DE3633251A1 - Optoelektronisches koppelelement - Google Patents

Optoelektronisches koppelelement

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein optoelektronisches Kop­ pelelement nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein optoelektronisches Koppelelement bzw. Optokoppler oder auch Optoisolator bzw. optoelektronisches Relais genannt, dient bekanntlich der rückwirkungsfreien Signalübertragung zwischen zwei galvanisch getrennten Schaltkreisen, und zwar einem Primär- und einem Sekundärstromkreis. Sie bestehen aus einer Lumineszenzdiode, und zwar im sichtbaren oder infraroten Wellenlängenbereich lichtemittierenden Diode (LED- oder IRED-Typ), und einem Detektorbauelement, z.B. einer Photodiode oder einem Phototransistor, die optisch miteinander verkoppelt sind. Die Vorteile von Optokopplern gegenüber mechanischen Relais sind das Fehlen jeglicher bewegter Teile, ihre lange Lebensdauer, ihre Kleinheit, ihre Kompatibilität mit Halbleiterschaltungen und vor allem ihre hohe Schaltfrequenz.
Bei Optokopplern werden meist Lumineszenzdiode und Photo­ detektor auf getrennten Leiterbahnen montiert und so ange­ ordnet, daß ein möglichst großer Teil der Emissionsstrah­ lung auf die Empfängerfläche des Photodetektors fällt. Die optische Kopplung kann durch eine Kunststoffzwischenschicht, die zugleich eine höhere elektrische Isolierung bewirkt, verbessert werden.
Bei den heutigen Optokopplern werden z.B. für die Primär- und Sekundärseite jeweils ein Leiterband verwendet, auf dem der Sender- bzw. Empfängerchip mit üblichen Verfahren aufgebracht und kontaktiert ist. Die beiden Bänder werden zueinander gebracht. Der Lichtkanal wird durch Tröpfeln, Umpressen oder Vergießen hergestellt. Anschließend wird der Lichtkanal mit einer reflektierenden Schicht überzogen und das gesamte Bauelement außen mit Kunststoff umpreßt und konfektioniert. Anstelle von zwei Leiterbändern, die es erlauben, Sender- und Empfängerchip einander gegenüber­ liegend aufzubauen, kann auch ein Einleiterbandverfahren mit koplanarem Aufbau von Sender- und Empfängerchip ver­ wendet werden.
Infolge des komplexen Aufbaus eines optoelektronischen Kop­ pelelementes mit z.B. einem Infrarot-Senderchip, einer isolierenden Lichtübertragungsstrecke (Koppelmedium) und einem Empfängerchip ist dieser Aufbau relativ aufwendig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein optoelektro­ nisches Koppelelement zu schaffen, dessen Aufbau relativ wenig Aufwand erfordert und damit kostengünstig ist und das sich zudem durch geringen Raumbedarf auszeichnet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein optoelektro­ nisches Koppelelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen bzw. Weiterbildungen der Er­ findung sind Gegenstand zusätzlicher Ansprüche.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbeson­ dere darin, daß der Aufbau des vorgeschlagenen optoelektro­ nischen Koppelelementes sehr einfach und mit konventionel­ len Vorrichtungen durchführbar ist.
Der Lichtkanal (Koppelmedium) zwischen Sender- und Empfän­ gerchip ist insbesondere bei geringen Sperrspannungsanfor­ derungen zwischen Primär- und Sekundärseite mit einem dem konventionellen Chipklebeverfahren nahezu identischen Vor­ gehen einfach und kostengünstig herstellbar.
Von besonderem Vorteil ist das Hinzufügen von transparen­ ten Abstandspartikeln, vorzugsweise von Glasfaserabschnit­ ten oder Glaskugeln, in das aus einem Kleber oder Glaslot bestehende Koppelmedium. Damit lassen sich zum einen höhere Sperrspannungsforderungen realisieren. Zum anderen sind mit dieser Maßnahme definierte Abstände zwischen den zu verbin­ denden optoelektronischen Bauteilen gewährleistet.
Dieser Vorteil läßt sich auch dadurch erzielen, daß das als Sender- bzw. Empfängerchip ausgebildete Halbleiter­ bauelement an seiner an die als optisches Koppelmedium vor­ gesehene transparente Kleber- oder Glaslot-Verbindung an­ grenzenden Seite mit einem isolierenden Substrat, z.B. chromdotiertem GaAs, und/oder das als Empfängerchip aus­ gebildete lichtempfangende Halbleiterbauelement an seiner entsprechenden Seite mit einer zusätzlichen isolierenden Schicht z.B. aus Polyimid versehen sind.
Anhand eines in den Figuren der Zeichnung rein schematisch dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispiels wird die Erfindung näher erläutert. Teile, die nicht unbedingt zum Verständnis der Erfindung beitragen, sind in den Figuren unbezeichnet oder weggelassen. Es zeigen
Fig. 1 ein erfindungsgemäßes optoelektronisches Koppelele­ ment teilweise im Schnitt und
Fig. 2 eine Draufsicht auf das erfindungsgemäße optoelek­ tronische Koppelelement nach Fig. 1.
Das in den Fig. 1 und 2 dargestellte optoelektronische Koppelelement besteht im wesentlichen aus dem lichtemit­ tierenden Halbleiterbauelement 1, in diesem Beispiel einem transparenten Infrarot-Senderchip (z.B. GaAs mit diffun­ dierter Diode an der Oberfläche) und dem lichtempfangenden Halbleiterbauelement 2, in diesem Beispiel einem Infrarot- Empfängerchip (Fototransistor), die über das transparente Koppelmedium 3, in diesem Beispiel einen Kleber, direkt miteinander verbunden sind. Diesem Koppelmedium 3, das zweckmäßig auch aus Glaslot bestehen kann, sind vorzugs­ weise transparente Abstandspartikel 4 hinzugefügt. Als Abstandspartikel 4 sind beispielsweise Glaskugeln oder Glasfaserabschnitte besonders geeignet.
Für den Zusammenbau des optoelektronischen Koppelelementes ist folgendes Vorgehen zweckmäßig:
Der Infrarot-Senderchip 1 wird mit dem transparenten, mit Abstandspartikeln 4 versetzten Kleber 3 direkt auf den In­ frarot-Empfängerchip 2 geklebt. Die Verbindung des Empfän­ gerchips 2 zum Leiterband sowie die Kontaktierung der Chipoberseite von Empfänger und Sender erfolgt durch kon­ ventionelles Chipkleben bzw. Drahtverbinden. E 1 bzw. A 1 sind der Ein- bzw. Ausgang des Senderchips 1 und E 2 bzw. A 2 sind der Ein- bzw. Ausgang des Empfängerchips 2, die auf einer Metallspinne, dem sogenannten Lead-Frame 5 in herkömmlicher Weise aufgebracht sind. Das Aufbringen des Senderchips 1 mit dem transparenten Kleber kann ebenfalls im üblichem Chipklebeverfahren erfolgen.
Der Aufbau wird vorzugsweise in der Reihenfolge Systemträ­ ger (Leiterband) 5, Verbindungsmittel (z.B. Eutektikum), großflächiger Empfängerchip 2, Koppelmedium 3, kleinflächi­ ger Senderchip 1 vorgenommen.
Die äußere Bauelementumhüllung wird mit einem konventionel­ len Umhüllungsmaterial, das nicht transparent ist und re­ flektierend (weiß) eingefärbt wird, vorgenommen.

Claims (6)

1. Optoelektronisches Koppelelement mit einem lichtemittie­ renden Halbleiterbauelement, insbesondere einem Senderchip, und einem lichtempfangenden Halbleiterbauelement, insbeson­ dere einem Empfängerchip, die über ein optisches Koppelme­ dium fest miteinander verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtemittierende Halbleiterbauelement (1) und das lichtempfangende Halblei­ terbauelement (2) über das Koppelmedium (3) direkt mitein­ ander verbunden sind, und daß das Koppelmedium (3) eine transparente Kleber- oder Glaslot-Verbindung ist.
2. Optoelektronisches Koppelelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kleber- oder Glaslot-Verbindung transparente Abstandspar­ tikel (4) hinzugefügt sind.
3. Optoelektronisches Koppelelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstandspartikel (4) Glasfaserabschnitte oder Glaskugeln sind.
4. Optoelektronisches Koppelelement nach einem der Ansprü­ che 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Abmessungen der Abstandspartikel (4) den vorgege­ benen Abstand zwischen dem lichtemittierenden Halbleiter­ bauelement (1) und dem lichtempfangenden Halbleiterbauele­ ment (2) bestimmen.
5. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Kop­ pelelements nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Aufbau in der Rei­ henfolge: Systemträger bzw. Leiterband (5), Verbindungs­ mittel, z.B. Eutektikum, großflächiger Empfängerchip (2), Koppelmedium (3), kleinflächiger Senderchip (1) vorge­ nommen wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Anordnung von einem nichttrans­ parenten, jedoch reflektierenden Medium umgeben wird.
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US07/095,377 US4851695A (en) 1986-09-30 1987-09-10 Optoelectronic coupling element with transparent spacer elements
JP62242427A JPS6390869A (ja) 1986-09-30 1987-09-25 オプトエレクトロニクカプラおよびその製造方法

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DE (1) DE3633251A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0645827A2 (de) * 1993-09-23 1995-03-29 Siemens Aktiengesellschaft Optokoppler und Verfahren zu dessen Herstellung

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4972089A (en) * 1989-04-03 1990-11-20 Motorola Inc. Single package electro-optic transmitter-receiver
JPH03274781A (ja) * 1990-03-23 1991-12-05 Rohm Co Ltd レーザダイオード
US5329131A (en) * 1991-05-17 1994-07-12 U.S. Philips Corporation Opto-electronic coupler having improved moisture protective housing
US5140152A (en) * 1991-05-31 1992-08-18 The University Of Colorado Foundation, Inc. Full duplex optoelectronic device with integral emitter/detector pair
US5335361A (en) * 1991-12-11 1994-08-02 Motorola, Inc. Integrated circuit module with devices interconnected by electromagnetic waves
US5285078A (en) * 1992-01-24 1994-02-08 Nippon Steel Corporation Light emitting element with employment of porous silicon and optical device utilizing light emitting element
DE59402033D1 (de) * 1993-09-30 1997-04-17 Siemens Ag Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19510123A1 (de) * 1995-03-21 1996-09-26 Telefunken Microelectron Optokoppler
EP2267801B1 (de) * 1996-06-26 2015-05-27 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP2267798B1 (de) 1997-07-29 2015-09-30 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement
US6169295B1 (en) * 1998-05-29 2001-01-02 Maxim Integrated Products, Inc. Infrared transceiver module and method for making same
US7181144B1 (en) * 1998-07-09 2007-02-20 Zilog, Inc. Circuit design and optics system for infrared signal transceivers
JP2000232235A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Rohm Co Ltd 半導体装置
US6323060B1 (en) 1999-05-05 2001-11-27 Dense-Pac Microsystems, Inc. Stackable flex circuit IC package and method of making same
US6229135B1 (en) * 1999-07-02 2001-05-08 Cosmo Electronics Corp. Optoelectronic IC relay with observing hole
US6404043B1 (en) * 2000-06-21 2002-06-11 Dense-Pac Microsystems, Inc. Panel stacking of BGA devices to form three-dimensional modules
US20030002267A1 (en) * 2001-06-15 2003-01-02 Mantz Frank E. I/O interface structure
US6573460B2 (en) 2001-09-20 2003-06-03 Dpac Technologies Corp Post in ring interconnect using for 3-D stacking
US6573461B2 (en) 2001-09-20 2003-06-03 Dpac Technologies Corp Retaining ring interconnect used for 3-D stacking
US7081373B2 (en) 2001-12-14 2006-07-25 Staktek Group, L.P. CSP chip stack with flex circuit
JP2003332560A (ja) * 2002-05-13 2003-11-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びマイクロプロセッサ
JP4094386B2 (ja) * 2002-09-02 2008-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
JP4373063B2 (ja) 2002-09-02 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 電子回路装置
US6856010B2 (en) * 2002-12-05 2005-02-15 Staktek Group L.P. Thin scale outline package
JP4574118B2 (ja) * 2003-02-12 2010-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及びその作製方法
US20040207990A1 (en) * 2003-04-21 2004-10-21 Rose Andrew C. Stair-step signal routing
JP2005294494A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Toshiba Corp 光半導体装置及びその製造方法
KR101332794B1 (ko) * 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
JP5865859B2 (ja) * 2013-03-22 2016-02-17 株式会社東芝 光結合装置
JP2015050281A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社東芝 光結合装置
JP2015188051A (ja) * 2014-03-14 2015-10-29 株式会社東芝 光結合装置
JP2015177056A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 フォトリレー
JP2016086098A (ja) * 2014-10-27 2016-05-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光結合装置
US9786641B2 (en) 2015-08-13 2017-10-10 International Business Machines Corporation Packaging optoelectronic components and CMOS circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications
US11050277B2 (en) * 2019-02-11 2021-06-29 Miworld Accessories Llc Wireless power bank with adhesive pad

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1614471A1 (de) * 1967-03-31 1970-05-27 Siemens Ag Optoelektronisches Bauelement
DE7114433U (de) * 1970-04-15 1971-08-26 Motorola Inc Optoelektronisches koppelelement
DE2613885A1 (de) * 1975-04-02 1976-10-14 Hitachi Ltd Optokoppler
DE3236567A1 (de) * 1981-10-14 1983-04-28 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Optischer koppler mit einem leiterrahmen sowie leiterrahmen dafuer

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3229104A (en) * 1962-12-24 1966-01-11 Ibm Four terminal electro-optical semiconductor device using light coupling
GB1432697A (en) * 1973-05-04 1976-04-22 Standard Telephones Cables Ltd Optically coupled semiconductive switching devices
JPS51128280A (en) * 1975-04-30 1976-11-09 Hitachi Ltd Optical bonding semiconojctor device and its mandfactoring metho
US4412135A (en) * 1979-03-23 1983-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha Photo coupler device molding including filler particles
US4533833A (en) * 1982-08-19 1985-08-06 At&T Bell Laboratories Optically coupled integrated circuit array
US5009476A (en) * 1984-01-16 1991-04-23 Texas Instruments Incorporated Semiconductor layer with optical communication between chips disposed therein
US4588261A (en) * 1984-06-07 1986-05-13 Rca Corporation IR-CCD imager and method of making the same
JPS61218183A (ja) * 1985-03-25 1986-09-27 Hitachi Tobu Semiconductor Ltd 光電子装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1614471A1 (de) * 1967-03-31 1970-05-27 Siemens Ag Optoelektronisches Bauelement
DE7114433U (de) * 1970-04-15 1971-08-26 Motorola Inc Optoelektronisches koppelelement
DE2613885A1 (de) * 1975-04-02 1976-10-14 Hitachi Ltd Optokoppler
DE3236567A1 (de) * 1981-10-14 1983-04-28 General Electric Co., Schenectady, N.Y. Optischer koppler mit einem leiterrahmen sowie leiterrahmen dafuer

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Abstract zu JP 59-177 978 (A2) *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0645827A2 (de) * 1993-09-23 1995-03-29 Siemens Aktiengesellschaft Optokoppler und Verfahren zu dessen Herstellung
EP0645827A3 (de) * 1993-09-23 1995-05-17 Siemens Ag Optokoppler und Verfahren zu dessen Herstellung.
US5654559A (en) * 1993-09-23 1997-08-05 Siemens Aktiengesellschaft Optical coupling device and method for manufacturing the same

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