JP3242284B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP3242284B2 JP3242284B2 JP10223095A JP10223095A JP3242284B2 JP 3242284 B2 JP3242284 B2 JP 3242284B2 JP 10223095 A JP10223095 A JP 10223095A JP 10223095 A JP10223095 A JP 10223095A JP 3242284 B2 JP3242284 B2 JP 3242284B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置に関
し、特にコンピュータ等の情報の読み出しや、記録、音
楽用の録音再生等に必要な光ディスク装置の光ピックア
ップにおける光源、及び信号読み取り装置等に使用され
る半導体レーザ装置に関する。
し、特にコンピュータ等の情報の読み出しや、記録、音
楽用の録音再生等に必要な光ディスク装置の光ピックア
ップにおける光源、及び信号読み取り装置等に使用され
る半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に光ディスク等で用いられる光ピッ
クアップに内蔵されている半導体レーザ装置は、光ディ
スクからの変調光を受光する多分割受光素子を同一パッ
ケージ内に内蔵しているタイプのものが主流となってい
る。これはホログラムレーザとして知られている。この
外観図を図７を参照して説明する。
クアップに内蔵されている半導体レーザ装置は、光ディ
スクからの変調光を受光する多分割受光素子を同一パッ
ケージ内に内蔵しているタイプのものが主流となってい
る。これはホログラムレーザとして知られている。この
外観図を図７を参照して説明する。
【０００３】図７に示すように、半導体レーザチップ等
（図示せず）がステム１００の上に搭載され、この半導
体レーザチップ等の周囲が上部が透光性となったキャッ
プ１０１によってカバーされている。このキャップ１０
１の上には、さらに光ディスクからの変調光をキャップ
１０１内の多分割受光素子の方向に曲げるための回折格
子１０２を有するガラス素子１０３が設けられている。
１０４はリード端子である。
（図示せず）がステム１００の上に搭載され、この半導
体レーザチップ等の周囲が上部が透光性となったキャッ
プ１０１によってカバーされている。このキャップ１０
１の上には、さらに光ディスクからの変調光をキャップ
１０１内の多分割受光素子の方向に曲げるための回折格
子１０２を有するガラス素子１０３が設けられている。
１０４はリード端子である。
【０００４】次に、図７のステム１００の上に搭載さ
れ、キャップ１０１内部に設けられた半導体レーザチッ
プ等について図８を参照して説明する。図８は、光ディ
スクからの変調光を受光する多分割受光素子を同一パッ
ケージ内に内蔵したタイプのものである。
れ、キャップ１０１内部に設けられた半導体レーザチッ
プ等について図８を参照して説明する。図８は、光ディ
スクからの変調光を受光する多分割受光素子を同一パッ
ケージ内に内蔵したタイプのものである。
【０００５】図８に示すように、ステム１００の同一面
上にはシリコン基板１０５と多分割受光素子１０６がダ
イボンディングされている。シリコン基板１０５は、こ
のシリコン基板１０５上にダイボンディングされる半導
体レーザチップ１０７の後面から出射した光１０８を受
光するための受光素子１０９を内蔵している。また、多
分割受光素子１０６は外部の情報記録媒体である光ディ
スクからの変調光を受光するためのものである。
上にはシリコン基板１０５と多分割受光素子１０６がダ
イボンディングされている。シリコン基板１０５は、こ
のシリコン基板１０５上にダイボンディングされる半導
体レーザチップ１０７の後面から出射した光１０８を受
光するための受光素子１０９を内蔵している。また、多
分割受光素子１０６は外部の情報記録媒体である光ディ
スクからの変調光を受光するためのものである。
【０００６】半導体レーザチップ１０７の前方には、チ
ップから出射された光（主ビーム）を上方に反射して立
ちあげるための光立ち上げミラー１１０が設けられてい
る。以上のような構造において、半導体レーザチップ１
０７の前面から出射された光（主ビーム）１１１は光立
ちあげミラー１１０で反射され上方に向かい、ガラス素
子１０３の回折格子１０２を介して光ディスクに照射さ
れる。そして、光ディスクからの変調光は再び回折格子
１０２を通り、ここで多分割受光素子１０６の方向に曲
げられ、多分割受光素子１０６に入射する。
ップから出射された光（主ビーム）を上方に反射して立
ちあげるための光立ち上げミラー１１０が設けられてい
る。以上のような構造において、半導体レーザチップ１
０７の前面から出射された光（主ビーム）１１１は光立
ちあげミラー１１０で反射され上方に向かい、ガラス素
子１０３の回折格子１０２を介して光ディスクに照射さ
れる。そして、光ディスクからの変調光は再び回折格子
１０２を通り、ここで多分割受光素子１０６の方向に曲
げられ、多分割受光素子１０６に入射する。
【０００７】一方、半導体レーザチップの後面から出射
した光１０８の一部は受光素子１０９に入射し、これに
よって半導体レーザチップ１０７のレーザ光出力のモニ
ターが行われる。
した光１０８の一部は受光素子１０９に入射し、これに
よって半導体レーザチップ１０７のレーザ光出力のモニ
ターが行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造の半導体レーザ装置には、以下のような問題点があっ
た。
造の半導体レーザ装置には、以下のような問題点があっ
た。
【０００９】即ち、レーザチップ１０７の後面から出射
した光（モニタ光）１０８の一部は、受光素子１０９に
入射するが、大部分の光はキャップ１０１内で散乱し、
近接配置されている多分割受光素子１０６へ迷光として
入射することになる。多分割受光素子１０６は本来、光
ディスクからの変調光を受光し信号電流に変換するもの
であるが、迷光による不要な電流が発生すると信号電流
に対するオフセットとなり、信号特性が悪化し、ジッタ
悪化或はサーボ誤動作等の諸問題を引き起こすことにな
る。従って、通常、ピックアップの良好な信号特性を得
るためには、迷光量キャンセル回路をピックアップ装置
内に別途搭載しなければならなかった。このため、コス
トアップとなる上、装置全体の形状が大きくなるという
問題もあった。
した光（モニタ光）１０８の一部は、受光素子１０９に
入射するが、大部分の光はキャップ１０１内で散乱し、
近接配置されている多分割受光素子１０６へ迷光として
入射することになる。多分割受光素子１０６は本来、光
ディスクからの変調光を受光し信号電流に変換するもの
であるが、迷光による不要な電流が発生すると信号電流
に対するオフセットとなり、信号特性が悪化し、ジッタ
悪化或はサーボ誤動作等の諸問題を引き起こすことにな
る。従って、通常、ピックアップの良好な信号特性を得
るためには、迷光量キャンセル回路をピックアップ装置
内に別途搭載しなければならなかった。このため、コス
トアップとなる上、装置全体の形状が大きくなるという
問題もあった。
【００１０】図９は、図８の従来構造による半導体レー
ザ装置における迷光量の分布を示すヒストグラムであ
る。図９に示すように、迷光量のピークは約０．１５μ
Ａ、最大では約０．２４μＡ程度であり、このような迷
光量の場合は上記の迷光量キャンセル回路が不可欠であ
った。
ザ装置における迷光量の分布を示すヒストグラムであ
る。図９に示すように、迷光量のピークは約０．１５μ
Ａ、最大では約０．２４μＡ程度であり、このような迷
光量の場合は上記の迷光量キャンセル回路が不可欠であ
った。
【００１１】そこで、本発明の目的は、多分割受光素子
に入射する迷光量を極めて低減でき、良好な信号特性が
得られ、迷光量キャンセル回路が不要で小型化、低コス
ト化を図れる半導体レーザ装置を提供することにある。
に入射する迷光量を極めて低減でき、良好な信号特性が
得られ、迷光量キャンセル回路が不要で小型化、低コス
ト化を図れる半導体レーザ装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体レーザチップと、該半導体レーザ
チップの後面から出射されるモニタ光を受光するモニタ
光受光素子と、前記半導体レーザチップの前面から出射
され外部の情報記録媒体で反射された変調光を受光する
変調光受光素子とを備えた半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザチップの後面部と前記モニタ光受光素
子の上面とに接触し、前記半導体レーザチップの後面部
から出射されるモニタ光を入射、伝搬させる光導波路を
設け、前記光導波路の前記半導体レーザチップの後面部
及び前記モニタ光受光素子との各接触部にそれぞれ無反
射膜を設けるとともに、前記光導波路の他の面に全反射
膜を設けてなることを特徴とする。
に、本発明は、半導体レーザチップと、該半導体レーザ
チップの後面から出射されるモニタ光を受光するモニタ
光受光素子と、前記半導体レーザチップの前面から出射
され外部の情報記録媒体で反射された変調光を受光する
変調光受光素子とを備えた半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザチップの後面部と前記モニタ光受光素
子の上面とに接触し、前記半導体レーザチップの後面部
から出射されるモニタ光を入射、伝搬させる光導波路を
設け、前記光導波路の前記半導体レーザチップの後面部
及び前記モニタ光受光素子との各接触部にそれぞれ無反
射膜を設けるとともに、前記光導波路の他の面に全反射
膜を設けてなることを特徴とする。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【作用】本発明の半導体レーザ装置によれば、半導体レ
ーザチップの後面部と前記モニタ光受光素子の上面とに
接触し、前記半導体レーザチップの後面部から出射され
るモニタ光を入射、伝播させる光導波路を設けているの
で、モニタ光を確実にモニタ光受光素子に導くことがで
きる。これにより、モニタ光はこの光導波路より外部に
はあまり出射されないため、迷光の変調光受光素子への
入射を回避できる。
ーザチップの後面部と前記モニタ光受光素子の上面とに
接触し、前記半導体レーザチップの後面部から出射され
るモニタ光を入射、伝播させる光導波路を設けているの
で、モニタ光を確実にモニタ光受光素子に導くことがで
きる。これにより、モニタ光はこの光導波路より外部に
はあまり出射されないため、迷光の変調光受光素子への
入射を回避できる。
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】さらに、光導波路の前記半導体レーザチッ
プの後面部及び前記モニタ光受光素子との各接触部にそ
れぞれ無反射膜を設けるとともに、前記光導波路の他の
面に全反射膜を設けているので、モニタ光は確実に光導
波路に導かれるとともに、モニタ光受光素子への入射効
率もより向上できる。しかも、光導波路外部への光の散
乱等もより低減できるので、変調光受光素子への迷光入
射をより低減できる。
プの後面部及び前記モニタ光受光素子との各接触部にそ
れぞれ無反射膜を設けるとともに、前記光導波路の他の
面に全反射膜を設けているので、モニタ光は確実に光導
波路に導かれるとともに、モニタ光受光素子への入射効
率もより向上できる。しかも、光導波路外部への光の散
乱等もより低減できるので、変調光受光素子への迷光入
射をより低減できる。
【００２８】
【実施例】本発明の第１の実施例について、図１を参照
して説明する。図１は本実施例による半導体レーザ装置
の斜視図である。図７及び図８に示した従来例と同一機
能部分には同一記号を付している。ここでは、主に従来
例と異なる点についてのみ説明する。
して説明する。図１は本実施例による半導体レーザ装置
の斜視図である。図７及び図８に示した従来例と同一機
能部分には同一記号を付している。ここでは、主に従来
例と異なる点についてのみ説明する。
【００２９】図１に示すように、本実施例の半導体レー
ザ装置は、光立ち上げミラー１１０に向かう面が開口さ
れシリコン基板１０５全体を覆う迷光遮断用カバー１
（以下、単にカバー１と記す）を設けている。このカバ
ー１の目的は、半導体レーザチップ１０７の後面から出
射されるモニタ光となるレーザ光が、多分割受光素子１
０６に対する迷光とならないように光の遮断を行うもの
である。
ザ装置は、光立ち上げミラー１１０に向かう面が開口さ
れシリコン基板１０５全体を覆う迷光遮断用カバー１
（以下、単にカバー１と記す）を設けている。このカバ
ー１の目的は、半導体レーザチップ１０７の後面から出
射されるモニタ光となるレーザ光が、多分割受光素子１
０６に対する迷光とならないように光の遮断を行うもの
である。
【００３０】このカバー１の材料としては、例えばキャ
ップ１０１と同材料であるＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの合金を使
用し、この合金の少なくともカバー内壁面にレーザ光の
反射を低減するメッキを行う。ここでは、Ｓｎ−Ｎｉメ
ッキを行うものとした。Ｓｎ−Ｎｉメッキの厚みは数１
００μｍ程度とした。そして、このカバー１をステム１
００に対してＵＶ樹脂２にて接着している。
ップ１０１と同材料であるＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの合金を使
用し、この合金の少なくともカバー内壁面にレーザ光の
反射を低減するメッキを行う。ここでは、Ｓｎ−Ｎｉメ
ッキを行うものとした。Ｓｎ−Ｎｉメッキの厚みは数１
００μｍ程度とした。そして、このカバー１をステム１
００に対してＵＶ樹脂２にて接着している。
【００３１】カバー１の材料として樹脂等を使用するこ
ともできるが、カバー内壁面のレーザ光の反射低減のた
めには、上記のＳｎ−Ｎｉメッキ等を施すことが有効で
あるため、やはりＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる合金等を使
用するのが望ましい。
ともできるが、カバー内壁面のレーザ光の反射低減のた
めには、上記のＳｎ−Ｎｉメッキ等を施すことが有効で
あるため、やはりＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる合金等を使
用するのが望ましい。
【００３２】以上のような構造の半導体レーザ装置にお
いては、半導体レーザチップ１０７の後面から出射した
モニタ光は、カバー１内部に閉じ込められキャップ１０
１内部で散乱したり乱反射することがない。従って、多
分割受光素子１０６に対する迷光は極めて低減され、信
号特性（ジッタ特性等）が良好になり、ピックアップ搭
載時のサーボ誤動作等を回避できる。
いては、半導体レーザチップ１０７の後面から出射した
モニタ光は、カバー１内部に閉じ込められキャップ１０
１内部で散乱したり乱反射することがない。従って、多
分割受光素子１０６に対する迷光は極めて低減され、信
号特性（ジッタ特性等）が良好になり、ピックアップ搭
載時のサーボ誤動作等を回避できる。
【００３３】図４は、図１の構造の半導体レーザ装置に
おける迷光量の分布を示したヒストグラムである。これ
によって信号特性を向上できたことがわかる。図８に示
したような従来構造の場合は、図９に示すように、迷光
量の大きさの分布は０．１５μＡ近傍がピークであっ
た。これに対して、図４では、迷光量の大きさの分布は
０．０５μＡ近傍がピークとなっており、従来例に比べ
て迷光量を大きく低減できたことがわかる。
おける迷光量の分布を示したヒストグラムである。これ
によって信号特性を向上できたことがわかる。図８に示
したような従来構造の場合は、図９に示すように、迷光
量の大きさの分布は０．１５μＡ近傍がピークであっ
た。これに対して、図４では、迷光量の大きさの分布は
０．０５μＡ近傍がピークとなっており、従来例に比べ
て迷光量を大きく低減できたことがわかる。
【００３４】一般に、半導体レーザ装置を記録用（書き
込み、録音等）のピックアップに搭載する際に、迷光量
による影響が大きく迷光量キャンセル回路が必要とされ
るのは迷光量が０．１μＡ以上の場合である。この点か
らみても、図１の構造によれば、迷光量の大きさの分布
のピークが０．０５μＡであり、また、最大でも０．０
８μＡであるので、迷光による影響を排除でき、迷光量
キャンセル回路を不要とできることがわかる。
込み、録音等）のピックアップに搭載する際に、迷光量
による影響が大きく迷光量キャンセル回路が必要とされ
るのは迷光量が０．１μＡ以上の場合である。この点か
らみても、図１の構造によれば、迷光量の大きさの分布
のピークが０．０５μＡであり、また、最大でも０．０
８μＡであるので、迷光による影響を排除でき、迷光量
キャンセル回路を不要とできることがわかる。
【００３５】図２は本発明の第２の実施例を示す半導体
レーザ装置の断面図である。図７及び図８の従来例と同
一機能部分には同一記号を付している。ここでは、主に
従来例と異なる点についてのみ説明する。本実施例の特
徴は、半導体レーザチップの後面に、この後面から出射
されるモニタ光を反射させるモニタ光反射ミラーを設け
た点にある。以下、具体的に説明する。
レーザ装置の断面図である。図７及び図８の従来例と同
一機能部分には同一記号を付している。ここでは、主に
従来例と異なる点についてのみ説明する。本実施例の特
徴は、半導体レーザチップの後面に、この後面から出射
されるモニタ光を反射させるモニタ光反射ミラーを設け
た点にある。以下、具体的に説明する。
【００３６】図２に示すように、本実施例においては半
導体レーザチップ１０７の後方に、このチップ後面から
出射されるモニタ光１０８を受光面１０９に反射させる
ため、下方に傾斜した反射面を有するモニタ光反射ミラ
ー３を設けている。このモニタ光反射ミラー３の反射面
４はモニタ光を全反射させることを目的としており、こ
のため反射面にはＴｉＯ2またはＳｉＯ2の反射膜５をコ
ーティングしている。反射膜５のコーティング膜厚は約
１７０μｍである。これによって、反射率９９．９％以
上を実現している。また、このモニタ光反射ミラー３は
シリコンブロック６に接着された上で、さらにシリコン
基板１０５上に接着されている。
導体レーザチップ１０７の後方に、このチップ後面から
出射されるモニタ光１０８を受光面１０９に反射させる
ため、下方に傾斜した反射面を有するモニタ光反射ミラ
ー３を設けている。このモニタ光反射ミラー３の反射面
４はモニタ光を全反射させることを目的としており、こ
のため反射面にはＴｉＯ2またはＳｉＯ2の反射膜５をコ
ーティングしている。反射膜５のコーティング膜厚は約
１７０μｍである。これによって、反射率９９．９％以
上を実現している。また、このモニタ光反射ミラー３は
シリコンブロック６に接着された上で、さらにシリコン
基板１０５上に接着されている。
【００３７】本実施例は以上の構造をとり、さらにモニ
タ光１０８の殆ど全部がモニタ光反射ミラー３の反射面
４から外方に外れることなく、この反射面４によって受
光素子に向かって反射されるように構成しているが、こ
の理由を各部のスケール等を参照して説明する。
タ光１０８の殆ど全部がモニタ光反射ミラー３の反射面
４から外方に外れることなく、この反射面４によって受
光素子に向かって反射されるように構成しているが、こ
の理由を各部のスケール等を参照して説明する。
【００３８】まず、半導体レーザチップ１０７の後面か
ら出射されるモニタ光１０８の広がりは、シリコン基板
１０５に対し、水平方向には短く垂直方向には比較的長
い、縦長の略楕円状である（図８参照）。より具体的に
は、水平方向への広がりは約１０°、垂直方向への広が
りは約４０°である。また、半導体レーザチップ１０７
の縦方向の厚みは約１００μｍ、モニタ光反射ミラー３
の断面は、１辺が１〜１．２ｍｍの２等辺３角形であ
る。今、半導体レーザチップ１０７とモニタ光反射ミラ
ー３の反射面の略中央部までの距離は約８００μｍ〜１
ｍｍ程度としているので、モニタ光が縦方向に広がって
も、垂直方向への広がりは高々モニタ光反射ミラー３へ
の中央部までに過ぎず、このモニタ光反射ミラー３の上
部をモニタ光が越えていくことはない。
ら出射されるモニタ光１０８の広がりは、シリコン基板
１０５に対し、水平方向には短く垂直方向には比較的長
い、縦長の略楕円状である（図８参照）。より具体的に
は、水平方向への広がりは約１０°、垂直方向への広が
りは約４０°である。また、半導体レーザチップ１０７
の縦方向の厚みは約１００μｍ、モニタ光反射ミラー３
の断面は、１辺が１〜１．２ｍｍの２等辺３角形であ
る。今、半導体レーザチップ１０７とモニタ光反射ミラ
ー３の反射面の略中央部までの距離は約８００μｍ〜１
ｍｍ程度としているので、モニタ光が縦方向に広がって
も、垂直方向への広がりは高々モニタ光反射ミラー３へ
の中央部までに過ぎず、このモニタ光反射ミラー３の上
部をモニタ光が越えていくことはない。
【００３９】また、水平方向についてはモニタ光の広が
りが約１０°と非常に狭いものであり、やはりモニタ光
１０８がモニタ光反射ミラー３の横幅方向を外れる程広
がることはない。
りが約１０°と非常に狭いものであり、やはりモニタ光
１０８がモニタ光反射ミラー３の横幅方向を外れる程広
がることはない。
【００４０】以上のように、水平、垂直いづれの方向に
おいても、モニタ光１０８はすべてモニタ光反射ミラー
３の反射面４で反射される。従って、モニタ光１０８が
モニタ光反射ミラー３から外れてキャップ１０１内部で
散乱したり、乱反射するという問題はない。
おいても、モニタ光１０８はすべてモニタ光反射ミラー
３の反射面４で反射される。従って、モニタ光１０８が
モニタ光反射ミラー３から外れてキャップ１０１内部で
散乱したり、乱反射するという問題はない。
【００４１】図５は図２の実施例による迷光量の大きさ
の傾向を示すヒストグラムである。この実施例の場合、
迷光量のピークは０．０６μＡであり、図９の従来例
（ピークが０．１５μＡ）に比べ迷光量の低減を図れた
ことがわかる。また、迷光量は最大でも０．０９５μＡ
であるので、図２の実施例と同様、従来必要とした迷光
量キャンセル回路は不要とすることができる。
の傾向を示すヒストグラムである。この実施例の場合、
迷光量のピークは０．０６μＡであり、図９の従来例
（ピークが０．１５μＡ）に比べ迷光量の低減を図れた
ことがわかる。また、迷光量は最大でも０．０９５μＡ
であるので、図２の実施例と同様、従来必要とした迷光
量キャンセル回路は不要とすることができる。
【００４２】図３は本発明の第３の実施例を示す半導体
レーザ装置の断面図である。図７及び図８の従来例と同
一機能部分には同一記号を付している。ここでは、主に
従来例と異なる点についてのみ説明する。本実施例の特
徴は、半導体レーザチップの後面に、この後面から出射
されるモニタ光を受光部に効率よく導入させるモニタ光
導波路を設けた点にある。以下、具体的に説明する。
レーザ装置の断面図である。図７及び図８の従来例と同
一機能部分には同一記号を付している。ここでは、主に
従来例と異なる点についてのみ説明する。本実施例の特
徴は、半導体レーザチップの後面に、この後面から出射
されるモニタ光を受光部に効率よく導入させるモニタ光
導波路を設けた点にある。以下、具体的に説明する。
【００４３】図３に示すように、本実施例は、半導体レ
ーザチップ１０７の後方で、かつ、少なくとも受光部１
０９を覆う位置に、チップ後面から出射されるモニタ光
を受光部１０９に導入させるモニタ光導波路素子７を設
けている。この光導波路素子７の材料として、例えばＬ
ｉＮｂＯ3を使用することができる。そして、このＬｉ
ＮｂＯ3のレーザ光侵入面及び受光素子側の面には光を
効率よく透過させるための無反射膜８を、また、それ以
外の面には、光を外部に漏らさないための全反射膜９を
施している。
ーザチップ１０７の後方で、かつ、少なくとも受光部１
０９を覆う位置に、チップ後面から出射されるモニタ光
を受光部１０９に導入させるモニタ光導波路素子７を設
けている。この光導波路素子７の材料として、例えばＬ
ｉＮｂＯ3を使用することができる。そして、このＬｉ
ＮｂＯ3のレーザ光侵入面及び受光素子側の面には光を
効率よく透過させるための無反射膜８を、また、それ以
外の面には、光を外部に漏らさないための全反射膜９を
施している。
【００４４】具体的には、無反射膜８の材料としてＡｌ
2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＭｇＦ2の３層の積層膜を使用する。各
々の膜厚は、それぞれλ／４、λ／２、λ／４（λはレ
ーザ光波長）である。この積層膜は表裏いづれの面から
の光の入射に対しても有効であるが、ＬｉＮｂＯ3への
接続性からＡｌ2Ｏ3側をＬｉＮｂＯ3に向けるのが望ま
しい。また、全反射膜９としては、ＴｉＯ2またはＳｉ
Ｏ2膜を使用する。この膜厚は約１７０μｍである。
2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＭｇＦ2の３層の積層膜を使用する。各
々の膜厚は、それぞれλ／４、λ／２、λ／４（λはレ
ーザ光波長）である。この積層膜は表裏いづれの面から
の光の入射に対しても有効であるが、ＬｉＮｂＯ3への
接続性からＡｌ2Ｏ3側をＬｉＮｂＯ3に向けるのが望ま
しい。また、全反射膜９としては、ＴｉＯ2またはＳｉ
Ｏ2膜を使用する。この膜厚は約１７０μｍである。
【００４５】以上のような構造であれば、半導体レーザ
チップ１０７の後面から出射されたモニタ光１０８はモ
ニタ光導波路素子７に入射し、素子７に従って伝播して
いくが、下面側には無反射膜８が形成されているので、
この下面より受光素子１０９に対して光が効率よく入射
される。また、これ以外の面には全反射膜９が形成され
ているので、外部に光が漏れることなく光が有効に使用
されることになる。
チップ１０７の後面から出射されたモニタ光１０８はモ
ニタ光導波路素子７に入射し、素子７に従って伝播して
いくが、下面側には無反射膜８が形成されているので、
この下面より受光素子１０９に対して光が効率よく入射
される。また、これ以外の面には全反射膜９が形成され
ているので、外部に光が漏れることなく光が有効に使用
されることになる。
【００４６】従って、図１及び図２の実施例と同様、モ
ニタ光１０８がキャップ１０１内で乱反射するというこ
とはなく、多分割受光素子１０６に迷光となって入射す
ることもない。
ニタ光１０８がキャップ１０１内で乱反射するというこ
とはなく、多分割受光素子１０６に迷光となって入射す
ることもない。
【００４７】図６は図３の実施例による迷光量の大きさ
の傾向を示すヒストグラムである。この実施例の場合、
迷光量のピークは０．０６μＡであり、図９の従来例
（ピークが０．１５μＡ）に比べ迷光量の低減を図れた
ことがわかる。また、迷光量は最大でも０．０９９μＡ
であり、図１及び図２の実施例と同様、従来必要とした
迷光量キャンセル回路は不要とできる。
の傾向を示すヒストグラムである。この実施例の場合、
迷光量のピークは０．０６μＡであり、図９の従来例
（ピークが０．１５μＡ）に比べ迷光量の低減を図れた
ことがわかる。また、迷光量は最大でも０．０９９μＡ
であり、図１及び図２の実施例と同様、従来必要とした
迷光量キャンセル回路は不要とできる。
【００４８】以上説明したように、図１乃至図３のいづ
れの構造においても、迷光量分布が従来構造に比較して
大きく低減でき、近接する多分割受光素子に対しても迷
光としての大きな影響を及ぼすことがない。これによ
り、信号特性（ジッタ等）が良好になり、あるいはピッ
クアップ搭載時のサーボ誤動作等が発生しない。また、
迷光量はいづれの構造においても、０．１μＡ未満に抑
えることができるので、従来必要であった迷光量キャン
セル回路が不要となり、ピックアップの小型軽量化を図
れるとともに、コストダウンに寄与できる。
れの構造においても、迷光量分布が従来構造に比較して
大きく低減でき、近接する多分割受光素子に対しても迷
光としての大きな影響を及ぼすことがない。これによ
り、信号特性（ジッタ等）が良好になり、あるいはピッ
クアップ搭載時のサーボ誤動作等が発生しない。また、
迷光量はいづれの構造においても、０．１μＡ未満に抑
えることができるので、従来必要であった迷光量キャン
セル回路が不要となり、ピックアップの小型軽量化を図
れるとともに、コストダウンに寄与できる。
【００４９】また、上記図１乃至図３のいづれの構造も
モニタ光を有効利用できるので、従来構造であれば、乱
反射光等となっていたモニタ光を受光素子に対して効率
よく集光させることができるので、モニタ感度の向上を
図れるという利点もある。
モニタ光を有効利用できるので、従来構造であれば、乱
反射光等となっていたモニタ光を受光素子に対して効率
よく集光させることができるので、モニタ感度の向上を
図れるという利点もある。
【００５０】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置によれば、半
導体レーザチップの後面部と前記モニタ光受光素子の上
面とに接触し、前記半導体レーザチップの後面部から出
射されるモニタ光を入射、伝播させる光導波路を設けて
いるので、モニタ光を確実にモニタ光受光素子に導くこ
とができる。これにより、モニタ光はこの光導波路より
外部にはあまり出射されないため、迷光の変調光受光素
子への入射を回避できる。
導体レーザチップの後面部と前記モニタ光受光素子の上
面とに接触し、前記半導体レーザチップの後面部から出
射されるモニタ光を入射、伝播させる光導波路を設けて
いるので、モニタ光を確実にモニタ光受光素子に導くこ
とができる。これにより、モニタ光はこの光導波路より
外部にはあまり出射されないため、迷光の変調光受光素
子への入射を回避できる。
【００５１】
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【００５６】さらに、光導波路の前記半導体レーザチッ
プの後面部及び前記モニタ光受光素子との各接触部にそ
れぞれ無反射膜を設けるとともに、前記光導波路の他の
面に全反射膜を設けているので、モニタ光は確実に光導
波路に導かれるとともに、モニタ光受光素子への入射効
率もより向上できる。しかも、光導波路外部への光の散
乱等もより低減できるので、変調光受光素子への迷光入
射をより低減できる。
プの後面部及び前記モニタ光受光素子との各接触部にそ
れぞれ無反射膜を設けるとともに、前記光導波路の他の
面に全反射膜を設けているので、モニタ光は確実に光導
波路に導かれるとともに、モニタ光受光素子への入射効
率もより向上できる。しかも、光導波路外部への光の散
乱等もより低減できるので、変調光受光素子への迷光入
射をより低減できる。
【図１】本発明の第１の実施例による半導体レーザ装置
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
の断面図である。
の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例による半導体レーザ装置
の断面図である。
の断面図である。
【図４】図１の実施例に対応する迷光量の分布を示すヒ
ストグラムである。
ストグラムである。
【図５】図２の実施例に対応する迷光量の分布を示すヒ
ストグラムである。
ストグラムである。
【図６】図３の実施例に対応する迷光量の分布を示すヒ
ストグラムである。
ストグラムである。
【図７】従来例による半導体レーザ装置の外観斜視図で
ある。
ある。
【図８】従来例による半導体レーザ装置のキャップ内部
斜視図である。
斜視図である。
【図９】図８の従来例に対応する迷光量の分布を示すヒ
ストグラムである。
ストグラムである。
１ 迷光遮断用カバー ３ モニタ光反射ミラー ４ 反射面 ７ 光導波路 ８ 無反射膜 ９ 全反射膜 １００ ステム １０５ シリコン基板 １０６ 変調光受光素子 １０７ 半導体レーザチップ １０９ モニタ光受光素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザチップと、該半導体レーザ
チップの後面から出射されるモニタ光を受光するモニタ
光受光素子と、前記半導体レーザチップの前面から出射
され外部の情報記録媒体で反射された変調光を受光する
変調光受光素子とを備えた半導体レーザ装置において、 前記半導体レーザチップの後面部と前記モニタ光受光素
子の上面とに接触し、前記半導体レーザチップの後面部
から出射されるモニタ光を入射、伝搬させる光導波路を
設け、前記光導波路の前記半導体レーザチップの後面部
及び前記モニタ光受光素子との各接触部にそれぞれ無反
射膜を設けるとともに、前記光導波路の他の面に全反射
膜を設けてなることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記光導波路は、LiNbO3材料からなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10223095A JP3242284B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10223095A JP3242284B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08298350A JPH08298350A (ja) | 1996-11-12 |
| JP3242284B2 true JP3242284B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=14321854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10223095A Expired - Fee Related JP3242284B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3242284B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7379504B2 (ja) * | 2019-08-29 | 2023-11-14 | 京セラ株式会社 | 光素子搭載用パッケージ、電子装置及び電子モジュール |
| CN114699095A (zh) * | 2022-01-29 | 2022-07-05 | 中建材光芯科技有限公司 | 表面溅射钨、微孔内沉积二氧化铪的滤线栅格及制造方法 |
| WO2023227295A1 (en) * | 2022-05-25 | 2023-11-30 | Ams-Osram Ag | Optoelectronic device and method for operating an optoelectronic device |
-
1995
- 1995-04-26 JP JP10223095A patent/JP3242284B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08298350A (ja) | 1996-11-12 |
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