JP2010009633A - 光学モジュール及び光ピックアップ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る光学モジュールは、ベース板1と、発光素子22を有するとともに、ベース板1に実装された発光装置3と、ベース板1にダイボンディングによって実装され、発光素子22から出射された光の戻り光を受光部で受光する受光素子内蔵型の集積回路素子4と、光透過用の窓11を有し、この窓11を通して受光部が露出する状態で集積回路素子4に接続されたフレキシブルプリント配線基板9とを備える。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の第1の実施の形態に係る光学モジュールの構成を示す概略図である。また、図2は図1のA−A断面図である。図1及び図2においては、ベース板1の下面側にホルダー部材2を用いて発光装置3が取り付けられている。ベース板1は、平面視長方形の板状に形成されている。ベース板1の上面にはICチップ4が実装されている。また、ベース板1の上面には、ハウジング5を介して、ホログラムレンズ6とプリズム(ビームスプリッタ)7からなる光学ブロックが搭載されている。ICチップ4は、例えばフォトダイオード等の受光素子を内蔵したICチップ(OEIC)であり、本発明における「集積回路素子」に相当する。
図4は本発明の第2の実施の形態に係る光学モジュールの構成を示す概略図である。図4においては、ベース板26の上面にIC(OEIC)チップ27がダイボンディングによって実装され、かつICチップ27にFPC基板28が図示しないバンプを用いて接続されている。ベース板26、ICチップ27及びFPC基板28の各構造に関しては、上記第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明を省略する。また、ベース板26に対するICチップ27の取り付け構造や、ICチップ27に対するFPC基板28の取り付け構造に関しても、上記第1の実施の形態と同様であるため、詳細な説明を省略する。また、本発明の第2の実施の形態においては、ホログラムレンズ及びプリズム(ビームスプリッタ)からなる光学ブロックの図示を省略する。
図8は本発明の第2の実施の形態に係る光学モジュールの第1変形例を示す概略図である。この第1変形例においては、前述した第2のサブマウント32を用いることなく、発光素子29を第1のサブマウント31を介してベース板26の上面に実装するとともに、立ち上げミラー30をベース板26の上面に実装している。つまり、発光素子29と立ち上げミラー30を、ベース板26に個別に実装した構成となっている。また、第1のサブマウント31の実装位置と立ち上げミラー30の実装位置との間に貫通穴36を設け、この貫通穴36にセラミックスの積層体からなる電極端子部材37を取り付けて、ワイヤボンディングにより発光素子29と電極端子部材37を電気的に接続している。ワイヤ41の位置は、発光素子29から立ち上げミラー30に向けて出射される光の光路を遮らないように、当該光路に対して、例えば紙面の奥行き方向に位置をずらして設定されている。かかる構成においては、ベース板26上で発光素子29と立ち上げミラー30の光学的な位置合わせを行なうことになる。その場合、周知のレーザカプラの製造プロセスを適用することができる。このため、量産性及び低コスト化の面でメリットがある。
図9は本発明の第2の実施の形態に係る光学モジュールの第2変形例を示す概略図である。この第2変形例においては、上記第1変形例と比較して、電極端子部材37の構成が異なる。すなわち、上記第1変形例においては、セラミックスの積層体によって電極端子部材37を構成しているが、第2変形例においては、シリコンの単層体によって電極端子部材37を構成している。なお、以降の変形例では、セラミックスの積層体によって電極端子部材37を構成した場合について例示するが、いずれの変形例においても、シリコンの単層体によって電極端子部材37を構成することが可能である。
図10は本発明の第2の実施の形態に係る光学モジュールの第3変形例を示す概略図である。この第3変形例においては、ベース板26に凹部42を形成し、この凹部42内に、前述した発光素子29、立ち上げミラー30、第1のサブマウント31及び第2のサブマウント32を実装している。また、ベース板26には、凹部42の底面に開口する状態で貫通穴36を設け、この貫通穴36に電極端子部材37を取り付けて、ワイヤボンディングにより発光素子29と電極端子部材37を電気的に接続している。
図11は本発明の第2の実施の形態に係る光学モジュールの第4変形例を示す概略図である。この第4変形例においては、上記第3変形例と比較して、キャップ部材33を用いることなく、ガラス製の蓋体35を接合層43によりベース板26の上面に直に接合している。接合層43は、高い封止性が得られる低融点ガラスや他の接着剤を用いて形成されている。
図12は本発明の第2の実施の形態に係る光学モジュールの第5変形例を示す概略図である。この第5変形例においては、上記第1変形例と同様に、前述した第2のサブマウント32を用いることなく、発光素子29を第1のサブマウント31を介してベース板26の上面に実装するとともに、立ち上げミラー30をベース板26の上面に実装している。また、第1のサブマウント31の実装位置と立ち上げミラー30の実装位置との間に貫通穴36を設け、この貫通穴36にセラミックスの積層体からなる電極端子部材37を取り付けて、ワイヤボンディングにより発光素子29と電極端子部材37を電気的に接続している。また、第5変形例においては、上記第3変形例と同様に、ベース板26に凹部42を形成し、この凹部42内に、前述した発光素子29、立ち上げミラー30、第1のサブマウント31及び第2のサブマウント32を実装している。また、ベース板26には、凹部42の底面に開口する状態で貫通穴36を設け、この貫通穴36に電極端子部材37を取り付けて、ワイヤボンディングにより発光素子29と電極端子部材37を電気的に接続している。
図13は本発明の第2の実施の形態に係る光学モジュールの第6変形例を示す概略図である。この第6変形例においては、上記第1変形例と同様に、前述した第2のサブマウント32を用いることなく、発光素子29を第1のサブマウント31を介してベース板26の上面に実装するとともに、立ち上げミラー30をベース板26の上面に実装している。また、第1のサブマウント31の実装位置と立ち上げミラー30の実装位置との間に貫通穴36を設け、この貫通穴36にセラミックスの積層体からなる電極端子部材37を取り付けて、ワイヤボンディングにより発光素子29と電極端子部材37を電気的に接続している。また、第5変形例においては、上記第3変形例と同様に、ベース板26に凹部42を形成し、この凹部42内に、前述した発光素子29、立ち上げミラー30、第1のサブマウント31及び第2のサブマウント32を実装している。また、ベース板26には、凹部42の底面に開口する状態で貫通穴36を設け、この貫通穴36に電極端子部材37を取り付けて、ワイヤボンディングにより発光素子29と電極端子部材37を電気的に接続している。さらに、第6変形例においては、上記第4変形例と同様に、キャップ部材33を用いることなく、ガラス製の蓋体35を接合層43によりベース板26の上面に直に接合している。
Claims (7)
- ベース板と、
前記ベース板に実装された発光素子と、
前記ベース板にダイボンディングによって実装され、前記発光素子から出射された光の戻り光を受光部で受光する受光素子内蔵型の集積回路素子と、
光透過用の窓を有し、当該窓を通して前記受光部が露出する状態で前記集積回路素子に接続された回路基板と
を備える光学モジュール。 - 前記ベース板は貫通穴を有し、
前記ベース板の貫通穴の部分に当該貫通穴を塞ぐ状態で取り付けられた電極端子部材を備え、
前記電極端子部材に前記発光素子を電気的に接続してなる
請求項1記載の光学モジュール。 - 前記ベース板を、ダイカスト成形板又はプレス成形板を用いて構成してなる
請求項1又は2記載の光学モジュール。 - 前記集積回路素子と前記回路基板を、超音波実装又は異方導電性実装によって電気的かつ機械的に接続してなる
請求項1又は2記載の光学モジュール。 - 前記発光素子から出射された光を垂直に反射する立ち上げミラーを備え、
前記発光素子と前記立ち上げミラーは、共通のサブマウント材を介して前記ベース板に実装されている
請求項2記載の光学モジュール。 - 前記発光素子から出射された光を垂直に反射する立ち上げミラーを備え、
前記発光素子と前記立ち上げミラーは、前記ベース板に個別に実装されている
請求項2記載の光学モジュール。 - ベース板と、
前記ベース板に実装された発光素子と、
前記ベース板にダイボンディングによって実装され、前記発光素子から出射された光の戻り光を受光部で受光する受光素子内蔵型の集積回路素子と、
光透過用の窓を有し、当該窓を通して前記受光部が露出する状態で前記集積回路素子に接続された回路基板と
を備える光学モジュールを用いた光ピックアップ装置。
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