JP6620231B2 - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。

半導体発光素子を含む発光装置は化合物半導体を用い、発光層の元素組成を変えることで様々な用途に合った波長の光を放射することができる。例えば、赤外光の使用用途の一つとして光通信が挙げられる。ワイヤレス光通信には光源として赤外光を放射する発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）が用いられる。そして近年、通信データの大容量化に伴って通信速度の更なる高速化が要望されるようになった。

このため、ＬＥＤよりも通信の高速化が可能な半導体発光素子を光通信の光源として用いる試みがなされている。しかしながら、半導体発光素子は空間に放出される光のスポット径が微小であり、且つ高コヒーレンスを有しているので、そのまま使用すると人の目に対する安全性に課題がある。これにより、光を拡散させてコヒーレンスを低下させ、且つスポット径を広げる必要性がある。このような発光装置に関する従来技術が特許文献１に開示されている。

特許文献１に記載された従来の発光装置はザグリ穴が形成された基板と、ザグリ穴の底部に設けられた半導体レーザ素子と、ザグリ穴に設けられた半導体レーザ素子と対向する傾斜面と、を備える。半導体レーザ素子が放射する光は傾斜面で反射され、基板表面に対して垂直を成す方向にザグリ穴の開口を経て出射される。これにより、この発光装置は小型化において有利である。また、この発光装置は半導体レーザ素子を拡散材が含まれる樹脂で被覆しているので、光のコヒーレンスが低下され、人の目に対する安全性の向上に効果を発揮する。

特許第４９０６５４５号公報

しかしながら、特許文献１に記載された従来の発光装置は半導体レーザ素子の端面の光放射部付近に光拡散材が存在するので、光拡散材が光吸収によって発熱し、半導体レーザ素子の端面が温度上昇する虞があるといった課題があった。これにより、半導体レーザ素子の端面のバンドギャップエネルギーが小さくなることで光吸収が起こり易くなり、発熱による端面の光学破壊（ＣＯＤ：Catastrophic Optical Damage）が発生する虞があった。したがって、発光装置の信頼性を十分に得ることができないことが懸念された。

本発明は、上記の点に鑑みなされたものであり、小型化及び安全性の向上が図られ、信頼性に優れた発光装置及び発光装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明の発光装置は、基板と、前記基板に設けられた半導体発光素子と、前記基板に形成されて前記半導体発光素子が放射した光をその放射方向に対して交差する方向に反射するミラーと、前記半導体発光素子と離隔して前記半導体発光素子の放射光の光路上に設けられた光拡散材を含む第一樹脂と、前記半導体発光素子の光放射面のうち少なくとも光の密度が一番高い領域を覆うとともに前記半導体発光素子と前記第一樹脂との間の光路上に設けられた低光拡散部と、を備え、前記低光拡散部の光拡散材の濃度が前記第一樹脂の前記光拡散材の濃度よりも低いことを特徴とする。

また、上記構成の発光装置において、前記低光拡散部が、前記光拡散材の濃度が前記第一樹脂よりも低い第二樹脂で構成されることを特徴とする。

また、上記構成の発光装置において、前記低光拡散部が、空間で構成されることを特徴とする。

また、上記構成の発光装置において、前記第一樹脂は、１ｗｔ％以上の前記光拡散材を含むことを特徴とする。

また、上記構成の発光装置において、前記第二樹脂は、１０ｗｔ％以下の前記光拡散材を含むことを特徴とする。

また、上記構成の発光装置において、前記半導体発光素子に接触する前記第一樹脂或いは前記第二樹脂は、弾性率が５００００ＭＰａ以下であることを特徴とする。

また、上記構成の発光装置において、前記ミラーは、光の反射面が平面または曲面で構成された第一面を有することを特徴とする。

また、上記構成の発光装置において、前記ミラーは、前記第一面に形成された前記第一面とは異なる曲率を有する曲面で構成された第二面を有することを特徴とする。

また、上記構成の発光装置において、前記第一樹脂は、前記ミラーの前記第二面を覆って形成されることを特徴とする。

また、上記構成の発光装置において、前記第一樹脂は、前記半導体発光素子の上面以外の領域に形成されることを特徴とする。

また、上記構成の発光装置において、前記ミラーは、光の反射面の少なくとも一部に凹凸部が形成されることを特徴とする。

また、上記構成の発光装置において、前記半導体発光素子は、７００ｎｍ〜１６００ｎｍの波長の光を放射することを特徴とする。

また、本発明の発光装置の製造方法は、ミラーが基板に形成される工程と、放射光の進行方向下流側に前記ミラーが位置するように前記基板に半導体発光素子が配置される工程と、前記半導体発光素子と離隔して前記半導体発光素子の放射光の光路上に光拡散材を含む第一樹脂が設けられる工程と、前記半導体発光素子の光放射面のうち少なくとも光の密度が一番高い領域を覆うように前記半導体発光素子と前記第一樹脂との間の光路上に低光拡散部が設けられる工程と、を含み、前記低光拡散部の光拡散材の濃度が前記第一樹脂の前記光拡散材の濃度よりも低いことを特徴とする。

本発明の構成によれば、共振器長方向に関して発光装置の大型化を抑制することができ、すなわち発光装置の小型化を向上させることが可能である。さらに、半導体発光素子の光の放射面における温度上昇を抑制することが可能であり、ＣＯＤの発生を防止することができる。これにより、信頼性に優れた発光装置を得ることが可能である。

本発明の第１実施形態に係る発光装置の断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の断面図である。 本発明の第２実施形態に係る発光装置の斜視図である。 本発明の第３実施形態に係る発光装置の断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。

＜第１実施形態＞
最初に、本発明の第１実施形態に係る発光装置について、図１を用いてその構造を説明する。図１は発光装置の断面図である。

発光装置１は、図１に示すように基板１０に搭載された半導体発光素子２を備える。

半導体発光素子２は例えば半導体レーザ素子である。半導体発光素子２は例えば７００ｎｍ〜１６００ｎｍの波長のレーザ光Ｌを放射する。半導体レーザ素子の共振器ミラーであるレーザ光Ｌの放射方向（共振器長方向）に対して垂直な端面２ａには端面保護膜（図示せず）が施される。一般的には、レーザ光の放射面である端面（出力ミラー）には例えば５％程度の低反射の端面保護膜が施され、その反対側の端面（リアミラー）には例えば９５％の高反射の端面保護膜が施される。半導体レーザ素子の光出力を最大限に得るために、本実施形態ではレーザ光Ｌが放射方向の両方の端面２ａに反射率が５％程度の端面保護膜を施した。

基板１０は外形が略直方体形状をなし、例えば例えばＣｕ合金にＡｇメッキを施して構成される。基板１０には凹部１１が形成される。凹部１１は図１においてレーザ光Ｌの放射方向に沿った断面が上下を逆さにした台形状をなす。凹部１１は基板１０の内部から図１における基板１０の上面方向に向かって広口となるように傾斜した側面１１ａを有し、基板１０の上面において開口１１ｂとなる。凹部１１の側面１１ａは内底面１１ｃに隣接するとともに、内底面１１ｃに対して約４５度の傾斜を有した平面で構成される。

半導体発光素子２は基板１０の凹部１１の内底面１１ｃに配置された放熱台３の上面に設けられる。放熱台３は例えばＡｌＮセラミック材で構成される。半導体発光素子２はレーザ光Ｌの進行方向下流側に凹部１１の側面１１ａが位置するように配置される。半導体発光素子２はワイヤ４を介して基板１０と電気的に接続される。ワイヤ４は例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕといった材料で構成される。なお、基板１０には外部と電気的に接続される端子部（図示せず）が設けられる。

凹部１１の内部の側面１１ａにはミラー１２が形成される。側面１１ａが内底面１１ｃに対して約４５度の傾斜を有するので、ミラー１２は半導体発光素子２が放射したレーザ光Ｌを、その放射方向に対して交差する方向に反射する。ミラー１２は平面で構成され、その表面に例えば多層反射膜（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）などが適用される。また、レーザ光Ｌの反射光の放射角の制御や配光制御を実行し易いように、ミラー１２は凹凸が抑制されたものが使用される。一方、光が高出力であっても人の目に対する安全性を確保できるように、ミラー１２は光の反射面の少なくとも一部に意図的に凹凸部（図示せず）を形成しても良い。

半導体発光素子２はその周囲が低光拡散部である第二樹脂６によって覆われる。特に、第二樹脂６は半導体発光素子２の光放射面のうち少なくともレーザ光Ｌの密度が一番高い領域を覆うとともに、半導体発光素子２と後述する第一樹脂５との間の光路上に設けられる。例えば図１に示すように、半導体発光素子２はその周囲の全体が第二樹脂６によって覆われる。第二樹脂６はその表面が図１において上方に向かって凸となる曲面で形成される。

第二樹脂６は例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂といった材料で構成される。第二樹脂６をエポキシ樹脂で構成する場合、弾性率が５００００ＭＰａ以下のエポキシ樹脂にすることが好ましい。なお、第二樹脂６は光を拡散させるための光拡散材を含まない。

第二樹脂６は凹部１１の開口側の表面が第一樹脂５によって覆われる。第一樹脂５は第二樹脂６に対して光路の進行方向下流側の光路上に設けられる。すなわち、第一樹脂５は第二樹脂６を隔てて、半導体発光素子２と離隔して半導体発光素子２のレーザ光Ｌの光路上に設けられる。例えば図１に示すように、第二樹脂６は凹部１１の開口側の表面の全体が第一樹脂５によって覆われる。第一樹脂５はその表面が図１において上方に向かって凸となる曲面で形成される。これにより、半導体発光素子２から放射されたレーザ光Ｌは第二樹脂６、第一樹脂５の順に通過し、ミラー１２で反射して発光装置１の外部へと出射される。

例えば第二樹脂６がシリコーン樹脂である場合、第一樹脂５は第二樹脂６と同種のシリコーン樹脂で構成される。第一樹脂５は第二樹脂６よりも高い濃度の光拡散材７を含み、例えば１０ｗｔ％の光拡散材７を含む。

なお、第一樹脂５は第二樹脂６に対する光路の進行方向下流側のみに配置することで、第一樹脂５を図１における半導体発光素子２の上面以外の領域に形成しても良い。

発光装置１に対して通電して発光装置１を動作させると、レーザ光Ｌが半導体発光素子２から凹部１１の内底面１１ｃと略平行を成す方向に放射される。レーザ光Ｌは第二樹脂６、第一樹脂５の順に通過する。さらに、レーザ光Ｌは凹部１１の内部の傾斜した側面１１ａに到達する。レーザ光Ｌは側面１１ａに形成されたミラー１２で、内底面１１ｃに対して約４５度の角度で内底面１１ｃから離隔する方向（図１の上方向）に反射される。そして、レーザ光Ｌは凹部１１の開口１１ｂを通して発光装置１の外部へと出射される。

次に、第１実施形態の発光装置１の製造方法について説明する。

発光装置１を製造するにあたって、まず基板１０に凹部１１が形成される。凹部１１の内部の傾斜した側面１１ａにはミラー１２が形成される。続いて、放熱台３が凹部１１の内底面１１ｃに配置される。放熱台３は例えばＡｇペーストやＡｕＳｎろう材などを用いてダイボンドされる。

続いて、半導体発光素子２が放熱台３の上面に設けられる。このとき、放射光の進行方向下流側にミラー１２が位置するように半導体発光素子２が基板１０に配置される。半導体発光素子２は例えばＡｕＳｎろう材やＡｇナノ粒子などを用いてダイボンドされる。なお、半導体発光素子２には予め、反射率が５％程度の端面保護膜がレーザ光Ｌが放射される表面とその反対の表面との両面に施される。

続いて、ワイヤ４を用いたワイヤボンディング工程が実施される。これにより、半導体発光素子２と基板１０とがワイヤ４を介して電気的に接続される。

半導体発光素子２が基板１０に搭載されて、電気的に接続されると、第二樹脂６が凹部１１に注入される。このとき、半導体発光素子２の光放射面のうち少なくとも光の密度が一番高い領域を覆うように凹部１１に第二樹脂６が注入される。第二樹脂６は例えばディスペンサ等を利用して所定量を半導体発光素子２に向けて滴下しても良い。第二樹脂６がシリコーン樹脂である場合、約８０℃で約５分間加熱して仮硬化させる。

続いて、第一樹脂５が凹部１１に注入される。このとき、第二樹脂６に対して光路の進行方向下流側の光路上に配置されるように凹部１１に第一樹脂５が注入される。すなわち、第二樹脂６の、凹部１１の開口側の表面が第一樹脂５によって覆われる。

上記第１実施形態の構成よれば、半導体発光素子２が基板１０の凹部１１の内底面１１ｃに平面実装され、内底面１１ｃに対して傾斜を成す側面１１ａにミラー１２が形成される。ミラー１２は半導体発光素子２が放射したレーザ光Ｌをその放射方向（共振器長方向）に対して交差する方向に反射することができる。これにより、共振器長方向に関して発光装置１の大型化を抑制することができ、すなわち発光装置１の小型化を向上させることが可能である。

そして、発光装置１は、半導体発光素子２と離隔してレーザ光Ｌの光路上に設けられた光拡散材７を含む第一樹脂５と、半導体発光素子２のレーザ光Ｌの密度が一番高い領域を覆うとともに半導体発光素子２と第一樹脂５との間の光路上に設けられた低光拡散部である第二樹脂６と、を備える。そして、第二樹脂６は光拡散材を含まない、すなわち第二樹脂６の光拡散材の濃度は第一樹脂５の光拡散材の濃度よりも低い。これにより、半導体発光素子２の光の密度が一番高い領域において、第二樹脂６によるレーザ光Ｌの吸収を抑制することができる。したがって、半導体発光素子２のレーザ光Ｌの放射面における温度上昇を抑制することが可能であり、ＣＯＤの発生を防止することができる。すなわち、信頼性に優れた発光装置１を得ることが可能である。

また、第二樹脂６は光拡散材を含まない、すなわち含有する光拡散材が１０ｗｔ％以下であるので、発光装置１において半導体発光素子２のレーザ光Ｌの放射面における温度上昇を効果的に抑制することができる。第一樹脂５は１０ｗｔ％の光拡散材７を含む、すなわち含有する光拡散材７が１ｗｔ％以上であるので、発光装置１はレーザ光Ｌのコヒーレンスを低下させることができ、人の目に対する安全性の向上に効果を発揮する。

ここで、半導体レーザ素子は外部応力に弱いことが知られている。例えば、赤外光を放射するＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子の場合、１×１０^９ｄｙｎ／ｃｍ^２程度の外部応力が加えられた状態で通電させると、結晶内部に転位が発生する虞がある。そして、転位が発生した部分が発光しなくなる所謂ダークライン劣化を引き起こし、光出力の低下や結晶が融解することによる非発振不良が起こることが懸念される。これに対して、第１実施形態の発光装置１の半導体発光素子２に接触する第二樹脂６は弾性率が５００００ＭＰａ以下であるので、外部応力に起因するダークライン劣化等の発光不良の発生を防止することができ、信頼性を向上させることが可能である。

また、ミラー１２は光の反射面が平面で構成されるので、ミラー１２を材料や加工に係るコスト、配光制御などの用途に応じて好適な形状にして発光装置１を製造することが可能である。

さらに、ミラー１２は光の反射面の少なくとも一部に凹凸部を形成しても良い。これにより、レーザ光Ｌの反射角度が大きくなり、光の拡散性と人の目に対する安全性とが向上する。したがって、比較的強い光を放射する半導体発光素子の場合において、人の目に対する安全性の向上を図ることが可能である。

また、半導体発光素子２が７００ｎｍ〜１６００ｎｍの波長の光を放射するので、特に目に見えない赤外光に関して、発光装置１の構成によれば人の目に対する安全性の向上に効果を発揮する。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る発光装置について、図２及び図３を用いて説明する。図２及び図３は発光装置の断面図及び斜視図である。なお、この実施形態の基本的な構成は先に説明した第１実施形態と同じであるので、第１実施形態と共通する構成要素には前と同じ符号または同じ名称を付してその説明を省略する場合がある。

第２実施形態の発光装置１は、図２及び図３に示すように基板２０に搭載された半導体発光素子２を備える。

基板２０は外形が略直方体形状をなして凹部２１を備える。凹部２１は基板２０の内部から図２における基板２０の上面方向に向かって広口となるように湾曲した側面２１ａを有し、基板２０の上面において開口２１ｂとなる。凹部２１の側面２１ａはその全体が、レーザ光Ｌの放射方向に沿った垂直断面が略円弧状を成す曲面で構成される。

半導体発光素子２は基板２０の凹部２１の内底面２１ｃに配置された放熱台３の上面に設けられる。半導体発光素子２はレーザ光Ｌの進行方向下流側に凹部２１の側面２１ａが位置するように配置される。

半導体レーザ素子の光出力を最大限に得るために、半導体発光素子２はレーザ光の放射面である端面２ａに例えば５％程度の端面保護膜が施され、その反対側の端面２ｂに例えば９５％の端面保護膜が施される。

レーザ光Ｌの進行方向下流側の、凹部２１の内部の湾曲した側面２１ａには半導体発光素子２が放射したレーザ光Ｌを反射するミラー２２が形成される。ミラー２２は第一面２２Ａ及び第二面２２Ｂを有する。ミラー２２の第一面２２Ａは全体が側面２１ａに沿った曲面で構成される。ミラー２２の第二面２２Ｂは第一面２２Ａの一部であってレーザ光Ｌの光路上に形成される。第一面２２Ａとは異なる、第一面２２Ａよりも大きい曲率を有する曲面で構成される。

低光拡散部である第二樹脂６は半導体発光素子２の周囲全体を覆って形成される。第二樹脂６は例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂といった材料で構成される。第二樹脂６は例えば１０ｗｔ％の光拡散材７を含む。

第一樹脂５はミラー２２の第二面２２Ｂを覆って形成される。すなわち、第一樹脂５は図２における半導体発光素子２の上面以外の領域に形成される。第一樹脂５は第二樹脂６に対して光路の進行方向下流側の光路上に設けられる。これにより、半導体発光素子２から放射されたレーザ光Ｌは第二樹脂６、第一樹脂５の順に通過し、ミラー２２の第二面２２Ｂで反射して発光装置１の外部へと出射される。第一樹脂５は例えば１５ｗｔ％の光拡散材７を含む。

次に、第２実施形態の発光装置１の製造方法について説明する。

第２実施形態の発光装置１の製造では、半導体発光素子２が基板１０に搭載されて、電気的に接続されると、第一樹脂５がミラー２２の第二面２２Ｂを覆うように凹部２１に注入される。

続いて、第二樹脂６が凹部２１に注入される。第二樹脂６は第一樹脂５に対して光路の進行方向上流側に設けられる。

なお、第二樹脂６を凹部２１に注入せず、半導体発光素子２の光放射面のうち光の密度が一番高い領域と第一樹脂５との間に空間を設けても良い。すなわち、半導体発光素子２と第一樹脂５との間の設けられた低光拡散部として、空間を構成しても良い。

上記第２実施形態の構成よれば、低光拡散部が空間で構成されるので、空間を利用することで、半導体発光素子２の光の密度が一番高い領域において、レーザ光Ｌの吸収を抑制することができる。したがって、半導体発光素子２のレーザ光Ｌの放射面における温度上昇を抑制することが可能であり、ＣＯＤの発生を防止することができる。すなわち、信頼性に優れた発光装置１を得ることが可能である。

そして、ミラー２２は第一面２２Ａに形成された第一面２２Ａとは異なる曲率を有する曲面で構成された第二面２２Ｂを有するので、容易に発光装置１の配光制御を実行することが可能である。

また、第一樹脂５はミラー２２の第二面２２Ｂを覆って形成される。これにより、ミラー２２の第二面２２Ｂは光拡散材を含む第一樹脂５の注入領域としての目印になるとともに第一樹脂５が溜まり易くなり、発光装置１の生産性を向上させることができる。さらに、ミラー２２に第二面２２Ｂを設けることで、第一樹脂５の使用量を低減させることができる。したがって、発光装置１の小型化を効果的に向上させることが可能であり、さらに低コスト化を図ることも可能である。

また、第一樹脂５は図２における半導体発光素子２の上面以外の領域に形成されるので、発光装置１の図２おける上下方向のサイズ、すなわち発光装置１の高さを比較的低くすることができる。これにより、発光装置１の小型化を効果的に向上させることが可能である。さらに、第一樹脂５の使用量を低減させることができ、低コスト化を図ることも可能である。

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る発光装置について、図４を用いて説明する。図４は発光装置の断面図である。なお、この実施形態の基本的な構成は先に説明した第１実施形態と同じであるので、第１実施形態と共通する構成要素には前と同じ符号または同じ名称を付してその説明を省略する場合がある。

第３実施形態の発光装置１は、図４に示すように基板１０に搭載された半導体発光素子２を備える。

第二樹脂６は半導体発光素子２の周囲全体とワイヤ４の全体とを覆って形成される。第二樹脂６は例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂といった材料で構成される。第二樹脂６は光拡散材を含まない。

第一樹脂５は第二樹脂６の凹部１１の開口側の表面全体を覆って形成される。さらに、第一樹脂５は図４における基板１０の上縁である開口１１ｂまで、凹部１１の内部に満たされる。第一樹脂５は例えばレーザ光Ｌを８０％以上透過するエポキシ樹脂で構成される。第一樹脂５は例えば５ｗｔ％の光拡散材７を含む。

シリコーン樹脂とエポキシ樹脂との界面は密着性が弱いため、ワイヤがその界面に存在すると、発光装置１の製造における熱履歴印加時の両樹脂の熱膨張係数差によってワイヤが引っ張られる虞がある。これにより、ワイヤの断線が起こることが懸念される。

そこで、上記第３実施形態の構成によれば、ワイヤ４はその全体がシリコーン樹脂で構成される第二樹脂６の内側に収まるので、ワイヤ４の断線不良を防止することができる。したがって、発光装置１は信頼性の高いパッケージとなる。

また、第一樹脂５をエポキシ樹脂にすることで、発光装置１の表面の第一樹脂５の部分をコレットにて吸引してピックアップする際、吸引終了時に発光装置１がコレットから離れ易くなる。これにより、発光装置１の生産性の向上を図ることが可能である。

さらに、第一樹脂５をエポキシ樹脂にすることで、第一樹脂５と基板１０との密着性を高めることができる。したがって、第二樹脂６及び第一樹脂５の基板１０に対する剥離を防止することができ、第一樹脂５に蓋の役割を与えることが可能になる。

以上、本発明の実施形態につき説明したが、本発明の範囲はこれに限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えて実施することができる。

本発明は発光装置において利用可能である。

１ 発光装置
２ 半導体発光素子
２ａ、２ｂ 端面
３ 放熱台
４ ワイヤ
５ 第一樹脂
６ 第二樹脂（低光拡散部）
７ 光拡散材
１０、２０ 基板
１１、２１ 凹部
１２、２２ ミラー
２２Ａ 第一面
２２Ｂ 第二面

Claims (14)

1. 凹部が形成された基板と、
   前記基板の前記凹部の内底面に設けられた半導体発光素子と、
   前記基板に形成されて前記半導体発光素子が放射した光をその放射方向に対して交差する方向に反射するミラーと、
   前記半導体発光素子と離隔した前記半導体発光素子の放射光の光路上であって、前記基板の上縁である開口までの前記凹部の内部に設けられた光拡散材を含む第一樹脂と、
   前記半導体発光素子の光放射面のうち少なくとも光の密度が一番高い領域を覆うとともに前記半導体発光素子と前記第一樹脂との間の光路上に設けられた低光拡散部と、
   を備え、
   前記低光拡散部の光拡散材の濃度が前記第一樹脂の前記光拡散材の濃度よりも低いことを特徴とする発光装置。
2. 前記低光拡散部が、前記光拡散材の濃度が前記第一樹脂よりも低い第二樹脂で構成されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記低光拡散部が、空間で構成されることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
4. 前記第一樹脂は、１ｗｔ％以上の前記光拡散材を含むことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の発光装置。
5. 前記第二樹脂は、１０ｗｔ％以下の前記光拡散材を含むことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
6. 前記半導体発光素子に接触する前記第一樹脂或いは前記第二樹脂は、弾性率が５００００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
7. 前記ミラーは、光の反射面が平面または曲面で構成された第一面を有することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の発光装置。
8. 前記ミラーは、前記第一面に形成された前記第一面とは異なる曲率を有する曲面で構成された第二面を有することを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
9. 前記第一樹脂は、前記ミラーの前記第二面を覆って形成されることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
10. 前記第一樹脂は、前記半導体発光素子の上面以外の領域に形成されることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の発光装置。
11. 前記ミラーは、光の反射面の少なくとも一部に凹凸部が形成されることを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の発光装置。
12. 前記半導体発光素子は、７００ｎｍ〜１６００ｎｍの波長の光を放射することを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の発光装置。
13. 凹部が形成された基板にミラーが形成される工程と、
    放射光の進行方向下流側に前記ミラーが位置するように前記基板の前記凹部の内底面に半導体発光素子が配置される工程と、
    前記半導体発光素子と離隔した前記半導体発光素子の放射光の光路上であって、前記基板の上縁である開口までの前記凹部の内部に光拡散材を含む第一樹脂が設けられる工程と、
    前記半導体発光素子の光放射面のうち少なくとも光の密度が一番高い領域を覆うように前記半導体発光素子と前記第一樹脂との間の光路上に低光拡散部が設けられる工程と、
    を含み、
    前記低光拡散部の光拡散材の濃度が前記第一樹脂の前記光拡散材の濃度よりも低いことを特徴とする発光装置の製造方法。
14. 基板と、
    前記基板に設けられた半導体発光素子と、
    前記基板に形成されて前記半導体発光素子が放射した光をその放射方向に対して交差する方向に反射するミラーと、
    前記半導体発光素子と離隔して前記半導体発光素子の放射光の光路上に設けられた光拡散材を含む第一樹脂と、
    前記半導体発光素子の光放射面のうち少なくとも光の密度が一番高い領域を覆うとともに前記半導体発光素子と前記第一樹脂との間の光路上に設けられた低光拡散部と、
    を備え、
    前記低光拡散部の光拡散材の濃度が前記第一樹脂の前記光拡散材の濃度よりも低く、
    前記第一樹脂は、前記半導体発光素子の上面以外の領域に形成されることを特徴とする発光装置。

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