JP2002280663A - 半導体レーザ素子及び光集積デバイス - Google Patents
半導体レーザ素子及び光集積デバイスInfo
- Publication number
- JP2002280663A JP2002280663A JP2001073464A JP2001073464A JP2002280663A JP 2002280663 A JP2002280663 A JP 2002280663A JP 2001073464 A JP2001073464 A JP 2001073464A JP 2001073464 A JP2001073464 A JP 2001073464A JP 2002280663 A JP2002280663 A JP 2002280663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- laser device
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 単峰性の導波モードの光を出射する半導体レ
ーザ素子を提供する。 【解決手段】 本ＧａＮ系半導体レーザ素子５０は、出
射端面側のサファイア基板１２、ＧａＮ横方向成長層１
４、及びｎ型ＧａＮコンタクト層１６の端面が、ＧａＮ
系半導体レーザ素子５０の発振波長に対して透明でない
材料からなる不透明膜５２で覆われていることを除い
て、従来のＧａＮ系半導体レーザ素子１０と同じ構成を
備えている。サファイア基板１２、ＧａＮ横方向成長層
１４、及びｎ型ＧａＮコンタクト層１６は、導波モード
の光の実効屈折率より大きな屈折率で、かつ発振波長の
光に対して透明な材料であるから、基板放射モードの光
を遮蔽するために、出射端面側の端面が不透明膜５２で
覆われている。一方、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２０か
ら上の光導波路は、不透明膜５２で覆われていない。
ーザ素子を提供する。 【解決手段】 本ＧａＮ系半導体レーザ素子５０は、出
射端面側のサファイア基板１２、ＧａＮ横方向成長層１
４、及びｎ型ＧａＮコンタクト層１６の端面が、ＧａＮ
系半導体レーザ素子５０の発振波長に対して透明でない
材料からなる不透明膜５２で覆われていることを除い
て、従来のＧａＮ系半導体レーザ素子１０と同じ構成を
備えている。サファイア基板１２、ＧａＮ横方向成長層
１４、及びｎ型ＧａＮコンタクト層１６は、導波モード
の光の実効屈折率より大きな屈折率で、かつ発振波長の
光に対して透明な材料であるから、基板放射モードの光
を遮蔽するために、出射端面側の端面が不透明膜５２で
覆われている。一方、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２０か
ら上の光導波路は、不透明膜５２で覆われていない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
に関し、更に詳細には、単峰性の遠視野像を示す半導体
レーザ素子に関するものである。
に関し、更に詳細には、単峰性の遠視野像を示す半導体
レーザ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】サファイア基板又はＧａＮ基板上にＧａ
Ｎ系化合物半導体層の積層構造を備えるＧａＮ系半導体
レーザ素子は、紫外線領域から緑色に至る短波長域の光
を発光する発光素子として注目されている。
Ｎ系化合物半導体層の積層構造を備えるＧａＮ系半導体
レーザ素子は、紫外線領域から緑色に至る短波長域の光
を発光する発光素子として注目されている。
【０００３】ここで、図４を参照して、従来の半導体レ
ーザ素子の構成を説明する。図４は従来のＧａＮ系半導
体レーザ素子の構成を示す断面図である。従来のＧａＮ
系半導体レーザ素子１０は、図４に示すように、ｃ面の
サファイア基板１２上に設けられた凸状のＧａＮ種結晶
部１４上に、ＧａＮ横方向成長層１６を介して、ｎ型Ｇ
ａＮコンタクト層１８、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２
０、ｎ型ＧａＮからなる第１の光ガイド層２２、ＩｎＧ
ａＮ活性層２４、活性層２４の劣化を防止するｐ型Ａｌ
ＧａＮの劣化防止層２６、ｐ型ＩｎＧａＮからなる第２
の光ガイド層２８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３０、及
びｐ型ＧａＮコンタクト層３２を、順次、積層した積層
構造を備えている。尚、第１の光ガイド層２２、及び第
２の光ガイド層２８、並びに劣化防止層２６は、設けな
いこともある。
ーザ素子の構成を説明する。図４は従来のＧａＮ系半導
体レーザ素子の構成を示す断面図である。従来のＧａＮ
系半導体レーザ素子１０は、図４に示すように、ｃ面の
サファイア基板１２上に設けられた凸状のＧａＮ種結晶
部１４上に、ＧａＮ横方向成長層１６を介して、ｎ型Ｇ
ａＮコンタクト層１８、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２
０、ｎ型ＧａＮからなる第１の光ガイド層２２、ＩｎＧ
ａＮ活性層２４、活性層２４の劣化を防止するｐ型Ａｌ
ＧａＮの劣化防止層２６、ｐ型ＩｎＧａＮからなる第２
の光ガイド層２８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３０、及
びｐ型ＧａＮコンタクト層３２を、順次、積層した積層
構造を備えている。尚、第１の光ガイド層２２、及び第
２の光ガイド層２８、並びに劣化防止層２６は、設けな
いこともある。
【０００４】ｐ型クラッド層３０の上層部及びｐ型コン
タクト層３２は、一方向にリッジストライプ状に延びる
リッジストライプ部として形成されている。また、ｎ型
コンタクト層１８の上層部、ｎ型クラッド層２０、第１
の光ガイド層２２、活性層２４、劣化防止層２６、第２
の光ガイド層２８、及びｐ型クラッド層３０の下層部
は、リッジストライプ部と同じ方向に延在するメサ部と
して形成されている。
タクト層３２は、一方向にリッジストライプ状に延びる
リッジストライプ部として形成されている。また、ｎ型
コンタクト層１８の上層部、ｎ型クラッド層２０、第１
の光ガイド層２２、活性層２４、劣化防止層２６、第２
の光ガイド層２８、及びｐ型クラッド層３０の下層部
は、リッジストライプ部と同じ方向に延在するメサ部と
して形成されている。
【０００５】リッジストライプ部、メサ部、及びメサ部
の両側のｎ型コンタクト層１８は、リッジストライプ部
の上面及びｎ型コンタクト層１８の一部領域にそれぞれ
設けた開口部３４ａ及び３４ｂを除いて、ＳｉＯ2 膜か
らなる保護膜３４で被覆されている。ｐ型コンタクト層
３２上には、開口部３４ａを介してＮｉ／Ａｕ電極のよ
うな多層金属膜のｐ側電極３６がオーミック接合電極と
して設けられ、また、ｎ型コンタクト層１８上には、開
口部３４ｂを介してＴｉ／Ａｌ電極のような多層金属膜
のｎ側電極３８がオーミック接合電極として設けられて
いる。
の両側のｎ型コンタクト層１８は、リッジストライプ部
の上面及びｎ型コンタクト層１８の一部領域にそれぞれ
設けた開口部３４ａ及び３４ｂを除いて、ＳｉＯ2 膜か
らなる保護膜３４で被覆されている。ｐ型コンタクト層
３２上には、開口部３４ａを介してＮｉ／Ａｕ電極のよ
うな多層金属膜のｐ側電極３６がオーミック接合電極と
して設けられ、また、ｎ型コンタクト層１８上には、開
口部３４ｂを介してＴｉ／Ａｌ電極のような多層金属膜
のｎ側電極３８がオーミック接合電極として設けられて
いる。
【０００６】また、従来の別のＧａＮ系半導体レーザ素
子４０は、図５に示すように、サファイア基板に代え
て、ｎ型ＧａＮ基板４２上に、直接、ｎ型クラッド層２
０から第２の光ガイド層２８まで、及びｐ型クラッド層
３０の下層部の積層構造と、ｐ型クラッド層３０の上層
部とｐ型コンタクト層３２のリッジストライプ部とを有
する。また、ｎ側電極４４は、ＧａＮ基板の導電性を利
用して、ｎ型ＧａＮ基板４２の裏面に設けてある。
子４０は、図５に示すように、サファイア基板に代え
て、ｎ型ＧａＮ基板４２上に、直接、ｎ型クラッド層２
０から第２の光ガイド層２８まで、及びｐ型クラッド層
３０の下層部の積層構造と、ｐ型クラッド層３０の上層
部とｐ型コンタクト層３２のリッジストライプ部とを有
する。また、ｎ側電極４４は、ＧａＮ基板の導電性を利
用して、ｎ型ＧａＮ基板４２の裏面に設けてある。
【０００７】上述のように構成された従来のＧａＮ系半
導体レーザ素子１０及び４０では、ｐ型クラッド層３０
の上層部及びｐ型コンタクト層３２をリッジストライプ
部として形成し、注入電流の電流通路の大きさを制限す
ることにより、動作電流の低減化を図ると共に、リッジ
ストライプ部の横方向の実効屈折率差によって横モード
を制御している。
導体レーザ素子１０及び４０では、ｐ型クラッド層３０
の上層部及びｐ型コンタクト層３２をリッジストライプ
部として形成し、注入電流の電流通路の大きさを制限す
ることにより、動作電流の低減化を図ると共に、リッジ
ストライプ部の横方向の実効屈折率差によって横モード
を制御している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の半導体レーザ素子１０及び４０から光出力３０．０
ｍＷで放射されたレーザ光の遠視野像（活性層に垂直方
向）は、図６（ａ）に示すように、縦方向成分を示す曲
線（１）で、基板放射モードに対応するピークＡ（図６
（ｂ）参照）が導波モードに対応する単峰の遠視野像
（図６（ｃ）参照）に重なって観察される。尚、曲線
（２）は遠視野像の横方向成分である。
来の半導体レーザ素子１０及び４０から光出力３０．０
ｍＷで放射されたレーザ光の遠視野像（活性層に垂直方
向）は、図６（ａ）に示すように、縦方向成分を示す曲
線（１）で、基板放射モードに対応するピークＡ（図６
（ｂ）参照）が導波モードに対応する単峰の遠視野像
（図６（ｃ）参照）に重なって観察される。尚、曲線
（２）は遠視野像の横方向成分である。
【０００９】しかし、このような遠視野像を示す半導体
レーザ素子を光メモリーシステムの光ピックアップの光
源にした場合、レンズで回折限界までレーザ光を集光す
ることが必要であるものの、導波モードが回折限界まで
集光するように設計されたレンズでは、基板放射モード
の光を集光することが出来ない。つまり、基板放射モー
ドの光は、光メモリへの書き込み、読み出し等に利用さ
れることのない無駄な不要な光であるばかりでなく、逆
に光メモリーシステムの書き込み、読み出し等に誤差を
生じさせるというような悪影響を与える迷光となる。
レーザ素子を光メモリーシステムの光ピックアップの光
源にした場合、レンズで回折限界までレーザ光を集光す
ることが必要であるものの、導波モードが回折限界まで
集光するように設計されたレンズでは、基板放射モード
の光を集光することが出来ない。つまり、基板放射モー
ドの光は、光メモリへの書き込み、読み出し等に利用さ
れることのない無駄な不要な光であるばかりでなく、逆
に光メモリーシステムの書き込み、読み出し等に誤差を
生じさせるというような悪影響を与える迷光となる。
【００１０】従って、このように基板放射モードの光を
除去し、導波モードの光のみからなる単峰遠視野像を示
すＧａＮ系半導体レーザ素子が求められている。以上の
説明では、ＧａＮ系半導体レーザ素子を例にして問題を
説明したが、この問題はＧａＮ系に限らず半導体レーザ
素子全般に該当するものである。
除去し、導波モードの光のみからなる単峰遠視野像を示
すＧａＮ系半導体レーザ素子が求められている。以上の
説明では、ＧａＮ系半導体レーザ素子を例にして問題を
説明したが、この問題はＧａＮ系に限らず半導体レーザ
素子全般に該当するものである。
【００１１】そこで、本発明の目的は、単峰性の導波モ
ードの光を出射する半導体レーザ素子を提供することで
ある。
ードの光を出射する半導体レーザ素子を提供することで
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】ここで、図７を参照し
て、典型的な半導体レーザ素子の導波モード光強度分布
を説明する。図７は図４の線Ｉ−Ｉの断面及び図５の線
II−IIの断面での半導体レーザ素子の導波モードの光の
強度分布を示す模式図である。光強度の最大ピークは、
図７に示すように、活性層２４に位置し、ｐ型クラッド
層３０及びｎ型クラッド層２０内で減衰する。導波モー
ドの光の分布は、ｎ型クラッド層２０から更に基板側に
も存在するものの、導波モードの光のエネルギーの大部
分は、ｐ型クラッド層３０からｎ型クラッド層２０まで
の範囲にあって、その物理的厚さは、高々２μｍ〜３μ
ｍである。
て、典型的な半導体レーザ素子の導波モード光強度分布
を説明する。図７は図４の線Ｉ−Ｉの断面及び図５の線
II−IIの断面での半導体レーザ素子の導波モードの光の
強度分布を示す模式図である。光強度の最大ピークは、
図７に示すように、活性層２４に位置し、ｐ型クラッド
層３０及びｎ型クラッド層２０内で減衰する。導波モー
ドの光の分布は、ｎ型クラッド層２０から更に基板側に
も存在するものの、導波モードの光のエネルギーの大部
分は、ｐ型クラッド層３０からｎ型クラッド層２０まで
の範囲にあって、その物理的厚さは、高々２μｍ〜３μ
ｍである。
【００１３】ところで、基板放射モードの光の発生条件
は、ｎ型クラッド層２０より更に基板側に隣接する材料
層Ｂが半導体レーザ素子の発光波長に対し透明であるこ
と、かつ、導波モードの光の実効屈折率が材料層Ｂの屈
折率より小さいことである。ここで、基板に隣接する材
料層Ｂとは、図４に示すＧａＮ系半導体レーザ素子１０
では、ＧａＮ横方向成長層１６及びｎ型コンタクト層１
８、更にはサファイア基板１２であり、図５に示すＧａ
Ｎ系半導体レーザ素子４０ではＧａＮ基板４２である。
上述した従来の半導体レーザ素子１０及び４０の層構成
では、このような基板放射モードの発生条件が満足され
るために、基板放射モードの光が発生する。
は、ｎ型クラッド層２０より更に基板側に隣接する材料
層Ｂが半導体レーザ素子の発光波長に対し透明であるこ
と、かつ、導波モードの光の実効屈折率が材料層Ｂの屈
折率より小さいことである。ここで、基板に隣接する材
料層Ｂとは、図４に示すＧａＮ系半導体レーザ素子１０
では、ＧａＮ横方向成長層１６及びｎ型コンタクト層１
８、更にはサファイア基板１２であり、図５に示すＧａ
Ｎ系半導体レーザ素子４０ではＧａＮ基板４２である。
上述した従来の半導体レーザ素子１０及び４０の層構成
では、このような基板放射モードの発生条件が満足され
るために、基板放射モードの光が発生する。
【００１４】基板放射モードの光は、図８に示すよう
に、導波モードの光との結合により発生する。基板放射
モードの光は、材料層Ｂ内の伝播方向が導波モードの光
の伝播方向（基板に対して平行）に対して角度θ１であ
って、半導体レーザ素子の発光面（出射端面）Ｃから斜
め下方に角度θ２で放射されるとすると、θ１とｎsub
とｎeff との間には、 ｃｏｓ（θ１）＝ｎeff ／ｎsub で表される関係が成立している。ここで、導波モードの
光の実効屈折率をｎeff 、及び材料層Ｂの屈折率をｎsu
b としている。
に、導波モードの光との結合により発生する。基板放射
モードの光は、材料層Ｂ内の伝播方向が導波モードの光
の伝播方向（基板に対して平行）に対して角度θ１であ
って、半導体レーザ素子の発光面（出射端面）Ｃから斜
め下方に角度θ２で放射されるとすると、θ１とｎsub
とｎeff との間には、 ｃｏｓ（θ１）＝ｎeff ／ｎsub で表される関係が成立している。ここで、導波モードの
光の実効屈折率をｎeff 、及び材料層Ｂの屈折率をｎsu
b としている。
【００１５】また、θ２とｎsub とｎeff との間には、
次の式の関係が成立する。 ｓｉｎ（θ２）×ｓｉｎ（θ２）＝ｎsub ×ｎsub −ｎ
eff ×ｎeff 角度θ２で外部に放射した光が、図６（ａ）のサイドピ
ークＡになる。基板放射モードの光は、材料層Ｂを通し
て発光面Ｃから放射され、基板放射モードの光のパスの
領域の厚さは、材料層Ｂの厚みに応じて広くなるので、
通常、数μｍから数百μｍの範囲にある。
次の式の関係が成立する。 ｓｉｎ（θ２）×ｓｉｎ（θ２）＝ｎsub ×ｎsub −ｎ
eff ×ｎeff 角度θ２で外部に放射した光が、図６（ａ）のサイドピ
ークＡになる。基板放射モードの光は、材料層Ｂを通し
て発光面Ｃから放射され、基板放射モードの光のパスの
領域の厚さは、材料層Ｂの厚みに応じて広くなるので、
通常、数μｍから数百μｍの範囲にある。
【００１６】以上のように、単峰性の遠視野像を示す半
導体レーザ素子の導波モードの光の大部分は、ｐ型クラ
ッド層からｎ型クラッド層までの範囲の発光面Ｃから出
射する。一方、遠視野像中にサイドピークＡ（図６
（ａ）参照）を形作る基板放射モードは、ｎ型クラッド
層より更に基板側に隣接する材料層Ｂを通して発光面Ｃ
から出射する。従って、単峰性の遠視野像を示す半導体
レーザ素子を得るためには、図９に示すように、発光面
Ｃで材料層Ｂから出射する基板放射モードの光を光遮蔽
膜で遮蔽することが有効である。
導体レーザ素子の導波モードの光の大部分は、ｐ型クラ
ッド層からｎ型クラッド層までの範囲の発光面Ｃから出
射する。一方、遠視野像中にサイドピークＡ（図６
（ａ）参照）を形作る基板放射モードは、ｎ型クラッド
層より更に基板側に隣接する材料層Ｂを通して発光面Ｃ
から出射する。従って、単峰性の遠視野像を示す半導体
レーザ素子を得るためには、図９に示すように、発光面
Ｃで材料層Ｂから出射する基板放射モードの光を光遮蔽
膜で遮蔽することが有効である。
【００１７】上記目的を達成するために、上述の知見に
基づいて、本発明に係る半導体レーザ素子（以下、第１
の発明と言う）は、光導波路構造と、光導波路構造の下
に設けられた化合物半導体層の積層構造とを基板上に有
する半導体レーザ素子において、出射端面側の積層構造
の端面が、半導体レーザ素子の発振波長の光を透過しな
い不透明膜で覆われていることを特徴としている。
基づいて、本発明に係る半導体レーザ素子（以下、第１
の発明と言う）は、光導波路構造と、光導波路構造の下
に設けられた化合物半導体層の積層構造とを基板上に有
する半導体レーザ素子において、出射端面側の積層構造
の端面が、半導体レーザ素子の発振波長の光を透過しな
い不透明膜で覆われていることを特徴としている。
【００１８】好適には、更に、出射端面側の基板端面
が、半導体レーザ素子の発振波長の光を透過しない不透
明膜で覆われている。
が、半導体レーザ素子の発振波長の光を透過しない不透
明膜で覆われている。
【００１９】また、基板上に直接光導波路構造が形成さ
れているものについては、本発明に係る別の半導体レー
ザ素子（以下、第２の発明と言う）は、化合物半導体層
を介在させることなく光導波路構造を基板上に有する半
導体レーザ素子において、出射端面側の基板端面が、半
導体レーザ素子の発振波長の光を透過しない不透明膜で
覆われていることを特徴としている。
れているものについては、本発明に係る別の半導体レー
ザ素子（以下、第２の発明と言う）は、化合物半導体層
を介在させることなく光導波路構造を基板上に有する半
導体レーザ素子において、出射端面側の基板端面が、半
導体レーザ素子の発振波長の光を透過しない不透明膜で
覆われていることを特徴としている。
【００２０】第１及び第２の発明の不透明膜は、半導体
レーザ素子の発振波長の光を透過しない限り、制約はな
く、例えば不透明膜は、半導体レーザ素子が発光する光
を吸収する光吸収性誘電体膜、又は光吸収性半導体膜で
形成されている。例えば光吸収性半導体膜には、バンド
ギャップ波長が半導体レーザ素子の発振波長より小さな
半導体膜を使用する。また、不透明膜が、半導体レーザ
素子が発光する光を反射する金属膜等の光反射膜で形成
されていても良い。更には、不透明膜が、半導体レーザ
素子が発光する光を反射するように設計された誘電体多
層膜で形成されていてもよい。
レーザ素子の発振波長の光を透過しない限り、制約はな
く、例えば不透明膜は、半導体レーザ素子が発光する光
を吸収する光吸収性誘電体膜、又は光吸収性半導体膜で
形成されている。例えば光吸収性半導体膜には、バンド
ギャップ波長が半導体レーザ素子の発振波長より小さな
半導体膜を使用する。また、不透明膜が、半導体レーザ
素子が発光する光を反射する金属膜等の光反射膜で形成
されていても良い。更には、不透明膜が、半導体レーザ
素子が発光する光を反射するように設計された誘電体多
層膜で形成されていてもよい。
【００２１】更には、出射端面側の積層構造の端面及び
基板端面が、不透明膜に代えて、光を遮断する材料で形
成された光学部品で覆われていても良い。つまり、光導
波路構造が基板上に直接設けられているものについて
は、本発明に係る光集積デバイス（以下、第３の発明と
言う）は、化合物半導体層を介在させることなく光導波
路構造を基板上に有する半導体レーザ素子と、光を遮断
する材料からなる光遮蔽膜を少なくとも外形の一部に有
する光学部品とを備え、出射端面側の基板端面が、μｍ
オーダの間隙で光学部品の光遮蔽膜に対面していること
を特徴としている。
基板端面が、不透明膜に代えて、光を遮断する材料で形
成された光学部品で覆われていても良い。つまり、光導
波路構造が基板上に直接設けられているものについて
は、本発明に係る光集積デバイス（以下、第３の発明と
言う）は、化合物半導体層を介在させることなく光導波
路構造を基板上に有する半導体レーザ素子と、光を遮断
する材料からなる光遮蔽膜を少なくとも外形の一部に有
する光学部品とを備え、出射端面側の基板端面が、μｍ
オーダの間隙で光学部品の光遮蔽膜に対面していること
を特徴としている。
【００２２】更には、光導波路構造が化合物半導体層の
積層構造を介して基板上に設けられているものについて
は、本発明に係る別の光集積デバイス（以下、第４の発
明と言う）は、光導波路構造と、光導波路構造の下に設
けられた化合物半導体層の積層構造とを基板上に有する
半導体レーザ素子と、光を遮断する材料からなる光遮蔽
膜を少なくとも外形の一部に有する光学部品とを備え、
出射端面側の積層構造の端面が、又は積層構造の端面及
び基板端面が、μｍオーダの間隙で光学部品の光遮蔽膜
に対面していることを特徴としている。
積層構造を介して基板上に設けられているものについて
は、本発明に係る別の光集積デバイス（以下、第４の発
明と言う）は、光導波路構造と、光導波路構造の下に設
けられた化合物半導体層の積層構造とを基板上に有する
半導体レーザ素子と、光を遮断する材料からなる光遮蔽
膜を少なくとも外形の一部に有する光学部品とを備え、
出射端面側の積層構造の端面が、又は積層構造の端面及
び基板端面が、μｍオーダの間隙で光学部品の光遮蔽膜
に対面していることを特徴としている。
【００２３】第３及び第４の発明の光学部品は、通常、
半導体レーザ素子と機能的に関連する部品であって、例
えばアパーチャ（空間フィルタ）等である。第３及び第
４の発明では、アパーチャ（空間フィルタ）を配置する
ことにより、半導体レーザ素子の出射端面に光遮蔽膜を
配置することと等価になり、遠視野像の高周波成分を削
減し、より滑らかな遠視野像を得ることが出来る。
半導体レーザ素子と機能的に関連する部品であって、例
えばアパーチャ（空間フィルタ）等である。第３及び第
４の発明では、アパーチャ（空間フィルタ）を配置する
ことにより、半導体レーザ素子の出射端面に光遮蔽膜を
配置することと等価になり、遠視野像の高周波成分を削
減し、より滑らかな遠視野像を得ることが出来る。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照し、実施
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、第１の発明に係る半導体レーザ素子を
サファイア基板上に形成したＧａＮ系半導体レーザ素子
に適用した実施形態の一例であって、図１は本実施形態
例のＧａＮ系半導体レーザ素子の構成を示す図であっ
て、図４の線Ｉ−Ｉでの断面に相当する断面図である。
本実施形態例のＧａＮ系半導体レーザ素子５０は、図１
に示すように、出射端面側のサファイア基板１２、Ｇａ
Ｎ横方向成長層１６、及びｎ型ＧａＮコンタクト層１８
の端面が、ＧａＮ系半導体レーザ素子５０の発振波長、
４０５ｎｍの光を透過しない不透明膜５２で覆われてい
ることを除いて、従来のＧａＮ系半導体レーザ素子１０
と同じ構成を備えている。
形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に
説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、第１の発明に係る半導体レーザ素子を
サファイア基板上に形成したＧａＮ系半導体レーザ素子
に適用した実施形態の一例であって、図１は本実施形態
例のＧａＮ系半導体レーザ素子の構成を示す図であっ
て、図４の線Ｉ−Ｉでの断面に相当する断面図である。
本実施形態例のＧａＮ系半導体レーザ素子５０は、図１
に示すように、出射端面側のサファイア基板１２、Ｇａ
Ｎ横方向成長層１６、及びｎ型ＧａＮコンタクト層１８
の端面が、ＧａＮ系半導体レーザ素子５０の発振波長、
４０５ｎｍの光を透過しない不透明膜５２で覆われてい
ることを除いて、従来のＧａＮ系半導体レーザ素子１０
と同じ構成を備えている。
【００２５】本実施形態例では、サファイア基板１２、
ＧａＮ横方向成長層１６、及びｎ型ＧａＮコンタクト層
１８は、導波モードの光の実効屈折率より大きな屈折率
で、かつ発振波長の光に対して透明な材料であるから、
基板放射モードの光を遮蔽するために、出射端面側の端
面が不透明膜５２で覆われている。一方、ｎ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層２０から上の光導波路は、不透明膜５２で
覆われていない。
ＧａＮ横方向成長層１６、及びｎ型ＧａＮコンタクト層
１８は、導波モードの光の実効屈折率より大きな屈折率
で、かつ発振波長の光に対して透明な材料であるから、
基板放射モードの光を遮蔽するために、出射端面側の端
面が不透明膜５２で覆われている。一方、ｎ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層２０から上の光導波路は、不透明膜５２で
覆われていない。
【００２６】不透明膜５２は、従来のＧａＮ系半導体レ
ーザ素子１０の出射端面に設けられている低反射率膜３
７上に積層されている。本実施形態例では、不透明膜５
２として、スパッタ法により成膜した光吸収膜、例えば
膜厚が１００ｎｍのＳｉ膜を使用している。不透明膜と
して、光吸収膜以外に、例えば、ＳｉＯ2 膜とＴｉＯ2
膜との多層誘電体膜からなる高反射率膜、或いはＴｉ、
Ａｌ等の金属を蒸着させた金属膜からなる光反射膜でも
良い。尚、不透明膜５２を成膜して、その上に低反射率
膜３７を積層しても良い。また、出射端面とは反対のリ
ア側には、従来から、高反射率膜３９が設けられてい
る。
ーザ素子１０の出射端面に設けられている低反射率膜３
７上に積層されている。本実施形態例では、不透明膜５
２として、スパッタ法により成膜した光吸収膜、例えば
膜厚が１００ｎｍのＳｉ膜を使用している。不透明膜と
して、光吸収膜以外に、例えば、ＳｉＯ2 膜とＴｉＯ2
膜との多層誘電体膜からなる高反射率膜、或いはＴｉ、
Ａｌ等の金属を蒸着させた金属膜からなる光反射膜でも
良い。尚、不透明膜５２を成膜して、その上に低反射率
膜３７を積層しても良い。また、出射端面とは反対のリ
ア側には、従来から、高反射率膜３９が設けられてい
る。
【００２７】本実施形態例では、不透明膜５２として、
光吸収膜を使用することにより、基板放射モードの光を
遮蔽している。これにより、ＧａＮ系半導体レーザ素子
５０は、単峰性の遠視野像を示す導波モードの光を出射
することができる。
光吸収膜を使用することにより、基板放射モードの光を
遮蔽している。これにより、ＧａＮ系半導体レーザ素子
５０は、単峰性の遠視野像を示す導波モードの光を出射
することができる。
【００２８】実施形態例２ 本実施形態例は、第２の発明に係る半導体レーザ素子を
ＧａＮ基板上に形成したＧａＮ系半導体レーザ素子に適
用した実施形態の一例であって、図２は本実施形態例の
ＧａＮ系半導体レーザ素子の構成を示す図であって、図
５の線II−IIでの断面に相当する断面図である。本実施
形態例のＧａＮ系半導体レーザ素子６０は、図２に示す
ように、出射端面側のＧａＮ基板４２の端面が、ＧａＮ
系半導体レーザ素子６０の発振波長、４０５ｎｍの光を
透過しない不透明膜６２で覆われていることを除いて、
従来のＧａＮ系半導体レーザ素子４０と同じ構成を備え
ている。
ＧａＮ基板上に形成したＧａＮ系半導体レーザ素子に適
用した実施形態の一例であって、図２は本実施形態例の
ＧａＮ系半導体レーザ素子の構成を示す図であって、図
５の線II−IIでの断面に相当する断面図である。本実施
形態例のＧａＮ系半導体レーザ素子６０は、図２に示す
ように、出射端面側のＧａＮ基板４２の端面が、ＧａＮ
系半導体レーザ素子６０の発振波長、４０５ｎｍの光を
透過しない不透明膜６２で覆われていることを除いて、
従来のＧａＮ系半導体レーザ素子４０と同じ構成を備え
ている。
【００２９】本実施形態例では、ＧａＮ基板４２は、導
波モードの光の実効屈折率より大きな屈折率で、かつ発
振波長の光に対して透明な材料であるから、基板放射モ
ードの光を遮蔽するために、出射端面側の端面が不透明
膜６２で覆われている。一方、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド
層２０から上の光導波路は、不透明膜６２で覆われてい
ない。
波モードの光の実効屈折率より大きな屈折率で、かつ発
振波長の光に対して透明な材料であるから、基板放射モ
ードの光を遮蔽するために、出射端面側の端面が不透明
膜６２で覆われている。一方、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド
層２０から上の光導波路は、不透明膜６２で覆われてい
ない。
【００３０】不透明膜６２は、従来のＧａＮ系半導体レ
ーザ素子４０の出射端面に設けられている低反射率膜４
６上に積層されている。本実施形態例では、不透明膜６
２として、光吸収膜、例えば膜厚１００ｎｍのＳｉ膜を
使用している。不透明膜として、その他、例えば、Ｓｉ
Ｏ2 膜とＴｉＯ2 膜との多層誘電体膜からなる高反射率
膜、或いはＴｉ、Ａｌ等の金属を蒸着させた金属膜から
なる光反射膜でも良い。尚、不透明膜６２を成膜して、
その上に低反射率膜４６を積層しても良い。また、出射
端面とは反対のリア側には、従来から、高反射率膜４８
が設けられている。
ーザ素子４０の出射端面に設けられている低反射率膜４
６上に積層されている。本実施形態例では、不透明膜６
２として、光吸収膜、例えば膜厚１００ｎｍのＳｉ膜を
使用している。不透明膜として、その他、例えば、Ｓｉ
Ｏ2 膜とＴｉＯ2 膜との多層誘電体膜からなる高反射率
膜、或いはＴｉ、Ａｌ等の金属を蒸着させた金属膜から
なる光反射膜でも良い。尚、不透明膜６２を成膜して、
その上に低反射率膜４６を積層しても良い。また、出射
端面とは反対のリア側には、従来から、高反射率膜４８
が設けられている。
【００３１】本実施形態例では、不透明膜６２として、
光吸収膜を使用することにより、基板放射モードの光を
遮蔽している。これにより、ＧａＮ系半導体レーザ素子
６０は、単峰性の遠視野像を示す導波モードの光を出射
することができる。
光吸収膜を使用することにより、基板放射モードの光を
遮蔽している。これにより、ＧａＮ系半導体レーザ素子
６０は、単峰性の遠視野像を示す導波モードの光を出射
することができる。
【００３２】実施形態例３ 本実施形態例は、第３の発明に係る光集積デバイスの実
施形態の一例であって、図３は本実施形態例の光集積デ
バイスの構成を示す断面図である。尚、図３のＧａＮ系
半導体レーザ素子は、図５の線II−IIでの断面に相当す
る断面で示されている。本実施形態例の光集積デバイス
７２は、ＧａＮ系半導体レーザ素子７０と、光学部品８
０とを備えたデバイスであって、図３に示すように、図
５に示す従来の半導体レーザ素子４０と同じ構成を備え
ているＧａＮ系半導体レーザ素子７０をジャンクション
ダウンで半導体基板７４上に接合させている。半導体基
板７４は、ＧａＮ系半導体レーザ７０の接合側と反対側
でヒートシンク７６に接合され、かつフォトダイオード
７８をＧａＮ系半導体レーザ素子７０に並列に備えてい
る。
施形態の一例であって、図３は本実施形態例の光集積デ
バイスの構成を示す断面図である。尚、図３のＧａＮ系
半導体レーザ素子は、図５の線II−IIでの断面に相当す
る断面で示されている。本実施形態例の光集積デバイス
７２は、ＧａＮ系半導体レーザ素子７０と、光学部品８
０とを備えたデバイスであって、図３に示すように、図
５に示す従来の半導体レーザ素子４０と同じ構成を備え
ているＧａＮ系半導体レーザ素子７０をジャンクション
ダウンで半導体基板７４上に接合させている。半導体基
板７４は、ＧａＮ系半導体レーザ７０の接合側と反対側
でヒートシンク７６に接合され、かつフォトダイオード
７８をＧａＮ系半導体レーザ素子７０に並列に備えてい
る。
【００３３】本実施形態例では、ＧａＮ系半導体レーザ
素子７０の出射端面側のＧａＮ基板４２の端面は、ヒー
トシンク７６の端面に接着剤層７９で接合され、ヒート
シンク７６に直交して直立する光学部品８０に設けられ
た光遮蔽膜８２に数μｍ以下の間隙で対面している。光
学部品８０は、本実施形態例では、いわゆるアパーチャ
（空間フィルタ）と言われる光学部品であって、無反射
膜８４が両面に塗布成膜された透明基板８６の一方の面
の、ＧａＮ系半導体レーザ素子７０のＧａＮ基板４２に
対面する領域に、例えば膜厚１００ｎｍのＳｉ膜からな
る光遮蔽膜８２を備えている。一方、ＧａＮ系半導体レ
ーザ素子７０のＧａＮ基板４２上に形成された光導波路
の端面は、光学部品８０の無反射膜８４に面している。
素子７０の出射端面側のＧａＮ基板４２の端面は、ヒー
トシンク７６の端面に接着剤層７９で接合され、ヒート
シンク７６に直交して直立する光学部品８０に設けられ
た光遮蔽膜８２に数μｍ以下の間隙で対面している。光
学部品８０は、本実施形態例では、いわゆるアパーチャ
（空間フィルタ）と言われる光学部品であって、無反射
膜８４が両面に塗布成膜された透明基板８６の一方の面
の、ＧａＮ系半導体レーザ素子７０のＧａＮ基板４２に
対面する領域に、例えば膜厚１００ｎｍのＳｉ膜からな
る光遮蔽膜８２を備えている。一方、ＧａＮ系半導体レ
ーザ素子７０のＧａＮ基板４２上に形成された光導波路
の端面は、光学部品８０の無反射膜８４に面している。
【００３４】本実施形態例では、ＧａＮ系半導体レーザ
素子７０から出射した導波モードの光は、光学部品８０
を透過する一方、基板放射モードの光は光学部品８０に
設けられた光遮蔽膜８２によって遮られるので、ＧａＮ
系半導体レーザ素子７０は、単峰性の遠視野像を示す導
波モードの光を出射することができる。
素子７０から出射した導波モードの光は、光学部品８０
を透過する一方、基板放射モードの光は光学部品８０に
設けられた光遮蔽膜８２によって遮られるので、ＧａＮ
系半導体レーザ素子７０は、単峰性の遠視野像を示す導
波モードの光を出射することができる。
【００３５】
【発明の効果】第１及び第２の発明によれば、半導体レ
ーザ素子から出射される光のうち、基板放射モードの光
を遮蔽し、導波モードの光のみを光導波路端面から出射
することにより、単峰性の良好な遠視野像を示す半導体
レーザ素子を実現している。第３及び第４の発明では、
アパーチャ（空間フィルタ）を配置することにより、半
導体レーザ素子の出射端面に遮蔽物を配置することと等
価になり、遠視野像の高周波成分を削減し、より滑らか
な遠視野像を得ることが出来る。
ーザ素子から出射される光のうち、基板放射モードの光
を遮蔽し、導波モードの光のみを光導波路端面から出射
することにより、単峰性の良好な遠視野像を示す半導体
レーザ素子を実現している。第３及び第４の発明では、
アパーチャ（空間フィルタ）を配置することにより、半
導体レーザ素子の出射端面に遮蔽物を配置することと等
価になり、遠視野像の高周波成分を削減し、より滑らか
な遠視野像を得ることが出来る。
【図１】実施形態例１のＧａＮ系半導体レーザ素子の構
成を示す、図４の線Ｉ−Ｉでの断面に相当する断面図で
ある。
成を示す、図４の線Ｉ−Ｉでの断面に相当する断面図で
ある。
【図２】実施形態例２のＧａＮ系半導体レーザ素子の構
成を示す、図５の線II−IIでの断面に相当する断面図で
ある。
成を示す、図５の線II−IIでの断面に相当する断面図で
ある。
【図３】実施形態例３のＧａＮ系半導体レーザ素子を備
えた光集積デバイスの構成を示す断面図である。
えた光集積デバイスの構成を示す断面図である。
【図４】従来のＧａＮ系半導体レーザ素子の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】従来の別のＧａＮ系半導体レーザ素子の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】図６（ａ）はレーザ光の遠視野像（活性層に垂
直方向）の縦方向成分及び横方向成分の光強度分布を示
し、図６（ｂ）は導波モードの光の遠視野像、及び図６
（ｃ）は、基板放射モードの光遠視野像を示す。
直方向）の縦方向成分及び横方向成分の光強度分布を示
し、図６（ｂ）は導波モードの光の遠視野像、及び図６
（ｃ）は、基板放射モードの光遠視野像を示す。
【図７】半導体レーザ素子内の膜構成と導波モードの光
の素子垂直方向の強度分布を示す模式図である。
の素子垂直方向の強度分布を示す模式図である。
【図８】半導体レーザ素子の膜構成と関連させて、導波
モードの光及び基板放射モードの光の伝播を示す図であ
る。
モードの光及び基板放射モードの光の伝播を示す図であ
る。
【図９】本発明の要旨を説明する模式図である。
１０……従来のＧａＮ系半導体レーザ素子、１２……サ
ファイア基板、１６……ＧａＮ横方向成長層、１８……
ｎ型ＧａＮコンタクト層、２０……ｎ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層、２２……ｎ型ＧａＮからなる第１の光ガイド
層、２４……ＩｎＧａＮ活性層、２６……ｐ型ＡｌＧａ
Ｎの劣化防止層、２８……ｐ型ＩｎＧａＮからなる第２
の光ガイド層、３０……ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、３
２……ｐ型ＧａＮコンタクト層、３４……ＳｉＯ2 膜、
３６……ｐ側電極、３７……低反射率膜、３８……ｎ側
電極、３９……高反射率膜、４０……従来の別のＧａＮ
系半導体レーザ素子、４２……ｎ型ＧａＮ基板、４４…
…ｎ側電極、４６……低反射率膜、４８……高反射率
膜、５０……実施形態例１のＧａＮ系半導体レーザ素
子、５２……不透明膜、６０……実施形態例２のＧａＮ
系半導体レーザ素子、６２……不透明膜、７０……実施
形態例３のＧａＮ系半導体レーザ素子、７２……光集積
デバイス、７４……半導体基板、７６……ヒートシン
ク、７８……フォトダイオード、７９……接着剤層、８
０……光学部品、８２……光遮蔽膜、８４……無反射
膜、８６……透明基板。
ファイア基板、１６……ＧａＮ横方向成長層、１８……
ｎ型ＧａＮコンタクト層、２０……ｎ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層、２２……ｎ型ＧａＮからなる第１の光ガイド
層、２４……ＩｎＧａＮ活性層、２６……ｐ型ＡｌＧａ
Ｎの劣化防止層、２８……ｐ型ＩｎＧａＮからなる第２
の光ガイド層、３０……ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、３
２……ｐ型ＧａＮコンタクト層、３４……ＳｉＯ2 膜、
３６……ｐ側電極、３７……低反射率膜、３８……ｎ側
電極、３９……高反射率膜、４０……従来の別のＧａＮ
系半導体レーザ素子、４２……ｎ型ＧａＮ基板、４４…
…ｎ側電極、４６……低反射率膜、４８……高反射率
膜、５０……実施形態例１のＧａＮ系半導体レーザ素
子、５２……不透明膜、６０……実施形態例２のＧａＮ
系半導体レーザ素子、６２……不透明膜、７０……実施
形態例３のＧａＮ系半導体レーザ素子、７２……光集積
デバイス、７４……半導体基板、７６……ヒートシン
ク、７８……フォトダイオード、７９……接着剤層、８
０……光学部品、８２……光遮蔽膜、８４……無反射
膜、８６……透明基板。
Claims (7)
- 【請求項１】 光導波路構造と、光導波路構造の下に設
けられた化合物半導体層の積層構造とを基板上に有する
半導体レーザ素子において、 出射端面側の積層構造の端面が、半導体レーザ素子の発
振波長の光を透過しない不透明膜で覆われていることを
特徴とする半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 更に、出射端面側の基板端面が、前記不
透明膜で覆われていることを特徴とする請求項１に記載
の半導体レーザ素子。 - 【請求項３】 化合物半導体層を介在させることなく光
導波路構造を基板上に有する半導体レーザ素子におい
て、 出射端面側の基板端面が、半導体レーザ素子の発振波長
の光を透過しない不透明膜で覆われていることを特徴と
する半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 前記不透明膜は、半導体レーザ素子が発
光する光を吸収する光吸収性誘電体膜、又は光吸収性半
導体膜で形成されていることを特徴とする請求項１から
３のうちのいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。 - 【請求項５】 前記不透明膜は、半導体レーザ素子が発
光する光を反射する光反射膜で形成されていることを特
徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の
半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 化合物半導体層を介在させることなく光
導波路構造を基板上に有する半導体レーザ素子と、 光を遮断する光遮蔽膜を少なくとも外形の一部に有する
光学部品とを備え、出射端面側の基板端面が、μｍオー
ダの間隙で光学部品の光遮蔽膜に対面していることを特
徴とする光集積デバイス。 - 【請求項７】 光導波路構造と、光導波路構造の下に設
けられた化合物半導体層の積層構造とを基板上に有する
半導体レーザ素子と、 光を遮断する光遮蔽膜を少なくとも外形の一部に有する
光学部品とを備え、出射端面側の積層構造の端面が、又
は積層構造の端面及び基板端面が、μｍオーダの間隙で
光学部品の光遮蔽膜に対面していることを特徴とする光
集積デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001073464A JP2002280663A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 半導体レーザ素子及び光集積デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001073464A JP2002280663A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 半導体レーザ素子及び光集積デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280663A true JP2002280663A (ja) | 2002-09-27 |
Family
ID=18930885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001073464A Pending JP2002280663A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | 半導体レーザ素子及び光集積デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002280663A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005006506A1 (ja) | 2003-07-10 | 2005-01-20 | Nichia Corporation | 窒化物半導体レーザ素子及びそれを用いたレーザー装置 |
| JP2009021548A (ja) * | 2007-06-13 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| US7675954B2 (en) | 2004-07-21 | 2010-03-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP2010212491A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Sharp Corp | マウント部材およびマウント部材を備えた半導体発光装置 |
| WO2011128233A1 (de) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserlichtquelle |
| WO2013064306A1 (de) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils und optoelektronischer halbleiterlaser |
| CN109713091A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-03 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法 |
| JP2020129653A (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-27 | シャープ株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
| DE102008012859B4 (de) | 2007-12-21 | 2023-10-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laserlichtquelle mit einer Filterstruktur |
-
2001
- 2001-03-15 JP JP2001073464A patent/JP2002280663A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005006506A1 (ja) | 2003-07-10 | 2005-01-20 | Nichia Corporation | 窒化物半導体レーザ素子及びそれを用いたレーザー装置 |
| US7609737B2 (en) | 2003-07-10 | 2009-10-27 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor laser element |
| US7675954B2 (en) | 2004-07-21 | 2010-03-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| JP2009021548A (ja) * | 2007-06-13 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| DE102008012859B4 (de) | 2007-12-21 | 2023-10-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laserlichtquelle mit einer Filterstruktur |
| JP2010212491A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Sharp Corp | マウント部材およびマウント部材を備えた半導体発光装置 |
| US8858030B2 (en) | 2010-04-16 | 2014-10-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laser light source |
| CN102934300A (zh) * | 2010-04-16 | 2013-02-13 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 激光光源 |
| CN104201559A (zh) * | 2010-04-16 | 2014-12-10 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 激光光源 |
| EP3719942A1 (de) * | 2010-04-16 | 2020-10-07 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Laserlichtquelle |
| WO2011128233A1 (de) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserlichtquelle |
| WO2013064306A1 (de) * | 2011-10-31 | 2013-05-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils und optoelektronischer halbleiterlaser |
| US8879597B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-11-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Methods for producing optoelectronic semiconductor components, and optoelectronic semiconductor lasers |
| JP2015503217A (ja) * | 2011-10-31 | 2015-01-29 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体レーザ |
| US9124072B2 (en) | 2011-10-31 | 2015-09-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Methods of producing optoelectronic semiconductor components, and optoelectronic semiconductor lasers |
| CN109713091A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-03 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法 |
| JP2020129653A (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-27 | シャープ株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7949031B2 (en) | Optoelectronic systems providing high-power high-brightness laser light based on field coupled arrays, bars and stacks of semicondutor diode lasers | |
| JP5374772B2 (ja) | 光電子デバイスおよびその製造方法 | |
| JP2907931B2 (ja) | 表面出射型グレーティング付光増幅器 | |
| US7680172B2 (en) | Laser diode device | |
| JP7024786B2 (ja) | 発光素子および発光装置 | |
| US7421001B2 (en) | External cavity optoelectronic device | |
| JP2010041035A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに光ピックアップ装置 | |
| JP5679117B2 (ja) | 発光装置、照射装置、およびプロジェクター | |
| JP6620231B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
| JP2013235987A (ja) | 発光装置、スーパールミネッセントダイオード、およびプロジェクター | |
| JP5187525B2 (ja) | 発光装置 | |
| US6930024B2 (en) | Semiconductor laser device and method for fabricating the same | |
| JP2002280663A (ja) | 半導体レーザ素子及び光集積デバイス | |
| JPH1174559A (ja) | 半導体発光素子および露光装置 | |
| JP6939814B2 (ja) | 光学素子及び表示装置 | |
| JP2001028457A (ja) | ＧａＮ系半導体発光素子 | |
| JP2017212270A (ja) | 面発光レーザ装置 | |
| WO2017217101A1 (ja) | 光学素子及び表示装置 | |
| JP5411441B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2003133648A (ja) | 半導体レーザ装置、光ディスク装置及び光集積化装置 | |
| JPH0897514A (ja) | 半導体発光素子 | |
| KR100767698B1 (ko) | 레이저 다이오드 | |
| JP5304540B2 (ja) | 発光装置およびプロジェクター | |
| JP5403305B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP5471238B2 (ja) | 発光素子、発光装置、およびプロジェクター |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040317 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040604 |