CN114270642A - 光元件搭载用封装件、电子装置以及电子模块 - Google Patents
光元件搭载用封装件、电子装置以及电子模块 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114270642A CN114270642A CN202080059490.6A CN202080059490A CN114270642A CN 114270642 A CN114270642 A CN 114270642A CN 202080059490 A CN202080059490 A CN 202080059490A CN 114270642 A CN114270642 A CN 114270642A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- optical element
- recess
- mounting
- electronic device
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02315—Support members, e.g. bases or carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0239—Combinations of electrical or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/02—ASE (amplified spontaneous emission), noise; Reduction thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
光元件搭载用封装件具有凹部(3b),在该凹部的底面(32)具备光元件(11)的搭载部以及在凹部内位于光元件的光的照射方向前方的反射部(8),凹部的位于所述照射方向的相反方向的内侧面(30)的一部分即第一部位(31)朝向凹部的底面具有倾斜面。
Description
技术领域
本发明涉及光元件搭载用封装件、电子装置以及电子模块。
背景技术
以往,已知一种搭载有激光芯片的TO(Transistor Outline)-Can型的半导体激光器(日本特开2004-031900号公报)。
发明内容
本公开的光元件搭载用封装件具有凹部,在该凹部的底面具备光元件的搭载部以及在所述凹部内位于所述光元件的光的照射方向的前方的反射部,所述凹部的位于所述照射方向的相反方向的内侧面的一部分即第一部位朝向所述凹部的底面具有倾斜面。
本公开的电子装置具备上述的光元件搭载用封装件和被搭载在所述搭载部的光元件。
本公开的电子模块具备上述的电子装置和搭载了所述电子装置的模块用基板。
附图说明
图1是表示本公开的一实施方式所涉及的电子装置的分解立体图。
图2是表示本公开的一实施方式所涉及的电子装置的纵剖视图。
图3是表示图2的一部分的详细的图。
图4是表示本公开的一实施方式所涉及的电子模块的纵剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图,对本公开的各实施方式进行详细地说明。
图1是表示本公开的一实施方式所涉及的电子装置的分解立体图。图2是表示本实施方式所涉及的电子装置的纵剖视图。图3是表示图2的一部分的详细的图(其中,省略接合引线)。以下,将基体2的第一面Su侧作为上方,将第二面Sb侧作为下方进行各方向的说明,但说明中的各方向不需要与使用电子装置10时的方向一致。
本实施方式所涉及的电子装置10具备:基体2,具有第一面Su、第二面Sb以及在第一面Su开口的凹部3;光元件11以及光学部件8,搭载于凹部3内;以及盖体9,封闭凹部3的开口。盖体9由使光透过的材料(玻璃或者树脂)构成,经由接合材料与基体2的第一面Su接合。从电子装置10除去盖体9、光元件11等后的结构相当于光元件搭载用封装件。
基体2具有主要由绝缘材料构成的基体上部2A和由金属构成的基体下部2B。在基体上部2A设置有沿上下方向贯通的贯通孔3a。在基体下部2B设置有与贯通孔3a连通的凹部3b。基体上部2A与基体下部2B接合,在接合时凹部3b与贯通孔3a连通,构成向上方开口的凹部3。
基体上部2A的基本形状部分例如由氧化铝质烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝质烧结体、莫来石质烧结体或者玻璃陶瓷烧结体等陶瓷材料构成。上述的部分例如能够通过将作为烧结前的陶瓷材料的陶瓷生片通过冲裁加工或者模具加工等成型为给定形状并进行烧结来制造。在基体上部2A还包括外部电极D1、D2、内部电极D3、D4(图1、图2)、以及在连接外部电极D1、D2和内部电极D3、D4的内部通过的布线导体。上述导体能够通过在烧结前将导体膏涂敷或者填充到陶瓷生片的给定位置,与陶瓷生片一起烧结而形成。另外,也可以没有基体上部2A的侧面的角部的切口。
基体下部2B例如由铜、铝等导热性高的金属材料构成,例如能够通过冲压成型等形成。在基体下部2B的凹部3b中包括经由基台12搭载光元件11的第一搭载部4和搭载光学部件8的第二搭载部5。第一搭载部4例如是在水平方向上扩展的平面状的面。平面状是指包括严格的平面、以及若忽略较小的凹凸则视为平面的面的概念。第二搭载部5是相对于水平方向倾斜的平面状的面。第二搭载部5越远离第一搭载部4越向位于上方的方向倾斜。
光元件11例如是激光二极管(半导体激光器)。光元件11只要是具有指向性的发光元件即可。光元件11经由接合材料而与基台12的上表面的搭载区域6接合,基台12经由接合材料7而与第一搭载部4的上表面接合。光元件11的光的出射方向在沿着基台12的上表面的方向(例如水平方向)上朝向第二搭载部5。在图3中用LA表示光元件11的光轴。光元件11经由接合引线W1、W2以及基台12的布线导体与基体上部2A的凹部3内的内部电极D3、D4电连接。内部电极D3、D4经由布线导体与凹部3外的外部电极D1、D2连接,通过经由外部电极D1、D2输入电力来驱动光元件11。
光学部件8是平板反射镜,将从光元件11入射的光向上方反射。被反射的光经由盖体9向电子装置10的上方出射。
例如,如以上说明的那样,通过在第二搭载部5搭载光学部件8,从而在凹部3(3b)内具备位于光元件11的光的照射方向的前方的反射部。此外,在凹部3(3b)的底面32具备光元件11的第一搭载部4。在第一搭载部4上具有基台12。基台12在反射部(8)侧具有光元件11的搭载区域6。
根据作为光元件11的激光二极管(半导体激光器)的特性,如图3所示,有时会产生从光元件11向该光元件11的光轴LA的后方的漏光LM。
但是,通过以下所示的构造,抑制漏光LM向外部放出。
如图3所示,凹部3(3b)的内侧面30位于光元件11的光的照射方向的相反方向。作为上述内侧面30的一部分的第一部位31朝向凹部3(3b)的底面32具有倾斜面。
因此,漏光LM进行反射,使得在第一部位31向底面32侧行进。因此,能够抑制漏光LM向凹部3的开口侧(盖体9侧)反射,减少漏光LM向电子装置10的外部放出的情况,能够良好地保持电子装置10的光学品质。
如图3所示,第一部位31所具有的倾斜面为凸曲面。因此,在第一部位31反射的漏光LM被扩散而光强度变弱,因此减少因2次反射而漏光LM向电子装置10的外部放出的情况。
此外,如图3所示,包括第一部位31的内侧面30具有朝向凹部3(3b)的中央突出的突出部。突出部的顶部33位于比第一部位31更靠凹部3(3b)的开口侧(盖体9侧)的位置。因此,容易将漏光LM封入到比顶部33更靠下方的狭窄处,减少漏光LM向电子装置10的外部放出的情况。
此外,如图3所示,包括第一部位31的内侧面30在第一部位31与凹部3(3b)的底面32之间具有凹陷部34。凹陷部34的底部34a位于第一部位31与凹部3的底面32之间。因此,比第一部位31更靠下方的狭窄处向侧方深入,容易封入漏光LM,通过反复反射而容易衰减。其结果,减少了漏光LM向电子装置10的外部放出的情况。
此外,如图3所示,光元件搭载用封装件在第一搭载部4上具有基台12。反射的漏光LM容易碰到基台12,使得在第一部位31向底面32侧行进。其结果,减少了漏光LM向电子装置10的外部放出的情况。
此外,如图3所示,基台12在反射部侧具有光元件11的搭载区域6。光元件11的搭载区域6位于自基台12的与第一部位31对置的后端12a向反射部侧离开距离L1的位置,漏光LM容易碰到基台12。漏光LM碰到与基体下部2B的内侧面30(铜、铝表面或者铜、铝表面上的镀金等)相比反射率更低的基台12的绝缘材料(陶瓷等)而容易衰减。其结果,减少了漏光LM向电子装置10的外部放出的情况。
此外,如图3所示,将基台12接合于凹部3的底面32的接合材料7的一部分,位于比基台12靠第一部位31侧的位置。因此,在第一部位31反射后的漏光LM容易碰到从基台12的后端12a突出的接合材料7。漏光LM容易碰到与基体下部2B的内侧面30(铜、铝表面或者铜、铝表面上的镀金等)相比反射率低的接合材料7(焊料材料等)而发生衰减。其结果,减少了漏光LM向电子装置10的外部放出的情况。
如以上说明的那样,根据本实施方式,减少了漏光LM向电子装置10的外部放出的情况,能够良好地保持电子装置10的光学品质。
<电子模块>
图4是表示本公开的实施方式所涉及的电子模块的纵剖视图。
本公开的实施方式所涉及的电子模块100构成为在模块用基板110安装电子装置10。在模块用基板110上,除了电子装置10以外,还可以安装有其他电子装置、电子元件以及电气元件等。在模块用基板110上设置有电极焊盘111、112,电子装置10经由焊料等接合材料113与电极焊盘111接合。此外,也可以构成为,电子装置10的外部电极D1、D2经由接合引线W11、W12而与模块用基板110的两个电极焊盘112分别连接,经由上述从模块用基板110向电子装置10输出信号。
如上所述,根据本实施方式所涉及的电子模块100,通过电子装置10,能够使具有与要求对应的射束特性的光在较少的部件空间中出射。
以上,对本公开的各实施方式进行了说明。但是,本发明并不限定于上述实施方式。例如,基体或者光学部件的各部的材料、形状、大小等在实施方式以及附图中示出的细节能够在不脱离发明的主旨的范围内适当地进行变更。
-工业可用性-
本公开能够利用于光元件搭载用封装件、电子装置以及电子模块。
-符号说明-
2 基体
2A 基体上部
2B 基体下部
3 凹部
3a 贯通孔
3b 凹部
6 搭载区域
7 接合材料
8 光学部件
9 盖体
10 电子装置
11 光元件
12 基台
30 内侧面
31 后方部
32 底面
33 顶部
34 凹陷部
34a 凹陷部的底部
100 电子模块
110 模块用基板
L1 距离
LA 光轴
LM 漏光。
Claims (9)
1.一种光元件搭载用封装件,具有凹部,在该凹部的底面具备光元件的搭载部以及在所述凹部内位于所述光元件的光的照射方向的前方的反射部,
所述凹部的位于所述照射方向的相反方向的内侧面的一部分即第一部位朝向所述凹部的底面具有倾斜面。
2.根据权利要求1所述的光元件搭载用封装件,其中,
所述倾斜面是凸曲面。
3.根据权利要求1或2所述的光元件搭载用封装件,其中,
包括所述第一部位的所述内侧面具有朝向所述凹部的中央突出的突出部,
该突出部的顶部位于比所述第一部位更靠所述凹部的开口侧的位置。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的光元件搭载用封装件,其中,
在所述第一部位与所述凹部的底面之间具有凹陷部。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的光元件搭载用封装件,其中,
在所述搭载部上具有基台。
6.根据权利要求5所述的光元件搭载用封装件,其中,
所述基台在所述反射部侧具有所述光元件的搭载区域。
7.根据权利要求5或6所述的光元件搭载用封装件,其中,
将所述基台与所述凹部的底面接合的接合材料的一部分,位于比所述基台靠所述第一部位侧的位置。
8.一种电子装置,具备:
权利要求1~7中任一项所述的光元件搭载用封装件;以及
搭载在所述搭载部上的光元件。
9.一种电子模块,具备:
权利要求8所述的电子装置;以及
搭载了所述电子装置的模块用基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019156637 | 2019-08-29 | ||
JP2019-156637 | 2019-08-29 | ||
PCT/JP2020/032375 WO2021039907A1 (ja) | 2019-08-29 | 2020-08-27 | 光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114270642A true CN114270642A (zh) | 2022-04-01 |
Family
ID=74685127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080059490.6A Pending CN114270642A (zh) | 2019-08-29 | 2020-08-27 | 光元件搭载用封装件、电子装置以及电子模块 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11955769B2 (zh) |
EP (1) | EP4024628A4 (zh) |
JP (1) | JP7379504B2 (zh) |
CN (1) | CN114270642A (zh) |
WO (1) | WO2021039907A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2023033083A1 (zh) * | 2021-09-01 | 2023-03-09 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19616969A1 (de) * | 1996-04-27 | 1997-10-30 | Bosch Gmbh Robert | Optische Baugruppe zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters und Verfahren zur Herstellung derselben |
JPH10321900A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-12-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
CN1725582A (zh) * | 2004-07-22 | 2006-01-25 | 夏普株式会社 | 半导体激光装置 |
WO2011132350A1 (ja) * | 2010-04-20 | 2011-10-27 | パナソニック株式会社 | 照明装置及び表示装置 |
JP2017069241A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 京セラ株式会社 | 半導体レーザ素子用パッケージおよび半導体レーザ装置 |
WO2018200863A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Nlight, Inc. | Low swap laser pump diode module and laser amplifier incorporating the same |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5479426A (en) * | 1994-03-04 | 1995-12-26 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor laser device with integrated reflector on a (511) tilted lattice plane silicon substrate |
JP3242284B2 (ja) * | 1995-04-26 | 2001-12-25 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JPH0936490A (ja) * | 1995-07-24 | 1997-02-07 | Hitachi Ltd | 光電子装置 |
JP4015425B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2007-11-28 | ローム株式会社 | 光送受信モジュール |
JP4113442B2 (ja) | 2002-05-09 | 2008-07-09 | ローム株式会社 | 半導体レーザ、その製法および光ピックアップ装置 |
JP4761848B2 (ja) | 2005-06-22 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
US20110280266A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus, method of manufacturing semiconductor laser apparatus and optical apparatus |
JP2014103160A (ja) | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2017117880A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 京セラ株式会社 | 光素子搭載用パッケージ、光素子搭載用母基板および電子装置 |
JP6650511B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-02-19 | シャープ株式会社 | アイセーフ光源、およびその製造方法 |
JP6620231B2 (ja) * | 2016-05-25 | 2019-12-11 | シャープ株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP6893781B2 (ja) * | 2016-12-20 | 2021-06-23 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用パッケージおよび発光装置 |
-
2020
- 2020-08-27 WO PCT/JP2020/032375 patent/WO2021039907A1/ja unknown
- 2020-08-27 US US17/638,994 patent/US11955769B2/en active Active
- 2020-08-27 JP JP2021543004A patent/JP7379504B2/ja active Active
- 2020-08-27 CN CN202080059490.6A patent/CN114270642A/zh active Pending
- 2020-08-27 EP EP20858065.4A patent/EP4024628A4/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19616969A1 (de) * | 1996-04-27 | 1997-10-30 | Bosch Gmbh Robert | Optische Baugruppe zur Ankopplung eines Lichtwellenleiters und Verfahren zur Herstellung derselben |
JPH10321900A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-12-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
CN1725582A (zh) * | 2004-07-22 | 2006-01-25 | 夏普株式会社 | 半导体激光装置 |
WO2011132350A1 (ja) * | 2010-04-20 | 2011-10-27 | パナソニック株式会社 | 照明装置及び表示装置 |
JP2017069241A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 京セラ株式会社 | 半導体レーザ素子用パッケージおよび半導体レーザ装置 |
WO2018200863A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Nlight, Inc. | Low swap laser pump diode module and laser amplifier incorporating the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7379504B2 (ja) | 2023-11-14 |
WO2021039907A1 (ja) | 2021-03-04 |
EP4024628A1 (en) | 2022-07-06 |
EP4024628A4 (en) | 2023-10-25 |
US20220271496A1 (en) | 2022-08-25 |
JPWO2021039907A1 (zh) | 2021-03-04 |
US11955769B2 (en) | 2024-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3682230B2 (ja) | 表面実装型ビーム放射および/または受信素子 | |
US8735930B2 (en) | Optoelectronic component with multi-part housing body | |
US8431947B2 (en) | Light emitting diode package having frame with bottom surface having two surfaces different in height | |
JP2006093470A (ja) | リードフレーム、発光装置、発光装置の製造方法 | |
US10049967B2 (en) | Method of producing an optoelectronic component and optoelectronic component | |
US7993038B2 (en) | Light-emitting device | |
CN102386309A (zh) | 发光装置 | |
JP4976168B2 (ja) | 発光装置 | |
US20220102599A1 (en) | Deep molded reflector cup used as complete led package | |
CN114270642A (zh) | 光元件搭载用封装件、电子装置以及电子模块 | |
JP6225834B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
KR100575216B1 (ko) | 발광소자용 패캐지 베이스 | |
US11349278B2 (en) | Stem for semiconductor package, and semiconductor package | |
CN113474882A (zh) | 光元件搭载用封装件、电子装置以及电子模块 | |
US11557704B2 (en) | Light-emitting device having a higher luminance | |
JP6485518B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP7399180B2 (ja) | 光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュール | |
TWI492424B (zh) | 發光二極體封裝結構 | |
KR20070034251A (ko) | 발광소자 패키지 | |
JP7449295B2 (ja) | 光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュール | |
CN111566882B (zh) | 半导体激光装置 | |
US8896009B2 (en) | Light emitting diode with two alternative mounting sides for mounting on circuit board | |
WO2021065909A1 (ja) | 光素子搭載用パッケージ及び電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |