CN101615399B - 光学模块和光学拾取装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开光学模块和光学拾取装置,其中,该光学模块包括:底板;发光元件,安装在底板上;光接收元件内置型的集成电路元件,通过接合线安装在底板上,并具有用于接收来源于从发光元件发出的光的返回光的光接收部;以及电路板,具有用于使光通过的窗,并在通过该窗露出光接收部的状态下连接至集成电路元件。通过本发明,能够减小尺寸和厚度,并且可以明显缓和对底板的材料和结构的限制。

Description

光学模块和光学拾取装置
相关申请的交叉参考
本申请包括于2008年6月24日向日本专利局提交的日本优先专利申请JP 2008-164136的主题,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及光学模块和光学拾取装置,更具体地,涉及集成有发光元件和光接收元件的光学模块以及结合了该光学模块的光学拾取装置。
背景技术
光盘记录和再生装置使用诸如压缩盘(包括CD-R(可记录压缩盘)和CD-RW(可重写压缩盘))、数字通用盘(DVD)或蓝光盘(BD)的光盘作为记录介质来执行数据的记录和再生。光盘记录和再生装置包括用于光学地记录和再生数据的光学拾取装置。作为光学拾取装置,采用了集成有发光元件和光接收装置的光学模块或光学集成模块,以满足对于小型化或厚度减小的要求。例如,在日本专利公开第2007-18583号中披露了所描述类型的光学拾取装置。
在特别用于各种光盘中的BD的光学拾取装置中,如果发光元件没有被密封,那么其光学特性就会劣化。因此,在用于BD的光学拾取装置中,采用了用于密封发光元件以维持操作的可靠性的结构。
图14示出了在相关的光学拾取装置中所采用的光学模块的配置的实例。图15是沿图14中的线A-A得到的截面图。参照图14和图15,使用支持件(holder member)52使发光装置53附接至底板51的下面侧。其中内置有光接收元件的IC(光电子集成电路(OEIC))芯片54被安装在底板51的上面。另外,全息透镜(hologram lens)56和用作分束器的棱镜57通过壳体55被装载在底板51的上面。
具体地,参照图16,IC芯片54通过诸如金丝的导线59电连接或耦合至设置在底板51的上面的多个电极部58。底板51中形成有用于使从发光装置53发出的光通过的开口60。柔性印刷电路板(下文中有时称为“FPC基板”)61附接至底板51的下面。IC芯片54通过图15所示的接合层62接合至底板51的上面。FPC基板61通过焊接接合部(solder bonding portion)63电且机械地连接至底板51。IC芯片54在其主面上具有光接收部64。用于外部连接的多个端子部65形成在FPC基板61纵向上的端部处。
发光装置53具有CAN封装结构。具体地,参照图14,发光元件68通过未示出的副底座(sub mount)安装在设置在柱66上的散热器块67上。用帽状件(cap member)69(由金属制成并以围绕发光元件68的方式附接至柱66的上面)和使形成在帽状件69中的开口闭合的光提取窗70来密封发光元件68。多个端子引脚71附接至柱66并通过接合线等电连接至发光元件68。
在具有上述配置的光学模块中,从发光元件68产生并通过发光装置53的光提取窗70发射的光通过底板51的开口60被引入全息透镜56。引入全息透镜56中的光穿过棱镜57并照射到诸如光盘的外部对象上。然后,被外部对象反射的光(即,返回光)通过棱镜57和全息透镜56被分光(spectralize),并照射到IC芯片54的光接收部64上。
图17中示出了在相关的光学拾取装置中所采用的另一种光学模块的配置。参照图17,凹部72整体地形成在底板51上,并且发光元件74通过副底座73被安装在凹部72内,并且朝上的反射镜75也被安装在凹部72内。用使底板51的开口60闭合的透射窗76和使在壳体55与开口60的相对侧闭合的盖部件77密封其中安装了发光元件74的凹部72内的空间。光学模块的剩余部分在配置上与上文参照图14所述的光学模块相同。
在具有上述配置的光学模块中,从发光元件74发出的光被朝上的反射镜75以直角反射并通过透射窗76进入全息透镜56。另外,进入全息透镜56的光穿过棱镜57,然后照射到诸如光盘的外部对象上。另外,被外部对象反射光(即,返回光)通过棱镜57和全息透镜56被分光,并照射到IC芯片54的光接收部上。
发明内容
在相关的光学拾取装置中所采用的光学模块中,IC芯片54被安装在底板51上,其中,该IC芯片54具有朝上的光接收部64,以通过IC芯片54接收返回光。另外,为了使IC芯片54和FPC基板61通过底板51彼此电连接,利用接合线使底板51和IC芯片54彼此连接。因此,必须在IC芯片54被安装在底板51的上面的区域的外侧上确保用于接合线的区域(即,其中形成有电极部58的区域)。
另外,如果IC芯片54的电极数量增加,那么形成在底板51的上面的电极部58的数量或者形成底板51的下面的电极部的数量相应地增加。在这种情况下,必须在底板51的上面侧上确保随电极数量的增加而增大的用于接合线的区域。另外,在底板51的下面侧上,随着电极数量增加,必须使电极部58的阵列形式从如图18A所示电极部58以沟道形阵列排列的形式变为如图18B所示电极部58以格状阵列排列的另一形式。在这种情况下,虽然图18A所示的电极排列能够对焊接状态进行视觉确认,但是图18B所示的电极排列并不能对焊接状态进行视觉确认。
另外,在相关的光学拾取装置中,层压结构的陶瓷板被用作底板51。使用层压结构的陶瓷板的原因是在底板51的上面和下面形成电极的设计自由度很高。然而,相对来说,存在以下限制:仅可以选择可用于获得层压结构的材料作为用于底板51的材料。因此,不能使用热辐射效应高且花费低的材料(诸如金属材料)。
根据本发明的实施例,提供了一种光学模块,包括:底板;发光元件,安装在底板上;光接收元件的内置型集成电路元件,通过接合线被安装在底板上,并具有用于接收来源于从发光元件发出的光的返回光的光接收部;以及电路板,具有用于使光通过的窗,并在通过该窗露出光接收部的状态下连接至集成电路元件。
在该光学模块中,具有用于使光通过的窗的电路板被安装在集成电路元件上,以露出其光接收部,并且通过模片接合(die bonding,晶片接合)将集成电路元件安装在底板上。因此,消除了在底板上确保用于接合线的区域的需要。同样,也消除了在基板上或中设置电极部或电路径(electric path)的需要。
根据本发明的另一个实施例,提供了一种包括光学模块的光学拾取装置,该光学模块包括:底板;发光元件,安装在底板上;光接收元件的内置型集成电路元件,通过接合线被安装在底板上,并具有光接收部,该光接收部用于接收来源于从发光元件发出的光的返回光;以及电路板,具有用于使光通过的窗,并在通过该窗露出光接收部的状态下连接至集成电路元件。
根据本发明的实施例,利用该光学模块,可以预期尺寸和厚度的减小。另外,可以明显缓和对底板的材料或结构的限制。
结合相同部件或元件由相同的参考标号表示的附图,根据以上描述和附加权利要求将显而易见本发明的以上特征和优点。
附图说明
图1是示出根据本发明第一实施例的光学模块的配置的示意图;
图2是沿图1的线A-A截取的截面图;
图3是示出在图1的光学模块中所使用的IC芯片和FPC基板的连接结构的分解透视图;
图4是示出根据本发明第二实施例的光学模块的配置的示意图;
图5A、图5B和图5C分别是在图4的光学模块中所使用的电极端子件的顶部平面图、横截面图和底部平面图;
图6是示出包括结构与图4的光学模块的结构不同的电极端子件的光学模块的配置的示意图;
图7A、图7B和图7C分别是图6所示的电极端子件的顶部平面图、横截面图和底部平面图;
图8~图13是示出图4的光学模块的第一~第六变型例的示意图;
图14是示出了在相关的光学拾取装置中所采用的光学模块的配置实例的示意图;
图15是沿图14的线A-A截取的截面图;
图16是示出图14的相关光学模块的部分结构的透视图;
图17是示出在另一个相关光学拾取装置中所采用的光学模块的结构的示意图;以及
图18A和图18B是示出在底板与FPC基板之间的不同连接结构的示意图。
具体实施方式
参照图1和图2,示出了根据本发明第一实施例的光学模块的配置。所示光学模块包括发光装置3,使用支持件2被附接至底板1的下面。底板1被形成在平面上看为矩形的板。IC芯片4被安装在底板1的上面。另外,包括全息透镜6和用作分束器的棱镜7的光学块通过壳体5被装载在底板1的上面。例如,IC芯片4是具有光接收元件(诸如内置于其中的光电二极管)的OEIC,并用作集成电路元件。
壳体5起到用于在底板1的厚度方向上(即,在光学模块的高度方向上)限定全息透镜6或棱镜7与发光装置3或IC芯片4的附接位置的隔离物的作用。壳体5以具有用于使发射光和返回光通过的开口的门状形成。保持壳体5的下面在发光装置3的附接位置或IC芯片4的安装位置的外侧上与底板1的上面接触。壳体5的内侧上的区域(即,安装了IC芯片4的区域)是未密封的区域,例如,其在相对于图1或图2的平面的深度方向上打开。
例如,底板1具有金属材料的单板结构。优选地,考虑成本和精度,使用压模板或压制板形成底板1。底板1中形成有开口8,用于使从发光装置3发出的光通过。同时,柔性印刷电路板(下文中有时称为“FPC基板”)9作为电路板的实例附接至底板1的上面。
此处,参照图3描述IC芯片4和FPC基板9的连接结构。例如,使用矩形或类带形的树脂膜作为基板来形成FPC基板9。用于使光通过的通孔形式的窗11形成在FPC基板9的中间部分。多个电极部12形成在FPC基板9的第一面上。例如,电极部12按照与IC芯片4的排列的对应关系以两行排列在窗11周围。电极部12的阵列方向与FPC基板9的纵向一致。另外,用于外部连接的多个端子部14形成在FPC基板9的第一面上。这些多个端子部14形成在FPC基板9纵向上的每个相对端部处。端子部14在FPC基板9的横向上按行排列。因此,电极部12的阵列方向和端子部14的阵列方向在FPC基板9的第一面上彼此相差90度。另外,电极部12和端子部14通过形成在FPC基板9上的未示出的配线图样(wiringline pattern)而彼此电连接。
IC芯片4被安装在FCP基板9的第一面上,其中,其光接收部按照与FPC基板9的第一面相对的关系(即,在相对于FPC基板9的第一面的面朝下的状态下)进行设置。例如,通过使用图2所示的凸块(bump)13的预定安装方法(诸如超声波安装、各向异性导电安装或焊接安装)将IC芯片4安装在FPC基板9上。例如,凸块13可以柱状凸块(stud bump)结构形成在FPC基板9的电极部12上或IC芯片4侧上未示出的电极部(电极部12的连接目的地)处,或者还可形成在这两种电极部上。各向异性导电安装是使用各向异性导电膜、各向异性导电接合剂等来在IC芯片4和FPC基板9之间建立电且机械连接的安装方法。超声波安装是利用超声波能量来在IC芯片4和FPC基板9之间建立电且机械连接的安装方法。焊接安装是使用焊接来在IC芯片4和FPC基板9之间建立电且机械连接的安装方法。
通过模片接合将安装在FPC基板9上IC芯片4通过图2中所示的接合剂16(由诸如银浆料的导电接合剂制成)在其背面附接至底板1的上面。此处的“模片接合”表示将裸的IC芯片直接安装于基板(在本实施例中,安装于底板1)。形成在FPC基板9中的窗11向上打开。IC芯片4的光接收部17按照与窗11的开口相对的关系进行设置。另外,IC芯片4在光接收部17朝上的状态下(即,在面朝上的状态下)安装在FPC基板9上。因此,在与IC芯片4相对应的位置处,FPC基板9的第一面被设置成朝下的状态,而FPC基板9的第二面被设置成朝上的状态。例如,光接收部17由光电二极管等构成。FPC基板9的纵向尺寸被设定为远大于底板1的横向尺寸。从安装有IC芯片4的区域延伸的FPC基板9的一个端部和另一个端部被设置成它们绕过底板1的相对侧端面而悬挂于底板1的下面侧的状态。注意,尽管从底板1的纵向看到的FPC基板9的形状具有图2所示实例中的沟道形,但是FPC基板9的形状可以通过使FPC基板9弯曲而自由地改变。
发光装置3具有CAN封装结构。CAN封装是使用帽体形式的金属帽进行封装的密封结构。具体地,发光元件22通过未示出的副底座被安装在设置在柱20上的散热器块21上。发光元件22由半导体激光器元件等构成。用帽状件23(由金属制成并以围绕发光元件22的方式附接至块22的上面)和使设置在帽状件23中的开口闭合的光提取窗24来密封发光元件22。多个端子引脚25附接至柱20。端子引脚25在其一端处凸出至柱20的上面侧而在其另一端处凸出至柱20的下面侧。端子引脚25通过接合线电连接至发光元件22。
在具有上述配置的光学模块中,由发光元件22产生并通过光提取窗24发射的光通过底板1的开口8被引入到全息透镜6中。引入全息透镜6的光穿过棱镜7并照射到诸如光盘的外部对象上。被外部对象反射的光(即,返回光)被棱镜7和全息透镜6分光,并照射到IC芯片4的光接收部17上。
在根据本发明第一实施例的光学模块中,IC芯片4被安装在底板1上,光接收部17朝上,并且用于使光通过的窗11形成在FPC基板9中,同时IC芯片4被安装在FPC基板9上以通过窗11露出光接收部17。因此,实现了以下的工作效果(1)~(4)。
(1)消除了通过接合线在底板1和IC芯片4之间进行连接的需要。因此,不需要在底板1上确保用于接合线的区域。因此,可以预期尺寸和厚度的减小。
(2)消除了在底板1的上面和下面设置电极部或者在底板1中设置诸如过孔的电路径的需要。因此,可以显著减轻对底板1的材料或结构的限制。因此,扩大了用于底板1的材料的选择范围。结果,能够选择例如具有高热辐射性能的低成本金属材料作为底板1的材料。这在批量生产和成本方面是有利的。另外,在扩大材料选择范围的同时,易于提高底板1的热辐射特性。这在高温可靠性等方面也是有利的。另外,能够由不具有配线结构的单板材料来形成底板1。因此,考虑到热辐射性能、成本等,提高了诸如作为压模板或压制板(例如,锌压模板、铜板、铝板或氮化铝基板)而获得的金属板的材料选择的自由度。
(3)由于IC芯片4和FPC基板9彼此直接电连接,所以消除了配线的不必要配线等。这在提高IC芯片4的性能方面(诸如带宽的增大和噪声的降低)是有利的。
(4)消除了对将FPC基板9焊接至底板1的下面的需要。因此,可以消除以下问题:在电极数量按格型阵列增加的情况下,不能通过视觉观察来确认焊接状态。另外,在应用各向异性导电安装或超声波安装来将IC芯片4安装在FPC基板9上的情况下,与采用焊接安装的可选情况相比,可以实现更低温度且无尘的安装。这在可靠性和无污染状态方面是有利的。
<第二实施例>
图4示出了根据本发明第二实施例的光学模块的配置。参照图4,所示光学模块包括底板26、IC芯片(OEIC)27和FPC基板28,它们在结构上与图1的光学模块的那些部分的结构相似。然而,在图4的光学模块中,IC芯片27通过模片接合安装在底板26的上面,并且FPC基板28使用未示出的凸块连接至IC芯片27。图4的光学模块与图1的光学模块的相似之处在于IC芯片27在底板26上的安装结构和FPC基板28与IC芯片的附接结构。另外,在图4中,没有示出由全息透镜和用作分束器的棱镜构成的光学块。
在底板26的上面,连同IC芯片27一起安装发光元件29和朝上的反射镜30。发光元件29由半导体激光器元件等构成。发光元件29通过第一副底座31和第二副底座32被安装在底板26的上面。朝上的反射镜30通过第二副底座32被安装在底板26的上面。具体地,发光元件29和朝上的反射镜30通过用作共用副底座件的第二副底座32被安装在底板26上。在第二副底座32上,按照彼此相对的关系(即,在发光元件29的发光点和朝上的反射镜30的倾斜面形式的反射面彼此相对的状态下)设置发光元件29和朝上的反射镜30。例如,第一副底座31和第二副底座32使用AlN(氮化铝)、硅(Si)等形成。
另外,帽状件33被安装在底板26的上面。例如,帽状件33使用诸如与通用的CAN封装件类似的镀镍可伐尔合金(由铁、镍、钴等形成的合金)的金属材料形成。在帽状件33围绕包括第二副底座32的发光元件29和朝上的反射镜30的安装区域的状态下,帽状件33附接至底板26的上面。例如,通过电阻焊使帽状件33在其下面处接合并固定于底板26。开口34被设置在帽状件33的上端面处。开口34使从发光元件29发出并通过朝上的反射镜30而垂直地向上引导的光通过。利用例如由透明玻璃板形成的盖部件35使开口34闭合。盖部件35可以由具有透光性能的材料制成。使用低熔点玻璃或能够获得高密封性能的一些其他接合剂来将盖部件35接合并固定于由金属制成的帽状件33。
通孔36形成在底板26中。通孔36具有阶梯结构,其中,其在基板26的上面侧上以小直径打开,而在底板26的下面侧上以大直径打开。通孔36以与第二副底座32邻近的关系设置。电极端子件37附接至底板26的通孔36的部分。用电极端子件37使底板26的通孔36闭合。例如,通过接合剂按照使电极端子件37从底板26的下面侧适合通孔36的大直径部分的状态来附接电极端子件37。因此,用于发光元件29、朝上的反射镜30、第一副底座31和第二副底座32的安装空间被帽状件33、盖部件35和电极端子件37密封成不透气的状态。
图5A~图5C示出了电极端子件37的详细结构。电极端子件37以截面为倒T的形状形成。电极端子件37由例如陶瓷的层压体形成,以使其上端面具有与比其下端面更小的面积。另外,电极端子件37的上端面与底板26的上面齐平。两个电极部38被设置在电极端子件37的上端面上,而两个电极部39按照与电极部38对应的关系设置在电极端子件37的下端面上。另外,诸如过孔的电路径40被设置在电极端子件37的内部。电路径40建立了电极部38和39的对应电极部的电连接。例如,电路径40由嵌入金属形成。
电极端子件37通过接合线电连接至发光元件29。更具体地,发光元件29通过金属等的导线41电连接或耦合至设置在电极端子件37的上端面上的两个电极部38之一。同时,第一副底座31通过金属等的另一导线41电连接或耦合至电极部38中的另一个。通过诸如金属浆料的具有导电性的接合剂使发光元件29在其下面处接合至第一副底座31。因此,发光元件29通过一条导线41直接电连接至电极端子件37,并且通过第一副底座31和另一条导线41电连接至电极端子件37。
在具有上述配置的光学模块中,从发光元件29发出的光被朝上的反射镜30以直角反射并通过盖部件35而引入到未示出的全息透镜中。另外,被引入全息透镜的光穿过未示出的棱镜并照射到诸如光盘的外部对象上。另外,被外部对象反射的光(即,返回光)通过棱镜和全息透镜被分光,并照射到IC芯片27的光接收部上。
通过根据本发明第二实施例的光学模块,除了与通过根据本发明第一实施例的光学模块实现的工作效果相似的工作效果之外,还实现了以下工作效果。具体地,由于光学模块采用了用帽状件33、盖部件35和电极端子件37密封安装在底板26上的发光元件29的结构,所以与采用CAN型的封装结构的可选情况相比,可以实现厚度的减小。另外,由于通孔36被形成在底板26中并且电极端子件37附接至通孔36以将驱动发光元件29所必需的电极部39导出到外部,所以不需要在底板26上设置电极部。因此,用于底板26的材料选择的自由度不会劣化。另外,由于发光元件29和内置有光接收元件的IC芯片27被安装在底板26的上面侧,所以与其中安装了CAN型的发光装置的可选情况相比,可以高精确度来设定发光部和光接收部之间的位置关系。具体地,在使用例如压制金属板以平板结构形成底板26的情况下,可以容易实现关于发光部和光接收部之间的相对位置所需的精度。
另外,由于其上安装了发光元件29的第一副底座31和朝上的反射镜30被安装在共用的第二副底座32上,所以可以在第二副底座32上执行发光元件29与朝上的反射镜30的光学定位。因此,发光元件29和朝上的反射镜30可以以确保它们之间的位置关系的状态被安装在底板26上。因此,可以容易实现发光元件29、朝上的反射镜30和IC芯片27之间足够的相对位置精确性。
注意,用于密封发光元件29的安装空间的结构可以不是利用帽状件33和盖部件35的结构,而是例如通过电阻焊等将具有CAN封装所采用的玻璃窗的金属帽附接至底板26的上面的另一种结构。
注意,电极端子件37不限于陶瓷的层压体,而可以是例如硅的单层元件。具体地,可以使用如图6所示的这种配置,其中,如图6所示,由硅的单层元件形成的电极端子件37附接至底板26在通孔36处的部分。在此情况下,可以采用这种结构:如图7所示,彼此对应的两个电极部38和两个电极部39被设置在电极端子件37的上面和下面,而用于使电极部38和39电连接的电路径40被设置在电极端子件37的内部。
另外,电极端子件37的主要材料并不限于具有绝缘性的材料,而可以是具有导电性的材料。然而,在此情况下,当形成电极部38和39时或者当形成电路径40时,需要应用例如绝缘涂覆工艺来维持电极部38和39之间或电路径40与具有导电性的电极端子件37的主要材料之间的电绝缘性。因此,有利于使用具有绝缘性的材料用于电极端子件37的主要材料的制造工艺。
现在,描述根据本发明的第二实施例的光学模块的变型例。
<第一变型例>
图8示意性示出了根据本发明第二实施例的光学模块的第一变型例。参照图8,变型后的光学模块被配置为使发光元件29通过第一副底座31(而没有使用上文描述的第二副底座32)安装在底板26的上面,并且朝上的反射镜30被安装在底板26的上面。也就是说,发光元件29和朝上的反射镜30被分别安装在底板26上。另外,通孔36被设置在第一副底座31的安装位置与朝上的反射镜30的安装位置之间,并且由陶瓷层压体形成的电极端子件37附接至通孔36,同时发光元件29和电极端子件37彼此通过接合线电连接。例如,在从发光元件29向朝上的反射镜30发出的光的路径开始相对于图8的平面的深度方向上,以偏移关系设定导线41的位置,从而使得导线41不会与光路径发生干扰。通过所述配置,在底板26上执行发光元件29和朝上的反射镜30的光学定位。在此情况下,可以应用用于激光耦合器的公知制造工艺。这在批量生产和成本降低方面是有利的。
<第二变型例>
图9示意性示出了根据本发明第二实施例的光学模块的第二变型例。参照图9,第二变型例的光学模块与第一变型例的光学模块的不同之处在于电极端子件37的配置。具体地,第一变型例的光学模块的电极端子件37由陶瓷的层压体形成,而第二变型例的光学模块的电极端子件37由硅制成的单层元件形成。注意,虽然在以下描述的多个实施例的描述中描述了电极端子件37由陶瓷的层压体形成,但是在所有的这些变型例中,都能够由硅制成的单层元件来形成电极端子件37。
<第三变型例>
图10是示意性示出了根据本发明第二实施例的光学模块的第三变型例。在该第三变型例中,凹部42被形成在底板26上,并且上述发光元件29、朝上的反射镜30、第一副底座31和第二副底座32被安装在凹部42中。另外,通孔36以其对凹部42的底面打开的方式形成在底板26中,电极端子件37附接至通孔36,以及发光元件29和电极端子件37彼此通过接合线电连接。
<第四变型例>
图11示意性示出了根据本发明第二实施例的光学模块的第四变型例。参照图11,在该第四变型例中,当与第三变型例相比时,由玻璃制成的盖部件35通过接合层43直接接合至底板26的上面,而无需使用帽状件33。接合层43是使用低熔点玻璃或一些其他接合剂形成的,从而能够实现高密封性能。
<第五变型例>
图12示意性示出了根据本发明第二实施例的光学模块的第五变型例。参照图12,在该第五变型例中,类似于上述第一变型例,发光元件29通过第一副底座31被安装在底板26的上面,并且朝上的反射镜30被安装在底板26的上面,而没有使用上述第二副底座32。另外,通孔36被设置在第一副底座31的安装位置和朝上的反射镜30的安装位置之间,并且由陶瓷的层压体构成的电极端子件37附接至通孔36,同时发光元件29和电极端子件37彼此通过接合线电连接。另外,在该第五变型例中,类似于上述第三变型例,在底板26上形成凹部42,并且在凹部42内安装上述发光元件29、朝上的反射镜30、第一副底座31和第二副底座32。此外,通孔36以对凹部42的底面打开的方式形成在底板26中,并且电极端子件27附接至通孔36,以及发光元件29和电极端子件37彼此通过接合线电连接。
<第六变型例>
图13示意性示出了根据本发明第二实施例的光学模块的第六变型例。参照图13,在该第六变型例中,类似于上述第一变型例,发光元件29通过第一副底座31被安装在底板的上面,并且朝上的反射镜30被安装在底板26的上面,而没有使用上述第二副底座32。另外,通孔36被设置在第一副底座31的安装位置和朝上的反射镜30的安装位置之间,并且由陶瓷的层压体构成的电极端子件37附接至通孔36,同时发光元件29和电极端子件37彼此通过接合线电连接。另外,在该第六变型例中,类似于上述第三变型例,在底板26上形成凹部41,并且在凹部42内安装上述发光元件29、朝上的反射镜32、第一副底座31和第二副底座32。此外,通孔36以对凹部42的底面打开的方式形成在底板26中,并且电极端子件37附接至通孔36,并且发光元件29和电极端子件37彼此通过接合线电连接。另外,在第六实施例中,类似于上述第四实施例,玻璃的盖部件35通过接合层43直接接合至底板26的上面,而没有使用帽状件33。
本发明还可以被实现为使用上述实施例和变型例的光学模块中的任一个的光学拾取装置。另外,本发明还可以被实现为包括光学拾取装置的光盘记录和再生装置。此外,本发明不仅可以应用于光盘,而且可以广泛应用于需要小型化或厚度减小的各种光学设备。
尽管已使用特定术语描述了本发明的优选实施例,但是这种描述仅是为了说明,应理解,在不背离所附权利要求的精神和范围的情况下,可以进行各种变化和改变。

Claims (9)

1.一种光学模块,包括:
底板,其具有通孔;
发光元件,安装在所述底板上;
光接收元件内置型的集成电路元件,通过接合线安装在所述底板上并具有光接收部,所述光接收部用于接收来源于从所述发光元件发出的光的返回光;以及
电路板,具有用于使光通过的窗,并在通过所述窗露出所述光接收部的状态下连接至所述集成电路元件。
2.根据权利要求1所述的光学模块,其中,
所述光学模块还包括电极端子件,在使所述通孔闭合的状态下被附接至所述底板在所述通孔处的部分,
所述发光元件电连接至所述电极端子件。
3.根据权利要求2所述的光学模块,其中,
所述底板是使用压模板或压制板形成的。
4.根据权利要求2所述的光学模块,其中,
所述集成电路元件和所述电路板通过超声波安装或各向异性导电安装而彼此电且机械地连接。
5.根据权利要求2所述的光学模块,还包括:
朝上的反射镜,用于垂直地反射从所述发光元件发出的光,
所述发光元件和所述朝上的反射镜通过共用副底座件被安装在所述底板上。
6.根据权利要求2所述的光学模块,还包括:
朝上的反射镜,用于垂直地反射从所述发光元件发出的光,
所述发光元件和所述朝上的反射镜被分别安装在所述底板上。
7.根据权利要求1所述的光学模块,其中
所述底板是使用压模板或压制板形成的。
8.根据权利要求1所述的光学模块,其中,
所述集成电路元件和所述电路板通过超声波安装或各向异性导电安装而彼此电且机械地连接。
9.一种光学拾取装置,包括:
光学模块,包括:
底板,其具有通孔;
发光元件,安装在所述底板上;
光接收元件内置型的集成电路元件,通过接合线安装在所述底板上并具有光接收部,所述光接收部用于接收来源于从所述发光元件发出的光的返回光;以及
电路板,具有用于使光通过的窗,并在通过所述窗露出所述光接收部的状态下连接至所述集成电路元件。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5338788B2 (ja) * 2010-11-10 2013-11-13 船井電機株式会社 レーザホルダ、及び、それを備えた光ピックアップ
US8469607B2 (en) 2011-05-09 2013-06-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Opto-electronics with compliant electrical contacts
CN112397107A (zh) * 2019-08-16 2021-02-23 神讯电脑(昆山)有限公司 储存装置的加热及散热结构

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1301010A (zh) * 1999-12-20 2001-06-27 德国汤姆逊-布朗特公司 读和/或写光记录介质的装置
EP1253587A2 (en) * 2001-04-24 2002-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical disk apparatus and optical disk processing method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0521655A (ja) * 1990-11-28 1993-01-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体装置用パツケージ
JPH07161065A (ja) * 1993-10-15 1995-06-23 Sanyo Electric Co Ltd 光ピックアップ装置
JPH11251373A (ja) 1998-02-26 1999-09-17 Nippon Denki Factory Engineering Kk テープキャリアパッケージ
JP2000048391A (ja) * 1998-07-24 2000-02-18 Fujitsu Ltd 光集積モジュール
JP2000228534A (ja) * 1999-02-05 2000-08-15 Olympus Optical Co Ltd 光半導体実装装置
JP2001351266A (ja) * 2000-04-06 2001-12-21 Fujitsu Ltd 光ピックアップ及び光記憶装置
JP3741108B2 (ja) * 2003-03-18 2006-02-01 ソニー株式会社 レーザー発光モジュール
JP2006048804A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 受光回路実装体
JP4305859B2 (ja) * 2005-06-06 2009-07-29 シャープ株式会社 光集積モジュールおよび光ピックアップ装置
JP2007035884A (ja) 2005-07-26 2007-02-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1301010A (zh) * 1999-12-20 2001-06-27 德国汤姆逊-布朗特公司 读和/或写光记录介质的装置
EP1253587A2 (en) * 2001-04-24 2002-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical disk apparatus and optical disk processing method

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