JPH02125688A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH02125688A JPH02125688A JP63280172A JP28017288A JPH02125688A JP H02125688 A JPH02125688 A JP H02125688A JP 63280172 A JP63280172 A JP 63280172A JP 28017288 A JP28017288 A JP 28017288A JP H02125688 A JPH02125688 A JP H02125688A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従って本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ６発明の概要
Ｃ０背景技術［第５図、第６図］
０９発明か解決しようとする問題点
Ｅ１問題点を解決するための手段
Ｆ０作用
Ｇ、実施例［第１図乃至第４図］
Ｈ１発明の効果
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ装置、特に基板によって支持され
たレーザダイオード素子と、該レーザダイオード素子の
電極を外部へ導出する外部接続導体の一部とを光透過性
樹脂により封止した半導体レーザ装置に関する。
たレーザダイオード素子と、該レーザダイオード素子の
電極を外部へ導出する外部接続導体の一部とを光透過性
樹脂により封止した半導体レーザ装置に関する。
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、上記の半導体レーザ装置において、光透過性
樹脂による波面収差を小さくするため、 レーザダイオード素子の光出射端面を覆う部分における
光透過性樹脂の厚さを０．２〜１ｍｍにしたものである
。
樹脂による波面収差を小さくするため、 レーザダイオード素子の光出射端面を覆う部分における
光透過性樹脂の厚さを０．２〜１ｍｍにしたものである
。
（Ｃ，背景技術）［第５図、第６図］
半導体レーザ装置として第５図に示すもの、第６図に示
すものが知られている。図面において、ａは環状のステ
ム、ｂはステムａに一体的に形成されたレーザチップ支
持片、Ｃはレーザダイオード素子で、第５図に示す半導
体レーザ装置においてはレーザチップ支持片すに直接ボ
ンディングされているのに対して第６図に示す半導体レ
ーザ装置においてはレーザチップ支持片すにモニター用
のフォトダイオードが形成されたシリコン基板からなる
サブマウントｄを介してボンディングされている。ｅは
円板状の金属製ベースで、ステムａに嵌合されている。
すものが知られている。図面において、ａは環状のステ
ム、ｂはステムａに一体的に形成されたレーザチップ支
持片、Ｃはレーザダイオード素子で、第５図に示す半導
体レーザ装置においてはレーザチップ支持片すに直接ボ
ンディングされているのに対して第６図に示す半導体レ
ーザ装置においてはレーザチップ支持片すにモニター用
のフォトダイオードが形成されたシリコン基板からなる
サブマウントｄを介してボンディングされている。ｅは
円板状の金属製ベースで、ステムａに嵌合されている。
ｆ、ｆ、ｆは１個の半導体レーザ装置あたり３本あるリ
ードで、そのうちの２本ｆ、ｆはベースｅに絶縁ガラス
ｇ、ｇにより絶縁された状態でｄ設されており、残りの
１本のリードｆはベースｅの下面に垂直に形成されてい
る。ｈ、ｈはレーザダイオード素子、フォトダイオード
の電極と、リードｆ、ｆとの間を接続するコネクトワイ
ヤ、ｉは金属製キャップで、Ｆ面に光通過孔ｊが形成さ
れ、該光透過孔ｊが例えばガラス等の透明板にで内側か
ら閉塞されている。そして、該キャップｉが周縁部下端
面にて上記システムａ上面の周縁部に固着されている。
ードで、そのうちの２本ｆ、ｆはベースｅに絶縁ガラス
ｇ、ｇにより絶縁された状態でｄ設されており、残りの
１本のリードｆはベースｅの下面に垂直に形成されてい
る。ｈ、ｈはレーザダイオード素子、フォトダイオード
の電極と、リードｆ、ｆとの間を接続するコネクトワイ
ヤ、ｉは金属製キャップで、Ｆ面に光通過孔ｊが形成さ
れ、該光透過孔ｊが例えばガラス等の透明板にで内側か
ら閉塞されている。そして、該キャップｉが周縁部下端
面にて上記システムａ上面の周縁部に固着されている。
ところで、第５図、第６図に示す半導体レーザ装置はレ
ーザディスクプレイヤー、コンパクトディスクプレイヤ
ー等の光ピツクアップに光源として用いられているが、
レーザディスクプレイヤー、コンパクトディスクプレイ
ヤー等においては低価格化が非常に強く要求されている
のでそれの心臓部分である光ピツクアップを構成する光
源たる半導体レーザ装置に対する低価格化の要求も強い
。
ーザディスクプレイヤー、コンパクトディスクプレイヤ
ー等の光ピツクアップに光源として用いられているが、
レーザディスクプレイヤー、コンパクトディスクプレイ
ヤー等においては低価格化が非常に強く要求されている
のでそれの心臓部分である光ピツクアップを構成する光
源たる半導体レーザ装置に対する低価格化の要求も強い
。
しかし、第５図、第６図に示す半導体レーザ装置は、こ
れを製造する場合、円板状のベースｅにリートｆ、ｆを
絶縁ガラスｇ、ｇを介して貫通状に固定しなければなら
ないし、該へ−スｅを、レーザタイオード素子Ｃのある
いはレーザダイオード素子Ｃ及びサブマウントｄのボン
ディングが為されたステムａに固着しなければならない
。
れを製造する場合、円板状のベースｅにリートｆ、ｆを
絶縁ガラスｇ、ｇを介して貫通状に固定しなければなら
ないし、該へ−スｅを、レーザタイオード素子Ｃのある
いはレーザダイオード素子Ｃ及びサブマウントｄのボン
ディングが為されたステムａに固着しなければならない
。
更にまた、キャップｉを金属で成形加工後、光通過孔ｊ
を透明板にで閉塞するだめの固着をし、更にキャップｉ
をステムａに電気溶接する必要かある。従って、製造工
数か非常に多くなり、延いては低価格化か非常に難しく
なるという問題かあった。
を透明板にで閉塞するだめの固着をし、更にキャップｉ
をステムａに電気溶接する必要かある。従って、製造工
数か非常に多くなり、延いては低価格化か非常に難しく
なるという問題かあった。
そこで、本願出願人会社において基板によって支持され
たレーザタイオード素子と、該レーザダイオード素子の
電極を外部へ導出する外部接続導体の一部とを光透過性
樹脂により封止した半導体レーザ装置を開発した。この
ような半導体レーザ装置によれば、光透過性樹脂によっ
て封止するので、キャップ、その光通過孔を閉塞する透
明板、ステム、ベースが全く不要となり、これ等部材を
組ゲてる面倒な工程も不要である。また、ベースにリー
ドを絶縁ガラスを介して貫通状に取り付けるという面倒
な工程も不要となる。従って、製造工数を少なくするこ
とができ、しかも材料費の節減することができるのであ
る。
たレーザタイオード素子と、該レーザダイオード素子の
電極を外部へ導出する外部接続導体の一部とを光透過性
樹脂により封止した半導体レーザ装置を開発した。この
ような半導体レーザ装置によれば、光透過性樹脂によっ
て封止するので、キャップ、その光通過孔を閉塞する透
明板、ステム、ベースが全く不要となり、これ等部材を
組ゲてる面倒な工程も不要である。また、ベースにリー
ドを絶縁ガラスを介して貫通状に取り付けるという面倒
な工程も不要となる。従って、製造工数を少なくするこ
とができ、しかも材料費の節減することができるのであ
る。
（Ｄ、発明か解決しようとする問題点）ところて、光透
過性樹脂でレーザダイオード素子の封ｌトをする場合に
おいて問題になるのは波面収差が生しることである。と
いうのは、樹脂形成した場合、ホイド、膜質のムラがあ
る程度の密度で発生することは避は得す、そして、その
ホイド、ムラは光束に悪ＪＰＮを及ぼし、波面収差を大
きくする要因となるからである。
過性樹脂でレーザダイオード素子の封ｌトをする場合に
おいて問題になるのは波面収差が生しることである。と
いうのは、樹脂形成した場合、ホイド、膜質のムラがあ
る程度の密度で発生することは避は得す、そして、その
ホイド、ムラは光束に悪ＪＰＮを及ぼし、波面収差を大
きくする要因となるからである。
そこで、本発明は波面収差不良の生じる確率を少なくす
ることを［１的とする。
ることを［１的とする。
（Ｅ、問題点を解決するための手段）
本発明半導体レーザ装置は上記問題点を解決するため、
レーザグーＣオード素子の光出射端面を覆う部分におけ
る光透過性樹脂の厚さを０．２〜１ｍｍにしてなること
を特徴とする。
レーザグーＣオード素子の光出射端面を覆う部分におけ
る光透過性樹脂の厚さを０．２〜１ｍｍにしてなること
を特徴とする。
（Ｆ、作用つ
本発明半導体レーザ装置によれば、光透過性樹ＪＦｉの
レーザダイオード素子の光出射端面を覆う部分における
厚さが０．２〜１．０ｍｍというように必要な封止効果
を得るに必要な限度で薄くされているので、レーザダイ
オード素子から出射される光束が通る光路にボイド、膜
質以上の生じる確率か低くなる。従って、ボイド、膜質
ムラによって波面収差が増大して波面収差不良が生じる
割合、即ち波面収差不良の不良率を低くすることができ
る。
レーザダイオード素子の光出射端面を覆う部分における
厚さが０．２〜１．０ｍｍというように必要な封止効果
を得るに必要な限度で薄くされているので、レーザダイ
オード素子から出射される光束が通る光路にボイド、膜
質以上の生じる確率か低くなる。従って、ボイド、膜質
ムラによって波面収差が増大して波面収差不良が生じる
割合、即ち波面収差不良の不良率を低くすることができ
る。
（Ｇ 実施例）［第１図乃至第４図］
以上、本発明半導体レーザ装置を図示実施例に従って詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図及び第２図は本発明半導体レーザ装置の−・つの
実施例を示すもので、第１図は斜視図、第２図は要部を
示す断面図である。
実施例を示すもので、第１図は斜視図、第２図は要部を
示す断面図である。
図面において、１は基板で金属からなり、一端部か幅広
に形成されており、その幅広部分２の表面にシリコンＳ
ｉからなるサブマント３かボンディングされている。該
サブマント３は一部領域表面にモニター用フォトダイオ
ード４が形成され、該モニター用フォトダイオード４か
形成されていない部分トにレーザダイオード素子５がボ
ンディングされている。レーザダイオード素子５はその
光出射端面６が基板１の幅広部分２の先端面７及びサブ
マウント４の先端面８と路面−（ツライチ）になるよう
にされてし）る。９．１０は上を上基板１の幅広部分２
を除く部分１１の両側にそれと゛ト行に配置されたリー
ド、１２はリード９とレーザダイオード素子５の電極と
の間を接続するコネクトワイヤ、１３はリード１ｏとフ
ォトダイオード４の電極との間を接続するコネクトワイ
ヤ、１４は光透過性樹脂で、レーザダイオード素子５、
サブマウント３、基板ｌの幅広部分２、そして、リード
９．１０のコネクトワイヤ１２．１３と接続された部分
を封止するように形成されており、例えばエキポジ樹脂
からなる。そして、封１トは例えばコンプレッションモ
ールディングあるはボッティング等により行われている
。
に形成されており、その幅広部分２の表面にシリコンＳ
ｉからなるサブマント３かボンディングされている。該
サブマント３は一部領域表面にモニター用フォトダイオ
ード４が形成され、該モニター用フォトダイオード４か
形成されていない部分トにレーザダイオード素子５がボ
ンディングされている。レーザダイオード素子５はその
光出射端面６が基板１の幅広部分２の先端面７及びサブ
マウント４の先端面８と路面−（ツライチ）になるよう
にされてし）る。９．１０は上を上基板１の幅広部分２
を除く部分１１の両側にそれと゛ト行に配置されたリー
ド、１２はリード９とレーザダイオード素子５の電極と
の間を接続するコネクトワイヤ、１３はリード１ｏとフ
ォトダイオード４の電極との間を接続するコネクトワイ
ヤ、１４は光透過性樹脂で、レーザダイオード素子５、
サブマウント３、基板ｌの幅広部分２、そして、リード
９．１０のコネクトワイヤ１２．１３と接続された部分
を封止するように形成されており、例えばエキポジ樹脂
からなる。そして、封１トは例えばコンプレッションモ
ールディングあるはボッティング等により行われている
。
この半導体レーザ装置は、基板１及びリート１０．１１
を複数の半導体レーザ装置分一体に形成したリードフレ
ームを用意し、レーザダイオードＡｆ５がホンディング
されたサブマウント３を各基板！の幅広部分２にボンデ
ィングし、次にワイヤボンディングし、次に光透過性樹
脂１４により例えばコンプレッションモールディングあ
るいはボッティングで封止し、リードフレームを切断す
ることにより個々の半導体レーザ装置を分離独立させる
という非常に簡単な方法で量産することかできる。しか
も、ステム、ベース、キャップ、透明板、リード等を必
要とする第５図、第６図に、バす〒導体レーザ装置に比
較して部品点数が少なくても済むので材料費が安くて済
む。従って、半導体レーザ装置の製造コストを低くする
ことができる。尚、サブマウント３を基板１の幅広部分
２にボンディングした後、該サブマウント３の部にレー
ザダイオード素子５をボンディングするようにしても良
いことはいうまでもない。
を複数の半導体レーザ装置分一体に形成したリードフレ
ームを用意し、レーザダイオードＡｆ５がホンディング
されたサブマウント３を各基板！の幅広部分２にボンデ
ィングし、次にワイヤボンディングし、次に光透過性樹
脂１４により例えばコンプレッションモールディングあ
るいはボッティングで封止し、リードフレームを切断す
ることにより個々の半導体レーザ装置を分離独立させる
という非常に簡単な方法で量産することかできる。しか
も、ステム、ベース、キャップ、透明板、リード等を必
要とする第５図、第６図に、バす〒導体レーザ装置に比
較して部品点数が少なくても済むので材料費が安くて済
む。従って、半導体レーザ装置の製造コストを低くする
ことができる。尚、サブマウント３を基板１の幅広部分
２にボンディングした後、該サブマウント３の部にレー
ザダイオード素子５をボンディングするようにしても良
いことはいうまでもない。
ところで、光透過性樹脂１４のレーザダイオード素子５
の光出射端面６を覆う部分における厚さ（換Ｓすれば光
出射端面６を覆う部分の表面１５とレーザダイオード素
子５の光出射端面６との間隔）Ｘは０．２〜１ｍｍ程度
と樹脂による封止効果を確保する限度で最小限の厚さに
されている。このように、樹脂厚χを薄くするのは、第
２図におけるレンズクリアアパーチャを確保する領域の
樹脂１４表面での長さ（幅）ｙを小さくすることにより
光路にボイド等の膜質異常か生じる確率を小さくするた
めである。この点について第２図を参照しながら詳述す
る。
の光出射端面６を覆う部分における厚さ（換Ｓすれば光
出射端面６を覆う部分の表面１５とレーザダイオード素
子５の光出射端面６との間隔）Ｘは０．２〜１ｍｍ程度
と樹脂による封止効果を確保する限度で最小限の厚さに
されている。このように、樹脂厚χを薄くするのは、第
２図におけるレンズクリアアパーチャを確保する領域の
樹脂１４表面での長さ（幅）ｙを小さくすることにより
光路にボイド等の膜質異常か生じる確率を小さくするた
めである。この点について第２図を参照しながら詳述す
る。
同図においてレーザダイオード素子５の発光点１６から
図示しない集光レンズを臨む角度（レンズクリア角度）
をθとすると、ｙは次式で表される。
図示しない集光レンズを臨む角度（レンズクリア角度）
をθとすると、ｙは次式で表される。
ｙ＝２ｘｔａｎ （θ／２）
従って、樹脂Ｊ’Ｊ ｘを小さくすればｙを小さくする
ことができる。そして、ｙが小さくなると必然的に樹脂
中における光路の占有体積が小さくなるので、光路中に
ボイド等の膜質以上が生じる確率が低く々る。依って、
波面収差不良の発生率が低くなるのである。
ことができる。そして、ｙが小さくなると必然的に樹脂
中における光路の占有体積が小さくなるので、光路中に
ボイド等の膜質以上が生じる確率が低く々る。依って、
波面収差不良の発生率が低くなるのである。
尚、本発明は第３図に示す半導体レーザ装置、第４図に
ボす半導体レーザ装置にも適用することかできる。第３
図に示す半導体レーザ装置は基板１の幅広部分２の底面
を露出させて放熱性を向上させるようにしたものである
。リードフレームを母体にして組立てることができると
いう点では、第１図及び第２図によって示した実施例と
異なるところはない。
ボす半導体レーザ装置にも適用することかできる。第３
図に示す半導体レーザ装置は基板１の幅広部分２の底面
を露出させて放熱性を向上させるようにしたものである
。リードフレームを母体にして組立てることができると
いう点では、第１図及び第２図によって示した実施例と
異なるところはない。
また、第４図に示す半導体レーザ装置は金属板の表面に
絶縁１１Ｑを介して配線を形成した金属基板を用いたも
のである。図面において、１７は例えば鉄、アルミニウ
ムあるいは珪素鋼等からなる金属板、１８は該金属板１
７の表面に形成された絶縁膜、１９．２０．２１は絶縁
膜１８上に形成された例えば銅箔からなる配線膜、２２
は配線膜１９の一端部を成すチップボディング部で、該
チップホンディング部２２にはサブマウント３がボンデ
ィングされている。該サブマウント３がシリコン基板か
らなり、一部領域にモニター用フォトダイオード４か形
成され、モニター用フォトダイオード４か形成されてい
ない領域Ｆにレーザダイオード素ｒ５かチップボンディ
ングされていることは第１図及び第２図に示す前記実施
例の場合と同しである。２３は配線ｌｌ！２１９の他端
部を成すランド、２４は配線＋１５！ ２０の一端部を
成すワイヤポンディングパッドで、該バット２４とレー
ザタイオート素／−５の電極との間がコネクトワイヤ１
２により接続されている。２５は配線膜２０の他端部を
成すラント、２６は配線膜２の一端部を成すワイヤポン
ディングパッドで、該バッド２６とフォトダイオード４
の電極との間かコネクトワイヤ１３により接続されてい
る。２７は配線１１！；！ ２１の他端部を成すランド
である。そして、レーザダイオード素子５、サブマウン
ト３及びこれ等のワイヤホンディング部分が例えばエポ
キシ樹脂等の光透過性樹脂１４によって封止されている
。
絶縁１１Ｑを介して配線を形成した金属基板を用いたも
のである。図面において、１７は例えば鉄、アルミニウ
ムあるいは珪素鋼等からなる金属板、１８は該金属板１
７の表面に形成された絶縁膜、１９．２０．２１は絶縁
膜１８上に形成された例えば銅箔からなる配線膜、２２
は配線膜１９の一端部を成すチップボディング部で、該
チップホンディング部２２にはサブマウント３がボンデ
ィングされている。該サブマウント３がシリコン基板か
らなり、一部領域にモニター用フォトダイオード４か形
成され、モニター用フォトダイオード４か形成されてい
ない領域Ｆにレーザダイオード素ｒ５かチップボンディ
ングされていることは第１図及び第２図に示す前記実施
例の場合と同しである。２３は配線ｌｌ！２１９の他端
部を成すランド、２４は配線＋１５！ ２０の一端部を
成すワイヤポンディングパッドで、該バット２４とレー
ザタイオート素／−５の電極との間がコネクトワイヤ１
２により接続されている。２５は配線膜２０の他端部を
成すラント、２６は配線膜２の一端部を成すワイヤポン
ディングパッドで、該バッド２６とフォトダイオード４
の電極との間かコネクトワイヤ１３により接続されてい
る。２７は配線１１！；！ ２１の他端部を成すランド
である。そして、レーザダイオード素子５、サブマウン
ト３及びこれ等のワイヤホンディング部分が例えばエポ
キシ樹脂等の光透過性樹脂１４によって封止されている
。
このように本発明はレーザダイオード素子を光速過性樹
脂で封１トした半導体レーザ装置一般に適用することが
できる。
脂で封１トした半導体レーザ装置一般に適用することが
できる。
（Ｈ発明の効果）
以Ｅに述へたように、本発明半導体レーザ装置は、基板
によって支持されたレーザダイオード素ｒ−と、該レー
ザダイオード素子の′心棒を外部へ導出する外部接続導
体の一部とを光透過性樹脂により封止した一゛＃導体レ
ーザ装置であって、レーザダイオード素ｆの光出射端面
を覆う部分における光透過性樹脂の厚さを０．２〜１ｍ
ｍにしてなることを特徴とするものである。
によって支持されたレーザダイオード素ｒ−と、該レー
ザダイオード素子の′心棒を外部へ導出する外部接続導
体の一部とを光透過性樹脂により封止した一゛＃導体レ
ーザ装置であって、レーザダイオード素ｆの光出射端面
を覆う部分における光透過性樹脂の厚さを０．２〜１ｍ
ｍにしてなることを特徴とするものである。
従って、本発明゛ｔ！−導体レーザ装置によれば、光速
過性樹脂のレーザダイオード素子の光出射端面を奮う部
分における厚さが０．２〜１．０ｍｍと必要な封止効果
を得るに必要な限度で薄くされているので、レーザダイ
オード素子から出射される光束か通る光路にボイド、膜
質ムラ等の膜質異常の生しる確率が低くなる。従って、
ボイド、ＩＩ！２質ムラ等によって波面収差か増大して
波面収差不良か生しる割合、即ち波面収差不良の不良率
を低くすることかできる。
過性樹脂のレーザダイオード素子の光出射端面を奮う部
分における厚さが０．２〜１．０ｍｍと必要な封止効果
を得るに必要な限度で薄くされているので、レーザダイ
オード素子から出射される光束か通る光路にボイド、膜
質ムラ等の膜質異常の生しる確率が低くなる。従って、
ボイド、ＩＩ！２質ムラ等によって波面収差か増大して
波面収差不良か生しる割合、即ち波面収差不良の不良率
を低くすることかできる。
第１図及び第２図は本発明半導体レーザ装置のつの実施
例を示すもので、第１図は斜視図、第２図は要部を示す
断面図、第３図及び第４図は本発明の各別の通用例を示
す斜視図、第５図及び第６図は第１Ｆｉび第２の従来例
を示す一部切欠斜視図である。 符号の説明 １・・・基板、 ５・・・レーザダイオード！子、 ９〜１１・・・外部接続導体、 １４・・・光速過性樹脂、１７・・・基板、１９〜２１
・・・外部接続導体、 Ｘ・・・光ｉ８過性樹脂のレーザダイオード素子の光出
射端面を覆う部分におけるＨさ。 第５図 第６図
例を示すもので、第１図は斜視図、第２図は要部を示す
断面図、第３図及び第４図は本発明の各別の通用例を示
す斜視図、第５図及び第６図は第１Ｆｉび第２の従来例
を示す一部切欠斜視図である。 符号の説明 １・・・基板、 ５・・・レーザダイオード！子、 ９〜１１・・・外部接続導体、 １４・・・光速過性樹脂、１７・・・基板、１９〜２１
・・・外部接続導体、 Ｘ・・・光ｉ８過性樹脂のレーザダイオード素子の光出
射端面を覆う部分におけるＨさ。 第５図 第６図
Claims (1)
- （１）基板によって支持されたレーザダイオード素子と
、該レーザダイオード素子の電極を外部へ導出する外部
接続導体の一部とを光透過性樹脂により封止した半導体
レーザ装置であって、レーザタイオート素子の光出射端
面を覆う部分における光透過性樹脂の厚さを０．２〜１
ｍｍにしてなることを特徴とする半導体レーザ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63280172A JPH02125688A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63280172A JPH02125688A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125688A true JPH02125688A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17621307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63280172A Pending JPH02125688A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125688A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448674A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| US5218611A (en) * | 1990-03-23 | 1993-06-08 | Rohm Co., Ltd. | Laser diode system having an air-tight interconnecting solid state wave-guide means for transmitting light |
| EP0607700A2 (en) | 1992-12-24 | 1994-07-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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| FR2713828A1 (fr) * | 1993-12-14 | 1995-06-16 | Fuji Electric Co Ltd | Laser à semiconducteurs. |
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-
1988
- 1988-11-04 JP JP63280172A patent/JPH02125688A/ja active Pending
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