JP3074112B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザー装置、
発光ダイオード装置、固体撮像装置等の半導体装置及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザー素子（チップ）等の半導
体素子は、小さくて破壊されやすく、しかも、外気、特
に湿気の影響を受けやすいために、通常、パッケージに
収納された状態で使用されている。

【０００３】図２４に現在量産されているハーメチック
シールの半導体レーザー装置の一例を示す。

【０００４】この半導体レーザー装置は、ヒートシンク
と一体化された金属製ステム１に、半導体レーザー素子
（チップ）２と該半導体レーザー素子２の光出力を検出
する受光素子３、例えばモニタ用フォトダイオードチッ
プとを取付け、前記半導体レーザー素子２及び受光素子
３は、ワイヤボンティングにて端子に電気的接続が施さ
れ、さらに低融点ガラスにて平板ガラス板４が取付けら
れたキャンパッケージ５を窒素雰囲気中にて金属製ステ
ム１にシーム溶接することにより密閉され、前記キャン
パッケージ５内に窒素を封入することにより、耐湿性、
熱放散性等の各機能を維持してなるものである。

【０００５】上記構成のハーメチックシールの半導体レ
ーザー装置は気密密閉であり、半導体レーザー素子２は
外気から遮断される。しかしながら、この様な半導体レ
ーザー装置では構成部品が多く、製造工程が複雑な為、
量産性に劣り、低コスト化の要求に応えることが非常に
難しかった。また、窒素は気体であるため、熱伝導率が
小さく、半導体レーザー素子２から発生する熱は金属性
ステム１を通し外部へ放熱されるしかなく、大きな金属
製ステム１が必要となり小型化に限界があった。また、
平板ガラス４を通過するレーザー光線は、窒素との境界
で一部反射されるので、光の利用効率が悪い不具合があ
った。さらに、前記キャンパッケージ５内に封入する窒
素は高価なものであった。

【０００６】そこで、上記問題点を解決するものとし
て、特開昭６０−６３９７７号公報（以下、「先行文献
１」と称す。）、特開昭６３−１４４８９号公報（以
下、「先行文献２」と称す。）に開示された半導体レー
ザー装置がある。図２５は前記先行文献１の構成図であ
り、（ａ）は上面側からの透視図であり、（ｂ）は側面
側からの透視図である。また、図２６は前記先行文献２
の構成を示す正面断面図である。

【０００７】上記先行文献１の半導体レーザー装置は、
図２５の如く、半導体レーザー素子２は放熱性の良い金
属性ステム１上にマウントされ、前記半導体レーザー素
子２を透明樹脂にて封止して透明樹脂体６が形成され、
該透明樹脂体６の表面形状を曲面形状としたものであ
る。上記構成によれば、部品点数を低減でき、小型化及
び量産性を向上し、安価に生産することが可能となる。

【０００８】また、上記先行文献２の半導体レーザー装
置は、図２６の如く、該装置の基本的構成は上述した図
２４に示す従来例と全く同様であり、この先行文献２で
は、ステム１上に保持された半導体レーザー素子２と受
光素子３との全体を、透明ゲル等の光透過率の良好な水
分吸着物質７によって同時に充填させるとともに、これ
らをさらに透明樹脂層８により同時に被覆封止させたも
のである。上記構成によれば、安価な水分吸着物質７及
び透明樹脂層８を用いることにより、装置自体の耐湿
性、熱放散性等の各機能を低下させずに量産性が向上さ
れ、安価な半導体レーザー装置が得られる。

【０００９】図２７に、従来のセラミックベース樹脂封
止の発光ダイオード装置の一例を示す。

【００１０】この発光ダイオード装置は、セラミックベ
ース基板１１により固定されたリードフレーム１２に発
光ダイオード素子（チップ）１３を取付けた後、該発光
ダイオード素子１３はワイヤボンティングにて端子に電
気的接続が施され、透明エポキシ樹脂等の封止材料１４
にて前記発光ダイオード素子１３を封止してなる構造及
び製造方法である。

【００１１】上記発光ダイオード装置の製造は、図２８
に示すキャスティング法や図２９に示すディッピング
法、図３０に示すドロッピング法にて行われる（電波新
聞社出版、総合電子部品ハンドブックＰ６１４参照）。

【００１２】しかしながら、この様な発光ダイオード装
置では、セラミックベース基板１１が必要となるため低
コスト化の要求に応えることが非常に難しかった。

【００１３】そこで、図３１に示すように、上記セラミ
ックベース基板１１を必要としない発光ダイオード装置
が量産されている。この発光ダイオード装置の製造方法
を図３２にしたがって説明する。

【００１４】一体となった一対の金属製リードフレーム
１２ａおよび１２ｂによって発光ダイオード装置が製造
される。図３２（ａ）に示すように、一方のリードフレ
ーム１２ａの端部には、円板状の台座部１５が設けられ
ており、図３２（ｂ）に示すように、その台座部１５に
Ａｇペースト１６が塗布されて、図３２（ｃ）に示すよ
うに、発光ダイオード素子（チップ）１３がダイボンド
される。その後、Ａｇペースト１６が硬化すると、図３
２（ｄ）に示すように、発光ダイオード素子（チップ）
１３と他方のリードフレーム１２ｂとが銅線等のボンデ
ィングワイヤー１７により電気的に接続される。

【００１５】上記工程は、一体になった一対のリードフ
レーム１２ａおよび１２ｂ毎に行われ、図３２（ｅ）に
示すような状態になると、図３２（ｆ）に示すように、
リードフレーム１２ａおよび１２ｂの端部がモールドケ
ース１８の凹部１８ａ内に挿入されて、その凹部１８ａ
内に透明樹脂（図示せず）が充填される。そして、凹部
１８ａ内に充填された透明樹脂が硬化すると、図３２
（ｇ）に示すように、硬化した透明樹脂１４がモールド
ケース１８から取り出されて、図３２（ｈ）に示すよう
に、一対のリードフレーム１２ａおよび１２ｂずつにカ
ットされ、図３２（ｉ）に示す発光ダイオード装置が製
造される。

【００１６】また、最近は一層の小型化を図るため表面
実装部品としての発光ダイオード装置が量産されてい
る。該装置は、図３３に示すように、メタライズ等によ
り作成された表面電極２０を持つ樹脂ベース基板２１に
発光ダイオード素子１３が取り付けられ、ボンディング
ワイヤー１７等により、前記表面電極２０と発光ダイオ
ード素子１３との電気的接続が施され、ドロッピング法
等により封止材料１４にて発光ダイオード素子１３を密
閉し製造される。

【００１７】図３４はＣＣＤ等の固体撮像素子にセラミ
ックパッケージを適用した従来の固体撮像装置の一例を
示す。

【００１８】該固体撮像装置は、上面中央部に凹部３１
ａが形成されメタライズされたアルミナ基板３１と、こ
のアルミナ基板３１の凹部３１ａ内に配置された固体撮
像素子（ＣＣＤチップ）３２と、該ＣＣＤチップ３２を
覆うガラス板３３と、このガラス板３３を支持するアル
ミナキャップ３４とを有している。

【００１９】前記ＣＣＤチップ３２は、アルミナ基板３
１に接着されており、アルミナ基板３１表面に設けられ
たメタライズ電極３５と、ボンディングワイヤー３６に
よって電気的に接続されている。前記メタライズ電極３
５は、端子３７に電気的に接続されている。

【００２０】アルミナ基板３１上に配置されたアルミナ
キャップ３４は、中央部に開口部３４ａが設けられた枠
状をしており、その開口部３４ａ内に、平板状のガラス
板３３が支持されて低融点ガラス３８によってシールさ
れている。このガラス板３３は、ＣＣＤチップ３２表面
とは適当な間隔をあけており、その間隙内に窒素が充填
されている。ＣＣＤチップ３２は、窒素雰囲気内に配置
されており、外気に対して保護されている。

【００２１】しかしながら、このような固体撮像装置で
は構成部品が多く製造工程が複雑な為、量産性に劣り、
低コスト化の要求に応えることが非常に難しかった。ま
た、平板ガラス３３を通過する入力光線は、平板ガラス
３３と窒素との境界で一部反射されるので、光の利用効
率が悪い不具合があった。同様に、強い入力光線が固体
撮像素子３２の表面で反射し、それが前記平板ガラス３
３と窒素との境界で反射し、再度固体撮像素子３２へ入
射するために偽信号の一種であるフレアーや固体撮像素
子３２の撮像セル間のクロストークが多く発生する不具
合があった。そこで、固体撮像素子３２を透明樹脂によ
り封止する事が提案されている（当社製品ＬＺ２３１４
等）。

【００２２】図３５は光ディスクの光ピックアップに使
用されるハーメチックシール型の半導体レーザー装置を
示す。金属製ステム４１に半導体レーザー素子（チッ
プ）４２、モニタ用フォトダイオードチップ４３及び信
号検出用フォトダイオードチップ４４を取付け、ワイヤ
ボンディング等にて端子４５に電気的接続がなされ、窒
素雰囲気中にて、平板ガラス板４６が取付けられたキャ
ップ４７を前記ステム４１にシーム溶接し、空気中にて
ホログラムガラス４８を前記平板ガラス板４６が取付ら
れたキャップ４７の窓部４７ａに紫外線硬化樹脂等の接
着剤４９にて貼付け製造される。キャップ４７の平板ガ
ラス板４６は、事前にキャップ４６に対し低融点ガラス
５０にて、すきまなく貼付けられている。

【００２３】しかしながら、このような半導体レーザー
装置では製造工程が複雑な為、量産性に劣り、低コスト
化の要求に応えることが非常に難しかった。また、窒素
は気体であるため、熱伝導率が小さく、半導体レーザー
素子４２から発生する熱は金属性ステム４１を通し外部
へ放熱されるしかなく、大きな金属製ステム４１が必要
となり小型化に限界があった。ホログラムガラス４８や
平板ガラス４６を通過するレーザー光線は、空気や窒素
との境界で一部反射されるので、光の利用効率が悪い不
具合があった。同様に、ホログラムガラス４８や平板ガ
ラス４６に反射された光線が受光素子４３、４４に入射
することから、Ｓ／Ｎが低くなる不具合もあった。ま
た、この集積型部品を用い光ディスクピックアップを形
成するためには、外付けの対物レンズ等が必要となり製
造工程が複雑な為、量産性に劣り、低コスト化の要求に
応えることが非常に難しく、小型化にも限界があった。

【００２４】そこで、特開平３−１６４６２１号公報で
は、図３６の如く、対物レンズやホログラムなどの光学
素子を樹脂の一体成形にて形成することにより製造工程
を大幅に削減し、光路を折り返すことにより小型化を図
る事が提案されている。図中、５１は光ディスク、５２
は透明樹脂体、５３は対物レンズ、５４はホログラムコ
リメートレンズ、５５はホログラムビームスプリッタ
ー、５６は三ビーム回折格子またはミラー、５７はサブ
マウント、５８は半導体レーザー素子、５９は封止材料
である。

【００２５】また、特開平５−２１７１９９号公報で
は、図３７の如く、発光素子と光検出器を同一基板上に
形成することにより、低価格化や小型化を図る事が提案
されている。図中、６１はホログラムビームスプリッタ
ー、６２はホログラムガラス、６３は三ビーム回折格
子、６４は接着剤、６５は化合物半導体基板、６６電子
処理回路、６７は光検出器、６８はミラー、６９は半導
体レーザー素子、７０はモニター用光検出器、７１は取
付板である。なお、図中のホログラムガラス６２と化合
物半導体基板６５との隙間Ａは説明し易いよう間隔を設
けているが、実際は前記隙間Ａはゼロに近いものであ
る。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２４
に示すハーメチックシールの半導体レーザー装置では構
成部品が多く、製造工程が複雑な為、量産性に劣り、低
コスト化の要求に応えることが非常に難しかった。ま
た、窒素は気体であるため、熱伝導率が小さく、半導体
レーザー素子から発生する熱は金属性ステム１を通し外
部へ放熱されるしかなく、大きな金属製ステムが必要と
なり小型化に限界があった。また、平板ガラス４を通過
するレーザー光線は、窒素との境界で一部反射されるの
で、光の利用効率が悪い不具合があった。

【００２７】図２５に示す先行文献１の半導体レーザー
装置では、 １：透明樹脂体６を射出成形にて製造する場合は、樹脂
レンズの製造と異なり、半導体レーザー素子２等の異物
が金型内に配置される（インサート成形される）為、樹
脂流れに乱れが生じ封止材料（透明樹脂）の屈折率に空
間的分布が生じ、出射レーザー光線の波面収差が劣化す
る不具合が発生する。また、封止材 料の射出圧力によ
りボンディングワイヤが切断される恐れがある。

【００２８】２：同じく、注形等にて製造する場合は、
製造による封止材料の屈折率の空間的分布を抑える事が
可能であるが、半導体レーザー素子２の発熱により封止
材料に温度分布や応力が生じ、ひいては屈折率に空間的
分布が生じて出射レーザー光線の波面収差が劣化する不
具合が発生する。

【００２９】３：半導体レーザー素子２の発熱により封
止材料に応力が生じ、半導体レーザー素子２の寿命に悪
影響を及ぼしたり、半導体レーザー素子２と封止材料の
境界で熱応力により剥離が生じ耐湿性が低下する不具合
が発生する。

【００３０】図２６に示す先行文献２の半導体レーザー
装置では、 １：透明ゲルなどの水分吸着物質７が水分を吸着する
と、膨潤し応力や屈折率の空間的分布が生じる為、出射
レーザー光線の波面収差が劣化する不具合が発生する。

【００３１】２：透明ゲルなどの水分吸着物質７は高分
子の３次元網目構造の中に水分子を含んだ構造をしてお
り絶縁性に劣る。その為、水分吸着物質７の水分量によ
っては、半導体レーザー素子２などのダイオードが、立
ち上がり時に高抵抗（数Ｍ〜数１０ＭΩ）である際に水
分吸着物質７に電流がリークする為、点灯しない不具合
が生じる。または応答性が悪くなる不具合が発生する。

【００３２】３：半導体レーザー素子２の発熱により充
填材料（透明ゲルなどの水分吸着物質７）に温度分布や
応力が生じ、ひいては屈折率に空間的分布が生じて出射
レーザー光線の波面収差が劣化する不具合が発生する。

【００３３】ここで波面収差とは、レーザー光線を回折
限界まで絞る必要の有る応用（例えば半導体レーザー装
置の主要応用製品である光ディスク装置）で重要になる
管理量であって、光学系全体での波面収差をマレシャル
基準（０．０７λｒｍｓ）以下にする必要がある。

【００３４】図３０、３１、３３に示す従来の発光ダイ
オード装置では、近年の高出力化に伴い半導体レーザー
装置と同様に、発光ダイオード素子１３の発熱により封
止材料１４に応力が生じ、発光ダイオード素子１３の寿
命に悪影響を及ぼしたり、発光ダイオード素子１３と封
止材料１４の境界で熱応力により剥離が生じ耐湿性が低
下する不具合が発生する。

【００３５】図３４に示す従来の固体撮像装置では、近
年の素子の高速化、大型化（撮像面積の増加）に伴い、
固体撮像素子３２の発熱により封止材料（窒素）に応力
が生じ、固体撮像素子３２の寿命に悪影響を及ぼした
り、固体撮像素子３２と封止材料の境界で熱応力により
剥離が生じ耐湿性が低下する不具合が発生する。

【００３６】また、固体撮像素子３２の大型化に伴い、
封止材料の成形収縮により、封止材料に応力が生じ、固
体撮像素子３２の寿命に悪影響を及ぼしたり、固体撮像
素子３２の平面性が低下し検出像に歪みが生じる不具合
が発生する。

【００３７】図３５に示す従来の光ディスクピックアッ
プ用の集積型部品も前記ハーメチックシールの半導体レ
ーザー装置と同様に構成部品が多く、製造工程が複雑な
為、量産性に劣り、低コスト化の要求に応えることが非
常に難しかった。また、窒素は気体であるため、熱伝導
率が小さく、半導体レーザー素子４２から発生する熱は
金属性ステム４１を通し外部へ放熱されるしかなく、大
きな金属製ステムが必要となり小型化に限界があった。

【００３８】ホログラムガラス４８や平板ガラス板４６
を通過するレーザー光線は、空気や窒素との境界で一部
反射されるので、光の利用効率が悪い不具合があった。
また、ホログラムガラス４８や平板ガラス板４６に反射
された光線が受光素子４４に入射することから、Ｓ／Ｎ
が低くなる不具合もあった。

【００３９】図３６に示す光ディスクの光ピックアップ
用の集積型装置の他の実施例では、半導体レーザー素子
５８の発熱により封止材料５９に応力が生じ、半導体レ
ーザー素子５８の寿命に悪影響を及ぼしたり、半導体レ
ーザー素子５８と封止材料５９との境界で熱応力により
剥離が生じ耐湿性が低下する不具合が発生する。また、
半導体レーザー素子５８の発熱により封止材料５９に温
度分布や応力が生じ、ひいては屈折率に空間的分布が生
じて出射レーザー光線の波面収差が劣化する不具合が発
生する。

【００４０】図３７に示す光ディスクの光ピックアップ
用の集積型装置の他の実施例では、前記ハーメチックシ
ールを用いた半導体レーザー装置（図３５）に対応させ
ると化合物半導体基板６５がステム４１、接着剤６４が
キャップ４６に相当する。この場合は接着剤６４を化合
物半導体基板６５の間隙（ミラー部位、レーザー部位
等）には塗布せず、かつ接着剤６４は密閉のため前記間
隙のまわりに途切れなく塗布する必要があり製造性に劣
る。また、接着剤６４を前記間隙に塗布した場合は樹脂
封止となるが、この場合は半導体レーザー素子６９の発
熱により封止材料に応力が生じ、半導体レーザー素子の
寿命に悪影響を及ぼしたり、レーザー素子と封止材料の
境界で熱応力により剥離が生じ耐湿性が低下する不具合
が発生する。また、半導体レーザー素子６９の発熱によ
り封止材料に温度分布や応力が生じ、ひいては屈折率に
空間的分布が生じて出射レーザー光線の波面収差が劣化
する不具合が発生する。また、硬化前にホログラムガラ
ス６２と化合物半導体基板６５との位置関係を調整して
も、封止材料の硬化前後で屈折率が変化し、光学的な位
置関係がずれる不具合が発生する。

【００４１】以上を簡単にまとめると、ハーメチックシ
ールやセラミック封止などの気密封止法では １：アルミ電極の酸化や露結による光学面（半導体レー
ザー素子の端面等）の光学特性の劣化等を防止する為
に、低融点ガラスによる接着やシーム溶接を行なってお
り、低価格化に限界があった。

【００４２】２：発熱の大きな半導体素子ではパッケー
ジからの放熱を大きくする為に、小型化に限界があっ
た。

【００４３】３：ガラス窓や光学素子を取り付けた光半
導体素子の封止法では、ガラス窓や光学素子の窒素また
は空気との境界で、光の反射が起こり光の利用効率やＳ
／Ｎが低下する不具合があった。

【００４４】樹脂封止法では、 １：樹脂硬化時に封止材料に応力が発生し、半導体素子
の寿命に悪影響を及ぼす不具合があった。

【００４５】２：樹脂硬化時に封止材料に応力が発生
し、出射レーザー光線の波面収差が劣化したり、固体撮
像素子の平面性が低下し検出像に歪みが発生する不具合
があった。

【００４６】３：半導体素子の発熱により、半導体素子
と封止材料の境界で熱応力により剥離が生じ耐湿性が低
下する不具合があった。

【００４７】４：半導体素子の発熱により封止材料に温
度分布や応力が生じ、ひいては屈折率に空間的分布が生
じて入出射光線に収差が発生する不具合があった。

【００４８】５：樹脂の硬化前に光学素子間の位置調整
を行っても、硬化前後で屈折率が変化するため、硬化後
に光学的な位置関係にずれが発生する不具合があった。

【００４９】本発明は、上記問題点を解決することを目
的とするものである。

【００５０】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体装置は、基材上に配置された半導体素子と、該半
導体素子を被覆する液状樹脂と、該液状樹脂の表面を硬
化させてなる表面硬化層とを備えてなることを特徴とす
るものである。

【００５１】請求項２記載の半導体装置は、上記表面硬
化層の表面に耐候性樹脂をコーティングしたことを特徴
とするものである。

【００５２】

【００５３】請求項３記載の半導体装置の製造方法は、
紫外線透過材料により形成されたケース内に、基材上に
配置された半導体素子を配設する工程と、前記ケース内
に紫外線硬化型樹脂を充填する工程と、前記ケースを透
過させ紫外線を前記紫外線硬化樹脂の外表面に照射して
その表面のみを硬化する工程とを備えてなることを特徴
とするものである。

【００５４】請求項４記載の半導体装置の製造方法は、
基材上に配置された半導体素子に、紫外線硬化型樹脂を
塗布する工程と、該紫外線硬化樹脂の自由表面に紫外線
を照射してその表面のみを硬化する工程とを備えてなる
ことを特徴とするものである。

【００５５】請求項５記載の半導体装置の製造方法は、
導電性材料により形成された熱容量の小なるケース内
に、基材上に配置された半導体素子を配設する工程と、
前記ケース内に熱硬化型樹脂を充填する工程と、前記ケ
ースを高周波誘導加熱し、前記熱硬化型樹脂の表面のみ
を硬化させる工程とを備えてなることを特徴とするもの
である。

【００５６】請求項６記載の半導体装置の製造方法は、
基材上に配置された半導体素子に、熱硬化型樹脂を塗布
する工程と、該熱硬化性樹脂の自由表面に高温の流体ま
たは気体を接触させてその表面のみを硬化させる工程と
を備えてなることを特徴とするものである。

【００５７】請求項７記載の半導体装置の製造方法は、
基材上に配置された半導体素子に、エポキシ樹脂を塗布
する工程と、該エポキシ樹脂の自由表面に流体または気
体の硬化剤を接触させてその表面のみを硬化させる工程
とを備えてなることを特徴とするものである。

【００５８】

【作用】上記構成によれば、本発明の請求項１乃至２に
記載の半導体装置は、半導体素子を被覆する液状樹脂に
よって半導体素子が外気から保護されるとともに、半導
体素子の放熱が促進される。また、液状樹脂は流動する
ために、液状樹脂の温度分布、屈折率が均一化されると
ともに、熱応力も分散される。

【００５９】さらに、請求項２記載の半導体装置は、表
面硬化層に耐候性樹脂をコーティングしたことにより、
それよりも内側の材料に要求される項目を緩和できる。

【００６０】請求項３乃至７に記載の半導体装置は、そ
れぞれ半導体素子を被覆する液状樹脂の表面を安定して
硬化でき、該硬化によって形成される表面硬化層にて前
記液状樹脂を密閉することができる。

【００６１】

【実施例】図１は本発明よりなる半導体レーザー装置の
第一実施例を示す図であり、（ａ）は上面側からの透視
図であり、（ｂ）は側面側からの透視図である。

【００６２】図示の如く、本実施例の半導体レーザー装
置は、リードフレーム１０１におけるマウント部１０１
ａに搭載されてなる半導体レーザー素子（チップ）１０
２及び該半導体レーザー素子１０２の光出力を検出する
受光素子１０３と、一端が開口され前記両素子１０２、
１０３を覆うよう取り付けられてなる樹脂キャップ１０
４と、該樹脂キャップ１０４内に充填される流体材料１
０５と、該流体材料１０５が前記開口から流出しないよ
う封止する封止樹脂１０６とからなる構成である。

【００６３】前記リードフレーム１０１は、例えば銅、
アルミニウム等の金属からなり、３本並列に配置されて
おり、そのうちの中央に位置するリードフレームの先端
部分に半導体レーザー素子１０２、さらに９０度前後に
曲げ起こした部分には、受光素子１０３が取付けられて
いる。該半導体レーザー素子１０２と受光素子１０３と
は、ボンディングワイヤー１０７にてそれぞれ異なるリ
ードフレームに電気的接続が行なわれている。また、前
記マウント部１０１ａの付け根部分には曲げ起こし加工
が施されている。

【００６４】前記半導体レーザー素子１０２は、例えば
レーザーダイオード等からなり、前記受光素子１０３は
モニター用フォトダイオード等からなる。

【００６５】前記樹脂キャップ１０４は、例えばアクリ
ル、カーボネート等の熱可塑性樹脂を射出成形または射
出圧縮成形等によって、又はエポキシ樹脂等の熱硬化性
樹脂を注形等によって形成されたものであり、レーザー
波長に対して透明な樹脂製キャップである。該樹脂キャ
ップ１０４のレーザー光出射端には、例えば両面非球面
レンズ等からなる光学素子１０８が形成されている。

【００６６】前記流体材料１０５は、レーザー波長に対
して透明な液状樹脂であって、例えば熱硬化性樹脂、紫
外線硬化性樹脂等からなる。

【００６７】半導体レーザー素子を覆う流体材料１０５
は、耐熱性、耐寒性、耐候性、電気絶縁性が良く、ガス
透過性、透湿性の低い事が要求される。このため、本実
施例では、流体材料１０５として熱硬化性樹脂、または
紫外線硬化性シリコーン樹脂を用い、現在量産されてい
る半導体レーザー装置と同程度の耐環境性、寿命、波面
収差を得ている。また、流体材料１０５のみで上記要求
を満たさず、前記樹脂キャップ１０４及び封止樹脂１０
６に一部を負担させても良い。例えば、樹脂キャップ１
０４及び封止樹脂１０６の外周全域に弗素コーテイング
を行なえば、それよりも内側の材料に要求される前記要
求項目は緩和される。

【００６８】前封止樹脂１０６は、例えばエポキシ樹
脂、シリコーン樹脂等からなり、前記流体材料１０５の
密閉とリードフレーム１０１の固定を行っている。

【００６９】本実施例の半導体レーザー装置では、樹脂
キャップ１０４内に流体材料１０５が封入されており、
この流体材料１０５内に半導体レーザー素子１０２が浸
漬されているので、半導体レーザー素子１０２は外部の
空気と接触する恐れがなく保護される。また、半導体レ
ーザー素子からの発熱は、流体材料１０５による熱伝
導、輻射、さらには対流によって、効果的に放散され
る。従って、半導体レーザー素子１０２の放熱のための
空間を小さくすることができ、半導体レーザー装置全体
を小型化することができる。流体材料１０５の屈折率は
１．３〜１．５と窒素の屈折率１よりも大きいために、
半導体レーザー素子１０２と光学素子１０８との距離を
短くしても、所定のレーザー光の光波長を得ることがで
き、これによっても、半導体レーザー装置を小型化する
ことができる。

【００７０】また、流体材料１０５が対流することによ
って、樹脂キャップ１０４内における流体材料１０５の
温度分布および屈折率の空間的分布が均等化されるた
め、半導体レーザー素子１０２から発振されるレーザー
光の波面収差の劣化を抑制できる。

【００７１】さらに、流体材料１０５に発生する熱応力
は流体材料１０５が流動することによって均等化される
ために、一個所に集中するおそれがなく、半導体レーザ
ー素子１０２に圧力が加わる恐れもなく、寿命に悪影響
を及ぼすおそれがない。

【００７２】流体材料１０５の粘度は、窒素等よりも約
１０００倍も大きいために、樹脂キャップ１０４とステ
ム１０１との間を気体のように厳密に封止しなくても、
流体材料１０５の漏出を防止できる。

【００７３】図２は本発明よりなる半導体レーザー装置
の他の実施例を示す図であり、（ａ）は上面側からの透
視図であり、（ｂ）は側面側からの透視図である。本実
施例について、上記実施例と相違する点のみ説明する。

【００７４】図示の如く、本実施例の半導体レーザー装
置は、マウント部１０１ａにシリコン基板１０９が搭載
され、該シリコン基板１０９上に半導体レーザー素子１
０２が搭載されており、該半導体レーザー素子１０２の
光出力を検出する受光素子１０３はシリコン基板１０９
内に形成されてなるものである。さらに、樹脂キャップ
１０４ａのレーザー光出射端における光学素子が、例え
ば平板、回折格子、ホログラム等の平面状に形成された
光学素子１０８ａからなるものである。

【００７５】また、本実施例では、リードフレーム１０
１にて半導体レーザー装置から電気接続用端子を取り出
したが、前記シリコン基板１０９を長手方向に伸ばし封
止部の外部へ出すことにより電気接続用端子としても良
い。また、リードフレーム１０１の代りにフレキシブル
プリンテッドコード（ＦＰＣ）、プリント配線基板（Ｐ
ＷＢ）を用いても良い。

【００７６】図３は本発明よりなる半導体レーザー装置
のさらに他の実施例を示す図であり、（ａ）は平面図で
あり、（ｂ）は上面側からの透視図であり、（ｃ）は側
面断面図である。

【００７７】図示の如く、本実施例の半導体レーザー装
置は、例えば銅、アルミニウム等の金属や、セラミック
ス、シリコン等からなる放熱板１１０と、該放熱板１１
０の中央部分に取り付けられ、面発光半導体レーザー素
子１０２ａとその光出力を検出する受光素子１０３とが
形成された化合物半導体基板１１１と、同じくその端部
に取り付けられるフレキシブルプリンテッドコード（Ｆ
ＰＣ）１１２とからなる構成である。前記面発光半導体
レーザー素子１０２ａと受光素子１０３はボンディング
ワイヤーにて、フレキシブルプリンテッドコード（ＦＰ
Ｃ）１１２に電気的接続が行なわれている。

【００７８】前記化合物半導体基板１１１は、前記放熱
板１１０と開口を有する樹脂キャップ１０４ｂとを合わ
すことにより密閉されるが、前記樹脂キャップ１０４ｂ
における前記開口に対向する上面の一部分には流体材料
１０５を注入するための孔が形成されており、該孔は流
体材料１０５注入後、封止樹脂１０６にて封止される。

【００７９】前記流体材料１０５としては、上記実施例
同様、レーザー波長に対して透明な熱硬化性樹脂、紫外
線硬化性樹脂等の液状樹脂を用い、また樹脂キャップ１
０４ｂとして、熱可塑性樹脂（例えばアクリル、ポリカ
ーボネート等）では射出成形や射出圧縮成形等、熱硬化
性樹脂（エポキシ樹脂等）では注形等にて形成された、
レーザー波長に対して透明な樹脂製キャップを用いる。

【００８０】前記樹脂キャップ１０４ｂのレーザー光出
射端には、例えば平板、回折格子、ホログラム等の光学
素子１０８ａが形成されている。前記封止樹脂１０６
は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、前記流
体材料１０５の密閉とフレキシブルプリンテッドコード
（ＦＰＣ）１１２の固定を行っている。

【００８１】ここでは、フレキシブルプリンテッドコー
ド（ＦＰＣ）１１２にて半導体レーザー装置から電気接
続用端子を取り出したが、化合物半導体基板１１１を長
手方向に伸ばし封止の外部へ出すことにより電気接続用
端子としても良い。また、フレキシブルプリンテッドコ
ード（ＦＰＣ）１１２の代りにリードフレームやプリン
ト配線基板（ＰＷＢ）を用いても良い。また、化合物半
導体基板１１２自身を放熱板とし、放熱板１１０を省略
しても良い。

【００８２】本実施例においても、上記実施例同様の作
用、効果が得られる。

【００８３】以下に、上述した実施例の製造方法を説明
する。

【００８４】図４は図１に示す半導体レーザー装置の製
造工程図である。

【００８５】まず、図４（ａ）の如く、樹脂キャップ１
０４を配設する。次に、図４（ｂ）の如く、半導体レー
ザー素子１０２及び受光素子１０３を取り付けたリード
フレーム１０１を前記樹脂キャップ１０４内に配設す
る。次に、図４（ｃ）の如く、ディスペンサー（図示せ
ず）にて流体材料１０５を樹脂キャップ１０４内に充填
する。次に、図４（ｄ）の如く、リードフレーム１０１
を経て半導体レーザー素子１０２に電流を流し、該素子
１０２を発振させ、レーザー光線を観測しながら、光学
素子１０８に対して半導体レーザー素子１０２の位置、
角度を調整する。次に、図４（ｅ）の如く、封止樹脂１
０６の比重を流体材料１０５よりも軽くするか、封止樹
脂１０６の粘度を高くし、流体材料１０５の表面を封止
樹脂１０６にて覆い硬化させる。図４（ｆ）は完成品で
ある。

【００８６】なお、上記図４（ｂ）のリードフレーム１
０１を樹脂キャップ１０４内に配設する工程と、図４
（ｃ）の流体材料１０５を樹脂キャップ１０４内に充填
する工程とは入れ替わっても良い。また、図４（ｄ）の
レーザー光線の調整は、前記リードフレーム１０１と樹
脂キャップ１０４とを位置決めする自動機の精度が高け
れば無調整で良い。

【００８７】図２に示す半導体レーザー装置の製造工程
は、図４に示す製造工程とほぼ同一であり、相違する点
のみ説明する。

【００８８】図２に示す半導体レーザー装置は、樹脂キ
ャップ１０４ａの光学素子１０８ａが平面状に形成され
ているため、図４（ｄ）の工程では、角度だけの調整と
なる。図５は、図３に示す半導体レーザー装置の製造工
程図を示す。

【００８９】まず、図５（ａ）の如く、面発光レーザー
素子１０２ａと受光素子１０３とを形成した化合物半導
体基板１１１とフレキシブルプリンテッドコード（ＦＰ
Ｃ）１１２とを取り付けた放熱板１１０を配設する。次
に、図５（ｂ）の如く、前記放熱板１１０上に、前記化
合物半導体基板１１１を覆うよう樹脂キャップ１０４ｂ
を配設する。次に、図５（ｃ）の如く、封止樹脂１０６
にて樹脂キャップ１０４ｂと放熱板１１０との境界を密
閉する。次に、図５（ｄ）の如く、ディスペンサーにて
流体材料１０５を樹脂キャップ１０４ｂの上面の設けた
孔により、樹脂キャップ１０４ｂ内に充填する。次に、
図５（ｅ）の如く、封止樹脂１０６の比重を流体材料１
０５よりも軽くするか、該封止樹脂１０６の粘度を高く
し、該樹脂キャップ１０４ｂ上面の孔を封止樹脂１０６
にて覆い硬化させ密閉する。図５（ｆ）は完成品であ
る。

【００９０】以上の実施例でも一部を示したように、キ
ャップ、基材の材料は金属、樹脂、ガラス、半導体、セ
ラミックスを用いることができる。これらの組み合わせ
は２５種類にもおよぶので、ここでは簡略化のため、各
材料の特徴のみを図６に示す。装置への要求に応じて材
料は適時決定される。

【００９１】以上は半導体レーザー装置の実施例につい
て説明したが、前記半導体レーザー素子の代わりに発光
ダイオード素子を取付け、発光ダイオード装置に不要な
受光素子を外せば、発光ダイオード装置への応用実施例
となる。

【００９２】図７は、本発明よりなる固体撮像装置の実
施例を示すものであり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）
はその断面図である。

【００９３】この固体撮像装置は、上部中央に凹部１２
１ａが形成されてメタライズされたアルミナ基板１２１
と、このアルミナ基板１２１の凹部１２１ａ内に配置さ
れた固体撮像素子（ＣＣＤチップ）１２２と、該ＣＣＤ
チップ１２２を覆うガラス板１２３と、このガラス板１
２３を支持するアルミナキャップ１２４とを有する。 前記ＣＣＤチップ１２２は、アルミナ基板１２１に搭載
されている。アルミナ基板１２１における凹部１２１ａ
の両側方の表面には、メタライズ電極１２５がそれぞれ
設けられており、このメタライズ電極１２５と、アルミ
ナ基板１２１の表面および各側方に沿って配置された端
子１２６とが電気的に接続されている。メタライズ電極
１２５は、複数のボンディングワイヤー１２７によっ
て、ＣＣＤチップ１２２に電気的に接続されている。

【００９４】前記アルミナ基板１２１上には、中央部に
開口部１２４ａが設けられた枠状のアルミナキャップ１
２４が配置されている。該アルミナキャップ１２４の開
口部１２４ａは、アルミナ基板１２１の凹部１２１ａよ
りも広くなっており、この開口部１２４ａ内に、平板状
のガラス板１２３が配置されている。このガラス板１２
３は、ＣＣＤチップ１２２表面とは適当な間隔をあけた
状態で支持されており、ＣＣＤチップ１２２表面全体、
およびアルミナ基板１２１上に配置されたメタライズ電
極１２５を覆った状態になっている。前記ガラス板１２
３は、側面がアルミナキャップ１２４の開口部１２４ａ
内周面に紫外線硬化性接着剤１２８によって接着されて
固定されている。

【００９５】アルミナキャップ１２４の開口部１２４ａ
内におけるガラス板１２３と下方の領域、および、アル
ミナ基板１２１の凹部１２１ａには、流体材料１０５が
充填されている。この流体材料１０５は、前述の実施例
と同様にＣＣＤチップ１２２が受光する光の波長を透過
させ得る透明度を有した熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹
脂等の液状樹脂であり、アルミナ基板１２１の凹部１２
１ａ内に配置されたＣＣＤチップ１２２およびメタライ
ズ電極１２５がこの流体材料１０５内に浸漬されてい
る。

【００９６】このような構成の固体撮像装置は、以下の
ように製造される。メタライズされたアルミナ基板（セ
ラミックベース基板）１２１の凹部１２１ａ内に固体撮
像素子チップ（ＣＣＤチップ）１２２を配置して接着剤
によって固定し、ＣＣＤチップ１２２とメタライズ電極
１２５とをワイヤーボンディング１２７によって電気的
に接続状態とした後に、開口部１２４ａ内にガラス板１
２３が支持されていない状態のアルミナキャップ１２４
が低融点ガラス等によって接着される。このような状態
で、アルミナキャップ１２４の開口部１２４ａから流体
材料１０５がディスペンサー等によって充填されて、ガ
ラス板１２３が開口部１２４ａ内に接着剤１２８にて接
着される。

【００９７】前記固体撮像装置はガラス板１２３を透過
した光が、流体材料１０５を通ってＣＣＤチップ１２２
に受光される。

【００９８】本実施例の固体撮像装置も、ＣＣＤチップ
１２２が流体材料１０５によって保護されており、外気
によって悪影響を受けるおそれがない。

【００９９】ここでは、ＣＣＤ等の固体撮像素子を例に
説明したが、同様なセラミック封止はＥＰ−ＲＯＭ等に
対して用いる事もできる。また、光半導体素子の封止を
例に挙げたが、流体材料を封入する窓をキャップに開け
れば、他の半導体素子（トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ
等）の封止にも使用できる。この場合、窓を小さく開け
紫外線硬化性樹脂等の接着剤のみにて窓を塞げば、コス
トの増加にはつながらない。

【０１００】図７においても、前述した半導体レーザー
装置と同様に、キャップや基材の材料は、図６の如く、
装置への要求に応じて材料は適時決定される。その時の
製造方法は前記固体撮像装置と同様であるので省略す
る。

【０１０１】図８は本発明よりなり、光ディスクの光ピ
ックアップに使用される半導体レーザー装置の断面図で
ある。この半導体レーザー装置は、円板状をした金属製
ステム１３１上に、このステム１３１と一体的にヒート
シンク１３２が設けられている。該ヒートシンク１３２
の側面には半導体レーザー素子１３３が、レーザー発光
面を上方に向けてマウントされている。半導体レーザー
素子１３３から上方に向けて発振されるレーザー光は、
図示しない光ディスクに照射される。

【０１０２】ステム１３１上には、半導体レーザー素子
１３３から下方に向けて発振されるレーザー光を受光し
得る位置に、モニター用フォトダイオード１３４がマウ
ントされている。また、ヒートシンク１３２上には、半
導体レーザー素子１３３から照射されて光ディスクにて
反射されたレーザー光を受光し得る位置に、信号検出用
フォトダイオード１３５がマウントされている。

【０１０３】ステム１３１には、複数の端子１３６が取
り付けられており、ステム１３１を貫通して、その上面
に達した各端子１３６の端部が、半導体レーザー素子１
３３、モニター用フォトダイオード１３４、および信号
検出用フォトダイオード１３５と、ボンディングワイヤ
ー１３７によって、それぞれ、電気的に接続されてい
る。

【０１０４】ステム１３１上のヒートシンク１３２およ
びフォトダイオード１３４、ステム１３１を貫通する各
端子１３６の端部、ヒートシンク１３２の側面にマウン
トされた半導体レーザー素子１３３は、キャップ１３８
によって覆われている。このキャップ１３８は底面が開
放されて上面に開口部１３８ａが設けられた円筒状をし
ている。上面の開口部１３８ａは円形状をしており、上
面に取り付けられた直方体状のホログラムガラス１３９
によって閉塞されている。このホログラムガラス１３９
は、紫外線硬化性樹脂等の接着剤１３９ａによって周縁
部をキャップ１３８の上面に接着されており、この接着
材１３９ａがキャップ１３８の上面とホログラムガラス
１３９の周縁部との間を封止している。

【０１０５】キャップ１３８の下端部には、外方に水平
状態で延出するフランジ１３８ｂが設けられており、こ
のフランジ１３８ｂが、ステム１３１上に、紫外線硬化
性樹脂等の接着剤、スポット溶接等によって接着されて
いる。例えば、前記キャップ１３８が金属製キャップの
場合には、紫外線硬化性樹脂またはスポット溶接によっ
て、また樹脂製キャップの場合には、紫外線硬化性樹脂
によってステム１３１上に接着される。

【０１０６】キャップ１３８内には、透明な流体材料１
０５が充填されている。この流体材料１０５は、前述の
実施例と同様に、半導体レーザー素子１３３から発振さ
れるレーザー光の波長を透過させ得る透明度を有した熱
硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等の液状樹脂であり、ス
テム１３１上のモニター用フォトダイオード１３４、各
端子１３６の端部、ヒートシンク１３２、半導体レーザ
ー素子１３３、および信号検出用フォトダイオード１３
５が、流体材料１４０に浸漬されている。

【０１０７】このような半導体レーザー装置は、半導体
レーザー素子１３３から発振されるレーザー光が、流体
材料１０５およびホログラムガラス板１３９を通って、
光ディスクに照射される。半導体レーザー素子１３３か
らは、ステム１３１上に配置されたモニター用フォトダ
イオード１３４にもレーザー光が照射されており、モニ
ター用フォトダイオード１３４の検出結果に基づいて、
半導体レーザー素子１３３から発振されるレーザー光の
出力が調整される。

【０１０８】光ディスクにて反射されたレーザー光は、
ヒートシンク１３２上に配置された信号検出用フォトダ
イオード１３５に照射されるようになっており、信号検
出用フォトダイオード１３５の検出結果に基づいて、光
ディスクに書き込まれた情報が読み出される。

【０１０９】このような構成の半導体レーザー装置は、
次のようにして製造される。ステム１３１上に半導体レ
ーザー素子１３３等をマウントして、ワイヤーボンディ
ングした後に、キャップ１３８がステム１３１に取り付
けられて、キャップ１３８の上面に設けられた開口部１
３８ａか流体材料１０５が充填され、最後にホログラム
ガラス１３９がキャップ１３８の上面に取り付けられる
ことにより、製造される。

【０１１０】本実施例では従来例にて使用されていたキ
ャップ４７の平板ガラス板４６は、ホログラムガラス１
３９で代用できる為、省略できる。これは、従来用いら
れていた窒素と本実施例の流体材料との粘度の差による
ものであり、前記流体材料であれば、前記ホログラムガ
ラス１３９で十分密封できる。

【０１１１】本実施例の半導体レーザー装置では、流体
材料１０５の屈折率が、窒素等の気体の屈折率よりも大
きいために、半導体レーザー素子１３３および信号検出
用フォトダイオード１３５とホログラムガラス１３９と
の距離を、窒素等の気体を介在させる場合よりも小さく
しても、所定の光波長を得ることができる。従って、半
導体レーザー装置全体を小型化することが可能になる。

【０１１２】また、流体材料１０５の屈折率を、ホログ
ラムガラス１３９の屈折率に等しくすると、流体材料１
０５とホログラムガラス１３９との境界面でのレーザー
光の反射がなくなり、レーザー光を効率良く光ディスク
に照射することができるとともに、光ディスクからの反
射光を効率良く信号検出用フォトダイオード１３５に照
射することができ、レーザー光の利用効率が向上する。

【０１１３】図９は本実施例からなり、光ディスクの光
ピックアップに使用される半導体レーザー装置の他の実
施例を示す断面図である。

【０１１４】本実施例において、図８に示す半導体レー
ザー装置との相違点は、キャップ１３８′が樹脂製キャ
ップにホログラム素子を一体成形にて作成された点にあ
る。その他は、図８に示す半導体レーザー装置と同様な
ので省略する。製造工程についても前記半導体レーザー
装置と同様であるので省略する。

【０１１５】図８、９においても、上述した半導体レー
ザー装置と同様に、キャップや基材の材料は装置への要
求に応じて適時決定される。〈図６参照〉 図１０は本発明の第二実施例よりなる半導体レーザー装
置を示す図であり、（ａ）は上面側からの透視図であ
り、（ｂ）は側面側からの透視図である。

【０１１６】図１０の如く、本実施例の半導体レーザー
装置は、リードフレーム３０１におけるマウント部３０
１ａに搭載されてなる半導体レーザー素子（チップ）３
０２及び該半導体レーザー素子３０２の光出力を検出す
る受光素子３０３と、前記両素子３０２、３０３を被覆
してなる流体材料３０４と、該流体材料３０４の表面を
硬化させてなる表面硬化層３０５とからなる構成であ
る。

【０１１７】前記リードフレーム３０１は、例えば銅、
アルミニウム等の金属からなり、３本並列に配置されて
おり、そのうちの中央に位置するリードフレームの先端
部分に半導体レーザー素子３０２、さらに９０度前後に
曲げ起こした部分には、受光素子３０３が取付けられて
いる。該半導体レーザー素子３０２と受光素子３０３と
は、ボンディングワイヤー３０６にてそれぞれ異なるリ
ードフレームに電気的接続が行なわれている。また、前
記マウント部３０１ａの付け根部分には曲げ起こし加工
が施されている。

【０１１８】前記半導体レーザー素子３０２は、例えば
レーザーダイオード等からなり、前記受光素子３０３は
モニター用フォトダイオード等からなる。

【０１１９】前記流体材料３０４は、レーザー波長に対
して透明な液状樹脂であって、例えば熱硬化樹脂、紫外
線硬化樹脂等からなる。

【０１２０】前記表面硬化層３０５は、前記流体材料３
０４が熱硬化性樹脂である場合には表面に熱を加え、前
記流体材料３０４が紫外線硬化樹脂である場合には表面
に紫外線を照射することにより形成され、前記流体材料
３０５の密閉とリードフレーム３０１の固定を行ってい
る。また、別途、上記実施例同様、封止材料（例えば、
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）にて前記表面硬化層
３０５とリードフレーム３０１との固定を補強しても良
い。

【０１２１】本実施例では、リードフレーム３０１にて
半導体レーザー装置から電気接続用端子を取り出した
が、リードフレーム３０１の代りにフレキシブルプリン
テッドコード（ＦＰＣ）、プリント配線基板（ＰＷＢ）
を用いても良い。

【０１２２】以下、図１１に従って、上記半導体レーザ
ー装置の製造方法を説明する。前記流体材料３０４とし
て、紫外線硬化性樹脂を用いた場合を示す。

【０１２３】まず、半導体レーザー素子３０２と受光素
子３０３とを取付けたリードフレーム３０１を、レーザ
ー光及び紫外線に対し透明な材料（例えば石英硝子）製
の型３０７内に配設する。なお、ここで前記型３０７に
は、事前に紫外線硬化性樹脂３０４に対する離型剤を塗
布している方が良い。〈図１１（ａ）参照〉 次に、ディスペンサー（図示せず）にて紫外線硬化性樹
脂３０４を、前記型３０７内に充填する。〈図１１
（ｂ）参照〉 次に、リードフレーム３０１を経て半導体レーザー素子
３０２に電流を流し、該素子３０２をレーザー発振さ
せ、レーザー光線を観測しながら、前記型３０７に対し
て半導体レーザー素子３０２の位置、角度を調整する。
〈図１１（ｃ）参照〉 なお、自動機の精度が高ければ無調整で良い。この場合
は、レーザー光に対し透明な型３０７を用いなくても良
い。

【０１２４】前記紫外線硬化性樹脂３０４に、前記型３
０７を透過させて紫外線（ＵＶ）を照射し、前記紫外線
硬化性樹脂３０４の表面のみを硬化させる。〈図１１
（ｄ）参照〉 すると、前記紫外線硬化性樹脂３０４の表面に表面硬化
層３０５が作成される。〈図１１（ｅ）参照〉 そして、前記型３０７内から取り出され、完成品とな
る。〈図１１（ｆ）参照〉 前記図１１（ａ）の型３０７内にリードフレーム３０１
を配置する工程と、前記図１１（ｂ）の型３０７内に紫
外線硬化性樹脂３０４を充填させる工程とは入れ代わっ
ても良い。

【０１２５】上記製造方法において、紫外線の照射後、
リードフレーム３０１の固定部分に硬化剤等を接触さ
せ、表面硬化層３０５の厚みを増したり、他の封止材料
（エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）で前記固定部分を
必要に応じて補強しても良い。 以下に、流体材料３０４の表面のみ硬化させる方法につ
いて説明する。

【０１２６】流体材料３０４が紫外線硬化性樹脂である
場合、紫外線硬化性樹脂には薄膜硬化性があるので、紫
外線を透過する型（石英硝子）３０７を通して紫外線
（２００〜３８０ｎｍ）を紫外線強度と照射時間を制御
し照射すれば、簡単に表面のみ硬化させる事ができる。
一例としては、紫外線強度を２Ｗ／ｃｍ² とし、照射時
間を１〜２秒程度とする。

【０１２７】本発明の半導体装置が、紫外線が常時照射
される環境下で用いられる場合（例えば太陽光線が直接
当る環境など）、紫外線硬化性樹脂の樹脂設計の段階
で、増感剤を添加しないか、感度の低い光重合開始剤を
用いる等を行えば経時変化で流体材料の未硬化部分の粘
度が高まる事を防ぐ事ができる。

【０１２８】流体材料３０４が熱硬化性樹脂である場合
は、流体材料３０４表面のみに熱を与えれば良い。例え
ば、非常に薄い（熱容量が小さい）導電性の型（例え
ば、厚み１ｍｍのアルミ型）３０７を用い、型３０７を
高周波誘導加熱すれば表面のみ硬化する事ができる。

【０１２９】半導体レーザー素子を覆う流体材料３０４
は、耐熱性、耐寒性、耐候性、電気絶縁性が良く、ガス
透過性、透湿性の低い事が要求される。このため、本実
施例では、流体材料３０４として熱硬化性樹脂、または
紫外線硬化性シリコーン樹脂を用い、現在量産されてい
る半導体レーザー装置と同程度の耐環境性、寿命、波面
収差を得た。また、流体材料３０４のみで上記要求を満
たさず、流体材料の表面を硬化させてなる表面硬化層３
０５の表面に別の材料を塗布しても良い。例えば、表面
硬化層３０５に弗素コーテイングを行なえば、それより
も内側の材料に要求される前記要求項目は緩和される。
また、紫外線硬化型樹脂を用いた際、使用環境の紫外線
が強い場合（太陽光線が直接当る場合など）に経時変化
で流体材料の粘度が高くなる事も、先に説明した防止法
以外に紫外線非透過コーティングを施せば防止できる。

【０１３０】上記構成によれば、キャップを不要とする
ことが可能となり、安価に製造できる。

【０１３１】図１２は半導体レーザー装置の他の実施例
を示す図であり、（ａ）は上面側からの透視図であり、
（ｂ）は側面側からの透視図である。本実施例につい
て、上記実施例と相違する点のみ説明する。

【０１３２】図示の如く、本実施例の半導体レーザー装
置は、表面硬化層３０５の半導体レーザー素子３０２か
らの出射光線が通過する部位に、光学素子３０８が形成
されてなるものである。また、封止材料３０９にて前記
表面硬化層３０５とリードフレーム３０１との固定の補
強を行っている。

【０１３３】上記半導体レーザー装置の製造方法は、図
１１に示す製造方法において、型に光学素子３０８の転
写形状が彫られてたものを用いることにより製造され
る。その他は同様であるので省略する。

【０１３４】図１３は半導体レーザー装置のさらに他の
実施例を示す図であり、（ａ）は上面側からの透視図で
あり、（ｂ）は側面側からの透視図である。本実施例に
ついて、図１２に示す実施例と相違する点のみ説明す
る。

【０１３５】図示の如く、本実施例の半導体レーザー装
置は、表面硬化層３０５における半導体レーザー素子３
０２からの出射光線が通過する部位の光学素子３０８ａ
が、表面硬化層３０５において直接形成されたものでは
なく、別工程にて製造された光学素子３０８ａを流体材
料３０４の表面硬化時に固定してなる構造である。この
場合には両面非球面レンズ等の両面を用いた光学素子
や、より肉厚な光学素子を取り付ける事ができる。

【０１３６】上記半導体レーザー装置の製造方法は、図
１１に示す製造方法において、前記図１１（ａ）の工程
で、さらに型の底中央に別工程にて製造された光学素子
３０８ａを配置する点と、前記図１１（ｃ）の工程で、
前記光学素子３０８ａに対して半導体レーザー素子３０
２の位置、角度を調整する点とが相違する。その他は同
様であるので省略する。

【０１３７】図１４は半導体レーザー装置のさらに他の
実施例を示す図であり、（ａ）は上面側からの透視図で
あり、（ｂ）は側面断面図である。

【０１３８】図示の如く、本実施例の半導体レーザー装
置は、例えば銅、アルミニウム等の金属や、セラミック
ス、シリコン等からなる放熱板３１０と、該放熱板３１
０の中央部分に取り付けられ、半導体レーザー素子３０
２とその光出力を検出する受光素子３０３とが形成され
た化合物半導体基板３１１と、同じくその端部に取り付
けられるフレキシブルプリンテッドコード（ＦＰＣ）３
１２とからなる構成である。前記面発光半導体レーザー
素子３０２と受光素子３０３はボンディングワイヤー３
０６にて、フレキシブルプリンテッドコード（ＦＰＣ）
３１２に電気的接続が行なわれている。

【０１３９】前記化合物半導体基板３１１は、流体材料
３０４にて被覆され、該流体材料３０４は該流体材料の
表面を硬化させてなる表面硬化層３０５によって封止さ
れる。該表面硬化層３０５は前記流体材料３０４の封止
およびフレキシブルプリンテッドコード（ＦＰＣ）３１
２の固定を行なっている。

【０１４０】前記流体材料３０４としては、上記実施例
同様、レーザー波長に対して透明な熱硬化性樹脂、紫外
線硬化性樹脂等の液状樹脂を用いる。

【０１４１】ここでは、フレキシブルプリンテッドコー
ド（ＦＰＣ）３１２にて半導体レーザー装置から電気接
続用端子を取り出したが、化合物半導体基板３１１を長
手方向に伸ばし封止の外部へ出すことにより電気接続用
端子としても良い。また、フレキシブルプリンテッドコ
ード（ＦＰＣ）３１２の代りにリードフレームやプリン
ト配線基板（ＰＷＢ）を用いても良い。また、化合物半
導体基板３１２自身を放熱板とし、放熱板３１０を省略
しても良い。

【０１４２】本実施例において、前記半導体レーザー素
子３０２からの出射光線が通過する部位と受光素子３０
３の上方の表面硬化層３０５は、前者が出射光線の収差
劣化を防ぐため、後者が半導体レーザー素子３０２から
後方に出射される光線を効率的に受光素子へ反射させる
ために平面としている。この平面は流体材料３０４の表
面硬化時に金型を押し当てて金型形状を転写し製造す
る。平面の代わりに光学素子を転写しても良い。

【０１４３】以下に、上記半導体レーザー装置の製造方
法を図１５に従って説明する。流体材料３０４として、
紫外線硬化性樹脂を用いた場合を示す。

【０１４４】まず、半導体レーザー素子３０２をマウン
トし、受光素子３０３を形成したシリコン基板３１１
と、フレキシブルプリンテッドコード（ＦＰＣ）３１２
とを放熱板３１０に取り付ける。〈図１５（ａ）参照〉 次に、各端子間にワイヤーボンディングを施し、電気的
接続を行う。〈図１５（ｂ）参照〉 次に、紫外線硬化性樹脂３０４を半導体レーザー素子３
０２、受光素子３０３、ワイヤーボンディング部に塗布
する。〈図１５（ｃ）参照〉 次に、前記紫外線硬化性樹脂３０４と接する面が平坦で
あって紫外線に対し透明な材料（例えば石英硝子）製の
型３０７ａを、前記紫外線硬化性樹脂３０４表面におけ
る半導体レーザー素子３０２からの出射光線が通過する
部位と受光素子３０３の上面に押し当てる。〈図１５
（ｄ）参照〉 その後、前記紫外線硬化性樹脂３０４の表面に紫外線を
照射し、紫外線硬化性樹脂３０４表面のみ硬化させ、表
面硬化層３０５を形成する。ここで、さらに前記ワイヤ
ーボンディング部周辺の紫外線硬化性樹脂３０４を硬化
させることにより、ワイヤー３０６を固定してワイヤー
ボンディングの信頼性を向上することができる。〈図１
５（ｅ）参照〉 そして、前記型３０７ａを表面硬化層３０５から離型さ
せ、完成品となる。〈図１５（ｆ）参照〉 上記製造方法において、紫外線の照射後、フレキシブル
プリンテッドコード３１２の固定部分に硬化剤等を接触
させ、表面硬化層３０５の厚みを増したり、他の封止材
料（エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等）で前記固定部分
を必要に応じて補強しても良い。

【０１４５】上記実施例のように、流体材料３０４の表
面が自由表面である場合であって、前記流体材料３０４
が熱硬化性樹脂である時、流体材料３０４の自由表面に
高温の気体（空気等）や流体を前記流体材料３０４に吹
きつけても表面のみを硬化させることができる。

【０１４６】また、この他にも、過酸化物や硬化剤の接
触にて流体材料３０４の表面のみを硬化させることが可
能である。例えば、流体材料３０４としてエポキシ樹脂
を用いれば、その硬化剤としてアミン系硬化剤を蒸気と
し流体材料３０４の表面に接触させれば、接触時間や温
度を管理することによって表面のみを硬化させることが
できる。

【０１４７】図１６は半導体レーザー装置のさらに他の
実施例を示す図であり、（ａ）は上面側からの透視図で
あり、（ｂ）は側面断面図である。本実施例について、
図１４に示す実施例と相違する点のみ説明する。

【０１４８】図示の如く、本実施例の半導体レーザー装
置は、半導体レーザー素子３０２からの出射光線が通過
する部位に、表面硬化層３０５にて形成されたものでは
なく、別工程にて製造された光学素子３１３を流体材料
３０４の表面硬化時に固定した点にある。この場合に
は、両面非球面レンズ等の両面を用いた光学素子や、よ
り肉厚な光学素子を取り付ける事ができる。

【０１４９】図１６に示す半導体レーザー装置の製造方
法は、図１５に示す製造方法において、図１５（ａ）の
工程で、放熱板３１０の前記半導体レーザー素子３０２
のレーザー光出射端に対応する位置に別工程にて製造さ
れた光学素子３１３を配置する点と、図１５（ｃ）の工
程で、前記光学素子３１３のレーザー光出射面を除く部
分が紫外線硬化性樹脂にて被覆される点とが相違する。
その他は同様であるので省略する。

【０１５０】図１７は半導体レーザー装置のさらに他の
実施例を示す図であり、（ａ）は上面側からの透視図で
あり、（ｂ）は側面断面図である。本実施例について、
図１４に示す実施例と相違する点のみ説明する。

【０１５１】図示の如く、本実施例の半導体レーザー装
置は、半導体レーザー素子３０２ａ、受光素子３０３が
化合物半導体基板３１１上にモノリシックに形成されて
なるものである。該構成によれば、製造性が高く、ま
た、半導体レーザー素子３０２ａは面発光型であるた
め、レーザー光線は上方へ出射する。

【０１５２】図１７に示す半導体レーザー装置の製造方
法は、図１５に示す製造方法において、図１５（ｄ）の
工程で、面発光半導体レーザー素子３０２ａおよび受光
素子３０３と対向する紫外線硬化性樹脂３０４の表面
に、該紫外線硬化性樹脂３０４と接する面が平坦な型を
押し当てる点が異なる。その他は同様であるので省略す
る。

【０１５３】図１８は半導体レーザー装置のさらに他の
実施例を示す図であり、（ａ）は上面側からの透視図で
あり、（ｂ）は側面側からの透視図である。本実施例に
ついて、図１３に示す実施例と相違する点のみ説明す
る。

【０１５４】図示の如く、本実施例の半導体レーザー装
置は、流体材料３０４の表面硬化時に金型等を用いない
点にあり、本実施例では、光学素子の端部を外方に延在
させ、一面と前記流体材料３０４との表面張力によっ
て、半導体レーザー素子３０２および受光素子３０３を
被覆してなるものである。該構成は、設備投資が小さく
て済み、また製造性が高い。

【０１５５】以下、上記半導体レーザー装置の製造方法
を図１９に従って説明する。流体材料３０４として、紫
外線硬化性樹脂を用いた場合を示す。

【０１５６】まず、別工程にて製造された光学素子３０
８ｃを配設する。〈図１９（ａ）参照〉 次に、半導体レーザー素子３０２と受光素子３０３を取
付けたリードフレーム３０１を、前記光学素子３０８ｃ
上に間隔をあけて配設する。〈図１９（ｂ）参照〉 次に、紫外線硬化性樹脂３０４を前記光学素子３０８ｃ
の一面と前記半導体レーザー素子３０２および受光素子
３０３とを覆うように塗布する。〈図１９（ｃ）参照〉 次に、前記リードフレーム３０１を経て半導体レーザー
素子３０２に電流を流し該素子３０２をレーザー発振さ
せ、レーザー光線を観測しながら、光学素子３０８ｃに
対して半導体レーザー素子３０２の位置、角度を調整す
る。なお、自動機の精度が高ければ無調整で良い。〈図
１９（ｄ）参照〉 その後、紫外線を紫外線硬化性樹脂３０４の自由表面に
照射し、その表面のみ硬化させ、表面硬化層３０５を形
成する。〈図１９（ｅ）参照〉 そして、完成品となる。〈図１９（ｆ）参照〉 図２０は半導体レーザー装置のさらに他のの実施例を示
す図であり、（ａ）は上面側からの透視図であり、
（ｂ）は側面側からの透視図である。本実施例と図１８
の実施例との違いは半導体レーザー素子３０２が取り付
けられたリードフレーム３０１ａが光学素子３０８ｃと
接触している点にあり、そのため光学素子３０８ｃとの
間隔が厳密に保てる。その他は図１８と同じであるため
省略する。また該半導体レーザー装置の製造方法は、リ
ードフレーム３０１ａを光学素子３０８ｃに接触させる
点以外は、図１９に示す製造方法と同様であるので省略
する。 以上は半導体レーザー装置の実施例であるが、上記半導
体レーザー素子の代わりに発光ダイオード素子を取付
け、発光ダイオード装置に不要な受光素子を外せば、発
光ダイオード装置の応用実施例となる。

【０１５７】１例として半導体レーザー装置としては現
在量産されていない、本発明よりなる発光ダイオード装
置の樹脂ベース基材を用いた表面実装型発光ダイオード
装置の実施例を示す。

【０１５８】該発光ダイオード装置は、図２１に示すよ
うに、上部中央に凹部３２１ａが形成されてメタライズ
された樹脂ベース基材３２１と、該樹脂ベース基材３２
１の凹部３２１ａ内に取り付けられる発光ダイオード素
子３２２と、前記凹部３２１ａ内に充填され、発光ダイ
オード素子３２２を被覆する流体材料３０４と、該流体
材料３０４の表面を硬化させてなる表面硬化層３０５と
を有する構成である。 前記発光ダイオード素子３２２は、ボンディングワイヤ
ー３２４等により、前記樹脂ベース基材３２１表面に形
成された表面電極３２３と電気的接続がなされた後、ド
ロッピング法等により流体材料３０４が充填されてい
る。

【０１５９】以上説明した実施例の内、図１０〜２０に
示す実施例は、図６に示すように、キャップや基材の材
料が装置への要求に応じて適時決定される。

【０１６０】図２２は光ディスクの光ピックアップに使
用される集積型装置の実施例を示す。

【０１６１】本実施例について、図３６に示す従来例と
相違する点のみ説明する。

【０１６２】該集積型装置は、ドロッピング法等にて流
体材料３０４を半導体レーザー素子３０２の回りに塗布
した後、前記方法にて流体材料３０４の表面のみ硬化さ
せ、その表面硬化層３０５と光学部品とサブマウントで
流体材料３０４の未硬化部分と半導体レーザー素子を密
閉し、半導体レーザー素子３０２が取り付けられる。本
実施例で示すように、光学素子は光学部品単体ではなく
光学素子群でも良い、また光学素子に他の受光素子等が
取り付けられた光学システムでも良い。

【０１６３】図２３は光ディスクの光ピックアップに使
用される集積型装置の他の実施例を示す。本実施例につ
いて、図３７に示す従来例と相違する点のみ説明する。

【０１６４】該集積型装置は、ホログラムガラスに紫外
線硬化型樹脂を塗布した後、ホログラムガラスを化合物
半導体基板に接触させ、前記ホログラムガラスを通し紫
外線を照射し、前記紫外線硬化型樹脂の表面のみを硬化
させる。

【０１６５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば、半導体素子を液状樹脂にて封入してなる構
成なので、熱伝導、輻射の他に対流にて半導体素子から
の発熱を硬化的に運び取ることができるため、装置とし
ての小型化が可能となる。

【０１６６】また、液状樹脂の粘度は気体に比べ約１０
００倍も大きく、パッケージのすきまから逃げ難い。従
ってパッケージの気密性を下げ価格を下げる事ができ
る。

【０１６７】さらに、流体材料に発生する熱応力は流体
の特徴から均一化され、一箇所に集中しない為、半導体
素子の寿命に悪影響を及ぼしたり、半導体素子と封止材
料の境界で熱応力により剥離が生じ耐湿性が低下する不
具合を回避する事ができる。 また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、液状樹
脂を該液状樹脂の表面を硬化させることによって密閉さ
せることができ、これによって液状樹脂を密閉するため
の材料（キャップ等）が不要となり、コストを低減でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一施例よりなる半導体レーザー装置
の構成図であり、（ａ）は上面側からの透視図であり、
（ｂ）は側面側からの透視図である。

【図２】半導体レーザー装置の他の実施例を示す構成図
であり、（ａ）は上面側からの透視図であり、（ｂ）は
側面側からの透視図である。

【図３】半導体レーザー装置のさらに他の実施例を示す
構成図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は上面側
からの透視図であり、（ｃ）は側面断面図である。

【図４】図１に示す半導体レーザー装置の製造工程図で
ある。

【図５】図３に示す半導体レーザー装置の製造工程図で
ある。

【図６】各材料の特徴を示す図である。

【図７】固体撮像装置の実施例を示す図であり、（ａ）
は平面図であり、（ｂ）はその断面図である。

【図８】光ディスクの光ピックアップに使用される半導
体レーザー装置の実施例を示す断面図である。

【図９】光ディスクの光ピックアップに使用される半導
体レーザー装置の他の実施例を示す断面図である。

【図１０】本発明の第二実施例よりなる半導体レーザー
装置を示す構成図であり、（ａ）は上面側からの透視図
であり、（ｂ）は側面側からの透視図である。

【図１１】図１０に示す半導体レーザー装置の製造工程
図である。

【図１２】半導体レーザー装置の他の実施例を示す構成
図であり、（ａ）は上面側からの透視図であり、（ｂ）
は側面側からの透視図である。

【図１３】半導体レーザー装置のさらに他の実施例を示
す構成図であり、（ａ）は上面側からの透視図であり、
（ｂ）は側面側からの透視図である。

【図１４】半導体レーザー装置のさらに他の実施例を示
す構成図であり、（ａ）は上面側からの透視図であり、
（ｂ）は側面断面図である。

【図１５】図１４に示す半導体レーザー装置の製造工程
図である。

【図１６】半導体レーザー装置のさらに他の実施例を示
す構成図であり、（ａ）は上面側からの透視図であり、
（ｂ）は側面断面図である。

【図１７】半導体レーザー装置のさらに他の実施例を示
す構成図であり、（ａ）は上面側からの透視図であり、
（ｂ）は側面断面図である。

【図１８】半導体レーザー装置のさらに他の実施例を示
す構成図であり、（ａ）は上面側からの透視図であり、
（ｂ）は側面側からの透視図である。

【図１９】図１８に示す半導体レーザー装置の製造工程
図である。

【図２０】半導体レーザー装置のさらに他の実施例を示
す構成図であり、（ａ）は上面側からの透視図であり、
（ｂ）は側面側からの透視図である。

【図２１】発光ダイオード装置の実施例を示す図であ
り、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。

【図２２】光ディスクの光ピックアップに使用される集
積型装置の実施例を示す図であり、（ａ）は斜視図であ
り、（ｂ）は断面図であり、（ｃ）は要部拡大断面図で
ある。

【図２３】光ディスクの光ピックアップに使用される集
積型装置の他の実施例を示す図であり、（ａ）は断面図
であり、（ｂ）は要部拡大断面図である。

【図２４】従来の半導体レーザー素子を示す斜視図であ
る。

【図２５】他の従来例を示す構成図であり、（ａ）は上
面側からの透視図であり、（ｂ）は側面側からの透視図
である。

【図２６】さらに他の従来例を示す断面図である。

【図２７】従来の発光ダイオード装置を示す断面図であ
る。

【図２８】図２７に示す発光ダイオード装置の製造方法
であるキャスティング法を説明するための図である。

【図２９】同じく、ディッピング法を説明するための図
である。

【図３０】同じく、ドロッピング法を説明するための図
である。

【図３１】他の従来例を示す断面図である。

【図３２】図３１に示す発光ダイオード装置の製造工程
図である。

【図３３】さらに他の従来例を示す構成図であり、
（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。

【図３４】従来の固体撮像装置を示す構成図であり、
（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。

【図３５】従来の光ディスクの光ピックアップに使用さ
れる半導体レーザー装置を示す断面図である。

【図３６】同じく、従来の光ディスクの光ピックアップ
に使用される集積型装置を示す構成図であり、（ａ）は
斜視図であり、（ｂ）は断面図である。

【図３７】光ディスクの光ピックアップに使用される集
積型装置の他の従来例を示す断面図である。

【符号の説明】

１０１、３０１ リードフレーム １０２、１３３、３０２、５８ 半導体レーザー素子 １０２ａ 面発光半導体レーザー素子 １０４、１２４、１３８ キャップ １０５、３０４ 流体材料（液状樹脂） １１０、３１０ 放熱板 １２１ アルミナ基板 １２２ 固体撮像素子 １３１ ステム １３２ ヒートシンク ３０５ 表面硬化層 ３２１ 樹脂ベース基材 ３２２ 発光ダイオード素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−296777（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−293781（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−141770（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−213457（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−175360（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151977（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−27069（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−232378（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−251745（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−167102（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 31/12 H01L 33/00 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材上に配置された半導体素子と、該半
   導体素子を被覆する液状樹脂と、該液状樹脂の表面を硬
   化させてなる表面硬化層とを備えてなることを特徴とす
   る半導体装置。
2. 【請求項２】 上記表面硬化層の表面に耐候性樹脂をコ
   ーティングしたことを特徴とする請求項１記載の半導体
   装置。
3. 【請求項３】 紫外線透過材料により形成されたケース
   内に、基材上に配置された半導体素子を配設する工程
   と、 前記ケース内に紫外線硬化型樹脂を充填する工程と、 前記ケースを透過させ紫外線を前記紫外線硬化樹脂の外
   表面に照射してその表面のみを硬化する工程と、 を備えてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 基材上に配置された半導体素子に、紫外
   線硬化型樹脂を塗布する工程と、 該紫外線硬化樹脂の自由表面に紫外線を照射してその表
   面のみを硬化する工程と、 を備えてなることを特徴とする半導体装置の製造方法 。
5. 【請求項５】 導電性材料により形成された熱容量の小
   なるケース内に、基材上に配置された半導体素子を配設
   する工程と、 前記ケース内に熱硬化型樹脂を充填する工程と、 前記ケースを高周波誘導加熱し、前記熱硬化型樹脂の表
   面のみを硬化させる工程と、 を備えてなることを特徴とする半導体装置の製造方法 。
6. 【請求項６】 基材上に配置された半導体素子に、熱硬
   化型樹脂を塗布する工程と、 該熱硬化性樹脂の自由表面に高温の流体または気体を接
   触させてその表面のみを硬化させる工程と、 を備えてなることを特徴とする半導体装置の製造方法 。
7. 【請求項７】 基材上に配置された半導体素子に、エポ
   キシ樹脂を塗布する 工程と、 該エポキシ樹脂の自由表面に流体または気体の硬化剤を
   接触させてその表面のみを硬化させる工程と、 を備えてなることを特徴とする半導体装置の製造方法 。