JPH02159084A - モールド発光素子 - Google Patents
モールド発光素子Info
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- JPH02159084A JPH02159084A JP63314221A JP31422188A JPH02159084A JP H02159084 A JPH02159084 A JP H02159084A JP 63314221 A JP63314221 A JP 63314221A JP 31422188 A JP31422188 A JP 31422188A JP H02159084 A JPH02159084 A JP H02159084A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分母〕
この発明は、発光素子、特に樹脂封止されたモルト発光
素子に関するものである。
素子に関するものである。
第２図は従来のモールドレーザ素子（通称モールドＬＤ
）を示す断面図である。乙の図で、１は半導体レーザチ
ップ（通称ＬＤチ・ツブ） ２は前記ＬＤチップ１がマ
ウントされるサブマウント、３は放熱用ブロック、４は
モニタフォトダイオード、５はパッケージ、６，７はこ
のパッケージ５と電気的に絶縁されたリード、８は前記
パッケージ５と電気的に導通されたリード、９は前記Ｌ
Ｄチップ１とリード６とを接続する金ワイヤ、１０は
前記モニタフォトダイオード４とリード７とを接続する
金ワイヤ、１１は全体を封止する透明樹１１Ｎ、１２は
前記透明樹ｒ！Ｈ１１の樹ｎＮ表面である。
）を示す断面図である。乙の図で、１は半導体レーザチ
ップ（通称ＬＤチ・ツブ） ２は前記ＬＤチップ１がマ
ウントされるサブマウント、３は放熱用ブロック、４は
モニタフォトダイオード、５はパッケージ、６，７はこ
のパッケージ５と電気的に絶縁されたリード、８は前記
パッケージ５と電気的に導通されたリード、９は前記Ｌ
Ｄチップ１とリード６とを接続する金ワイヤ、１０は
前記モニタフォトダイオード４とリード７とを接続する
金ワイヤ、１１は全体を封止する透明樹１１Ｎ、１２は
前記透明樹ｒ！Ｈ１１の樹ｎＮ表面である。
次に動作について説明する。
ＬＤチップ１は実装状態の場合、電流注入によｔａｌｌ
小領域からレーザ光が一対の共振畳面（結晶のり開面）
より放射される。この場合、ＬＤチップ１は発熱によ秒
かなり高温動作となるため、発光特性、すなオ）ち発光
効率が低下する。この対策として一般的に金属の放熱用
ブロック３にＬＤ千ツブ１がマウントされる。しかし、
放熱用ブロック３に直接ＬＤチップ１をマウントすると
、材料の熱膨張係数の違いによるＬＤチップ１のボンデ
ィング熱歪に起因した素子劣化が発生する。これを防止
するなめにＬＤチップ１と放熱用ブロック３の間にサブ
マウント２が挿入される。ＬＤチップ１の共振器面の一
端後方より放射されたレーザ光を受光するモニタフォト
ダイオド４がパッケージ５に内蔵されるが、このモニタ
フォトダイオド４は、ＬＤチップ１の共振器面のもう一
端より前方へ放射されろレーザ光を一定出力にコントロ
ールする上で重要なデバイスである。同様にＬＤチップ
１．サブマウン１−２がマウントされた放熱用ブロック
３がパッケージ５に対しＬＤチ・ツブ１から放射される
レーザ光を垂直に取り出すようにマウントされる。その
後、ＬＤチッゴ１はパッケージ５と電気的に絶縁された
り一ド６と、モニタ７第１・ダイオード４はパッケージ
５と電気的に絶縁されたり一ド７と各々金ワイヤ９，１
ｏにより電気的に接続される。さらに、Ｌ ｌ）チップ
１を覆うように透明４［！１１で封止される。ここで、
ＬＤチップ１の共振器前面よりレーザ光が透明側Ｉｌｌ
１１を介して前方へ放射される。この場合、樹１１１
表面１２の平坦性が光学特性に大きく影響する、。
小領域からレーザ光が一対の共振畳面（結晶のり開面）
より放射される。この場合、ＬＤチップ１は発熱によ秒
かなり高温動作となるため、発光特性、すなオ）ち発光
効率が低下する。この対策として一般的に金属の放熱用
ブロック３にＬＤ千ツブ１がマウントされる。しかし、
放熱用ブロック３に直接ＬＤチップ１をマウントすると
、材料の熱膨張係数の違いによるＬＤチップ１のボンデ
ィング熱歪に起因した素子劣化が発生する。これを防止
するなめにＬＤチップ１と放熱用ブロック３の間にサブ
マウント２が挿入される。ＬＤチップ１の共振器面の一
端後方より放射されたレーザ光を受光するモニタフォト
ダイオド４がパッケージ５に内蔵されるが、このモニタ
フォトダイオド４は、ＬＤチップ１の共振器面のもう一
端より前方へ放射されろレーザ光を一定出力にコントロ
ールする上で重要なデバイスである。同様にＬＤチップ
１．サブマウン１−２がマウントされた放熱用ブロック
３がパッケージ５に対しＬＤチ・ツブ１から放射される
レーザ光を垂直に取り出すようにマウントされる。その
後、ＬＤチッゴ１はパッケージ５と電気的に絶縁された
り一ド６と、モニタ７第１・ダイオード４はパッケージ
５と電気的に絶縁されたり一ド７と各々金ワイヤ９，１
ｏにより電気的に接続される。さらに、Ｌ ｌ）チップ
１を覆うように透明４［！１１で封止される。ここで、
ＬＤチップ１の共振器前面よりレーザ光が透明側Ｉｌｌ
１１を介して前方へ放射される。この場合、樹１１１
表面１２の平坦性が光学特性に大きく影響する、。
樹脂表面１２の平坦性が確保されなければ、ＬＤチップ
１より放射されたレーザ光が樹脂表面１２で散乱され、
光学特性上問題となる。特に平坦性においては、透明ｍ
脂１１の耐熱性、特にヒートサイクル特性において、平
坦性が損なわれろという問題がある。
１より放射されたレーザ光が樹脂表面１２で散乱され、
光学特性上問題となる。特に平坦性においては、透明ｍ
脂１１の耐熱性、特にヒートサイクル特性において、平
坦性が損なわれろという問題がある。
従来の樹脂モールドされたレーザ素子は、以上のように
構成されているので、樹脂表面１２が耐熱性上、特にヒ
ートサイクルにおいて、波打つ変形が発生し、レーザ素
子の光学特性（レーザビームパターンの乱れ、レーザビ
ームずれ等）に問題があった。
構成されているので、樹脂表面１２が耐熱性上、特にヒ
ートサイクルにおいて、波打つ変形が発生し、レーザ素
子の光学特性（レーザビームパターンの乱れ、レーザビ
ームずれ等）に問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、耐熱性、特にヒートサイクル特性において
も、樹脂の平坦性が確保され、光学特性の信頼性が確保
されるモールド発光素子を得ることを目的とする。
れたもので、耐熱性、特にヒートサイクル特性において
も、樹脂の平坦性が確保され、光学特性の信頼性が確保
されるモールド発光素子を得ることを目的とする。
この発明に係るモールド発光素子は、透明樹脂の樹脂表
面の少なくとも発光素子より放射されるビームが透過す
る面に無反射コート膜を形成したものである。
面の少なくとも発光素子より放射されるビームが透過す
る面に無反射コート膜を形成したものである。
この発明においては、樹脂表面を無反射コート膜で覆っ
たことにより、耐熱性、特に七−トサイクル特性におい
て、樹脂表面が波打つ変形が抑制され、放射光が樹脂表
面で散乱されず、光の外部−の取出し効率が向上する。
たことにより、耐熱性、特に七−トサイクル特性におい
て、樹脂表面が波打つ変形が抑制され、放射光が樹脂表
面で散乱されず、光の外部−の取出し効率が向上する。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、１３ば前記透明側ｌ１１１１がモール
ドされた後にその樹ＩＩＳ表向１２の少なくともＬＤチ
ップ１より放出されるビームが透過する面にＭｇＦ、等
を用いて施された材質的にハードなＡＲコート（無反射
コート１１１％であり、その他は第２図と構成は全く同
じであるので、その説明は省略する。
ドされた後にその樹ＩＩＳ表向１２の少なくともＬＤチ
ップ１より放出されるビームが透過する面にＭｇＦ、等
を用いて施された材質的にハードなＡＲコート（無反射
コート１１１％であり、その他は第２図と構成は全く同
じであるので、その説明は省略する。
このようにこの発明では、透明樹脂１１がモールドされ
た後の樹脂表面１２に、例えばＭｇＦ２等を用いて材質
的にハードなＡＲ，コー１− （無反射コート）膜１３
を施すことにより、樹脂表面１２は外的環境に対し非常
に安定である。
た後の樹脂表面１２に、例えばＭｇＦ２等を用いて材質
的にハードなＡＲ，コー１− （無反射コート）膜１３
を施すことにより、樹脂表面１２は外的環境に対し非常
に安定である。
これにより、耐熱性、特にヒートサイクル特性において
、樹脂表面１２が波打つ変形が十分抑制され、Ｔ−Ｄチ
ップ１より放射されたレーザ光が樹脂表面１２で散乱さ
れることがないことから、光学特性において、信頼性の
高いものが得られる。
、樹脂表面１２が波打つ変形が十分抑制され、Ｔ−Ｄチ
ップ１より放射されたレーザ光が樹脂表面１２で散乱さ
れることがないことから、光学特性において、信頼性の
高いものが得られる。
また、ＬＤチップ１より放射されたレーザ光は透明樹脂
１１の内部を伝播し樹ｊ脂表面１２に達する。この場合
、樹１脂表面１２にＡＲコート膜１３が施されているこ
とにより、反射することなく効率よく外部へ反射される
。
１１の内部を伝播し樹ｊ脂表面１２に達する。この場合
、樹１脂表面１２にＡＲコート膜１３が施されているこ
とにより、反射することなく効率よく外部へ反射される
。
なお、上記実施例ではレーザ素子について示したが、Ｌ
ＥＤ素子についても同様に適用できる。
ＥＤ素子についても同様に適用できる。
以上説明したように乙の発明は、透明樹脂の樹脂表面の
少なくとも発光素子より放射されるビムが透過する面に
無反射コート膜を形成したので、樹７１８表面が耐熱性
、特にヒートサイクルにより波打つ変形が十分抑制され
、光学特性において信頼性の高いものが得られる。また
、樹脂表面から外部への光取出し効率がよくなる等の効
果が得られる。
少なくとも発光素子より放射されるビムが透過する面に
無反射コート膜を形成したので、樹７１８表面が耐熱性
、特にヒートサイクルにより波打つ変形が十分抑制され
、光学特性において信頼性の高いものが得られる。また
、樹脂表面から外部への光取出し効率がよくなる等の効
果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例によるモールドレーザ素子
を示す断面図、第２図は従来のモールドレーザ素子を示
す断面図である。 図において、１は半導体レーザチ・ツブ、２はサブマウ
ント、３は放熱用ブロック、４はモニタフォトダイオー
ド、５はパッケージ、６，７，８はリード、９，１ｏは
金ワイヤ、１１は透明樹脂、１２はＦＭ脂裏表面１３は
ＡＦＬコート（無反射コート）膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
を示す断面図、第２図は従来のモールドレーザ素子を示
す断面図である。 図において、１は半導体レーザチ・ツブ、２はサブマウ
ント、３は放熱用ブロック、４はモニタフォトダイオー
ド、５はパッケージ、６，７，８はリード、９，１ｏは
金ワイヤ、１１は透明樹脂、１２はＦＭ脂裏表面１３は
ＡＦＬコート（無反射コート）膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 透明樹脂によりモールドされた発光素子において、前記
透明樹脂の表面の少なくとも前記発光素子より放射され
るビームが透過する面に無反射コート膜を形成したこと
を特徴とするモールド発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63314221A JPH02159084A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | モールド発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63314221A JPH02159084A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | モールド発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159084A true JPH02159084A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18050743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63314221A Pending JPH02159084A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | モールド発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02159084A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423381A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Rohm Co Ltd | レーザダイオード |
| DE4444618A1 (de) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleiterlaser |
| US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
| US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
| JP2001160647A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-06-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置、光伝送装置、光伝送システム、電子機器、制御装置、接続コネクタ、通信装置、ならびに光伝送方法、データ送受信方法 |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP63314221A patent/JPH02159084A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0423381A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Rohm Co Ltd | レーザダイオード |
| US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
| US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
| US5590144A (en) * | 1990-11-07 | 1996-12-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| DE4444618A1 (de) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleiterlaser |
| JP2001160647A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-06-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置、光伝送装置、光伝送システム、電子機器、制御装置、接続コネクタ、通信装置、ならびに光伝送方法、データ送受信方法 |
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