JPH02159084A - モールド発光素子 - Google Patents
モールド発光素子Info
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- JPH02159084A JPH02159084A JP63314221A JP31422188A JPH02159084A JP H02159084 A JPH02159084 A JP H02159084A JP 63314221 A JP63314221 A JP 63314221A JP 31422188 A JP31422188 A JP 31422188A JP H02159084 A JPH02159084 A JP H02159084A
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- resin surface
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- emitting element
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分母〕
この発明は、発光素子、特に樹脂封止されたモルト発光
素子に関するものである。
素子に関するものである。
第2図は従来のモールドレーザ素子(通称モールドLD
)を示す断面図である。乙の図で、1は半導体レーザチ
ップ(通称LDチ・ツブ) 2は前記LDチップ1がマ
ウントされるサブマウント、3は放熱用ブロック、4は
モニタフォトダイオード、5はパッケージ、6,7はこ
のパッケージ5と電気的に絶縁されたリード、8は前記
パッケージ5と電気的に導通されたリード、9は前記L
Dチップ1とリード6とを接続する金ワイヤ、10は
前記モニタフォトダイオード4とリード7とを接続する
金ワイヤ、11は全体を封止する透明樹11N、12は
前記透明樹r!H11の樹nN表面である。
)を示す断面図である。乙の図で、1は半導体レーザチ
ップ(通称LDチ・ツブ) 2は前記LDチップ1がマ
ウントされるサブマウント、3は放熱用ブロック、4は
モニタフォトダイオード、5はパッケージ、6,7はこ
のパッケージ5と電気的に絶縁されたリード、8は前記
パッケージ5と電気的に導通されたリード、9は前記L
Dチップ1とリード6とを接続する金ワイヤ、10は
前記モニタフォトダイオード4とリード7とを接続する
金ワイヤ、11は全体を封止する透明樹11N、12は
前記透明樹r!H11の樹nN表面である。
次に動作について説明する。
LDチップ1は実装状態の場合、電流注入によtall
小領域からレーザ光が一対の共振畳面(結晶のり開面)
より放射される。この場合、LDチップ1は発熱によ秒
かなり高温動作となるため、発光特性、すなオ)ち発光
効率が低下する。この対策として一般的に金属の放熱用
ブロック3にLD千ツブ1がマウントされる。しかし、
放熱用ブロック3に直接LDチップ1をマウントすると
、材料の熱膨張係数の違いによるLDチップ1のボンデ
ィング熱歪に起因した素子劣化が発生する。これを防止
するなめにLDチップ1と放熱用ブロック3の間にサブ
マウント2が挿入される。LDチップ1の共振器面の一
端後方より放射されたレーザ光を受光するモニタフォト
ダイオド4がパッケージ5に内蔵されるが、このモニタ
フォトダイオド4は、LDチップ1の共振器面のもう一
端より前方へ放射されろレーザ光を一定出力にコントロ
ールする上で重要なデバイスである。同様にLDチップ
1.サブマウン1−2がマウントされた放熱用ブロック
3がパッケージ5に対しLDチ・ツブ1から放射される
レーザ光を垂直に取り出すようにマウントされる。その
後、LDチッゴ1はパッケージ5と電気的に絶縁された
り一ド6と、モニタ7第1・ダイオード4はパッケージ
5と電気的に絶縁されたり一ド7と各々金ワイヤ9,1
oにより電気的に接続される。さらに、L l)チップ
1を覆うように透明4[!11で封止される。ここで、
LDチップ1の共振器前面よりレーザ光が透明側Ill
11を介して前方へ放射される。この場合、樹111
表面12の平坦性が光学特性に大きく影響する、。
小領域からレーザ光が一対の共振畳面(結晶のり開面)
より放射される。この場合、LDチップ1は発熱によ秒
かなり高温動作となるため、発光特性、すなオ)ち発光
効率が低下する。この対策として一般的に金属の放熱用
ブロック3にLD千ツブ1がマウントされる。しかし、
放熱用ブロック3に直接LDチップ1をマウントすると
、材料の熱膨張係数の違いによるLDチップ1のボンデ
ィング熱歪に起因した素子劣化が発生する。これを防止
するなめにLDチップ1と放熱用ブロック3の間にサブ
マウント2が挿入される。LDチップ1の共振器面の一
端後方より放射されたレーザ光を受光するモニタフォト
ダイオド4がパッケージ5に内蔵されるが、このモニタ
フォトダイオド4は、LDチップ1の共振器面のもう一
端より前方へ放射されろレーザ光を一定出力にコントロ
ールする上で重要なデバイスである。同様にLDチップ
1.サブマウン1−2がマウントされた放熱用ブロック
3がパッケージ5に対しLDチ・ツブ1から放射される
レーザ光を垂直に取り出すようにマウントされる。その
後、LDチッゴ1はパッケージ5と電気的に絶縁された
り一ド6と、モニタ7第1・ダイオード4はパッケージ
5と電気的に絶縁されたり一ド7と各々金ワイヤ9,1
oにより電気的に接続される。さらに、L l)チップ
1を覆うように透明4[!11で封止される。ここで、
LDチップ1の共振器前面よりレーザ光が透明側Ill
11を介して前方へ放射される。この場合、樹111
表面12の平坦性が光学特性に大きく影響する、。
樹脂表面12の平坦性が確保されなければ、LDチップ
1より放射されたレーザ光が樹脂表面12で散乱され、
光学特性上問題となる。特に平坦性においては、透明m
脂11の耐熱性、特にヒートサイクル特性において、平
坦性が損なわれろという問題がある。
1より放射されたレーザ光が樹脂表面12で散乱され、
光学特性上問題となる。特に平坦性においては、透明m
脂11の耐熱性、特にヒートサイクル特性において、平
坦性が損なわれろという問題がある。
従来の樹脂モールドされたレーザ素子は、以上のように
構成されているので、樹脂表面12が耐熱性上、特にヒ
ートサイクルにおいて、波打つ変形が発生し、レーザ素
子の光学特性(レーザビームパターンの乱れ、レーザビ
ームずれ等)に問題があった。
構成されているので、樹脂表面12が耐熱性上、特にヒ
ートサイクルにおいて、波打つ変形が発生し、レーザ素
子の光学特性(レーザビームパターンの乱れ、レーザビ
ームずれ等)に問題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、耐熱性、特にヒートサイクル特性において
も、樹脂の平坦性が確保され、光学特性の信頼性が確保
されるモールド発光素子を得ることを目的とする。
れたもので、耐熱性、特にヒートサイクル特性において
も、樹脂の平坦性が確保され、光学特性の信頼性が確保
されるモールド発光素子を得ることを目的とする。
この発明に係るモールド発光素子は、透明樹脂の樹脂表
面の少なくとも発光素子より放射されるビームが透過す
る面に無反射コート膜を形成したものである。
面の少なくとも発光素子より放射されるビームが透過す
る面に無反射コート膜を形成したものである。
この発明においては、樹脂表面を無反射コート膜で覆っ
たことにより、耐熱性、特に七−トサイクル特性におい
て、樹脂表面が波打つ変形が抑制され、放射光が樹脂表
面で散乱されず、光の外部−の取出し効率が向上する。
たことにより、耐熱性、特に七−トサイクル特性におい
て、樹脂表面が波打つ変形が抑制され、放射光が樹脂表
面で散乱されず、光の外部−の取出し効率が向上する。
以下、この発明の一実施例を第1図について説明する。
第1図において、13ば前記透明側l1111がモール
ドされた後にその樹IIS表向12の少なくともLDチ
ップ1より放出されるビームが透過する面にMgF、等
を用いて施された材質的にハードなARコート(無反射
コート111%であり、その他は第2図と構成は全く同
じであるので、その説明は省略する。
ドされた後にその樹IIS表向12の少なくともLDチ
ップ1より放出されるビームが透過する面にMgF、等
を用いて施された材質的にハードなARコート(無反射
コート111%であり、その他は第2図と構成は全く同
じであるので、その説明は省略する。
このようにこの発明では、透明樹脂11がモールドされ
た後の樹脂表面12に、例えばMgF2等を用いて材質
的にハードなAR,コー1− (無反射コート)膜13
を施すことにより、樹脂表面12は外的環境に対し非常
に安定である。
た後の樹脂表面12に、例えばMgF2等を用いて材質
的にハードなAR,コー1− (無反射コート)膜13
を施すことにより、樹脂表面12は外的環境に対し非常
に安定である。
これにより、耐熱性、特にヒートサイクル特性において
、樹脂表面12が波打つ変形が十分抑制され、T−Dチ
ップ1より放射されたレーザ光が樹脂表面12で散乱さ
れることがないことから、光学特性において、信頼性の
高いものが得られる。
、樹脂表面12が波打つ変形が十分抑制され、T−Dチ
ップ1より放射されたレーザ光が樹脂表面12で散乱さ
れることがないことから、光学特性において、信頼性の
高いものが得られる。
また、LDチップ1より放射されたレーザ光は透明樹脂
11の内部を伝播し樹j脂表面12に達する。この場合
、樹1脂表面12にARコート膜13が施されているこ
とにより、反射することなく効率よく外部へ反射される
。
11の内部を伝播し樹j脂表面12に達する。この場合
、樹1脂表面12にARコート膜13が施されているこ
とにより、反射することなく効率よく外部へ反射される
。
なお、上記実施例ではレーザ素子について示したが、L
ED素子についても同様に適用できる。
ED素子についても同様に適用できる。
以上説明したように乙の発明は、透明樹脂の樹脂表面の
少なくとも発光素子より放射されるビムが透過する面に
無反射コート膜を形成したので、樹718表面が耐熱性
、特にヒートサイクルにより波打つ変形が十分抑制され
、光学特性において信頼性の高いものが得られる。また
、樹脂表面から外部への光取出し効率がよくなる等の効
果が得られる。
少なくとも発光素子より放射されるビムが透過する面に
無反射コート膜を形成したので、樹718表面が耐熱性
、特にヒートサイクルにより波打つ変形が十分抑制され
、光学特性において信頼性の高いものが得られる。また
、樹脂表面から外部への光取出し効率がよくなる等の効
果が得られる。
第1図はこの発明の一実施例によるモールドレーザ素子
を示す断面図、第2図は従来のモールドレーザ素子を示
す断面図である。 図において、1は半導体レーザチ・ツブ、2はサブマウ
ント、3は放熱用ブロック、4はモニタフォトダイオー
ド、5はパッケージ、6,7,8はリード、9,1oは
金ワイヤ、11は透明樹脂、12はFM脂裏表面13は
AFLコート(無反射コート)膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
を示す断面図、第2図は従来のモールドレーザ素子を示
す断面図である。 図において、1は半導体レーザチ・ツブ、2はサブマウ
ント、3は放熱用ブロック、4はモニタフォトダイオー
ド、5はパッケージ、6,7,8はリード、9,1oは
金ワイヤ、11は透明樹脂、12はFM脂裏表面13は
AFLコート(無反射コート)膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 透明樹脂によりモールドされた発光素子において、前記
透明樹脂の表面の少なくとも前記発光素子より放射され
るビームが透過する面に無反射コート膜を形成したこと
を特徴とするモールド発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63314221A JPH02159084A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | モールド発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63314221A JPH02159084A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | モールド発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02159084A true JPH02159084A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18050743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63314221A Pending JPH02159084A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | モールド発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02159084A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0423381A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Rohm Co Ltd | レーザダイオード |
DE4444618A1 (de) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleiterlaser |
US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
JP2001160647A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-06-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置、光伝送装置、光伝送システム、電子機器、制御装置、接続コネクタ、通信装置、ならびに光伝送方法、データ送受信方法 |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP63314221A patent/JPH02159084A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0423381A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Rohm Co Ltd | レーザダイオード |
US5485479A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device encapsulated in a transparent resin layer |
US5488623A (en) * | 1990-11-07 | 1996-01-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Mold-type semiconductor laser device with reduced light-emitting point displacement during operation |
US5590144A (en) * | 1990-11-07 | 1996-12-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
DE4444618A1 (de) * | 1993-12-14 | 1995-06-22 | Fuji Electric Co Ltd | Halbleiterlaser |
JP2001160647A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-06-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置、光伝送装置、光伝送システム、電子機器、制御装置、接続コネクタ、通信装置、ならびに光伝送方法、データ送受信方法 |
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