CN115053417A - 半导体激光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的半导体激光装置具备半导体激光元件(110)、安装有半导体激光元件(110)的下部基台(122)、与下部基台(122)电绝缘并且与下部基台(122)一起夹着半导体激光元件(110)的上部基台(121)、供从半导体激光元件(110)射出的激光入射并且使入射的激光聚光并射出的透镜(130)以及保持透镜(130)的保持构件(280)。保持构件(280)连接于上部基台(121)。

Description

半导体激光装置
技术领域
本发明涉及一种半导体激光装置。
背景技术
以往，存在一种半导体激光装置，其具备射出激光的半导体激光元件和对激光的配光等进行控制的透镜等光学构件(例如参照专利文献1和专利文献2)。
专利文献1和专利文献2所公开的半导体激光装置分别具备射出激光的半导体激光器阵列、聚光透镜、透镜支架以及散热器。聚光透镜和透镜支架粘接于散热器。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002－232064号公报
专利文献2：日本特开2004－200634号公报
专利文献3：日本特开2000－137139号公报
发明内容
发明要解决的问题
当从半导体激光器阵列等光源射出光时，该光源会发热。另外，光源和载置该光源的基台等会因光源发出的热而膨胀。由此，当从光源射出光时，通过聚光透镜等光学系统的该光的位置会从期望的位置偏移。因此，存在如下问题：与从光源射出的光量相对应地，换言之是与为了从光源射出光而向该光源投入的电量相对应地，从半导体激光装置射出的光(例如激光)的光轴从期望的位置偏移。
本发明提供一种能够保持射出激光的半导体激光元件与使激光聚光的透镜的相对位置关系的半导体激光装置。
用于解决问题的方案
本发明的一技术方案的半导体激光装置具备：半导体激光元件，其具有分别射出激光的多个发光点；下部基台，其安装有所述半导体激光元件；上部基台，其与所述下部基台电绝缘并且与所述下部基台一起夹着所述半导体激光元件；透镜，其供从所述多个发光点分别射出的激光入射并且使入射的激光聚光并射出；以及保持构件，其保持所述透镜，所述保持构件连接于所述上部基台。
发明的效果
根据本发明的一个技术方案的半导体激光装置，能够保持射出激光的半导体激光元件与使激光聚光的透镜的相对位置关系。
附图说明
图1是表示实施方式的半导体激光装置的概要结构的示意图。
图2是表示实施方式的半导体激光装置所具备的光源模块的立体图。
图3是表示实施方式的半导体激光装置所具备的光源模块的未安装透镜和保持构件的状态的立体图。
图4是表示图2的IV－IV线处的实施方式的半导体激光装置所具备的光源模块的剖视图。
图5是表示实施方式的半导体激光装置所具备的光源模块的俯视图。
图6是表示相对于向半导体激光元件施加的施加电流而言的半导体激光元件以及上部基台的位置的变化量的图表。
图7是表示变形例的半导体激光装置的剖视图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的半导体激光装置的实施方式进行说明。另外，下述公开的实施方式全部是例示，没有对本发明的半导体激光装置施加限制的意图。在以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接方式、步骤、步骤的顺序等仅为一例，并非旨在限定本发明。
另外，在下述公开的实施方式中，有时省略不必要的详细说明。例如，有时会省略已经熟知的事项的详细说明、实质相同的结构的重复说明。这是为了通过避免说明不必要地变得冗长而使本领域技术人员易于理解。
另外，各图是示意图，不一定是严格地进行图示。因此，例如在各图中比例尺等未必一致。另外，在各图中对实质相同的结构标注相同的附图标记，有时会省略或简化对实质相同的结构的重复说明。
另外，在以下的实施方式中，“上方”以及“下方”这样的用语不是指绝对的空间意识中的上方(铅垂上方)以及下方(铅垂下方)。另外，“上方”和“下方”这样的用语不仅适用于两个构成要素相互隔开间隔地配置并且在两个构成要素之间存在其他构成要素的情况，还适用于两个构成要素相互紧贴地配置而使两个构成要素相接触的情况。
在本说明书和附图中，X轴、Y轴以及Z轴表示三维正交坐标系的三个轴。在各实施方式中，将Z轴方向设为铅垂方向，将与Z轴垂直的方向(与XY平面平行的方向)设为水平方向。
另外，在以下说明的实施方式中，“俯视”是指从载置光源的基台的载置面(主面的)法线方向观察该载置面侧时的情况。
(实施方式)
[整体结构]
图1是表示实施方式的半导体激光装置100的概要结构的图。
半导体激光装置100是射出激光的激光装置。半导体激光装置100例如用作对对象物进行激光加工的加工设备的光源。
半导体激光装置100例如具备光源模块200、慢轴准直透镜(SAC/Slow AxisCollimator Lens)160、聚光透镜210、波长分散元件140、半透半反镜150、聚光透镜211以及光纤220。
光源模块200是射出光(射出光300)的光源。在本实施方式中，光源模块200具备具有多个放大部111的半导体激光元件110。因此，半导体激光元件110与多个放大部111相对应地从多个发光点112射出多个射出光300。射出光300例如是激光。
另外，光源模块200具备供半导体激光元件110射出的射出光300透射的BTU(BeamTwisted Lens Unit)132。BTU 132是使射出光300聚光(更具体地说是准直)并且使射出光300绕射出光300的光轴旋转90°的光学元件。BTU132例如具备对半导体激光元件110射出的射出光300的快轴方向进行准直的快轴准直透镜(FAC/Fast Axis Collimator Lens)。在本实施方式中，使用该快轴准直透镜和聚光透镜210这两个透镜对射出光300的快轴方向进行准直。此外，半导体激光装置100也可以不具备聚光透镜210。
对于从BTU 132射出的射出光300而言，射出光300的慢轴方向被慢轴准直透镜160准直并且向聚光透镜210入射。
聚光透镜210是对入射的射出光300的快轴方向进行准直的快轴准直透镜。聚光透镜210对入射的射出光300的快轴方向进行准直并使其向波长分散元件140入射。在本实施方式中，半导体激光元件110将Z轴方向设为快轴方向并将X轴方向设为慢轴方向地将射出光300射出。
波长分散元件140是供射出光300入射并使入射的多个射出光300以通过一个光路的方式射出的光学元件。即，波长分散元件140是对射出光300进行合波的合波器。例如在波长分散元件140的供射出光300入射的表面形成有衍射光栅。射出光300例如通过入射到形成于波长分散元件140的表面的衍射光栅从而以通过一个光路的方式从波长分散元件140射出。以通过一个光路的方式从波长分散元件140射出的光向半透半反镜150入射。波长分散元件140可以是透射多个射出光300并进行合波的透射型波长分散元件，也可以是反射多个射出光300并进行合波的反射型波长分散元件。
半透半反镜150是使半导体激光元件110射出的射出光300的一部分透射并使其他部分反射从而在该半透半反镜150与半导体激光元件110之间使射出光300共振的半透半反镜。被半透半反镜150反射的反射光310返回至半导体激光元件110，进而被半导体激光元件110(具体而言是半导体激光元件110的与射出光300的光射出面相反的面)反射，并返回至半透半反镜150。进一步地，返回至半透半反镜150的反射光310的一部分被反射并返回至半导体激光元件110。由此，在半导体激光元件110与半透半反镜150之间产生光的共振。由此，半导体激光装置100射出激光320。这样，半导体激光装置100是在半导体激光元件110与半透半反镜150之间使射出光300共振的外部共振器型的半导体激光装置。从半透半反镜150射出由外部共振器生成的激光320，该外部共振器由半导体激光元件110和半透半反镜150实现。从半透半反镜150射出的激光320向聚光透镜211入射。
此外，半导体激光装置100也可以不具备外部共振器(更具体而言是半透半反镜150)，而是具备以单体射出激光的半导体激光元件110。
聚光透镜211是用于使激光320向光纤220入射的耦合透镜。从聚光透镜211射出的激光320向光纤220的一端入射并从光纤220的另一端射出。
[光源模块]
接着，对光源模块200的结构进行详细说明。
图2、图3以及图4分别是与实施方式的半导体激光装置100所具备的光源模块200相关的图。具体而言，图2是表示实施方式的半导体激光装置100所具备的光源模块200的立体图。图3是表示图2所示的半导体激光装置100所具备的光源模块200的未安装透镜130和保持构件280的状态的立体图。图4是表示图2的IV－IV线处的实施方式的半导体激光装置100所具备的光源模块200的剖视图。
光源模块200是将射出光300射出的模块。
光源模块200具备半导体激光元件110、上部基台121、下部基台122、散热器250、保持构件280、基座290以及BTU 132。
半导体激光元件110是将射出光300射出的光源。
此外，半导体激光元件110射出的射出光300的波长可以任意地设定。在本实施方式中，半导体激光元件110射出蓝色光。蓝色光例如是中心波长为430nm以上且470nm以下的光。半导体激光元件110与半透半反镜150一起构成外部共振器。由此，从半导体激光元件110射出激光来作为射出光300。
在本实施方式中，半导体激光元件110具有多个放大部111(参照图1)，该半导体激光元件110是从各个放大部111将射出光300射出的半导体激光元件阵列。换言之，半导体激光元件110具有分别将射出光300射出的多个发光点112。当然，半导体激光元件110也可以由分别具有一个发光点112的多个激光元件构成。
另外，半导体激光装置100能够射出激光来作为射出光300即可，也可以不具备图1所示的半透半反镜150等用于构成外部共振器的构成要素。另外，半导体激光元件110所采用的材料没有特别限定。半导体激光元件110例如为氮化镓系的半导体元件。
半导体激光元件110从未图示的外部商用电源等被供给电力，从而将射出光300射出。
半导体激光元件110例如通过硬钎焊或软钎焊等固定并安装于下部基台122的上表面。另外，半导体激光元件110以夹在上部基台121与下部基台122之间的结构被固定。
保持构件280是保持(支承)BTU 132(更具体而言是BTU 132所具备的透镜130)的构件。保持构件280例如通过硬钎焊或软钎焊等连接(固定)于上部基台121的上表面121a。在本实施方式中，保持构件280在侧视的情况下为U字形。更具体而言，在从与射出光300的光轴正交的方向且是侧方观察光源模块200的情况下，保持构件280为U字形。
保持构件280例如具备保持构件上边281、保持构件下边282以及保持构件支承边283。保持构件上边281、保持构件下边282以及保持构件支承边283依次分别连接。
此外，保持构件上边281、保持构件下边282以及保持构件支承边283既可以形成为一体，也可以分别为独立的构件并利用螺纹件、粘接剂等连接。
保持构件上边281为板状，固定于上部基台121的上表面121a。例如，保持构件上边281利用未图示的螺纹件或粘接剂等固定于上部基台121的上表面121a。另外，保持构件上边281在Y轴正方向侧的端部与保持构件下边282连接。保持构件上边281所采用的材料没有特别限定。
保持构件下边282为板状，从保持构件上边281的端部向Z轴负方向侧延伸。保持构件下边282例如是由石英等具有透光性的材料形成的构件。由此，半导体激光元件110所射出的射出光300能透射透镜130并且透射保持构件下边282而从光源模块200射出。
另外，保持构件下边282也可以不具有透光性。在这种情况下，例如在保持构件下边282形成有供从透镜130(BTU 132)射出的射出光300通过的贯通孔。在该情况下，保持构件下边282所采用的材料没有特别限定。
保持构件下边282在Z轴负方向侧的端部与保持构件支承边283连接。
保持构件支承边283是保持BTU 132(更具体而言是透镜130)的保持台。在本实施方式中，保持构件支承边283为长方体，从保持构件下边282的Z轴负方向侧的端部向Y轴负方向侧延伸。另外，保持构件支承边283的上表面与透镜130的下表面130a被固定。也就是说，保持构件280(更具体而言是保持构件支承边283)保持透镜130的下表面130a。
另外，保持构件280也可以具有用于保持透镜130并且调整透镜130的位置以及姿势的调整机构。在本实施方式中，该调整机构是保持构件支承边283。保持构件支承边283例如是测角台或者能够进行六轴调整的台。保持构件支承边283在不是调整机构的情况下，也可以是由任意的材料形成的块。
另外，保持构件上边281的Y轴方向的长度例如比保持构件下边282的Z轴方向的长度长。另外，保持构件上边281连接(固定)于上部基台121的上表面121a。
透镜130的下表面130a例如通过硬钎焊或软钎焊等与保持构件下边282的上表面连接。在保持构件下边282的下表面与散热器250之间设置有间隙。
此外，保持构件上边281与保持构件支承边283的上表面不一定必须平行。保持构件280的形状并非特别限定于本实施方式所示的形状。
另外，例如，保持构件280的热膨胀系数比上部基台121的热膨胀系数小。
上部基台121是与下部基台122电绝缘并且与下部基台122一起夹着半导体激光元件110的基台。
例如，上部基台121的厚度(在本实施方式中为Z轴方向的宽度)设为厚度L1，保持构件下边282的长度(换言之是保持构件下边282的Y轴方向的长度、或者从上部基台121的上表面121a到透镜130的保持位置为止的保持构件支承边283的长度)设为长度L2。在该情况下，光源模块200被设计为使长度L2比厚度L1长。即，保持构件280具有保持透镜130的支承边(保持构件支承边283)，从上部基台121的上表面121a到透镜130的保持位置为止的保持构件支承边283的长度L2比上部基台121的厚度L1长。测量长度L2的方向例如是与测量厚度L1的方向平行的方向。
下部基台122是安装半导体激光元件110的基台。半导体激光元件110安装于下部基台122的上表面。在本实施方式中，在下部基台122的上表面中，载置半导体激光元件110的部分比其他部分低。半导体激光元件110以被上部基台121与下部基台122夹着的方式保持于下部基台122。
另外，上部基台121和下部基台122所采用的材料没有特别限定。上部基台121和下部基台122所采用的材料例如可以是金属材料，也可以是树脂材料，还可以是陶瓷材料。
另外，上部基台121和下部基台122的形状都没有特别限定。
上部基台121与下部基台122例如通过使螺纹件190与形成于下部基台122的螺纹孔嵌合(更具体而言是螺纹结合)而相互固定。具体而言，在下部基台122设置有螺纹孔。另外，在上部基台121的与螺纹孔对应的位置设置有贯通孔。在该贯通孔配置有螺纹件190。螺纹件190与螺纹孔螺纹结合。
另外，上部基台121与下部基台122也可以电绝缘。在上部基台121与下部基台122之间例如配置有未图示的具有电绝缘性的绝缘材料。绝缘材料例如是绝缘片。绝缘片只要具有电绝缘性即可，可以采用任意的材料。
另外，在光源模块200形成有贯通上部基台121和下部基台122并且到达散热器250的贯通孔。在该贯通孔配置有未图示的螺纹件。利用该螺纹件将上部基台121、下部基台122以及散热器250相互固定。
另外，贯通孔191形成于两处。形成于两处的贯通孔191形成为例如在俯视的情况下在与半导体激光元件110射出的射出光300的光轴正交的方向(在本实施方式中为X轴方向)上夹着半导体激光元件110。此外，例如，对于形成于两处的贯通孔191而言，在俯视的情况下从各个贯通孔191的中心到半导体激光元件110的距离相同。
散热器250是供光源模块200的下部基台122载置并且用于对下部基台122的热进行散热的台。散热器250所采用的材料没有特别限定。散热器250所采用的材料例如可以是金属，也可以是陶瓷。另外，也可以在散热器250设置用于使水等液体通过的流路。通过使水等液体在该流路中流动，能够提高散热器250的散热性。
基座290是载置散热器250的台。基座290所采用的材料、形状等不受特别限制。
BTU 132是利用透镜130使半导体激光元件110射出的射出光300聚光并且利用90°图像旋转光学系统131使聚光后的射出光300绕射出光300的光轴旋转90°的光学系统。作为BTU 132，例示有日本特开2000－137139号公报中公开的光学光束转换器。在本实施方式中，BTU 132例如包括透镜130和90°图像旋转光学系统131。
透镜130是供从多个发光点112分别射出的射出光300入射并且使入射的射出光300聚光并射出的光学元件。透镜130例如是快轴准直透镜。
快轴准直透镜是对半导体激光元件110射出的射出光300的快轴方向进行准直的准直透镜。
90°图像旋转光学系统131是对半导体激光元件110射出的射出光300的快轴方向与慢轴方向进行调换的光学构件。具体而言，90°图像旋转光学系统131是使由透镜130聚光(更具体地讲是准直)的射出光300绕该射出光300的光轴旋转90°的光学元件。
例如，透镜130和90°图像旋转光学系统131由具有透光性的玻璃或树脂等形成为一体。
此外，在本实施方式中，半导体激光装置100具备一个BTU 132，但半导体激光装置100所具备的BTU 132的形状或者数量等没有特别限定。
[位置关系]
接着，对光源模块200中的透镜130与半导体激光元件110的位置关系进行说明。
使半导体激光元件110射出射出光300会导致半导体激光元件110发热。由于该发热，上部基台121会发生热膨胀，沿Z轴方向位移(变化)。
在此，保持构件上边281与上部基台121连接。例如，保持构件上边281与上部基台121的上表面121a连接。因此，保持构件280会沿Z轴方向位移与上部基台121的由热膨胀引起的位移相应的量。
另一方面，保持构件280也会在从上部基台121传递的热的作用下热膨胀。在该情况下，保持构件280例如由石英等形成，其热膨胀系数比例如由金属构成的上部基台121的热膨胀系数小。因此，如果宽度(厚度)相同，则保持构件280的由热膨胀引起的位移量比上部基台121的由热膨胀引起的位移量小。
在本实施方式中，由于使透镜130与保持构件支承边283的上表面连接，因此能够使从上表面121a到保持构件支承边283的透镜130的保持位置(在本实施方式中为透镜130的下表面130a)为止的长度即长度L2大于上部基台121的厚度即厚度L1。其结果是，能够使保持构件下边282的由热膨胀引起的Z轴方向的位移量接近上部基台121的由热膨胀引起的位移量。
因此，根据半导体激光装置100(更具体而言是光源模块200)，能够抑制半导体激光元件110、上部基台121以及保持构件280各自的热膨胀前后的半导体激光元件110与透镜130的Z轴方向的相对位置关系的变化。
对于保持构件280的材质以及保持构件支承边283的长度，由于存在设计的自由度，因此能够进行用于使热膨胀前后的半导体激光元件110与透镜130的Z轴方向的相对位置关系的位移为0的设计变更。
而且，上部基台121与下部基台122以夹着半导体激光元件110的方式连接。因此，热膨胀所引起的半导体激光元件110与透镜130的位移均不在X轴方向上发生。由此，半导体激光元件110与透镜130的X轴方向的间隔保持为恒定。
另外，通过将保持构件280设为U字形并设为使透镜130连接于保持构件支承边283的上表面的构造，能够抑制保持构件280与透镜130的连接部分的重力方向的负荷，能够更稳定地保持透镜130。
[效果等]
如以上说明的那样，实施方式的半导体激光装置100具备：半导体激光元件110，其具有分别射出激光(射出光300)的多个发光点112；下部基台122，其安装有半导体激光元件110；上部基台121，其与下部基台122电绝缘并且与下部基台122一起夹着半导体激光元件110；透镜130，其供从多个发光点112分别射出的射出光300入射并且使入射的射出光聚光并射出；以及保持构件280，其保持透镜130。保持构件280与上部基台121连接。例如，保持构件上边281与上部基台121的上表面121a连接。
由此，如上所述，即使由于半导体激光元件110的发热而导致半导体激光元件110和上部基台121发生热膨胀，也能够使由热膨胀引起的位移量在半导体激光元件110和上部基台121中为相同程度。因此，根据半导体激光装置100，能够保持射出激光的半导体激光元件110与使激光聚光的透镜130的相对位置关系。
图5是表示实施方式的半导体激光装置100所具备的光源模块200的俯视图。图6是表示相对于向半导体激光元件110施加的施加电流而言的半导体激光元件110和上部基台121的位置的变化量(位移量)的图表。具体而言，图6是表示图5所示的上表面121a的No.1的位置、图5所示的上表面121a的No.2的位置以及发光点112的位置各自的相对于向半导体激光元件110施加的施加电流而言的高度(在本实施方式中为Z轴方向)的位移量的图表。
如图6所示，图5所示的上表面121a的No.1的位置、图5所示的上表面121a的No.2的位置以及发光点112的位置以相对于向半导体激光元件110施加的施加电流而言的高度方向(Z轴方向)的位移量相同的方式进行变化。因此，能够不受向半导体激光元件110施加的施加电流影响地保持射出激光的半导体激光元件110与使激光聚光的透镜130的相对位置关系。特别是，半导体激光元件110是具有多个发光点112的所谓的多发射极。具有多个发光点112的半导体激光元件110与具有一个发光点的半导体激光元件也就是所谓的单发射极相比，激光的总输出容易变大，因此发热量容易变多。因此，对于即使使半导体激光元件110射出激光也能够保持半导体激光元件110与透镜130的相对位置关系的半导体激光装置100那样的结构而言，在半导体激光装置100具备具有多个发光点112的半导体激光元件110的结构中是特别有效的。
另外，例如，保持构件280的热膨胀系数比上部基台121的热膨胀系数小。
这样，通过使保持构件280不容易热膨胀，从而能够使由热膨胀引起的位移量在半导体激光元件110与上部基台121中为相同程度，能够保持射出激光的半导体激光元件110与使激光聚光的透镜130的相对位置关系。
另外，例如，保持构件280具有保持透镜130的支承边(保持构件支承边283)。例如，从上部基台121的上表面121a到透镜130的保持位置为止的保持构件支承边283的长度L2比上部基台121的厚度L1长。
由此，能够更易于保持射出激光的半导体激光元件110与使激光聚光的透镜130的相对位置关系。
另外，例如，保持构件280在侧视的情况下为U字形。另外，例如，保持构件280保持透镜130的下表面130a。
由此，例如，与在透镜130的上表面或侧面等保持透镜130的情况相比，保持构件280能够从对透镜130施加重力的重力方向侧保持透镜130。因此，能够保持半导体激光元件110与透镜130的相对位置关系并且更稳定地保持透镜130。
另外，例如，保持构件280具有用于保持透镜130并且调整透镜130的位置和姿势的调整机构。
由此，能够将透镜130的位置以及姿势调整为适当的状态并且固定透镜130的位置以及姿势。
[变形例]
图7是表示变形例的半导体激光装置所具备的光源模块200a的剖视图。此外，图7所示的剖面是与图4对应的剖面。
光源模块200a与光源模块200的不同之处在于保持构件的形状和透镜130的保持位置。
光源模块200a是射出激光(例如图1所示的射出光300)的模块。
光源模块200a具备半导体激光元件110、上部基台121、下部基台122、散热器250、保持构件280a、基座290以及BTU 132。
保持构件280a例如通过硬钎焊或软钎焊等与上部基台121的上表面121a连接。在本变形例中，保持构件280a在侧视的情况下为L字形。具体而言，保持构件280a的形状是由保持构件上边281以及保持构件支承边283a构成的L字形。更具体而言，在从与半导体激光元件110射出的激光的光轴正交的方向且是侧方观察光源模块200a的情况下，保持构件280a为L字形。保持构件上边281与保持构件支承边283a相互连接。
保持构件上边281为板状并且固定于上部基台121的上表面121a。例如，保持构件上边281利用未图示的螺纹件或粘接剂等固定于上部基台121的上表面121a。另外，保持构件上边281在Y轴正方向侧的端部与保持构件支承边283a连接。
此外，保持构件上边281和保持构件支承边283a可以形成为一体，也可以分别为独立的构件并利用螺纹件、粘接剂等连接。
保持构件支承边283a为板状，从保持构件上边281的端部向Z轴负方向侧延伸。
此外，保持构件支承边283a所采用的材料没有特别限定。另外，保持构件支承边283a也可以是上述的调整机构。
另外，保持构件280a的热膨胀系数小于上部基台121的热膨胀系数。
另外，在本变形例中，保持构件280a保持(支承)透镜130的上表面130b。具体而言，保持构件支承边283a通过与透镜130的上表面130b连接从而在透镜130的上表面130b保持透镜130。例如，透镜130的上表面130b通过硬钎焊或软钎焊等与保持构件支承边283a的下表面连接。
另外，从上部基台121的上表面121a到透镜130的保持位置(透镜130的上表面130b)为止的保持构件支承边283a的长度即长度L22比上部基台121的厚度L1短。
如以上说明的那样，在本变形例中，保持构件280a在侧视的情况下为L字形。另外，例如，保持构件280a保持透镜130的上表面130b。
由此，能够保持半导体激光元件110与透镜130的相对位置关系，并且与保持构件280相比能够简化保持构件280a的构造。
(其他实施方式)
以上，基于实施方式对本发明的实施方式的半导体激光装置进行了说明，但本发明并不限定于这些实施方式。只要不脱离本发明的主旨，对各实施方式实施了本领域技术人员可以想到的各种变形而得到的实施方式、或者将不同的实施方式中的构成要素组合而构筑的实施方式也可以包含在一个或者多个方案的范围内。
产业上的可利用性
本发明的半导体激光装置例如用作激光加工所用的加工装置的光源。
附图标记说明
100、半导体激光装置；110、半导体激光元件；111、放大部；112、发光点；121、上部基台；121a、130b、上表面；122、下部基台；130、透镜；130a、下表面；131、90°图像旋转光学系统；132、BTU；140、波长分散元件；150、半透半反镜；160、慢轴准直透镜；190、螺纹件；191、贯通孔；200、200a、光源模块；210、聚光透镜；211、聚光透镜；220、光纤；250、散热器；280、280a、保持构件；281、保持构件上边；282、保持构件下边；283、283a、保持构件支承边；290、基座；300、射出光；310、反射光；320、激光；L1、厚度；L2、L22、长度。

Claims (8)

1.一种半导体激光装置，其中，该半导体激光装置具有：
半导体激光元件，其具有分别射出激光的多个发光点；
下部基台，其安装有所述半导体激光元件；
上部基台，其与所述下部基台电绝缘并且与所述下部基台一起夹着所述半导体激光元件；
透镜，其供从所述多个发光点分别射出的激光入射并且使入射的激光聚光并射出；以及
保持构件，其保持所述透镜，
所述保持构件连接于所述上部基台。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，
所述保持构件的热膨胀系数比所述上部基台的热膨胀系数小。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其中，
所述保持构件具有保持所述透镜的支承边，
从所述上部基台的上表面到所述透镜的保持位置为止的支承边的长度比所述上部基台的厚度长。
4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其中，
所述保持构件在侧视的情况下为U字形。
5.根据权利要求4所述的半导体激光装置，其中，
所述保持构件保持所述透镜的下表面。
6.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其中，
所述保持构件在侧视的情况下为L字形。
7.根据权利要求6所述的半导体激光装置，其中，
所述保持构件保持所述透镜的上表面。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体激光装置，其中，
所述保持构件具有用于保持所述透镜并且调整所述透镜的位置以及姿势的调整机构。
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