板14)が接合されず、露出した領域(表側の面及び周面)が回路基板11の表面を形成している。そして、回路基板11の表面を形成する金属回路15の周面15aには、複数の凸部15bが形成されるとともに隣り合う凸部15bの間には凹部15cが形成されている。そして、金属回路15の周面15aには、複数の凸部15bと複数の凹部15cによってフィン構造よりなる放熱用の凹凸部151が金属回路15の全周に亘って設けられている。
複数の凸部15b及び複数の凹部15cは、金属回路15の周方向に沿って等間隔おきに形成されている。また、複数の凸部15b及び凹部15cは、金属回路15をエッチング処理することにより形成されている。そして、凹凸部151は金属回路15に直接形成されており、凹凸部151は該凹凸部151が形成された金属回路15と同一材料で形成されている。凸部15b及び凹部15cは、金属回路15の厚み方向全体に亘って延びている。また、全ての凸部15bにおいて、平面視における幅及び突出長さは同じになっているとともに、全ての凹部15cにおいて、平面視における開口幅及び深さは同じになっている。
図1に示すように、セラミック基板14及び金属回路15において、凹部14e、15cの内底面を通過する直線を仮想線L1としたとき、凸部14d,15bは、平面視が前記仮想線L1を一辺とする四角形状に形成されている。
さて、このように構成した放熱基板10は、例えば電動モータを駆動源の一部とするハイブリッドカーなどの車両に適用されることにより、車両の運転状況に応じて電動モータに供給する電力を制御する。そして、半導体素子12から発せられた熱は、矢印Y1(図2参照)に示すように、半導体素子12の直下に伝導され、金属回路15、セラミック基板14、金属板16、及び応力緩和部材20を介してヒートシンク13に伝導される。ヒートシンク13に伝導された熱は、ヒートシンク13内の流路13aを流れる流体に伝導されるとともに持ち去られ、放熱される。すなわち、ヒートシンク13は、流路13aを流れる流体によって強制冷却されるため、半導体素子12で発せられた熱が効率良く除去され、結果として半導体素子12が回路基板11への結合側(接合側)から冷却される。よって、放熱基板10においては、半導体素子12の直下に向けて伝導した熱はヒートシンク13から放熱される。
また、半導体素子12から発せられた熱は、矢印Y2(図2参照)に示すように、ヒートシンク13へ向けて伝導するだけでなく、セラミック基板14及び金属回路15の厚みと交差する方向へも伝導する。そして、セラミック基板14及び金属回路15に伝導した熱の一部は、それらセラミック基板14及び金属回路15の表面からも放熱される。
このとき、放熱基板10において、半導体素子12が接合された金属回路15の周面15a(表面)には凹凸部151が全周に亘って形成されている。このため、金属回路15の周面15aがフラットに形成され、凹凸部151が形成されていない場合に比して、金属回路15における表面積が増加している。よって、金属回路15の周面15aの大気との接触面積が増加し、金属回路15からの放熱効率が向上している。
また、セラミック基板14においても、セラミック基板14の周面14c(表面)には凹凸部141が全周に亘って形成されている。このため、セラミック基板14の周面14cがフラットに形成され、凹凸部141が形成されていない場合に比して、セラミック基板14における表面積が増加している。よって、セラミック基板14の周面14cの大気との接触面積が増加し、セラミック基板14からの放熱効率が向上している。
したがって、放熱基板10は、回路基板11を形成する各板に凹凸部141,151が形成されない場合に比して放熱効率が向上されている。その結果として、放熱基板10においては、半導体素子12から発せられた熱は、ヒートシンク13からの放熱に加え、回路基板11から効率良く放熱されるため、放熱基板10全体の放熱性能が優れたものとなる。
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)回路基板11の表面を形成するセラミック基板14の周面14c及び金属回路15の周面15aに凹凸部141,151を形成した。このため、放熱基板10において、回路基板11の表面に凹凸部141,151が形成されない場合に比して、回路基板11の表面積が増加し、大気との接触面積が増加する。その結果として、凹凸部141,151が設けられない場合に比して回路基板11における放熱性能を向上させることができ、放熱性能の優れた放熱基板10を得ることができる。
(1)回路基板11の表面を形成するセラミック基板14の周面14c及び金属回路15の周面15aに凹凸部141,151を形成した。このため、放熱基板10において、回路基板11の表面に凹凸部141,151が形成されない場合に比して、回路基板11の表面積が増加し、大気との接触面積が増加する。その結果として、凹凸部141,151が設けられない場合に比して回路基板11における放熱性能を向上させることができ、放熱性能の優れた放熱基板10を得ることができる。
(2)回路基板11を形成するセラミック基板14及び金属回路15に凹凸部141,151を形成した。このため、例えば、回路基板11を形成する1枚の板だけに凹凸部を形成する場合に比して放熱性能を向上させることができる。
(3)セラミック基板14の凹凸部141は該セラミック基板14を直接加工して形成され、金属回路15の凹凸部151は該金属回路15を直接処理して形成されている。このため、例えば、凹凸部141,151を、回路基板11を形成する各板14,15とは別材料よりなる部材を接合して設ける場合に比して、接触熱抵抗によるロスを小さくして放熱基板10の放熱性能の向上に寄与することができる。
(4)凹凸部141はセラミック基板14の全周に、凹凸部151は金属回路15の全周に亘って形成されている。このため、例えば、各凹凸部141,151が周方向における一部だけに形成されている場合に比して、回路基板11の表面積を増加させ、放熱性能を向上させることができる。
(5)放熱基板10はヒートシンク13を備えている。このため、半導体素子12から発せられた熱をヒートシンク13からも放熱させることができる。よって、回路基板11における放熱性能の向上に加え、ヒートシンク13からの放熱により、放熱基板10の放熱性能が優れたものとなる。
(6)凹凸部141,151を形成する凸部14d,15bは、平面視が、凹部14e,15cの内底面を通過する仮想線L1を一辺とする四角形状に形成されている。このため、例えば、凸部14d,15bの突出長さ、及び幅が同じ場合において、先端が平面視円弧状に形成される場合に比して各凸部14d,15bの表面積を増加させることができ、回路基板11の表面積を増加させることができる。
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○ 上記実施形態において、凹凸部141は、セラミック基板14の周面14c全体でなく、該周面14cの一部のみに設けられていてもよい。また、凹凸部151は、金属回路15の周面15a全体でなく、該周面15aの一部のみに設けられていてもよい。
○ 上記実施形態において、凹凸部141は、セラミック基板14の周面14c全体でなく、該周面14cの一部のみに設けられていてもよい。また、凹凸部151は、金属回路15の周面15a全体でなく、該周面15aの一部のみに設けられていてもよい。
○ 図3に示すように、セラミック基板14の周面14c(表面)に、セラミック基板14の厚みより薄く、かつセラミック基板14の全周に亘って延びる凸部14fを複数形成するとともに隣り合う凸部14fの間に凹部14gを形成して凹凸部141を形成してもよい。また、金属回路15の周面15aに、金属回路15の厚みより薄く、かつ金属回路15の周方向へ延びる凸部15eを複数形成するとともに隣り合う凸部15eの間に凹部15fを形成して凹凸部151を形成してもよい。さらに、金属板16の周面16aに、金属板16の厚みより薄く、かつ金属板16の全周に亘って延びる凸部16eを複数形成するとともに隣り合う凸部16eの間に凹部16fを形成して凹凸部161を形成してもよい。なお、図3に示すような全周に亘って凸部14f,15e,16eが延びるような凹凸部141,151,161は、セラミック基板14、金属回路15、及び金属板16のうち少なくとも1つに形成されていてもよい。また、凹凸部141,151,161における凸部14f,15e,16eの数は任意に変更してもよく、各凹凸部141,151,161はセラミック基板14、金属回路15、及び金属板16の周面14c,15a,16a全体ではなく、一部のみに設けられていてもよい。
○ 図4(a)及び(b)に示すように、セラミック基板14の表側の面(表面)及び該表側の面に背向する裏側の面(表面)のうちの少なくとも一方に、セラミック基板14の周方向全体に亘って延びる凸部14hを複数形成し、隣り合う凸部14hの間に凹部14iを形成して凹凸部141を形成してもよい。なお、図4では表側の面に凸部14h及び凹部14iを図示している。また、金属回路15の表側の面(表面)に、金属回路15の周方向全体に亘って延びる凸部15gを複数形成し、隣り合う凸部15gの間に凹部15hを形成して凹凸部151を形成してもよい。なお、図4に示すような凸部14h,15gが形成された141,151は、セラミック基板14及び金属回路15のうち少なくとも1つに形成されていてもよい。また、凹凸部141,151における凸部14h,15gの数は任意に変更してもよく、凹凸部141,151はセラミック基板14及び金属回路15の周方向全体ではなく、一部のみに設けられていてもよい。
○ 上記の実施形態における各凹凸部141は組み合わせて実施してもよい。例えば、セラミック基板14の表面たる表側の面、該表側の面に背向する裏側の面、及び周面14cに凹凸部141を形成し、金属回路15の表面たる表側の面及び周面15aに凹凸部151を形成してもよい。
○ 実施形態の放熱基板10において、セラミック基板14、金属回路15、及び金属板16のうちの1つだけ(例えば金属回路15だけ)、又は2つ(例えば、セラミック基板14と金属板16)に凹凸部を設けた構成としてもよい。
○ 放熱基板10は、金属板16にヒートシンク13が接合されず、ヒートシンク13を一体に備えていなくてもよい。
○ ヒートシンク13は強制冷却式の冷却器であればよく、ヒートシンク13を流れる流体は水に限らず、例えば、他の液体や空気などの気体であってもよい。また、沸騰冷却式の冷却器であってもよい。
○ ヒートシンク13は強制冷却式の冷却器であればよく、ヒートシンク13を流れる流体は水に限らず、例えば、他の液体や空気などの気体であってもよい。また、沸騰冷却式の冷却器であってもよい。
○ 回路基板11上に金属回路15が2個形成される構成に限らず、金属回路15が1個又は3個以上形成されるとともに、金属回路15上に半導体素子12が1個又は3個以上接合された構成としてもよい。
○ 放熱基板10は、車載用に限らず他の用途に使用するものに適用してもよい。
10…放熱基板、11…回路基板、12…半導体素子、13…放熱装置としてのヒートシンク、14…絶縁基板としてのセラミック基板、14a…一面、14b…他面、15…第1金属板としての金属回路、16…第2金属板としての金属板、141,151,161…凹凸部。
Claims (4)
- 絶縁基板の一面に第1金属板が接合されるとともに他面に第2金属板が接合されて形成された回路基板を備え、該回路基板における前記第1金属板に半導体素子が接合された放熱基板であって、
前記回路基板の表面を形成する前記第1金属板、第2金属板、及び絶縁基板のうちの少なくとも一つに放熱用の凹凸部が設けられている放熱基板。 - 前記凹凸部は、該凹凸部が設けられた板と同一材料より形成されている請求項1に記載の放熱基板。
- 前記凹凸部は、該凹凸部が設けられた板の全周に亘って形成されている請求項1又は請求項2に記載の放熱基板。
- 前記第2金属板には前記半導体素子の冷却を行う放熱装置が熱的に結合されている請求項1〜請求項3のうちいずれか一項に記載の放熱基板。
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JP2007117357A JP2008277442A (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 放熱基板 |
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---|---|---|---|---|
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2007
- 2007-04-26 JP JP2007117357A patent/JP2008277442A/ja active Pending
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