FR2713828A1 - Laser à semiconducteurs. - Google Patents

Laser à semiconducteurs. Download PDF

Info

Publication number
FR2713828A1
FR2713828A1 FR9414983A FR9414983A FR2713828A1 FR 2713828 A1 FR2713828 A1 FR 2713828A1 FR 9414983 A FR9414983 A FR 9414983A FR 9414983 A FR9414983 A FR 9414983A FR 2713828 A1 FR2713828 A1 FR 2713828A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
semiconductor laser
laser
resin
molded
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR9414983A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2713828B1 (fr
Inventor
Kitamura Shoji
Shindo Yoichi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Publication of FR2713828A1 publication Critical patent/FR2713828A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2713828B1 publication Critical patent/FR2713828B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232—Lead-frames
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0231—Stems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
    • H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

L'invention concerne les lasers à semiconducteurs moulés dans de la résine. Un laser à semiconducteurs comprend une partie de résine d'encapsulation qui est formée par une partie plate (25) recouvrant une partie principale d'un élément à diode laser (1), et une partie de bride (26), moulée d'un seul tenant avec la partie plate et recouvrant les extrémités de conducteurs de connexion (12a). La configuration symétrique de la partie plate supprime un déplacement du point d'émission du faisceau laser sous l'effet de contraintes thermiques et la partie de bride facilite le montage dans un appareil qui utilise le laser. Application aux lecteurs de disques compacts.

Description

Laser à semiconducteurs
La présente invention concerne un laser à semi-
conducteurs et elle concerne plus particulièrement une couche de résine d'encapsulation pour encapsuler un élément à diode laser (encore appelé ci-après simplement DL) du laser à semiconducteurs. On utilise des lasers à semiconducteurs dans divers dispositifs et appareils optiques, tels que des dispositifs d'enregistrement à disque optique, comprenant des dispositifs d'enregistrement à disque compact (appelés ci-après simplement CD), des imprimantes à faisceau laser, etc. (ces équipements sont appelés simplement ci-après
appareils ou appareils optiques).
Les lasers à semiconducteurs comprennent un laser à semiconducteurs monté en boîtier métallique, de type bien connu, représenté sur les figures 5(a) et 5(b), qui illustrent schématiquement une configuration et un
montage du laser à semiconducteurs en boîtier métallique.
Comme le montre une vue partiellement en perspective de la figure 5(a), un élément à DL, constitué par une puce de DL 1 et par une couche d'embase 2 à titre de plaquette de radiateur, est brasé sur un bloc de radiateur 4 faisant saillie vers le haut à partir d'une base 3. Un capot 6, comportant une fenêtre en verre 5 à son sommet, destiné à recouvrir et à protéger la puce de DL 1, est brasé sur la
base 3. La figure 5(b) est une coupe montrant l'installa-
tion du laser à semiconducteurs sur un appareil optique 7.
Le capot 6 est introduit dans un trou 8 de l'appareil 7.
Sur la figure 5(b), un faisceau laser 9 est émis dans une
direction indiquée par une flèche.
La figure 6(a) est une vue en plan de face de la diode laser et la figure 6(b) est une coupe selon la ligne A-A de la figure 6(a). Sur les figures 6(a) et 6(b), les éléments identiques à ceux des figures 5(a), 5(b) sont
désignés par les mêmes références numériques. Comme repré-
senté sur la figure 6(a), le point d'émission de faisceau laser de la diode laser doit être maintenu à un point prédéterminé. La puce de DL est conçue de façon que son point d'émission de faisceau laser soit positionné à un point d'intersection 10 d'un axe central de la base 3 et de la fenêtre en verre 5, d'un axe vertical X d'une surface principale du bloc de radiateur 4, et d'un axe Y
parallèle à la surface principale du bloc de radiateur 4.
Ceci détermine la disposition de l'embase 2 et du corps de radiateur 4. Comme représenté sur la figure 5(b), le laser
à semiconducteurs est installé sur un appareil 7, habi-
tuellement par l'introduction du capot 6 dans le trou 8, et par adhérence ou soudage sous pression d'une partie de bride 3a de la base 3 sur l'appareil 7. La position du point d'émission de faisceau laser est définie par la périphérie extérieure et par une face supérieure de la partie de bride 3a. La forme et les dimensions du laser à semiconducteurs comprenant la partie de bride 3a ont été
normalisées de façon à éviter des changements de concep-
tion et des parties des appareils dans lesquels le laser à semiconducteurs est incorporé. Par exemple, le diamètre extérieur du laser à semiconducteurs le plus courant, avec une puissance de sortie faible, de 3 à 5 mW, qui est utilisé pour les disques compacts, est spécifié à 5,6 mm, et le diamètre extérieur des lasers à semiconducteurs à
puissance de sortie élevée est spécifié à 9 mm.
Un laser à semiconducteurs que l'on envisage de développer doit pouvoir être utilisé de la même manière que les lasers à semiconducteurs classiques, pour éviter les changements précités de conception et de parties des appareils. Ainsi, le nouveau laser à semiconducteurs doit être identique au laser classique en ce qui concerne sa
structure d'installation et la position du point d'émis-
sion de faisceau laser. De plus, le nouveau laser à semi-
conducteurs doit être plus économique que le laser classi-
que. On a développé récemment un laser à semiconducteurs du type encapsulé dans une résine (type moulé), qui est plus économique que le laser à semiconducteurs classique, monté en boîtier métallique. Le laser à semiconducteurs moulé offre davantage de liberté en ce qui concerne le choix de sa forme et de ses dimensions, en comparaison
avec le laser en boîtier métallique.
La figure 7 est une vue en perspective montrant le laser à semiconducteurs moulé précité, qui est décrit dans la publication de brevet du Japon ouvert à l'examen du public H02-126 687, et dans la publication de brevet du Japon ouvert à l'examen du public H02-126 688. Sur la figure 7, le laser à semiconducteurs moulé est formé par une puce de DL 1 montée sur une couche d'embase 2, et par
une couche de résine d'encapsulation 11, de forme cylin-
drique, consistant par exemple en une résine époxy trans-
parente, qui entoure la puce de DL 1 et la couche d'embase 2. La couche de résine d'encapsulation 11 comprend à son tour une partie de bride cylindrique lla, correspondant à
la partie de bride 3a de la base 3 dans le laser à semi-
conducteurs en boîtier métallique. Le laser à semiconduc-
teurs moulé est attaqué par l'intermédiaire de conducteurs de connexion 12 et de fils d'or 13. Le moulage avec de la résine a été appliqué aux sources de lumière ayant une faible densité de faisceau par unité d'aire, comme des
diodes électroluminescentes (DEL).
La figure 8 est une coupe schématique montrant la structure de la puce de DL 1. Sur la figure 8, la puce de DL 1 comporte une double hétérostructure (ou DH) qui est formée par un substrat en GaAs de type n 14, une couche de gaine en AlGaAs de type n 15, une couche active en GaAs 16, une couche de gaine de type p 17 et une couche de recouvrement de type p 18. Une surface supérieure de la couche de recouvrement de type p 18 (face principale de la puce de DL) est recouverte par une électrode 19, et la surface inférieure du substrat en GaAs 14 est recouverte
par une électrode arrière 20.
La figure 9 est une coupe de la puce de DL 1 selon la ligne A-A de la figure 8. Sur la figure 9, les éléments qui sont identiques à ceux de la figure 8 sont désignés par les mêmes références numériques. Comme représenté sur la figure 9, la puce de DL 1 comprend en outre des couches de protection 22 formées sur des faces d'extrémités 21 par lesquelles le faisceau laser 9 est émis. Les couches de protection 22 sont formées pour éviter une détérioration des faces d'extrémités 21. La couche de protection 22 consiste par exemple en silicone qui présente un coefficient d'absorption optique de valeur faible dans la gamme de longueurs d'onde du faisceau laser 9, et une endurance thermique élevée. Les couches de protection 22 évitent une dégradation des propriétés du laser à semiconducteurs sous l'effet de l'endommagement optique de la couche de résine d'encapsulation 11. Les couches de protection 22, qui sont intercalées entre les faces d'extrémités de la puce de DL 1 et la couche de
résine d'encapsulation 11, atténuent la densité du fais-
ceau laser dans la couche de résine d'encapsulation 11 et elles évitent que la couche époxy d'encapsulation 11 ne
soit endommagée de façon optique par le faisceau laser 9.
Le moulage avec de la résine pour les lasers à semiconducteurs, décrit ci-dessus, convient bien pour la réduction du coût et l'augmentation de la liberté de conception des lasers à semiconducteurs. Le moulage avec de la résine est également applicable à des diodes lasers
ayant une densité de faisceau élevée. Le laser à semicon-
ducteurs moulé avec de la résine, représenté sur la figure 7, qui a la même forme que le laser à semiconducteurs en
boîtier métallique classique, est bien adapté pour l'ins-
tallation dans les appareils optiques.
Les figures 10(a) et 10(b) montrent une partie principale du laser à semiconducteurs moulé avec de la résine qui est représenté sur la figure 7, et parmi ces figures, la figure 10(a) est une vue en plan de face et la figure 10(b) est une coupe selon la ligne A-A de la figure (a). Sur les figures 10(a) et 10(b), les éléments identiques à ceux de la figure 7 sont désignés par les mêmes références numériques. Sur la figure 10(a), la puce de DL 1 est positionnée au centre de la couche de résine d'encapsulation 11, à un point d'intersection 10 d'un axe X (perpendiculaire à la face principale de la puce de DL 1) et d'un axe Y (parallèle à la face principale de la
puce de DL 1), de façon similaire au laser à semiconduc-
teurs en boîtier métallique (voir la figure 6(a)). Le
centre 23 des conducteurs de connexion 12 est inévitable-
ment déplacé d'une distance de décalage Adécal qui est déterminée par la position de la puce de DL 1, l'épaisseur de la couche d'embase 2 et l'épaisseur des conducteurs de connexion 12. Les explications concernant la figure 10(b)
seront omises pour éviter une répétition.
Deux problèmes principaux, décrits ci-dessous, affectent la structure du laser à semiconducteurs qui est
représenté sur les figures 10(a) et 10(b).
(1) Le point d'émission de faisceau laser se déplace sous l'effet d'une élévation de température de la résine autour de la puce deDL 1 qui est occasionnée par l'application
d'énergie à la puce de DL 1 ou par une élévation de tempé-
rature de l'environnement.
(2) La couche de résine d'encapsulation 11 se décolle de la couche de protection 22. Ce décollement entraîne une détérioration des caractéristiques d'émission de faisceau (caractéristiques de diagramme de champ lointain, ou
"caractéristiques DCL").
On va maintenant expliquer de façon plus détail-
lée le problème (1). On examinera le déplacement du point d'émission de faisceau laser en se référant à la figure 11. La figure 11 est une représentation graphique montrant la relation entre le déplacement du point d'émission de faisceau laser dans la direction X indiquée sur la figure
(a), et le temps de fonctionnement du laser à semicon-
ducteurs. Sur la figure 11, la ligne en trait mixte repré-
sente le déplacement dans le laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine de forme cylindrique, et la ligne
continue représente le déplacement dans un laser à semi-
conducteurs moulé dans un bloc de résine de forme plate,
que l'on décrira ultérieurement.
Comme le montre la figure 11, le point d'émis-
sion du faisceau laser se déplace dans la direction X lorsque le laser à semiconducteurs des figures 10(a),
(b) est attaqué avec un courant de 50 mA à la tempéra-
ture ambiante. Comme représenté sur la figure 11, le point d'émission du faisceau laser se déplace de 0,5 Vm dans la direction -X (la direction +X est prise du côté de la puce
de DL 1 et la direction -X est prise du côté des conduc-
teurs de connexion 12), en 2 min après la mise sous tension de la diode laser, et il retourne à la position d'origine en 2 min après la mise hors tension de la diode laser. Lorsque ce laser à semiconducteurs est incorporé par exemple dans un capteur optique pour un dispositif d'enregistrement à disque compact, un défaut se produit
dans le dispositif d'enregistrement à disque compact immé-
diatement après la mise sous tension du laser à semicon-
ducteurs, ou en présence d'un changement de température de l'environnement. Les inventeurs ont trouvé que le déplacement du
point d'émission du faisceau laser correspond au déplace-
ment des conducteurs de connexion 12 dans la direction X sous l'effet de la dilatation thermique de la couche de résine d'encapsulation 11 qui est occasionnée par la chaleur qui est produite par la puce de DL 1 ou par un
changement de température de l'environnement. Ce déplace-
ment des conducteurs de connexion 12 sous l'effet de la
dilatation thermique de la couche de résine d'encapsula-
tion est étroitement lié au décalage 24 de valeur décal des conducteurs de connexion 12 par rapport au centre 10
de la couche de résine d'encapsulation 11 qui est repré-
sentée sur les figures 10(a), 10(b). Cependant, le déca- lage A décal affecte le déplacement du point d'émission du faisceau laser par l'intermédiaire de la dilatation thermique de la couche de résine d'encapsulation 11 au voisinage de la puce de DL 1. La dilatation thermique de la couche de résine d'encapsulation 11 loin de la puce de DL 1, par exemple la dilatation thermique de la partie de bride lla des figures 10(a), 10(b), n'occasionne pas le
déplacement du point d'émission du faisceau laser.
Il est nécessaire d'éviter le déplacement du point d'émission du faisceau laser lorsqu'on forme la couche de résine d'encapsulation 11, en plaçant les conducteurs de connexion 12 au centre de symétrie de la couche de résine d'encapsulation 11. Si on considère une coupe d'une partie supérieure d'un conducteur de connexion central, parallèlement à la face d'émission de faisceau laser avant de la puce de DL 1, il suffit de former la couche de résine d'encapsulation 11 de manière symétrique en volume, au moins au voisinage de la partie principale de la puce de DL 1, par rapport à un axe (parallèle à
l'axe Y) de la partie supérieure du conducteur de conne-
xion central 12a. Ainsi, il est nécessaire de former la couche de résine d'encapsulation 11 de façon que le centre de la couche de résine d'encapsulation 11 puisse coïncider avec le centre 23 de la partie supérieure du conducteur de connexion central 12a, bien qu'il ne soit pas toujours nécessaire de former la couche de résine d'encapsulation 11 de manière symétrique dans ses parties
éloignées de la puce de DL 1 ou des conducteurs de conne-
xion 12.
Le problème du décollement mentionné en (2) est
résolu en pratique en formant la couche de résine d'encap-
sulation 11 de manière symétrique par rapport aux conduc-
teurs de connexion 12, comme décrit ci-dessus, et en donnant à cette couche la forme d'une plaquette plate et mince.
La figure 12 est une vue en perspective schéma-
tique montrant un laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine de forme plate, qui est décrit dans la publication de brevet du Japon ouvert à l'examen du public
H02-125 687. Ce laser à semiconducteurs facilite l'absorp-
tion des contraintes occasionnées par la dilatation thermique de la résine, en réduisant le volume de la résine qui recouvre la couche de protection 22, et en égalisant le volume de résine d'encapsulation autour de la
puce de DL 1.
Le Tableau 1 compare des propriétés électriques et optiques mesurées au cours de cycles prédéterminés d'un
test de cycles thermiques qui a été effectué sur un échan-
tillon de test d'un laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine de forme cylindrique, comme représenté sur la figure 7, et sur un échantillon de test d'un laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine de forme plate et mince, comme représenté sur les figures 10(a),
(b). Dans les deux échantillons de lasers à semiconduc-
teurs, les couches de protection 22 étaient constituées par une résine gommeuse d'un composé organique de silicium dont le principal composant consistait en diméthylsiloxane. Le test de cycles thermiques a été effectué en répétant un cycle thermique qui comprend un chauffage à 85 C pendant 30 min, un refroidissement rapide jusqu'à -40 C et le maintien à -40 C pendant 30 min, suivi
par le retour à 85 C.
Tableau 1 - Résultat du test de cycles thermiques Nombres de Forme de la couche Nbres de N d'échan- de résine cycles tillon d'encapsulation Nature du défaut thermiques
100 200 300 400
Dégradation du 0 5 8 12
DCL (%)
1 Cylindrique Défaut autre que 0 0 0 0 la dégradation du DCL (%) Dégradation du 0 0 0 0
DCL (%)
2 Plate Défaut autreque 0 0 0 0 la dégradation du DCL (%) Comme indiqué dans le Tableau 1, le diagramme en champ lointain (DCL) du faisceau laser issu du laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine cylindrique de la figure 7 s'est dégradé au cours du test de cycles thermiques. Cependant, on n'a observé aucun défaut sur le laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine de
forme plate et mince des figures 10(a), 10(b). La dégra-
dation observée du diagramme en champ lointain (DCL) a été occasionnée par le décollement de la couche de protection 22 et de la couche de résine d'encapsulation 11. Par conséquent, le laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine de forme plate et mince évite le décollement des
couches de résine.
Dans ce laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine de forme plate et mince, il n'est apparu aucun déplacement du point d'émission du faisceau laser,
comme le montre la figure 11.
Comme décrit ci-dessus, le laser à semiconduc-
teurs moulé dans un bloc de résine convient bien pour la réduction du coût, indépendamment du fait que sa couche de
résine d'encapsulation soit cylindrique ou plate et mince.
Bien que le laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine cylindrique puisse être monté aisément sur un appareil, comme le laser à semiconducteurs en boîtier
métallique, au moyen de la partie de bride qui est réali-
sée sous la forme d'une portion de la couche de résine d'encapsulation, la couche de résine d'encapsulation est volumineuse et dissymétrique par rapport à l'axe des conducteurs de connexion. Cette dissymétrie crée des contraintes sous l'effet d'un changement de température et elle entraîne une dégradation du DCL sous l'effet du déplacement du point d'émission du faisceau laser. Le laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine de
forme plate et mince, dont la couche de résine d'encapsu-
lation a un faible volume et est symétrique par rapport à l'axe du conducteur de connexion, résout le problème décrit ci-dessus. Cependant, le laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine de forme plate et mince classique n'est pas monté sur un appareil de la même
manière que le laser à semiconducteurs en boîtier métalli-
que, du fait que le laser à semiconducteurs moulé dans un bloc de résine de forme plate et mince classique est dépourvu de la partie de bride. Par conséquent, les lasers à semiconducteurs moulés dans un bloc de résine de forme cylindrique et ceux qui sont moulés dans un bloc de résine de forme plate et mince ont chacun leurs avantages et
leurs inconvénients.
Compte tenu de ce qui précède, la présente
invention a pour but de procurer un laser à semiconduc-
teurs moulé dans de la résine qui puisse être monté
aisément sur les appareils, comme le laser à semiconduc-
teurs en boîtier métallique, et qui élimine le déplacement du point d'émission du faisceau laser et le décollement des couches de résine. Le but de la présente invention est atteint au moyen d'un laser à semiconducteurs qui comprend une puce de diode laser, connectée à des moyens de connexion (conducteurs de connexion) par l'intermédiaire d'une couche d'embase, pour émettre un faisceau laser; et une couche de résine d'encapsulation, transparente au faisceau laser, qui est destinée à recouvrir étroitement les moyens de connexion et au moins une partie principale de la puce de diode laser, et dans lequel la couche de résine
d'encapsulation comprend en outre une partie plate recou-
vrant au moins la partie principale de la puce de diode laser; et au moins une partie de bride qui est formée d'un seul tenant avec la partie de résine plate et qui recouvre une partie terminale des moyens de connexion dans laquelle les moyens de connexion sont connectés à un appareil dans lequel le laser à semiconducteurs est incorporé. La partie
plate comprend en outre des surfaces supérieure et infé-
rieure disposées symétriquement par rapport à un axe horizontal qui passe par un centre des moyens de connexion (alignement des conducteurs de connexion) qui est défini par la position de la puce de diode laser, et des faces latérales disposées symétriquement par rapport à un axe
vertical qui passe par le centre des moyens de connexion.
De plus, la partie de bride, ou chacune d'elles, comprend en outre une surface périphérique dont le centre de courbure coïncide avec un point d'émission du faisceau
laser de la puce de diode laser.
Dans le laser à semiconducteurs conforme à la présente invention, la partie plate de la couche de résine d'encapsulation est formée d'une manière telle que, au moins autour de la partie principale de la puce de DL, ses
surfaces supérieure et inférieure soient disposées symé-
triquement par rapport à un axe horizontal des moyens de connexion (parallèle à l'alignement des conducteurs de connexion), et ses deux faces latérales soient disposées symétriquement par rapport à un axe vertical des moyens de connexion (perpendiculaire à l'alignement des conducteurs de connexion). Par conséquent, cette configuration de la partie plate supprime la génération de contraintes qui
sont occasionnées par la différence de dilatation thermi-
que entre la résine d'encapsulation et les conducteurs de connexion, et empêche le déplacement du point d'émission
du faisceau laser. En plus de ceci, la surface périphéri-
que extérieure de la partie de bride de la couche de résine d'encapsulation a un centre de courbure qui coïncide avec le point d'émission du faisceau laser de la
puce de DL. Du fait que la courbure de la surface périphé-
rique extérieure peut être fixée égale à la courbure de la partie de bride du laser à semiconducteurs en boîtier métallique, la configuration de la partie de bride facilite l'incorporation du laser à semiconducteurs de la présente invention dans des appareils dans lesquels le
laser à semiconducteurs est utilisé.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la
description qui va suivre de modes de réalisation, donnés
à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la descrip-
tion se réfère aux dessins annexés dans lesquels: La figure l(a) est une vue en plan de face
montrant schématiquement la structure d'une partie princi-
pale du laser à semiconducteurs conforme à la présente invention, et la figure l(b) est une vue en plan de dessus de la partie principale du laser à semiconducteurs de la figure l(a); La figure 2 est une vue en perspective montrant schématiquement un aspect externe caractéristique du laser à semiconducteurs moulé dans de la résine conforme à la présente invention; La figure 3(a) est une coupe du guide de laser cylindrique d'une tête de lecture optique pour disques compacts sur lequel est monté le laser à semiconducteurs moulé dans de la résine conforme à l'invention, la figure 3(b) est une vue en plan du guide de laser cylindrique, vu par la face supérieure du laser à semiconducteurs moulé dans de la résine qui est monté dans le guide, la figure 3(c) est une coupe du guide de laser cylindrique sur lequel est monté le laser à semiconducteurs en boîtier métallique classique, et la figure 3(d) est une vue en plan du guide de laser cylindrique 28, vu par la face
supérieure du laser à semiconducteurs en boîtier métalli-
que monté dans le guide; Les figures 4(a), 4(b) et 4(c) sont des vues en perspectives qui représentent schématiquement différents aspects externes du laser à semiconducteurs moulé dans de la résine conforme à la présente invention;
La figure 5(a) est une vue en perspective repre-
sentant schématiquement la configuration d'un laser à semiconducteurs en boîtier métallique classique, et la figure 5(b) est une coupe montrant le montage du laser à semiconducteurs en boîtier métallique classique; La figure 6(a) est une vue en plan de face d'une diode laser, et la figure 6(b) est une coupe selon la ligne A-A de la figure 6(a); La figure 7 est une vue en perspective montrant le laser à semiconducteurs moulé dans de la résine de type classique;
La figure 8 est une coupe montrant schématique-
ment la structure d'une puce de diode laser; La figure 9 est une coupe de la puce de diode laser selon la ligne A-A de la figure 8; La figure 10(a) est une vue en plan de face montrant une partie principale du laser à semiconducteurs moulé dans de la résine de la figure 7, et la figure 10(b) est une coupe selon la ligne A-A de la figure 10(a); La figure 11 est une représentation graphique
montrant la relation entre le déplacement du point d'émis-
sion du faisceau laser dans la direction X représentée sur la figure 10(a), et la durée de fonctionnement du faisceau laser; et La figure 12 est une vue en perspective montrant schématiquement le laser à semiconducteurs moulé dans un
bloc de résine de forme plate classique.
Les éléments qui sont identiques à ceux des figures que l'on a déjà expliquées sont désignés par les
mêmes références numériques.
Le laser à semiconducteurs comprend une puce de DL 1 dont les faces d'extrémités sont recouvertes par des couches de protection non représentées, qui est connectée à des moyens de connexion 12 par l'intermédiaire d'une
couche d'embase 2. Sur la figure l(b) les moyens de conne-
xion 12 sont constitués plus précisément par trois conduc-
teurs de connexion alignés dans un plan (plan de conduc-
teurs). Un conducteur de connexion central 12a est plus long que les deux autres et sa partie supérieure est agrandie latéralement sur les deux autres conducteurs de connexion dans le plan de conducteurs. La puce de DL 1 est montée sur la couche d'embase 2 qui est elle-même montée
sur la partie supérieure agrandie du conducteur de conne-
xion central 12a. Une couche d'encapsulation en résine époxy transparente (couche de résine d'encapsulation) comprend une partie plate 25 et deux parties de bride semi-cylindriques 26 qui sont moulées d'un seul tenant avec la partie plate 25. La partie plate 25 recouvre au moins une partie principale d'un élément à DL comprenant la puce de DL 1. Les parties de bride semi-cylindriques 26 font saillie latéralement à partir de la partie plate
et elles recouvrent la zone située autour des extré-
mités terminales des conducteurs de connexion 12 (partie
terminale des moyens de connexion 12, au niveau de laquel-
le les moyens de connexion 12 sont connectés à un appareil dans lequel le laser à semiconducteurs est incorporé). Les
surfaces périphériques des parties de bride semi-cylin-
driques 26 ont un rayon de courbure commun prédéterminé.
La partie plate 25 de la couche de résine d'encapsulation de la présente invention correspond, en ce qui concerne sa structure principale, à la couche de résine d'encapsulation 11 de la figure 12. Le centre de la partie plate 25 coïncide avec le centre 23 de la partie supérieure du conducteur de connexion central 12a. Les surfaces supérieure et inférieure de la partie plate 25 sont disposées dans des positions symétriques, dans la direction de la largeur (direction Y), par rapport au centre 23, et les faces latérales de la partie plate 25 sont disposées dans des positions symétriques dans la direction de l'épaisseur (direction X) par rapport au centre 23. Cette configuration supprime la génération de contraintes sous l'effet de la différence de dilatation thermique entre la résine d'encapsulation et les conduc-
teurs de connexion 12.
La configuration de la partie de bride 26 coïncide presque avec celle de la partie de bride lla de la partie de résine d'encapsulation 11 des figures 7 et 10. Le centre de courbure de la périphérie extérieure de la partie de bride 26 coïncide avec le point d'émission de faisceau laser 27 de la puce de DL 1, et la périphérie extérieure de la partie de bride 26 s'inscrit dans un
cercle imaginaire représenté par une ligne en pointillés.
Le rayon de courbure de ce cercle imaginaire, c'est-à-dire
le rayon de courbure de la partie de bride 26, est déter-
miné de façon que la partie de bride 26 facilite le montage sur un appareil du laser à semiconducteurs moulé dans de la résine, comme la partie de bride lla du laser à
semiconducteurs monté en boîtier métallique.
La figure 2 est une vue en perspective montrant schématiquement un aspect externe caractéristique du laser à semiconducteurs moulé dans de la résine, conforme à la
présente invention.
Les figures 3(a) - 3(d) comprennent une coupe et une vue en plan d'un guide de laser cylindrique 28 d'une tête de lecture optique pour disque compact, dans lequel est monté le laser à semiconducteurs moulé dans de la
résine conforme à la présente invention, à titre de compa-
raison avec le montage du laser à semiconducteurs en boîtier métallique classique. La figure 3(a) est une coupe du guide de laser cylindrique 28 d'une tête de lecture optique pour disque compact, sur lequel est monté le laser à semiconducteurs moulé dans de la résine conforme à la présente invention; la figure 3(b) est une vue en plan du guide de laser cylindrique 28, vu par la face supérieure du laser à semiconducteurs moulé dans de la résine qui est monté dans le guide; la figure 3(c) est une coupe du guide de laser cylindrique 28 dans lequel est monté le laser à semiconducteurs en boîtier métallique classique; et la
figure 3(d) est une vue en plan du guide de laser cylin-
drique 28, vu par la face supérieure du laser à semicon-
ducteurs en boîtier métallique qui est monté dans le guide. Sur toutes ces figures, les éléments identiques à ceux que l'on a déjà décrits sont désignés par les mêmes références numériques. Comme on l'a déjà indiqué, du fait
que la couche de résine d'encapsulation du laser à semi-
conducteurs moulé dans de la résine, conforme à la présen-
te invention, est caracérisée par une partie plate 25, dont le centre coîncide avec le centre des conducteurs de connexion 12, et par une ou plusieurs parties de bride 26, dont le centre coïncide avec le point d'émission de
faisceau laser 27 de la puce de DL 1, le laser à semicon-
ducteurs moulé dans de la résine, conforme à la présente invention, peut être fixé sur le guide de laser 28 au moyen de la partie de bride ou des parties de bride 26, de la même manière que le laser à semiconducteurs en boîtier métallique classique. De plus, comme on l'a déjà indiqué, la partie plate de la partie de résine d'encapsulation élimine le problème concernant la couche de résine d'encapsulation. Bien que l'on ait expliqué à titre d'exemple le montage sur le guide de laser d'un appareil à disque compact, du présent laser à semiconducteurs moulé dans de
la résine, il est évident que le présent laser à semicon-
ducteurs moulé dans de la résine peut être monté sur
n'importe quel appareil sur lequel le laser à semiconduc-
teurs en boîtier métallique classique a été monté. De plus, la forme extérieure du laser à semiconducteurs moulé dans de la résine conforme à la présente invention, n'est pas limitée à celle qui est représentée sur la figure 2,
et elle peut être modifiée de diverses manières en fonc-
tion des besoins.
Les figures 4(a), 4(b) et 4(c) sont des vues en perspective qui montrent schématiquement différents aspects extérieurs du laser à semiconducteurs moulé dans de la résine conforme à la présente invention. Sur la figure 4(a), les parties de bride semi-cylindriques 26 sont étendues vers le haut et vers le bas à partir de celles de la figure 2. Sur la figure 4(b), les parties de bride 26 s'étendent dans la direction de l'épaisseur de la partie plate 25. De plus, sur la figure 4(c), le laser à semiconducteurs moulé dans de la résine comporte une partie de bride cylindrique plate 26 et une encoche 29 est formée à la périphérie de la partie de bride 26 pour
indiquer la position de la puce de DL. Les lasers à semi-
conducteurs moulés dans de la résine qui sont représentés sur les figures 4(a), 4(b) et 4(c) peuvent être utilisés de la même manière que le laser à semiconducteurs du type
en boîtier métallique. Du fait que le laser à semiconduc-
teurs moulé dans de la résine, conforme à la présente invention, est caractérisé par sa symétrie autour de sa puce de DL 1, par rapport aux conducteurs de connexion 12, et par une surface courbe ou des surfaces courbes autour de sa partie terminale, dont le centre de courbure coïncide avec le point d'émission de faisceau laser 27 de
la puce de DL 1, on peut changer la forme et les dimen-
sions de la partie de bride de façon à satisfaire les exigences cas par cas, à condition que la caractéristique
spécifique précitée soit conservée.
Comme on l'a expliqué jusqu'à présent, le laser à semiconducteurs moulé dans de la résine, conforme à la présente invention, comprend une partie plate et mince 25 symétrique par rapport aux conducteurs de connexion 12; et une partie de bride cylindrique ou des parties de bride semi-cylindriques, formées d'un seul tenant avec la partie plate 25, chacune d'elles comprenant en outre une surface périphérique extérieure dont le centre coïncide avec le point d'émission de faisceau laser de la puce de DL. Cette configuration du présent laser à semiconducteurs moulé dans de la résine, satisfait effectivement les exigences contradictoires des lasers à semiconducteurs moulés dans de la résine de forme cylindrique et de forme plate classiques: ces exigences comprenaient la suppression du déplacement du point d'émission du faisceau laser et l'utilisation du même mécanisme de montage que le laser à
semiconducteurs en boîtier métallique.
Bien que le laser à semiconducteurs moulé dans de la résine de forme cylindrique classique se monte
aisément sur les appareils optiques avec une bride identi-
que à celles des lasers à semiconducteurs en boîtier métallique, la couche de résine d'encapsulation est formée
de façon asymétrique par rapport aux conducteurs de conne-
xion, autour de la partie principale de l'élément à DL.
Cette asymétrie occasionne une distribution de température
asymétrique qui produit à son tour une contrainte thermi-
que. De plus, la contrainte thermique occasionne un dépla- cement du point d'émission du faisceau laser. Bien que le laser à semiconducteurs moulé dans de la résine de forme plate classique facilite la suppression des contraintes thermiques, grâce à sa couche de résine d'encapsulation plate, formée symétriquement par rapport aux conducteurs de connexion, le laser à semiconducteurs mopulé dans de la résine de forme plate classique ne peut pas être monté sur les appareils optiques de la même manière que le laser à semiconducteurs en boîtier métallique, du fait que le laser à semiconducteurs moulé dans de la résine de forme plate ne comporte pas le même mécanisme de montage que le
laser à semiconducteurs en boîtier métallique.
La couche de résine d'encapsulation du laser à semiconducteurs moulé dans de la résine de forme plate conforme à la présente invention est constituée par une partie plate et par une partie de bride ou des parties de bride. La partie plate recouvre la partie principale de l'élément à DL et elle est formée symétriquement par rapport aux conducteurs de connexion. La partie de bride recouvre la partie terminale dans laquelle le laser à semiconducteurs est fixé sur l'appareil optique, et elle est réalisée avec diverses formes, de façon à permettre le montage sur un appareil optique de la même manière que le laser à semiconducteurs en boîtier métallique. La partie plate et la partie de bride ou les parties de bride sont moulées d'un seul tenant dans une couche de résine
d'encapsulation. De plus, la couche de résine d'encapsu-
lation moulée d'un seul tenant facilite la suppression du déplacement du point d'émission du faisceau laser et la suppression du décollement de la couche de résine, et elle procure un mécanisme de montage qui fonctionne de la même manière que la bride du laser à semiconducteurs en boîtier métallique. Par conséquent, le laser à semiconducteurs moulé dans de la résine de forme plate, conforme à la présente invention, a résolu les problèmes des lasers à
semiconducteurs moulés dans de la résine de forme cylin-
drique et de forme plate classiques, et on prévoit qu'il
élargira les domaines d'application des lasers à semicon-
ducteurs moulés dans de la résine.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté,
sans sortir du cadre de l'invention.

Claims (1)

  1. REVEND I CATION
    Laser à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend: une puce de diode laser, connectée à des moyens de connexion par l'intermédiaire d'une couche d'embase, pour émettre un faisceau laser; et une couche de résine d'encapsulation, transparente pour le faisceau laser, qui recouvre étroitement les moyens de connexion et au moins une partie principale de la puce de diode laser,
    cette couche de résine d'encapsulation comprenant elle-
    même: une partie plate qui recouvre au moins la partie principale de la puce de diode laser, cette partie plate comprenant elle-même des surfaces supérieure et inférieure disposées symétriquement par rapport à un axe horizontal qui passe par le centre des moyens de connexion, défini par la position de la puce de diode laser, et des faces latérales disposées symétriquement par rapport à un axe vertical qui passe par le centre des moyens de connexion; et au moins une partie de bride formée d'un seul tenant avec la partie de résine plate et recouvrant une partie terminaledes moyens de connexion, en connectant à cet emplacement les moyens de connexion à un appareil dans lequel le laser à semiconducteurs est incorporé, la partie de bride, ou chacune d'elles, comprenant en outre une surface périphérique dont le centre de courbure coïncide avec un point d'émission de faisceau laser de la puce de
    diode laser.
FR9414983A 1993-12-14 1994-12-13 Laser à semiconducteurs. Expired - Fee Related FR2713828B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5312360A JPH07170019A (ja) 1993-12-14 1993-12-14 半導体レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2713828A1 true FR2713828A1 (fr) 1995-06-16
FR2713828B1 FR2713828B1 (fr) 1996-02-02

Family

ID=18028317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9414983A Expired - Fee Related FR2713828B1 (fr) 1993-12-14 1994-12-13 Laser à semiconducteurs.

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPH07170019A (fr)
DE (1) DE4444618A1 (fr)
FR (1) FR2713828B1 (fr)
GB (1) GB2284934B (fr)
TW (1) TW373828U (fr)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335980A (ja) * 1994-06-07 1995-12-22 Fuji Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP3082695B2 (ja) 1997-01-16 2000-08-28 日本電気株式会社 半導体レーザ装置、その製造方法
JP3735033B2 (ja) 2000-12-07 2006-01-11 シャープ株式会社 半導体レーザ装置
US6577656B2 (en) * 2001-03-13 2003-06-10 Finisar Corporation System and method of packaging a laser/detector

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02125688A (ja) * 1988-11-04 1990-05-14 Sony Corp 半導体レーザ装置
EP0484887A2 (fr) * 1990-11-07 1992-05-13 Fuji Electric Co., Ltd. Diode laser avec couche de protection sur sa face de sortie
JPH04364791A (ja) * 1991-06-12 1992-12-17 Fuji Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
EP0568830A1 (fr) * 1992-04-07 1993-11-10 Fuji Electric Co., Ltd. Dispositif laser à semi-conducteur

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01166591A (ja) * 1987-12-22 1989-06-30 Nec Kagoshima Ltd レーザダイオード
JPH02125687A (ja) * 1988-11-04 1990-05-14 Sony Corp 半導体レーザ装置
JPH02159084A (ja) * 1988-12-12 1990-06-19 Mitsubishi Electric Corp モールド発光素子
JPH0724323B2 (ja) * 1989-09-05 1995-03-15 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
US5140384A (en) * 1990-06-14 1992-08-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser device mounted on a stem
JPH04137580A (ja) * 1990-09-27 1992-05-12 Sharp Corp 半導体レーザ用ステム
JP2823381B2 (ja) * 1991-04-19 1998-11-11 ローム株式会社 半導体レーザ装置
JPH04346281A (ja) * 1991-05-23 1992-12-02 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JPH0523563U (ja) * 1991-07-17 1993-03-26 ソニー株式会社 半導体レーザ装置
US5307362A (en) * 1991-11-06 1994-04-26 Rohm Co., Ltd. Mold-type semiconductor laser device
US5499262A (en) * 1992-03-18 1996-03-12 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser light source unit
DE69218431T2 (de) * 1992-10-14 1997-09-25 Ibm Gekapselte, lichtemittierende Diode und Kapselungsverfahren

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02125688A (ja) * 1988-11-04 1990-05-14 Sony Corp 半導体レーザ装置
EP0484887A2 (fr) * 1990-11-07 1992-05-13 Fuji Electric Co., Ltd. Diode laser avec couche de protection sur sa face de sortie
JPH04364791A (ja) * 1991-06-12 1992-12-17 Fuji Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
EP0568830A1 (fr) * 1992-04-07 1993-11-10 Fuji Electric Co., Ltd. Dispositif laser à semi-conducteur

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 014, no. 359 (E - 959) 3 August 1990 (1990-08-03) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 17, no. 238 (E - 1363) 13 May 1993 (1993-05-13) *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2713828B1 (fr) 1996-02-02
GB2284934A (en) 1995-06-21
JPH07170019A (ja) 1995-07-04
DE4444618A1 (de) 1995-06-22
TW373828U (en) 1999-11-01
GB9425120D0 (en) 1995-02-08
GB2284934B (en) 1997-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0607700B1 (fr) Dispositif laser à semi-conducteur
FR2702313A1 (fr) Dispositif d'émission de lumière à semi-conducteur.
US5516727A (en) Method for encapsulating light emitting diodes
EP0264335B1 (fr) Module pour le couplage entre un dispositif semiconducteur et une fibre optique, et procédé d'alignement de ce dispositif semiconducteur et de cette fibre
FR2798519A1 (fr) Dispositif laser utilisant un film de reflexion et son procede de fabrication
FR2837022A1 (fr) Dispositif a semiconducteur de puissance
FR2536596A1 (fr) Dispositif laser a semi-conducteurs
FR2646584A1 (fr) Methode de fabrication de circuits imprimes permettant le montage de composants electroniques
FR2465335A1 (fr) Dispositif laser a semi-conducteur
FR2748123A1 (fr) Ensemble optique pour coupler un guide de lumiere et procede pour sa fabrication
FR2793960A1 (fr) Laser a emission en surface a cavite verticale et dispositif de surveillance de sortie en combinaison et son procede de fabrication
EP0860724A1 (fr) Procédé d'assemblage d'un dispositif opto-hybride
FR2787241A1 (fr) Composant microelectronique cms enrobe, notamment pour un dispositif medical implantable actif, et son procede de fabrication
TW201126775A (en) Optoelectronic component
FR2851374A1 (fr) Boitier-semi-conducteur a puce de circuits integres portee par les pattes de connexion electrique
FR2710783A1 (fr) Dispositif à semiconducteurs optique .
FR2835653A1 (fr) Dispositif semi-conducteur optique
FR2479564A1 (fr) Boitier d'encapsulation pour module de puissance en circuit hybride
FR2713828A1 (fr) Laser à semiconducteurs.
EP0883177A1 (fr) Dispositif semi-conducteur muni d'un dissipateur thermique.
TW200428732A (en) Housing for a laser-diode-component, laser-diode-component and its production method
FR2769100A1 (fr) Boitier pour dispositif photosemi-conducteur
CN100483872C (zh) 半导体激光装置和光学拾波装置
FR2788376A1 (fr) Boitier pour element photosemi-conducteur
EP1417711B1 (fr) Module de composants electroniques de puissance et procede d'assemblage d'un tel module

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse