JP2000228534A

JP2000228534A - 光半導体実装装置

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Publication number: JP2000228534A
Application number: JP2896499A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Hatakeyama; 智之畠山
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1999-02-05
Filing date: 1999-02-05
Publication date: 2000-08-15

Abstract

(57)【要約】【課題】発光素子及び受光素子を備えた光半導体実装
装置を小型化し、しかも光学性能を向上させる。【解決手段】対象物１０に対して光を投射する発光素
子１３と、対象物１０からの光を受光する受光部２１を
有すると共に、受光部２１以外の部分に発光素子１３が
接合された受光素子１４と、発光素子１３及び受光素子
１４の受光部２１の双方又は受光素子１４の受光部２１
が対象物１０に対して臨むための透光部１２を有した配
線基板１１と、発光素子１３の接合部分及び受光部２１
以外の部位で受光素子１４を配線基板１１にフリップチ
ップ接合させる異方性導電材１７とを備える。発光素子
１３の実装領域が不要となるため小型化でき、発光素子
１３が対象物１０に接近するため、光学性能が向上す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、対象物に光を照射
し、対象物から反射した光を検出する機能を有する光半
導体実装装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１３は特開平１０−１３２５５８号公
報に記載されている従来の光半導体実装装置を示す。こ
の光半導体実装装置では、ポリイミド配線基板５に透光
部３ａ及び３ｂを設け、一方の透光部３ａに臨む基板裏
面側に発光素子１を実装し、他方の透光部３ｂに臨む基
板裏面側に受光素子２を実装している。発光素子１は対
象物４に対して光を出射し、受光素子２は対象物４から
反射した光を受光する。又、これらの発光素子１及び受
光素子２はエポキシ樹脂６に覆われることにより封止さ
れている。

【０００３】発光素子１及び受光素子２の実装は次のよ
うにして行われる。発光素子１の表面電極はポリイミド
配線基板５のランドに直接接合し、裏面電極はＡｕワイ
ヤなどのボンディングワイヤ７によりポリイミド配線基
板５のランドに接合する。受光素子２はポリイミド配線
基板５とハンダバンプ８によりフリップチップ接合す
る。

【０００４】この光半導体実装装置は、発光素子１から
の光がポリイミド配線基板５の透光部３ａを通過して対
象物４に照射され、その反射光が透光部３ｂを通過して
受光素子２に入射する。このとき、対象物４からの反射
光が光源である発光素子１に直接戻ると、発光素子１の
動作が不安定になるため、対象物４の反射面に対して発
光素子１の光軸を傾けている。このような構造では、対
象物４に対するポリイミド配線基板５の反対面に発光素
子１と受光素子２とを実装しているため、発光素子１と
封止面との間隔を小さくでき、性能の最適化を容易に達
成しながら光半導体実装装置の全体を小型化することが
可能となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
構造では、（１）発光素子１と受光素子２とを別々にポ
リイミド配線基板５に実装しており、（２）ポリイミド
配線基板５上にボンディングワイヤ７を引き出すための
配線部分が必要であり、（３）ボンディングワイヤ７及
びハンダバンプ８で接合しているため、接合部分の強度
が弱く、接合後に発光素子１および受光素子２をエポキ
シ樹脂６等で覆って封止する機械的補強が必要である。
という実装上の制約があるため、光半導体実装装置の小
型化に限界があった。

【０００６】また、対象物４の反射面に対して発光素子
１の光軸を傾けるためのスペース９を基板端部に設ける
必要があり、発光素子１と対象物４の距離の最適化に一
定の制限が発生している。

【０００７】本発明はこのような従来の問題点を考慮し
てなされたものであり、装置性能の最適化を容易にする
ことができると共に、受光素子とほぼ同等の実装サイズ
に小型化できることを可能にした光半導体実装装置を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、対象物に対して光を投射する発
光素子と、前記対象物からの光を受光する受光部を有す
ると共に、この受光部以外の部分に前記発光素子が接合
された受光素子と、前記発光素子及び受光素子の受光部
の双方又は受光素子の受光部が前記対象物に対して臨む
ための透光部を有した配線基板と、前記発光素子の接合
部分及び受光部以外の部位で前記受光素子を配線基板に
フリップチップ接合させる異方性導電材と、を備えてい
ることを特徴とする。

【０００９】この発明では、発光素子が受光素子上に接
合されることにより、これらの素子が一体化した状態で
配線基板へ実装される。このため、配線基板における素
子実装部位を小さくすることができる。又、発光素子が
受光素子に接合されるため、発光素子から配線基板へボ
ンディングワイヤを引き出す必要がなくなり、そのため
の配線部分も必要がなくなる。更に、異方性導電材が受
光素子を配線基板にフリップチップ接合するため、機械
的強度が大きくなり、樹脂による封止が不要となる。こ
れらにより、光半導体実装装置を小型化することができ
る。

【００１０】請求項２の発明は、請求項１記載の発明で
あって、前記配線基板の透光部は、配線基板に設けた切
り欠きであり、この切り欠き内に前記発光素子が挿入さ
れていることを特徴とする。

【００１１】この発明では、発光素子を配線基板の切り
欠きに挿入することにより、発光素子の発光部と対象物
との間に介在する配線基板の厚さを排除することができ
る。このため、発光素子と対象物とを接近させることが
できて、距離の調整範囲が大きくなり、光学性能の最適
化が容易となる。

【００１２】請求項３の発明は、請求項１記載の発明で
あって、前記配線基板の透光部を透光性を有する封止材
で封止することを特徴とする。特徴とする。

【００１３】この発明では、発光面及び受光面を封止す
ることにより、装置全体の耐湿性を向上させることがで
きる。

【００１４】請求項４の発明は、請求項１空のいずれか
に記載の発明であって、前記受光素子を配線基板に接合
するフリップチップ接合部において、前記受光素子周縁
とその近傍の配線基板上を接着剤で補強することを特徴
とする。

【００１５】この発明では、接着剤が受光素子周縁とそ
の近傍の配線基板上を補強するため、装置の機械的強度
を向上させることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態を図面に基づき説明する。なお、以下の実施の形態に
おいては、光半導体実装装置として、光源となる発光素
子として垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒ
ｔｉｃａｌ−ＣａｖｉｔｙＳｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔ
ｔｉｎｇＬａｓｅｒ）を使用した反射型の光学式エン
コーダを挙げているが、本発明はこれに限定されるもの
でなく、各種光センサや光ピックアップ等に応用するこ
とが可能である。

【００１７】また、光源が出射する光には、特に制限は
なく、例えば広がり角の大小や可干渉性の有無等に限定
されることがない。また、受光素子に到達する光は、光
源から出射された光が対象物に到達し、その結果として
発生する光であれば、その種類は限定されない。例え
ば、以下の実施の形態で開示されているような単純な反
射のみでなく、反射回折光、反射散乱光あるいは、光源
からの光によって対象物において励起された光であって
も良い。なお、以下の実施の形態において、同一の要素
は同一の符号を付して対応させるものである。

【００１８】（実施の形態１）図１及び図２は本発明の
実施の形態１における平面図及びそのＡ−Ａ線断面図で
ある、。

【００１９】実施の形態１における光学式エンコーダー
は、移動するスケール１０が対象物となっており、この
スケール１０に対し、フレキシブル配線基板（以下、Ｆ
ＰＣ）１１の表面側が対向している。ＦＰＣ１１の裏側
面すなわち後述する投光部１２に対向して、ＦＰＣ１１
におけるスケール１０側の面に接合された発光素子（以
下、ＶＣＳＥＬ）１３及び受光素子（以下、ＰＤ）１４
が配置されている。なお、ＶＣＳＥＬ１３には、スケー
ル１０に対してレーザー光を出射するレーザー出力口２
０が設けられている。

【００２０】ＰＤ１４はスケール１０からの光を受光す
る受光部２１を有しており、ＶＣＳＥＬ１３はＰＤ１４
における受光部２１以外の面上に電気的に接合されてい
る。ＶＣＳＥＬ１３のＰＤ１４上への電気的接合は、Ｖ
ＣＳＥＬ１３の表面電極とＰＤ１４表面の電極１４ａと
をボンディングワイヤとしてのＡｕワイヤ１９によって
接続すると共に、ＶＣＳＥＬ１３の裏面電極とＰＤ１４
表面の別の電極（図示省略）とを導電性接着剤による接
合やＡｕ−Ａｕ接合又はＡｕ−Ｓｉ接合することによっ
て行われる。

【００２１】ＰＤ１４上には、複数のＡｕバンプ１５が
形成されており、このＡｕバンプ１５とＦＰＣ１１に形
成されたランド１６とが異方性導電材１７によって電気
的にフリップチップ接合されている。Ａｕバンプ１５は
ワイヤボンダーを用いたボールバンプ法やメッキ法によ
り形成することができる。又、接合後にＶＣＳＥＬ１３
の表面及びＡｕワイヤ１９がＦＰＣ１１の裏面と接触し
ないように、Ａｕバンプ１５の高さ及びランド１６の厚
さが設定されている。

【００２２】ＦＰＣ１１の裏面側には、Ｃｕなどの導電
性金属からなる配線パターン１８がランド１６と接続さ
れるように形成されている。又、ランド１６としては、
配線パターン１８と同材質か、又は同材質に加えて表面
上にＮｉ下地のＡｕメッキ処理が施されることにより形
成されるものである。

【００２３】Ａｕバンプ１５とＦＰＣ１１のランド１６
とを電気的に接合する異方性導電材１７としては、フィ
ルム状に予め形成された異方性導電フィルム（ＡＣ
Ｆ）、又はペースト状の異方性導電ペースト（ＡＣＰ）
などを用いることができる。この異方性導電材１７はＡ
ｕバンプ１５とランド１６間を導通し、且つ、隣接する
Ａｕバンプ及びランドとは絶縁するという異方性接続と
いう特性を有している。又、異方性導電材１７は、Ａｕ
バンプ１５とランド１６との接合だけでなく、投光部１
２を除くＰＤ１４の上面とＦＰＣ１１裏面のスペース部
分とを接着することによって、これらに対する補強を行
う機械的補強機能と、これらに対してごみや埃、水分の
侵入を防ぐ封止機能とを兼ね備えている。

【００２４】上述したＦＰＣ１１の透光部１２は、ＦＰ
Ｃ１１におけるＶＣＳＥＬ１３のレーザー出力口２０と
ＰＤ１４の受光部２１と重なる部分を切り欠くことによ
り形成されている。ＶＣＳＥＬ１３は異方性導電材１７
によって周囲が覆われた状態で透光部１２に臨んでいる
が、ＰＤ１４上に接合されていることにより、そのレー
ザ出力口２０がスケール１０に接近した状態となってい
る。このため光半導体実装装置である光学式エンコーダ
ーの性能を向上させることができる。

【００２５】このような構造では、ＦＰＣ１１上に形成
された配線パターン１８を介して外部（図示省略）から
ＶＣＳＥＬ１３に電流を供給することにより、レーザー
出力口２０から矢印で示すようなレーザー光が放射され
る。このレーザー光は透光部１２を通ってスケール１０
の表面に達して反射する。反射光は矢印で示すように再
び、透光部１２を通ってＰＤ１４上の受光部２１に達
し、そこで電気信号に変換される。そして、ＰＤ１４か
らの出力は、配線パターン１８を経由して外部の処理回
路（図示省略）の入力信号となる。

【００２６】なお、この場合、スケール１０には所定の
間隔で反射率の高い部分と低い部分が形成してあり、ス
ケール１０による反射光の強度はスケール１０の移動に
伴って周期的に変化するので、ＰＤ１４の出力信号の変
化を検出してカウントすることによりスケール１０の移
動量が検出される。

【００２７】このような実施の形態では、ＶＣＳＥＬ１
３がＰＤ１４に接合されるため、これらの素子が一体化
した状態でＦＰＣ１１へ実装でき、素子実装部位を小さ
くできる。又、ＶＣＳＥＬ１３からＦＰＣ１１に対して
Ａｕワイヤ１９を引き出す必要がなくなり、そのための
配線部分が必要がなくなり、更に、異方性導電材１７が
ＰＤ１４をＦＰＣ１１にフリップチップ接合するため、
機械的強度が大きくなり、樹脂による封止が不要とな
る。従って、これらにより光半導体実装装置を小型化す
ることができる。

【００２８】又、この実施の形態では、配線基板として
ＦＰＣ１１を用いているため、実装部２２と外部回路と
の配線部２３を同一基板上に形成することができる。こ
のため、構造的にシンプルであり、組み立て工数が少な
く製造コストも安くなる効果がある。

【００２９】図３は、この実施の形態をロータリーエン
コーダーへ実装した状態を示し、６０はロータリー筐体
であり、円柱状となっている。この実施の形態では、配
線基板としてＦＰＣ１１を用いているため、ロータリー
筐体６０の実装スペースの形状に応じて形状を容易に加
工することができる。このため、実装設計の自由度が増
加する効果がある。

【００３０】（実施の形態２）図４は本発明の実施の形
態２の断面図である。この実施の形態では、配線基板と
して透過率の高いガラス基板２４が用いられるものであ
る。ガラス基板２４に対し、配線パターン２５はアルミ
ニウムを蒸着し、エッチングすることにより形成されて
いる。この場合、ガラス基板２４におけるＶＣＳＥＬ１
３のレーザー出力口２０と重なる部分及びＰＤ１４の受
光部２１と重なる部分には、配線パターン２５が施され
ることがなく、これにより、ガラス基板２４自体が透光
部となっている。

【００３１】このような実施の形態２において、配線パ
ターン２５を介して外部（図示省略）からＶＣＳＥＬ１
３に電流を供給することにより、レーザー出力口２０か
ら矢印で示すようなレーザー光が放射される。このレー
ザー光は、ガラス基板２４を通ってスケール１０の表面
に到達する。スケール１０から反射光は矢印で示すよう
に再びガラス基板２４を通ってＰＤ１４上の受光部２１
に達し、そこで電気信号に変換され、その出力は配線パ
ターン２５を経由して外部の処理回路（図示省略）への
入力信号となる。

【００３２】このような実施の形態では、実施の形態１
と同様に作用することができることに加えて、配線基板
として透過率の高いガラス基板２４を用いているため、
配線基板に精密な加工精度を要する切り欠き等の加工を
施さなくても良く、しかも切り欠きがないため、基板の
表面からのゴミや埃の侵入を防止できる効果を有してい
る。また、ガラス基板２４は硬質基板であるため、実施
の形態１に比べて素子の実装部分の機械的強度が強くな
り、耐久性が向上する効果がある。

【００３３】（実施の形態３）図５は本発明の実施の形
態３の断面図であり、ガラスエポキシ基板或いはガラス
基板などの硬質基板２７からなる実装部と、屈曲性を有
したＦＰＣ２８からなる配線部とによって配線基板が形
成されている。

【００３４】硬質基板２７からなる実装部には、実施の
形態１と同様にＶＣＳＥＬ１３が接合されたＰＤ１４が
異方性導電材１７によってフリップチップ接合されてい
る。又、硬質基板２７におけるＶＣＳＥＬ１３のレーザ
ー出力口２０及びＰＤ１４の受光部２１に対応した部分
には、切り欠きなどによる透光部２６が形成されてい
る。

【００３５】接続部となるＦＰＣ２８は外部回路（図示
省略）との接続が行われるものであり、そのための配線
パターン３０が形成されている。又、硬質基板２７にも
配線パターン２９が実施の形態２と同様に形成されてい
る。これらの配線パターン２９，３０は対向しており、
ハンダや異方性導電剤（図示省略）などによって電気的
に接合されている。

【００３６】この実施の形態では、配線パターン３０及
び配線パターン２９を介して外部（図示省略）からＶＣ
ＳＥＬ１３に電流を供給することにより、レーザー出力
口２０から矢印で示すようなレーザー光が放射される。
このレーザー光は硬質基板２７の透光部２６を通ってス
ケール１０の表面に到達する。そして、スケール１０か
らの反射光は矢印で示すように、再び硬質基板２７の透
光部２６通ってＰＤ１４上の受光部２１に達して電気信
号に変換され、その出力は配線パターン２９、及び３０
を順に経由して外部の処理回路（図示省略）への入力信
号となる。

【００３７】この実施の形態では、実施の形態１の効果
に加えて、機械的強度を要求される実装部に硬質基板２
７を用い、形状の自由度を要求される外部回路との配線
部にＦＰＣ２８を用いるため、耐久性と実装設計の自由
度の双方を同時に向上させることができる効果がある。

【００３８】（実施の形態４）図７は実施の形態４の断
面図である。この実施の形態においても、実施の形態１
と同様に、配線基板としてＦＰＣ３３が用いられてい
る。このＦＰＣ３３におけるＶＣＳＥＬ１３及びＰＤ１
４の受光部２１に対応した部分には、切り欠きからなる
透光部３４が形成されている。

【００３９】切り欠きからなる透光部３４には、ＶＣＳ
ＥＬ１３のレーザー出力口２０及びＰＤ１４の受光部２
１が臨んでいる。この場合においても、ＶＣＳＥＬ１３
は受光部２１を避けたＰＤ１４の上に接合されるもので
ある。又、ＰＤ１４のＡｕバンプ３１とＦＰＣ３３のラ
ンド３２とは、異方性導電材１７によってフリップチッ
プ接合されている。

【００４０】この実施の形態では、ＶＣＳＥＬ１３の表
面部分及びＡｕワイヤ１９がＦＰＣ３３に設けた透光部
３４内に挿入されるように上述したフリップチップ接合
を行うものである。すなわち、ＶＣＳＥＬ１３裏面から
Ａｕワイヤ１９の頂部までの距離が、Ａｕバンプ３１と
ランド３２との厚みの和以上であって、且つＡｕバンプ
３１とランド３２とＦＰＣ３３の透光部３４との厚みの
和以下となるようにフリップチップ接合する。このよう
にすることにより、ＶＣＳＥＬ１３のレーザー出力口２
１からスケール１０までの距離を実施の形態１よりも短
くすることができる。

【００４１】このような実施の形態では、ＦＰＣ３３の
表面とＡｕワイヤ１９の頂部までの距離ｔが小さくなる
ため、ＶＣＳＥＬ１３のレーザー出力口２０とスケール
１０との距離を短くすることができ、距離の調整範囲が
大きくなる。このため、光学性能の最適化を行うことが
できる。

【００４２】なお、この実施の形態では配線基板をＦＰ
Ｃ３３としたが、実施の形態３に示すように切り欠き２
６を有した硬質基板２７であっても良い。

【００４３】（実施の形態５）図７は実施の形態５の平
面図、図８はそのＢ−Ｂ線断面図である。この実施の形
態では、ＦＰＣ３６に設けられている切り欠きからなる
透光部３７が、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなる
透過性を有する封止材３５で封止されるものである。こ
の場合、封止材３５はＦＰＣ３６の表面からはみ出さな
いことが良好である。

【００４４】図９は実施の形態の変形々態を示し、この
形態においては、ＦＰＣ３６の透光部３７を透光率の高
いガラス板３８で覆っており、このガラス板３８の周囲
をエポキシ系接着剤３９によって固定することによって
封止している。

【００４５】このような実施の形態では、ＶＣＳＥＬ１
３及びＰＤ１４の受光部２１が透光性の封止材３５或い
はガラス板３８によって封止されているため、耐湿性を
向上させることができる。

【００４６】（実施の形態６）図１０は実施の形態６の
断面図である。この実施の形態では、ＰＤ１４周縁とそ
の近傍のＦＰＣ１１をエポキシ系接着剤などの接着剤４
０によって補強するものである。なお、配線基板として
はＦＰＣ１１としたが、ガラスエポキシ基板やガラス基
板等の硬質基板であっても良い。

【００４７】このような実施の形態では、接着剤４０に
よって補強されて機械的強度が付与されているため、外
部回路（図示省略）との配線部４１に矢印で示した曲げ
応力が加わっても、曲げ応力によって実装部４２が影響
を受けにくく、実装部４２の破壊や故障を防止すること
ができる。

【００４８】（実施の形態７）図１２は実施の形態７の
断面図である。この実施の形態においても、ＶＣＳＥＬ
４４がＰＤ４３上に接合されているが、このＶＣＳＥＬ
４４及びＡｕワイヤ４５がＦＰＣ４９から露出してい
る。すなわち、ＰＤ４３はその一部がＦＰＣ４９よりも
外側に位置するように異方性導電材１７によってフリッ
プチップ接合されており、これによりその上に実装され
るＶＣＳＥＬ４４がＦＰＣ４９の基板端から露出するも
のである。従って、ＦＰＣ４９の透光部５０はＰＤ４３
の受光部４７にだけ臨むように設けられている。

【００４９】このような構造では、ＶＣＳＥＬ４４のレ
ーザー出力口４６からのレーザー光は、透光部５０を通
らず、スケール４８の表面に到達し、スケール４８から
の反射光は矢印で示すように透光部５０を通ってＰＤ４
３上の受光部４７に達する。

【００５０】このような実施の形態では、ＶＣＳＥＬ４
４をＦＰＣ４９から露出させるため、Ａｕワイヤ４５の
接合工程を最終工程に行うことが可能となる。その結
果、Ａｕワイヤ４５がＦＰＣ４９と接触して、組み立て
時に断線する危険率を低減できる効果がある。

【００５１】（実施の形態８）図１２は実施の形態８の
断面図である。この実施の形態では、ＶＣＳＥＬ１３に
一対のレーザー出力口５１及び５２が設けられると共
に、ＰＤ１４にもレーザー出力口５１，５２に対応した
一対の受光部５３，５４が設けられている。これらのレ
ーザー出力口５１，５２及び受光部５３，５４に対し
て、ＦＰＣ１１の透光部５５が臨むように形成されてい
る。

【００５２】この実施の形態では、一方のレーザー出力
口５１から放射されたレーザー光は、透光部５５を通っ
てスケール（図示省略）の表面に到達し、スケールから
の反射光は透光部５５を通ってＰＤ１４上の一方の受光
部５３に達する。これと同様に、他方のレーザー出力口
５２から放射されたレーザー光は、透光部５５を通って
スケールの表面に到達し、その反射光は、透光部５５を
通ってＰＤ１４上の他方の受光部５４に達する。

【００５３】このようにレーザー出力口及び受光部を一
対ずつ備えることにより、仮に対となるレーザー出力口
又は受光部が故障しても、装置が即座に停止することを
防止できる効果がある。

【００５４】なお、この実施の形態では、レーザー出力
口及び受光部の数を２つとしたが、３つ以上でも構わな
い。

【００５５】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、発光素子を受
光素子上に接合することにより、これらが一体化した状
態で配線基板へ実装でき、配線基板における素子実装部
位を小さくすることができ、しかも発光素子から配線基
板へボンディングワイヤを引き出す必要がなくなり、更
に、異方性導電材が受光素子を配線基板にフリップチッ
プ接合するため、機械的強度が大きくなって樹脂による
封止が不要となる。これらにより、光半導体実装装置を
小型化することができる。

【００５６】請求項２の発明によれば、発光素子を配線
基板の切り欠きに挿入するため、発光素子と対象物とを
接近させることができ、距離の調整範囲が大きくなっ
て、光学性能の最適化が容易となる。

【００５７】請求項３の発明によれば、発光面及び受光
面を封止するため、装置全体の耐湿性を向上させること
ができる。

【００５８】請求項４の発明によれば、接着剤が受光素
子周縁とその近傍の配線基板上を補強するため、装置の
機械的強度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１の平面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】実施の形態１をロータリー筐体に適用した平面
図である。

【図４】実施の形態２の断面図である。

【図５】実施の形態３の断面図である。

【図６】実施の形態４の断面図である。

【図７】実施の形態５の平面図である。

【図８】図７のＢ−Ｂ線断面図である。

【図９】実施の形態５の変形々態の断面図である。

【図１０】実施の形態６の断面図である。

【図１１】実施の形態７の断面図である。

【図１２】実施の形態８の断面図である。

【図１３】従来例の断面図である。

【符号の説明】

１０スケール１１ＦＰＣ１２透光部１３ＶＣＳＥＬ（発光素子）１４ＰＤ（受光素子）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対象物に対して光を投射する発光素子
と、前記対象物からの光を受光する受光部を有すると共に、
この受光部以外の部分に前記発光素子が接合された受光
素子と、前記発光素子及び受光素子の受光部の双方又は受光素子
の受光部が前記対象物に対して臨むための透光部を有し
た配線基板と、前記発光素子の接合部分及び受光部以外の部位で前記受
光素子を配線基板にフリップチップ接合させる異方性導
電材と、を備えていることを特徴とする光半導体実装装
置。
【請求項２】前記配線基板の透光部は、配線基板に設
けた切り欠きであり、この切り欠き内に前記発光素子が
挿入されていることを特徴とする請求項１記載の光半導
体実装装置。
【請求項３】前記配線基板の透光部を透光性を有する
封止材で封止することを特徴とする請求項１記載の光半
導体実装装置。
【請求項４】前記受光素子を配線基板に接合するフリ
ップチップ接合部において、前記受光素子周縁とその近
傍の配線基板上を接着剤で補強することを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の光半導体実装装置。