JP3239056B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JP3239056B2 JP3239056B2 JP31066395A JP31066395A JP3239056B2 JP 3239056 B2 JP3239056 B2 JP 3239056B2 JP 31066395 A JP31066395 A JP 31066395A JP 31066395 A JP31066395 A JP 31066395A JP 3239056 B2 JP3239056 B2 JP 3239056B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
に関し、コンピュータ等の情報の読みだし及び記録、ま
た音楽用の録音再生等に必要な光ディスク装置や情報信
号読み取り装置の光ピックアップの光源として利用され
る半導体レーザ装置に関する。
に関し、コンピュータ等の情報の読みだし及び記録、ま
た音楽用の録音再生等に必要な光ディスク装置や情報信
号読み取り装置の光ピックアップの光源として利用され
る半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来の半導体レーザ装置の構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【０００３】一般に光ディスクなどに用いられる光ピッ
クアップの半導体レーザ装置は、記録媒体であるディス
クからの信号光を受光する多分割受光素子を同一パッケ
ージの内部に内蔵しているタイプのものが主流となって
おり、一般にホログラム型半導体レーザ装置と呼ばれて
いる。図７において、ステム１１、キャップ１２、リー
ド端子１３があり、ディスクからの信号光をパッケージ
内部の多分割受光素子１７の方向へ曲げるための回折格
子１５を備えたガラス素子１４と半導体レーザ素子の出
力をモニタするモニタ用受光素子とから構成されてい
る。ステム１１とキャップ１２でパッケージを構成して
いる。
クアップの半導体レーザ装置は、記録媒体であるディス
クからの信号光を受光する多分割受光素子を同一パッケ
ージの内部に内蔵しているタイプのものが主流となって
おり、一般にホログラム型半導体レーザ装置と呼ばれて
いる。図７において、ステム１１、キャップ１２、リー
ド端子１３があり、ディスクからの信号光をパッケージ
内部の多分割受光素子１７の方向へ曲げるための回折格
子１５を備えたガラス素子１４と半導体レーザ素子の出
力をモニタするモニタ用受光素子とから構成されてい
る。ステム１１とキャップ１２でパッケージを構成して
いる。
【０００４】半導体レーザ素子１の後面から出射した光
３の１部を受光するためのモニタ用受光素子１９を備え
たシリコンチップ１６があり、このシリコンチップ１６
上にはレーザ素子１もダイボンディングされている。１
７はディスクからの信号光を受光するための多分割受光
素子を示し、１６及び１７の部品はステム１１のブロッ
ク部１８にダイボンディングされている。また、図７で
半導体レーザ素子１の前面から出射した光（主ビーム）
２が前方に出射している様子を示し、半導体レーザ素子
１の後面から出射した光（モニタ光）３はステムの底面
で反射（一次反射光４）する。
３の１部を受光するためのモニタ用受光素子１９を備え
たシリコンチップ１６があり、このシリコンチップ１６
上にはレーザ素子１もダイボンディングされている。１
７はディスクからの信号光を受光するための多分割受光
素子を示し、１６及び１７の部品はステム１１のブロッ
ク部１８にダイボンディングされている。また、図７で
半導体レーザ素子１の前面から出射した光（主ビーム）
２が前方に出射している様子を示し、半導体レーザ素子
１の後面から出射した光（モニタ光）３はステムの底面
で反射（一次反射光４）する。
【０００５】また、特願平５−１０４８０１には、半導
体レーザ装置のステム形状についての開示があり、モニ
タ用ホトダイオードをステムのブロック部に対してレー
ザ光を外に出す配置が示されているが、本発明とは異な
る構造のものである。
体レーザ装置のステム形状についての開示があり、モニ
タ用ホトダイオードをステムのブロック部に対してレー
ザ光を外に出す配置が示されているが、本発明とは異な
る構造のものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザ素子１の後面から出射した光（モニタ光）の内、
その大部分が装置のパッケージ内部で乱反射して、近接
する多分割受光素子１７に信号光以外の迷光１０となっ
て入射し、これによって、信号特性（ジッタ等）が悪化
し、あるいはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発
生していた。
レーザ素子１の後面から出射した光（モニタ光）の内、
その大部分が装置のパッケージ内部で乱反射して、近接
する多分割受光素子１７に信号光以外の迷光１０となっ
て入射し、これによって、信号特性（ジッタ等）が悪化
し、あるいはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発
生していた。
【０００７】そのため、ピックアップ搭載時に、迷光量
キャンセル回路を設置する必要があり、ピックアップ形
状の小型化・軽量化の妨げになっていた。
キャンセル回路を設置する必要があり、ピックアップ形
状の小型化・軽量化の妨げになっていた。
【０００８】本発明は、上記課題に鑑み、小型化・軽量
化・低コスト化に適した半導体レーザ装置を提供するも
のである。
化・低コスト化に適した半導体レーザ装置を提供するも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に記載の半導体レ
ーザ装置は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子
の光出力をモニターするモニタ用受光素子と、レーザ光
の出入射方向に沿った上面に配置される回折格子と該回
折格子からの信号光を受ける多分割受光素子とを備え、
前記半導体レーザ素子の後面出射光がステム上で一次反
射する領域に凹部を設けた半導体レーザ装置において、
前記凹部内にモニタ用受光素子が配置され、該受光素子
の受光面が、半導体レーザ素子の光出射面に対して傾斜
してなると共に、該受光面の傾斜方向は、前記受光素子
の表面で反射した光がステムのブロック部方向へ主とし
て反射される方向であることを特徴とするものである。
ーザ装置は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子
の光出力をモニターするモニタ用受光素子と、レーザ光
の出入射方向に沿った上面に配置される回折格子と該回
折格子からの信号光を受ける多分割受光素子とを備え、
前記半導体レーザ素子の後面出射光がステム上で一次反
射する領域に凹部を設けた半導体レーザ装置において、
前記凹部内にモニタ用受光素子が配置され、該受光素子
の受光面が、半導体レーザ素子の光出射面に対して傾斜
してなると共に、該受光面の傾斜方向は、前記受光素子
の表面で反射した光がステムのブロック部方向へ主とし
て反射される方向であることを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明に記載の半導体レーザ装置
は、前記凹部が、光学的に粗面であることを特徴とする
ものである。
は、前記凹部が、光学的に粗面であることを特徴とする
ものである。
【００１１】また、本発明に記載の半導体レーザ装置
は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の光出力
をモニターするモニタ用受光素子と、レーザ光の出入射
方向に沿った上面に配置される回折格子と該回折格子か
らの信号光を受ける多分割受光素子とを備え、前記半導
体レーザ素子の後面出射光がステム上で一次反射する領
域に凹部を設けた半導体レーザ装置において、前記凹部
の形状を前記半導体レーザ素子に対して開いている形の
円錐形状とすると共に、前記ステムのブロック部に前記
モニタ用受光素子が配置されてなることを特徴とするも
のである。
は、半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の光出力
をモニターするモニタ用受光素子と、レーザ光の出入射
方向に沿った上面に配置される回折格子と該回折格子か
らの信号光を受ける多分割受光素子とを備え、前記半導
体レーザ素子の後面出射光がステム上で一次反射する領
域に凹部を設けた半導体レーザ装置において、前記凹部
の形状を前記半導体レーザ素子に対して開いている形の
円錐形状とすると共に、前記ステムのブロック部に前記
モニタ用受光素子が配置されてなることを特徴とするも
のである。
【００１２】さらに、本発明に記載の半導体レーザ装置
は、前記凹部が光学的に粗面であることを特徴とするも
のである。
は、前記凹部が光学的に粗面であることを特徴とするも
のである。
【００１３】加えて、本発明に記載の半導体レーザ装置
は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム上で一次
反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の底にレーザ
光をモニタするフォトダイオードを傾斜して設置し、該
フォトダイオード面でレーザ素子の後面出射光を主とし
て凹部の内壁面及びステムのブロック部に当てて光を減
衰させ、その結果多分割受光素子への迷光を減少させる
ことを特徴とするものである。
は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム上で一次
反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の底にレーザ
光をモニタするフォトダイオードを傾斜して設置し、該
フォトダイオード面でレーザ素子の後面出射光を主とし
て凹部の内壁面及びステムのブロック部に当てて光を減
衰させ、その結果多分割受光素子への迷光を減少させる
ことを特徴とするものである。
【００１４】本発明の半導体レーザ装置は、上記構成に
より、レーザ素子の後面出射光を減衰させることにより
多分割受光素子への迷光を減少させることにより、多分
割受光素子の信号特性（ジッタ等）が良好になり、ある
いはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発生しない
という半導体レーザ装置を提供することが可能となる。
より、レーザ素子の後面出射光を減衰させることにより
多分割受光素子への迷光を減少させることにより、多分
割受光素子の信号特性（ジッタ等）が良好になり、ある
いはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発生しない
という半導体レーザ装置を提供することが可能となる。
【００１５】また、ピックアップ搭載時に、迷光量のキ
ャンセル回路を設置する必要が生じず、ピックアップ形
伏が小型・軽量化出来ると言う効果も生まれる。
ャンセル回路を設置する必要が生じず、ピックアップ形
伏が小型・軽量化出来ると言う効果も生まれる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１乃至図６は本発明の一実施の
形態よりなる半導体レーザ装置を示す図である。図１は
該半導体レーザ装置の構造を示す断面図であり、図２は
同じく外観図であり、図３は同じく内部構造図であり、
図５は同じく凹部に受光素子を配置した場合の断面図で
あり、図６は同じく凹部の底面を傾斜させた場合の断面
図である。
形態よりなる半導体レーザ装置を示す図である。図１は
該半導体レーザ装置の構造を示す断面図であり、図２は
同じく外観図であり、図３は同じく内部構造図であり、
図５は同じく凹部に受光素子を配置した場合の断面図で
あり、図６は同じく凹部の底面を傾斜させた場合の断面
図である。
【００１７】図１は該半導体レーザ装置の構造を示す断
面図であり、図１において、１２はキャップ、１３はリ
ード端子であり、ステム１１とキャップ１２とでパッケ
ージを構成している。１６は半導体レーザ素子１の後面
から出射した光２の１部を受光するための受光素子１９
を内蔵するシリコンチップであり、このシリコンチップ
１６にはレーザ素子１が直接ダイボンディングされてい
る。半導体レーザ素子１は信号読み取り用の光（主ビー
ム）２を前面から出射し、モニタ光３を後面から出射す
る。信号読み取り用の光２は光ディスク等の情報記録媒
体７で反射し、情報を含む反射光（信号光）８はガラス
素子１４に形成されているホログラム素子１５で回折さ
れ、回折光９となって多分割受光素子１７に入射し、電
気的信号に変換される。
面図であり、図１において、１２はキャップ、１３はリ
ード端子であり、ステム１１とキャップ１２とでパッケ
ージを構成している。１６は半導体レーザ素子１の後面
から出射した光２の１部を受光するための受光素子１９
を内蔵するシリコンチップであり、このシリコンチップ
１６にはレーザ素子１が直接ダイボンディングされてい
る。半導体レーザ素子１は信号読み取り用の光（主ビー
ム）２を前面から出射し、モニタ光３を後面から出射す
る。信号読み取り用の光２は光ディスク等の情報記録媒
体７で反射し、情報を含む反射光（信号光）８はガラス
素子１４に形成されているホログラム素子１５で回折さ
れ、回折光９となって多分割受光素子１７に入射し、電
気的信号に変換される。
【００１８】一方、後面から出射したモニタ光３の大部
分はステム１１に設けた凹部５に入射し、一次反射（図
示省略）する。この一次反射光はこの凹部５の内壁面で
反射して後面出射光を減衰させ、多分割受光素子への迷
光を減少させることができる。
分はステム１１に設けた凹部５に入射し、一次反射（図
示省略）する。この一次反射光はこの凹部５の内壁面で
反射して後面出射光を減衰させ、多分割受光素子への迷
光を減少させることができる。
【００１９】また、この凹部５をプレス機等で応圧して
形成するか或いは切削機で切り出したままの状態とする
ことにより、この凹部の表面は光学的には粗面の状態に
あるため、レーザ光に対する反射率は低い状態となる。
その結果、一次反射光４を大幅に減衰させることがで
き、多分割受光素子１７に入る迷光を大きく減衰させる
ことができる。
形成するか或いは切削機で切り出したままの状態とする
ことにより、この凹部の表面は光学的には粗面の状態に
あるため、レーザ光に対する反射率は低い状態となる。
その結果、一次反射光４を大幅に減衰させることがで
き、多分割受光素子１７に入る迷光を大きく減衰させる
ことができる。
【００２０】さらに、図１及び図３に示されているよう
に、受光素子１９を内蔵するシリコンチップ１６はステ
ム１１の水平面に対して凹部５の方向に突き出すように
配置されている。このような配置を取ることにより、ス
テム１１の水平面よりシリコンチップ１６が上（外）に
ある場合よりさらに凹部５での一次反射光４を大幅に減
衰させることができ、多分割受光素子１７に入る迷光を
大きく減衰させることができる。
に、受光素子１９を内蔵するシリコンチップ１６はステ
ム１１の水平面に対して凹部５の方向に突き出すように
配置されている。このような配置を取ることにより、ス
テム１１の水平面よりシリコンチップ１６が上（外）に
ある場合よりさらに凹部５での一次反射光４を大幅に減
衰させることができ、多分割受光素子１７に入る迷光を
大きく減衰させることができる。
【００２１】図２は半導体レーザ装置の外観を示してお
り、１１はステム、１２はキャップ、１３はリード端
子、１４はディスクからの信号光をパッケージ内部の多
分割受光素子方向に曲げるための回折格子１５を備えた
ガラス素子である。ステム１１とキャップ１２でパッケ
ージを構成している。ここでは、ディスクからの信号光
を受光する多分割受光素子１７を同一パッケージ内部に
内蔵しているタイプのもの（ホログラム型半導体レーザ
装置）である。
り、１１はステム、１２はキャップ、１３はリード端
子、１４はディスクからの信号光をパッケージ内部の多
分割受光素子方向に曲げるための回折格子１５を備えた
ガラス素子である。ステム１１とキャップ１２でパッケ
ージを構成している。ここでは、ディスクからの信号光
を受光する多分割受光素子１７を同一パッケージ内部に
内蔵しているタイプのもの（ホログラム型半導体レーザ
装置）である。
【００２２】内部構造を図３に示す。１１はステム、１
３はリード端子、１は半導体レーザ素子、２は半導体レ
ーザ素子１の前面から出射した光（主ビーム）が上方に
立ち上がっている様子を示し、１６は半導体レーザ素子
１の後面から出射したモニタ光３の１部を受光するため
の受光素子１９を内蔵するシリコンチップであり、この
シリコンチップにはレーザ素子１もダイボンディングさ
れている。１７はディスクからの信号光を受光する多分
割受光素子を示し、１６及び１７の部品はステム１１の
ブロック部１８にダイボンディングされている。
３はリード端子、１は半導体レーザ素子、２は半導体レ
ーザ素子１の前面から出射した光（主ビーム）が上方に
立ち上がっている様子を示し、１６は半導体レーザ素子
１の後面から出射したモニタ光３の１部を受光するため
の受光素子１９を内蔵するシリコンチップであり、この
シリコンチップにはレーザ素子１もダイボンディングさ
れている。１７はディスクからの信号光を受光する多分
割受光素子を示し、１６及び１７の部品はステム１１の
ブロック部１８にダイボンディングされている。
【００２３】ここにおいて、半導体レーザ素子１の後面
から出射した光３（モニタ光）の内、大部分はステム１
１に設けた凹部５の内部で乱反射し、減衰する。凹部５
内部の面状態はプレス機で打ち抜いたままの状態か、或
いは切削機で切り出したままの状態であり、光学的には
粗面であり、レーザ光の反射率は極めて低い状態にあ
る。
から出射した光３（モニタ光）の内、大部分はステム１
１に設けた凹部５の内部で乱反射し、減衰する。凹部５
内部の面状態はプレス機で打ち抜いたままの状態か、或
いは切削機で切り出したままの状態であり、光学的には
粗面であり、レーザ光の反射率は極めて低い状態にあ
る。
【００２４】この実施の１例の形態では、プレス機加工
の場合の光の反射率は２％〜１０％程度であり、切削機
加工の場合の光反射率も２％〜１０％程度であった。ま
た、それぞれの粗面の粗さはいずれも１０〜５０μｍ程
度であった。
の場合の光の反射率は２％〜１０％程度であり、切削機
加工の場合の光反射率も２％〜１０％程度であった。ま
た、それぞれの粗面の粗さはいずれも１０〜５０μｍ程
度であった。
【００２５】この実施の１例の形態では、凹部５の底面
は機械加工によるものであったが、この部分に光散乱吸
収材を塗布または充填しても良い。この光散乱吸収材と
しては、カーボン粉末やシリコン粉末などが適してい
た。
は機械加工によるものであったが、この部分に光散乱吸
収材を塗布または充填しても良い。この光散乱吸収材と
しては、カーボン粉末やシリコン粉末などが適してい
た。
【００２６】またこの凹部５の内部表面に反射防止材等
をコートすることで、内部での光減衰の効果を得ること
ができる。この場合の反射防止材としては、ＳｉＯ2 や
ＭｇＦ2 などの材料が適していた。
をコートすることで、内部での光減衰の効果を得ること
ができる。この場合の反射防止材としては、ＳｉＯ2 や
ＭｇＦ2 などの材料が適していた。
【００２７】またこれらの実施の１例の本実施例では、
半導体レーザ素子１をダイボンディングしたシリコンチ
ップ１６が凹部５の内部に少し入るような位置関係にあ
り、ブロック部１８にダイボンディングされている。こ
の構成を採ることにより、凹部の内部での光減衰の効果
は５〜１０％程度さらに向上することができた。
半導体レーザ素子１をダイボンディングしたシリコンチ
ップ１６が凹部５の内部に少し入るような位置関係にあ
り、ブロック部１８にダイボンディングされている。こ
の構成を採ることにより、凹部の内部での光減衰の効果
は５〜１０％程度さらに向上することができた。
【００２８】これにより、近接する多分割受光素子１７
に入射する信号光以外の迷光１０を極めて小さく低減す
ることができ、ＳＮ比を５〜１０％程度さらに向上する
ことができた。
に入射する信号光以外の迷光１０を極めて小さく低減す
ることができ、ＳＮ比を５〜１０％程度さらに向上する
ことができた。
【００２９】上述のような半導体レーザ装置の構造を採
ることにより、近接する多分割受光素子１７に入射する
信号光以外の迷光１０が入射することを低減できた。
ることにより、近接する多分割受光素子１７に入射する
信号光以外の迷光１０が入射することを低減できた。
【００３０】図４乃至図６は実施の形態の他の例の断面
図である。
図である。
【００３１】図４では、前記凹部５の底を前記半導体レ
ーザ素子１を保持するステム部１１の水平面に対して傾
斜した形状５ａとしたものである。凹部５ａの傾斜面は
ステムのブロック部１８の方向へ傾斜させてあり、レー
ザ素子の後面出射光を主としてステムのブロック部方向
に反射させて光を減衰させることにより多分割受光素子
への迷光を減少させている。その結果、多分割受光素子
１７に入射する迷光１０によるＳＮ比の低下を５〜１０
％程度改善することができた。
ーザ素子１を保持するステム部１１の水平面に対して傾
斜した形状５ａとしたものである。凹部５ａの傾斜面は
ステムのブロック部１８の方向へ傾斜させてあり、レー
ザ素子の後面出射光を主としてステムのブロック部方向
に反射させて光を減衰させることにより多分割受光素子
への迷光を減少させている。その結果、多分割受光素子
１７に入射する迷光１０によるＳＮ比の低下を５〜１０
％程度改善することができた。
【００３２】図５では、前記凹部５の形状を前記半導体
レーザ素子１に対して開いている形の円錐形状５１とし
た場合である。この構造を採ることにより、レーザ素子
１の後面から出射した光３は、ステム１１のブロック１
８の方向へ主に反射される。半導体レーザ素子１の後面
から出射したモニタ光３を受光するための受光素子１９
を内蔵するシリコンチップ１６の方向へ主として反射さ
れる。その結果、多分割受光素子１７に入射する迷光１
０によるＳＮ比の低下を５〜１０％程度改善することが
できた。
レーザ素子１に対して開いている形の円錐形状５１とし
た場合である。この構造を採ることにより、レーザ素子
１の後面から出射した光３は、ステム１１のブロック１
８の方向へ主に反射される。半導体レーザ素子１の後面
から出射したモニタ光３を受光するための受光素子１９
を内蔵するシリコンチップ１６の方向へ主として反射さ
れる。その結果、多分割受光素子１７に入射する迷光１
０によるＳＮ比の低下を５〜１０％程度改善することが
できた。
【００３３】図６では、半導体レーザ素子１の後面から
出射した光３を受光するための受光素子２０を凹部５の
底に配置し、ステム１１の底の面に対して受光面を５度
〜４０度程度傾斜させる。好ましくは、受光面を１０度
〜３０度程度傾斜させる。この構造を採ることにより、
受光素子２０の表面で反射した光は、ステム１１のブロ
ック部１８の方向へ主として反射される。その結果、多
分割受光素子１７に入射する迷光のＳＮ比を５〜１０％
程度向上することができた。尚、この場合、図５に示さ
れるように、半導体レーザ素子１はシリコンチップの上
にダイボンドさていなくてもよい。
出射した光３を受光するための受光素子２０を凹部５の
底に配置し、ステム１１の底の面に対して受光面を５度
〜４０度程度傾斜させる。好ましくは、受光面を１０度
〜３０度程度傾斜させる。この構造を採ることにより、
受光素子２０の表面で反射した光は、ステム１１のブロ
ック部１８の方向へ主として反射される。その結果、多
分割受光素子１７に入射する迷光のＳＮ比を５〜１０％
程度向上することができた。尚、この場合、図５に示さ
れるように、半導体レーザ素子１はシリコンチップの上
にダイボンドさていなくてもよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明に記載の半導体レーザ装置は、レ
ーザ素子の後面出射光がステム上で一次反射する領域に
凹部を設け、一次反射光をこの凹部の内壁面で反射して
後面反射光を減衰させ、多分割受光素子への迷光を減少
させることができる。また、この凹部をプレス機等で応
圧して形成するか或いは切削機で切り出したままの状態
とすることにより、この凹部の表面は光学的には粗面の
状態にあるため、レーザ光に対する反射率は低い状態と
なり、一次反射光を大幅に減衰させることができ、多分
割受光素子に入る迷光を大きく減衰させることができ
る。
ーザ素子の後面出射光がステム上で一次反射する領域に
凹部を設け、一次反射光をこの凹部の内壁面で反射して
後面反射光を減衰させ、多分割受光素子への迷光を減少
させることができる。また、この凹部をプレス機等で応
圧して形成するか或いは切削機で切り出したままの状態
とすることにより、この凹部の表面は光学的には粗面の
状態にあるため、レーザ光に対する反射率は低い状態と
なり、一次反射光を大幅に減衰させることができ、多分
割受光素子に入る迷光を大きく減衰させることができ
る。
【００３５】また、本発明に記載の半導体レーザ装置
は、前記凹部の底をステム部の水平面に対して傾斜させ
ることにより、レーザ素子の後面出射光を主としてステ
ムのブロック部方向に反射させて光を減衰させ、その結
果多分割受光素子への迷光を減少させることができる。
は、前記凹部の底をステム部の水平面に対して傾斜させ
ることにより、レーザ素子の後面出射光を主としてステ
ムのブロック部方向に反射させて光を減衰させ、その結
果多分割受光素子への迷光を減少させることができる。
【００３６】また、本発明に記載の半導体レーザ装置
は、レーザ素子の後面出射するモニタ光がステム上で一
次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の形状を前
記半導体レーザ素子に対して開いている形の円錐形状と
することにより、レーザ素子の後面出射光を主としてス
テムのブロック部方向に反射させて光を減衰させ、その
結果多分割受光素子への迷光を減少させることができ
る。
は、レーザ素子の後面出射するモニタ光がステム上で一
次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の形状を前
記半導体レーザ素子に対して開いている形の円錐形状と
することにより、レーザ素子の後面出射光を主としてス
テムのブロック部方向に反射させて光を減衰させ、その
結果多分割受光素子への迷光を減少させることができ
る。
【００３７】さらに、本発明に記載の半導体レーザ装置
は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム上で一次
反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部に光散乱吸収
材を塗布または充填することにより、レーザ素子の後面
出射光を主としてこの凹部の光散乱吸収材により光を減
衰させ、その結果多分割受光素子への迷光を減少させる
ことができる。
は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム上で一次
反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部に光散乱吸収
材を塗布または充填することにより、レーザ素子の後面
出射光を主としてこの凹部の光散乱吸収材により光を減
衰させ、その結果多分割受光素子への迷光を減少させる
ことができる。
【００３８】加えて、本発明に記載の半導体レーザ装置
は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム上で一次
反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の底にレーザ
光をモニタするフォトダイオードを傾斜して設置し、該
フォトダイオード面でレーザ素子の後面出射光を主とし
て凹部の内壁面及びステムのブロック部に当てて光を減
衰させ、その結果多分割受光素子への迷光を減少させる
ことができる。
は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム上で一次
反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の底にレーザ
光をモニタするフォトダイオードを傾斜して設置し、該
フォトダイオード面でレーザ素子の後面出射光を主とし
て凹部の内壁面及びステムのブロック部に当てて光を減
衰させ、その結果多分割受光素子への迷光を減少させる
ことができる。
【００３９】本発明の半導体レーザ装置は、上記構成に
より、レーザ素子の後面出射光を減衰させることにより
多分割受光素子への迷光を減少させることにより、多分
割受光素子の信号特性（ジッタ等）が良好になり、ある
いはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発生しない
という半導体レーザ装置を提供することが可能となる。
より、レーザ素子の後面出射光を減衰させることにより
多分割受光素子への迷光を減少させることにより、多分
割受光素子の信号特性（ジッタ等）が良好になり、ある
いはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発生しない
という半導体レーザ装置を提供することが可能となる。
【００４０】また、ピックアップ搭載時に、迷光量のキ
ャンセル回路を設置する必要が生じず、ピックアップ形
伏が小型・軽量化出来ると言う効果がある。
ャンセル回路を設置する必要が生じず、ピックアップ形
伏が小型・軽量化出来ると言う効果がある。
【図１】本発明の一実施の形態よりなる半導体レーザ装
置の構造断面図である。
置の構造断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態よりなる半導体レーザ装
置の外観図である。
置の外観図である。
【図３】本発明の一実施の形態よりなる半導体レーザ装
置の内部構造図である。
置の内部構造図である。
【図４】本発明の他の一実施の形態よりなる半導体レー
ザ装置の構造断面図であり、凹部を傾斜させた構造のも
のである。
ザ装置の構造断面図であり、凹部を傾斜させた構造のも
のである。
【図５】本発明の他の一実施の形態よりなる半導体レー
ザ装置の構造断面図で、凹部の形状を円錐形にした場合
の構造断面図である。
ザ装置の構造断面図で、凹部の形状を円錐形にした場合
の構造断面図である。
【図６】本発明の他の一実施の形態よりなる半導体レー
ザ装置の構造断面図で、凹部に受光素子を傾斜させて配
置した場合の構造断面図である。
ザ装置の構造断面図で、凹部に受光素子を傾斜させて配
置した場合の構造断面図である。
【図７】従来の半導体レーザ装置の構造断面図である。
１ 半導体レーザ素子 ２ 前面から出射する主ビーム光 ３ 後面から出射するモニタ光 ４ ステム表面で反射する一次反射光 ５ ステムに設けた凹部 ５ａ ステムに設けた傾斜型の凹部 ６ 散乱光 １０ 多分割受光素子への迷光 １１ ステム １４ 回折格子を備えたガラス素子 １６ モニタ用受光素子を内蔵するシリコンチップ １７ ディスクからの信号光を受光する多分割受光素子 １８ ブロック部 １９ １６上に設けたモニタ用受光素子 ２０ 単独のモニタ用受光素子 ５１ ステム上に設ける円錐形の凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 31/12
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素
子の光出力をモニターするモニタ用受光素子と、レーザ
光の出入射方向に沿った上面に配置される回折格子と該
回折格子からの信号光を受ける多分割受光素子とを備
え、前記半導体レーザ素子の後面出射光がステム上で一
次反射する領域に凹部を設けた半導体レーザ装置におい
て、 前記凹部内にモニタ用受光素子が配置され、該受光素子
の受光面が、半導体レーザ素子の光出射面に対して傾斜
してなると共に、 該受光面の傾斜方向は、前記受光素子の表面で反射した
光がステムのブロック部方向へ主として反射される方向
である ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記凹部は、光学的に粗面であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素
子の光出力をモニターするモニタ用受光素子と、レーザ
光の出入射方向に沿った上面に配置される回折格子と該
回折格子からの信号光を受ける多分割受光素子とを備
え、前記半導体レーザ素子の後面出射光がステム上で一
次反射する領域に凹部を設けた半導体レーザ装置におい
て、 前記凹部の形状を前記半導体レーザ素子に対して開いて
いる形の円錐形状とすると共に、 前記ステムのブロック部に前記モニタ用受光素子が配置
されてなる ことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記凹部は光学的に粗面であることを特
徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31066395A JP3239056B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31066395A JP3239056B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148680A JPH09148680A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3239056B2 true JP3239056B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=18007964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31066395A Expired - Fee Related JP3239056B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3239056B2 (ja) |
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| JP4064218B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2008-03-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP2005072130A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP4549298B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2010-09-22 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| KR100856280B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 패키지 |
| JP5472632B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2014-04-16 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージ用ステムおよび半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
| JP6578976B2 (ja) * | 2016-02-05 | 2019-09-25 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
| JP6895763B2 (ja) * | 2017-02-14 | 2021-06-30 | 古河電気工業株式会社 | 光モジュール |
| JP7398877B2 (ja) * | 2019-04-18 | 2023-12-15 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
| JPWO2021166215A1 (ja) * | 2020-02-21 | 2021-08-26 |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP31066395A patent/JP3239056B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09148680A (ja) | 1997-06-06 |
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