WO2023008038A1 - レーザモジュール - Google Patents
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Definitions
- a second invention is the laser module according to the first invention, wherein an insulating paste material is applied to provide an insulating layer between the first block and the second block.
- a first through hole 22 , a second through hole 23 , and a second terminal hole 24 are provided in the second block 20 .
- the first through hole 22 is provided at a position corresponding to the first screw hole 12 of the first block 10 .
- the first through hole 22 is formed as a counterbore so that the head of the conductive screw 35 that fastens the first block 10 and the second block 20 can be inserted.
- the gap between the first block 10 and the second block 20 is reduced and the insulating property is increased. It has a structure that can ensure
- a portion of the spacer member 50 protrudes from the recessed portion 15 .
- a spacer member 50 is sandwiched between the first block 10 and the second block 20 .
- the gap between the first block 10 and the second block 20 can be set based on the amount of protrusion of the spacer member 50 from the recessed portion 15 .
- the thickness of the paste material applied to form the insulating layer 30 does not become uneven, and the gap between the first block 10 and the second block 20 is reduced to improve thermal conductivity and insulation. can be ensured.
- a contained filler can be used as the material of the paste material.
- alumina Al2O3
- boron nitride BN
- aluminum nitride AlN
- zirconia ZrO2
- silicon nitride Si3N4
- silicon carbide SiC
- zinc nitride Zn3N2
- cermet TiC, TiN
- Y2O3 yttria
- ZrO2 zirconia
- magnesium oxide MgO
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Abstract
第1ブロック(10)における第2ブロック(20)に対する対向面には、複数の窪み部(15)が形成される。窪み部(15)は、第1ブロック(10)及び第2ブロック(20)の重ね合わせ方向から見て、レーザ素子(40)が配置された領域とは異なる領域に形成される。窪み部(15)には、絶縁性を有するスペーサ部材(50)が配置される。スペーサ部材(50)の一部は、窪み部(15)から突出する。第1ブロック(10)と第2ブロック(20)との間には、スペーサ部材(50)が挟持される。
Description
本開示は、レーザモジュールに関するものである。
特許文献1には、ヒートシンクと、サブマウントと、第1ブロック(第1の電極)と、絶縁層と、半導体レーザ素子と、接続部と、第2ブロック(第2の電極)と、を有する半導体レーザ装置が開示されている。
半導体レーザ素子は、正電極から負電極に向かって電流が流れると、発光面からレーザ光が出力される。半導体レーザ素子で生じた熱は、第1ブロック及び第2ブロックからヒートシンクに放熱される。
特許文献1の発明では、第1ブロックと第2ブロックとの間にシート状の絶縁層を挟み込むことで、第1ブロックと第2ブロックとを絶縁している。ここで、第1ブロックと第2ブロックとの間の熱伝導性を高めるために、第1ブロックと第2ブロックとの隙間をさらに小さくしたいという要望がある。
本開示は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、第1ブロックと第2ブロックとの隙間を小さくしつつ絶縁性を確保できるようにすることにある。
第1の発明は、レーザ光を出射するレーザ素子を備えたレーザモジュールであって、前記レーザ素子の第1電極に電気的に接続された第1ブロックと、前記第1ブロックに対向して配置され、前記レーザ素子の第2電極に電気的に接続された第2ブロックと、を備え、前記第1ブロックにおける前記第2ブロックに対する対向面、又は前記第2ブロックにおける前記第1ブロックに対する対向面には、前記第1ブロック及び前記第2ブロックの重ね合わせ方向から見て、前記レーザ素子が配置された領域とは異なる領域に、複数の窪み部が形成され、前記窪み部には、絶縁性を有するスペーサ部材が配置され、前記スペーサ部材の一部は、前記窪み部から突出しており、前記スペーサ部材は、前記第1ブロックと前記第2ブロックとの間で挟持される。
第1の発明では、第1ブロックにおける第2ブロックに対する対向面、又は第2ブロックにおける第1ブロックに対する対向面には、複数の窪み部が形成される。窪み部は、第1ブロック及び第2ブロックの重ね合わせ方向から見て、レーザ素子が配置された領域とは異なる領域に形成される。窪み部には、絶縁性を有するスペーサ部材が配置される。スペーサ部材の一部は、窪み部から突出する。第1ブロックと第2ブロックとの間には、スペーサ部材が挟持される。
このような構成とすれば、第1ブロックと第2ブロックとの隙間を、スペーサ部材の窪み部からの突出量に基づいて設定することができる。これにより、第1ブロックと第2ブロックとの隙間を小さくしつつ絶縁性を確保することができる。
第2の発明は、第1の発明のレーザモジュールにおいて、前記第1ブロックと前記第2ブロックとの間には、絶縁性のペースト材が塗布されて絶縁層が設けられる。
第2の発明では、第1ブロックと第2ブロックとの間に絶縁性のペースト材を塗布して絶縁層を設けることで、第1ブロックと第2ブロックとの間で熱伝導しやすくなる。また、第1ブロックと第2ブロックとの隙間は、スペーサ部材によって規定されているので、ペースト材の厚みが不均一となることもない。
第3の発明は、第1又は2の発明のレーザモジュールにおいて、前記レーザ素子は、前記第1ブロック及び前記第2ブロックの重ね合わせ方向から見て、前記複数の窪み部のうち2つの前記窪み部同士を繋ぐ仮想直線上に配置される。
第3の発明では、2つの窪み部同士を繋ぐ仮想直線上にレーザ素子を配置することで、レーザ素子の近傍位置において、第1ブロックと第2ブロックとの隙間管理を精度良く行うことができる。
第4の発明は、第1~3の発明の何れか1つのレーザモジュールにおいて、前記スペーサ部材は、球状に形成される。
第4の発明では、スペーサ部材が球状に形成されているので、スペーサ部材を窪み部に嵌め込む際に、スペーサ部材の向きや姿勢を考慮する必要が無く、レーザモジュールの組み立て性が良好となる。
第5の発明は、第1~4の発明の何れか1つのレーザモジュールにおいて、前記スペーサ部材は、少なくとも3つ設けられる。
第5の発明では、スペーサ部材を少なくとも3つ設けることで、第1ブロックに対して第2ブロックを三点支持することができ、より正確に隙間管理を行うことができる。
本開示によれば、第1ブロックと第2ブロックとの隙間を小さくしつつ絶縁性を確保することができる。
以下、本開示の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本開示、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものではない。
図1~図4に示すように、レーザモジュール1は、第1ブロック10と、第2ブロック20と、絶縁層30と、レーザ素子40と、サブマウント45と、スペーサ部材50と、を有する。
第1ブロック10は、導電性を有する。第1ブロック10は、主に銅(Cu)で構成される。第1ブロック10では、銅製のブロックに対して、ニッケル(Ni)と金(Au)とが順番にメッキされる。第1ブロック10には、図示しない水冷ジャケットが接続される。
第1ブロック10の上面には、載置部11が設けられる。載置部11は、第1ブロック10の上面の一部を窪ませることで形成される。載置部11は、レーザ光LBの出射方向(図1に矢印線で示す方向)の側の端部に設けられる。載置部11には、レーザ素子40と、サブマウント45と、が配置される。レーザ光LBは、レーザ素子40から出射方向に照射される。
第1ブロック10には、第1ネジ孔12と、第2ネジ孔13と、第1端子孔14と、窪み部15と、が設けられる。第1ネジ孔12は、レーザ光LBの出射方向と直交する方向に間隔をあけて2つ設けられる。2つの第1ネジ孔12の間には、載置部11が設けられる。
第2ネジ孔13は、レーザ光LBの出射方向5と直交する方向に間隔をあけて2つ設けられる。第2ネジ孔13は、第1ネジ孔12に対してレーザ光LBの出射方向とは反対側に設けられる。
第1端子孔14は、第1ブロック10におけるレーザ光LBの出射方向とは反対側の端部に設けられる。つまり、第1端子孔14は、第1ブロック10における載置部11とは反対側の端部側に設けられる。第1端子孔14は、ネジ孔で構成される。第1端子孔14には、電源用の接続端子が接続される。
詳しくは後述するが、窪み部15は、3つ設けられる。窪み部15には、絶縁性を有するスペーサ部材50が配置される。
絶縁層30は、絶縁性を有する。絶縁層30は、第1ブロック10と第2ブロック20との間に塗布された後で固化したペースト材によって構成される。絶縁層30は、スペーサ部材50が配置された後、第1ブロック10の上面において載置部11の周りを囲むように配置される。
レーザ素子40は、下面が正電極40a(第1電極)であり、上面が負電極40b(第2電極)である。レーザ素子40は、正電極40aから負電極40bに向かって電流が流れると、発光面からレーザ光LBが出力される。
レーザ素子40は、サブマウント45に載置される。レーザ素子40のレーザ素子40の正電極40aは、サブマウント45に電気的に接続される。レーザ素子40及びサブマウント45は、載置部11に配置される。第1ブロック10は、サブマウント45を介してレーザ素子40の正電極40aと電気的に接続する電極ブロックとしての機能を有する。レーザ素子40の負電極40bには、バンプ48が設けられる(図4参照)。
バンプ48は、導電性を有する。バンプ48は、主に金(Au)で構成される。バンプ48は、レーザ素子40の負電極40b上に複数設けられる。
バンプ48は、溶融によって先端が球状になった金ワイヤを負電極40bに接触させ、超音波を与えることで負電極40bに接合される。バンプ48は、レーザ素子40の負電極40bと電気的に接続される。
第2ブロック20は、導電性を有する。第2ブロック20は、主に銅(Cu)で構成される。第2ブロック20では、銅製のブロックに対して、ニッケル(Ni)と金(Au)とが順番にメッキされる。第2ブロック20は、第1ブロック10に対向して配置される。
第2ブロック20は、レーザ素子40及び絶縁層30の上に設けられる。第2ブロック20は、バンプ48を介してレーザ素子40と電気的に接続される。第2ブロック20は、レーザ素子40の負電極40bと電気的に接続する電極ブロックとしての機能を有する。
第2ブロック20は、第2ブロック20の下面であって、レーザ素子40に向かい合う領域以外の領域において、絶縁層30と密着される。
第2ブロック20には、第1貫通孔22と、第2貫通孔23と、第2端子孔24と、が設けられる。第1貫通孔22は、第1ブロック10の第1ネジ孔12に対応した位置に設けられる。第1貫通孔22は、第1ブロック10と第2ブロック20とを締結する導電性ネジ35の頭部が入り込めるようにザグリ孔で形成される。
第2貫通孔23は、第1ブロック10の第2ネジ孔13に対応した位置に設けられる。
第2端子孔24は、第2ブロック20の中央部に設けられる。第2端子孔24には、電源用の接続端子が接続される。
なお、載置部11の深さ(高さ)は、レーザ素子40、サブマウント45、バンプ48、及び絶縁層30のそれぞれの厚さを考慮して設定される。
第1ブロック10と第2ブロック20とは、導電性ネジ35によって締結される。導電性ネジ35は、第2ブロック20の第1貫通孔22と、第1ブロック10の第1ネジ孔12とに差し込まれる。
導電性ネジ35と第2ブロック20との間には、絶縁部材36が設けられる(図4参照)。これにより、第1ブロック10と第2ブロック20とを、互いに電気的に絶縁された状態で締結することができる。
また、第1ブロック10と第2ブロック20とは、図示しない絶縁性ネジによって、互いに電気的に絶縁された状態で締結される。絶縁性ネジは、第2ブロック20の第2貫通孔23と、第1ブロック10の第2ネジ孔13とに差し込まれる。
なお、絶縁性ネジの代わりに、導電性ネジ35と絶縁部材36を用いても構わない。また、導電性ネジ35と絶縁部材36の代わりに絶縁性ネジを用いても構わない。
このような構成のレーザモジュール1では、レーザ素子40の正電極40aから負電極40bに向かって電流が流れると、レーザ素子40の側面の発光面からレーザ光LBが出力される。このとき、レーザ素子40で生じた熱は、第1ブロック10及び第2ブロック20へ伝わって放熱される。
〈第1ブロック及び第2ブロックの隙間管理について〉
ところで、レーザ素子40が高温になると、レーザ出力の低下などの性能劣化が起こるおそれがある。そのため、レーザ素子40で生じた熱を効率良く伝熱及び放熱して、レーザ素子40の性能をより安定化させたいという要望がある。
ところで、レーザ素子40が高温になると、レーザ出力の低下などの性能劣化が起こるおそれがある。そのため、レーザ素子40で生じた熱を効率良く伝熱及び放熱して、レーザ素子40の性能をより安定化させたいという要望がある。
そこで、本実施形態のレーザモジュール1では、第1ブロック10と第2ブロック20との間の熱伝導性を高めるために、第1ブロック10と第2ブロック20との隙間を小さくしつつ絶縁性を確保できるような構造としている。
具体的に、図2及び図3に示すように、第1ブロック10における第2ブロック20に対する対向面(図2で上面)には、複数の窪み部15が形成される。窪み部15は、第1ブロック10及び第2ブロック20の重ね合わせ方向から見て、レーザ素子40が配置された領域とは異なる領域に形成される。
図3に示す例では、窪み部15は、3つ設けられる。3つの窪み部15のうちの2つは、2つの第1ネジ孔12よりも幅方向外側で且つレーザ光LBの出射方向側に設けられる。これにより、レーザ素子40は、第1ブロック10及び第2ブロック20の重ね合わせ方向から見て、2つの窪み部15同士を繋ぐ仮想直線55上に配置される。
残り1つの窪み部15は、第2ネジ孔13よりもレーザ光LBの出射方向とは反対側で且つ第1ブロック10の幅方向中央位置に設けられる。このように、3つの窪み部15は、二等辺三角形の頂点部に設けられる。窪み部15には、スペーサ部材50が配置される。
スペーサ部材50は、絶縁性を有する部材で構成される。スペーサ部材50は、例えば、アルミナ(Al2O3)で構成される。スペーサ部材50は、球状に形成される。このように、スペーサ部材50を球状に形成することで、スペーサ部材50を窪み部15に嵌め込む際に、スペーサ部材50の向きや姿勢を考慮する必要が無く、レーザモジュール1の組み立て性が良好となる。
なお、図2に示す例では、第1ブロック10の上面に窪み部15が形成され、第1ブロック10の窪み部15にスペーサ部材50が配置された構成としているが、この形態に限定するものではない。例えば、第2ブロック20の下面に窪み部15が形成され、第2ブロック20の窪み部15にスペーサ部材50が配置された構成としてもよい。
図5に示すように、スペーサ部材50の一部は、窪み部15から突出する。第1ブロック10と第2ブロック20との間には、スペーサ部材50が挟持される。これにより、第1ブロック10と第2ブロック20との隙間を、スペーサ部材50の窪み部15からの突出量に基づいて設定することができる。また、絶縁層30を構成するために塗布したペースト材の厚みが不均一となることもなく、第1ブロック10と第2ブロック20との隙間を小さくして熱伝導性を良好としつつ絶縁性を確保することができる。
また、本実施形態では、2つの窪み部15同士を繋ぐ仮想直線55上にレーザ素子40を配置することで、レーザ素子40の近傍位置において、第1ブロック10と第2ブロック20との隙間管理を精度良く行うことができる。
また、3つの窪み部15を、二等辺三角形の頂点部に設け、窪み部15にスペーサ部材50を配置したことで、第1ブロック10に対して第2ブロック20を三点支持することができ、より正確に隙間管理を行うことができる。
《その他の実施形態》
前記実施形態については、以下のような構成としてもよい。
前記実施形態については、以下のような構成としてもよい。
本実施形態では、スペーサ部材50を3つ設けることで、第2ブロック20を三点支持するようにした構成について説明したが、この形態に限定するものではない。例えば、スペーサ部材50を4つ以上設けることで、第2ブロック20を四点以上で支持するようにしてもよい。
本実施形態では、スペーサ部材50の材質として、アルミナ(Al2O3)、窒化ケイ素(Si3N4)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ホウ素(BN)、窒化アルミニウム(AlN)、ジルコニア(ZrO2)などを用いることができる。
また、スペーサ部材50の材質として、テフロン(登録商標)、PEEK(Polyether Ether Ketone)、ガラスなどを用いることもできる。
また、絶縁層30を構成するペースト材の材質として、接着樹脂を用いることができる。例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などを用いることができる。
また、ペースト材の材質として、含有フィラーを用いることができる。例えば、アルミナ(Al2O3)、窒化ホウ素(BN)、窒化アルミニウム(AlN)、ジルコニア(ZrO2)、窒化ケイ素(Si3N4)、炭化ケイ素(SiC)、窒化亜鉛(Zn3N2)、サーメット(TiC、TiN)、イットリア(Y2O3)、ジルコニア(ZrO2)、酸化マグネシウム(MgO)の何れかを含むフィラーを用いることができる。
以上説明したように、本開示は、第1ブロックと第2ブロックとの隙間を小さくしつつ絶縁性を確保することができるという実用性の高い効果が得られることから、きわめて有用で産業上の利用可能性は高い。
1 レーザモジュール
10 第1ブロック
15 窪み部
20 第2ブロック
30 絶縁層
40 レーザ素子
40a 正電極(第1電極)
40b 負電極(第2電極)
50 スペーサ部材
55 仮想直線
LB レーザ光
10 第1ブロック
15 窪み部
20 第2ブロック
30 絶縁層
40 レーザ素子
40a 正電極(第1電極)
40b 負電極(第2電極)
50 スペーサ部材
55 仮想直線
LB レーザ光
Claims (5)
- レーザ光を出射するレーザ素子を備えたレーザモジュールであって、
前記レーザ素子の第1電極に電気的に接続された第1ブロックと、
前記第1ブロックに対向して配置され、前記レーザ素子の第2電極に電気的に接続された第2ブロックと、を備え、
前記第1ブロックにおける前記第2ブロックに対する対向面、又は前記第2ブロックにおける前記第1ブロックに対する対向面には、前記第1ブロック及び前記第2ブロックの重ね合わせ方向から見て、前記レーザ素子が配置された領域とは異なる領域に、複数の窪み部が形成され、
前記窪み部には、絶縁性を有するスペーサ部材が配置され、
前記スペーサ部材の一部は、前記窪み部から突出しており、
前記スペーサ部材は、前記第1ブロックと前記第2ブロックとの間で挟持される
レーザモジュール。 - 請求項1のレーザモジュールにおいて、
前記第1ブロックと前記第2ブロックとの間には、絶縁性のペースト材が塗布されて絶縁層が設けられる
レーザモジュール。 - 請求項1又は2のレーザモジュールにおいて、
前記レーザ素子は、前記第1ブロック及び前記第2ブロックの重ね合わせ方向から見て、前記複数の窪み部のうち2つの前記窪み部同士を繋ぐ仮想直線上に配置される
レーザモジュール。 - 請求項1~3の何れか1つのレーザモジュールにおいて、
前記スペーサ部材は、球状に形成される
レーザモジュール。 - 請求項1~4の何れか1つのレーザモジュールにおいて、
前記スペーサ部材は、少なくとも3つ設けられる
レーザモジュール。
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JP2014531750A (ja) * | 2011-08-29 | 2014-11-27 | インテレクチュアル ライト インコーポレーテッドIntellectual Light, Inc. | 追従性の導電層を用いた半導体装置のための実装及び方法 |
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WO2019009086A1 (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体レーザ装置 |
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