JPH09148680A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH09148680A JPH09148680A JP31066395A JP31066395A JPH09148680A JP H09148680 A JPH09148680 A JP H09148680A JP 31066395 A JP31066395 A JP 31066395A JP 31066395 A JP31066395 A JP 31066395A JP H09148680 A JPH09148680 A JP H09148680A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の半導体レーザ装置においては、半導体
レーザ素子の後面から出射したモニタ光がステムの表面
で反射し、同一パッケージ内の多分割受光素子に信号光
以外の迷光となって入射し、これによって、信号特性
（ジッタ等）が悪化し、あるいはピックアップ搭載時の
サーボ誤動作等が発生していた。 【解決手段】 半導体レーザ装置において、レーザ素子
１の後面出射光３がステム上で一次反射する領域に凹部
５を設け、一次反射光をこの凹部の内壁面で反射させて
後面出射光を減衰させ、多分割受光素子１７への迷光１
０を減少させることを特徴とする。
レーザ素子の後面から出射したモニタ光がステムの表面
で反射し、同一パッケージ内の多分割受光素子に信号光
以外の迷光となって入射し、これによって、信号特性
（ジッタ等）が悪化し、あるいはピックアップ搭載時の
サーボ誤動作等が発生していた。 【解決手段】 半導体レーザ装置において、レーザ素子
１の後面出射光３がステム上で一次反射する領域に凹部
５を設け、一次反射光をこの凹部の内壁面で反射させて
後面出射光を減衰させ、多分割受光素子１７への迷光１
０を減少させることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
に関し、コンピュータ等の情報の読みだし及び記録、ま
た音楽用の録音再生等に必要な光ディスク装置や情報信
号読み取り装置の光ピックアップの光源として利用され
る半導体レーザ装置に関する。
に関し、コンピュータ等の情報の読みだし及び記録、ま
た音楽用の録音再生等に必要な光ディスク装置や情報信
号読み取り装置の光ピックアップの光源として利用され
る半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来の半導体レーザ装置の構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【０００３】一般に光ディスクなどに用いられる光ピッ
クアップの半導体レーザ装置は、記録媒体であるディス
クからの信号光を受光する多分割受光素子を同一パッケ
ージの内部に内蔵しているタイプのものが主流となって
おり、一般にホログラム型半導体レーザ装置と呼ばれて
いる。図７において、ステム１１、キャップ１２、リー
ド端子１３があり、ディスクからの信号光をパッケージ
内部の多分割受光素子１７の方向へ曲げるための回折格
子１５を備えたガラス素子１４と半導体レーザ素子の出
力をモニタするモニタ用受光素子とから構成されてい
る。ステム１１とキャップ１２でパッケージを構成して
いる。
クアップの半導体レーザ装置は、記録媒体であるディス
クからの信号光を受光する多分割受光素子を同一パッケ
ージの内部に内蔵しているタイプのものが主流となって
おり、一般にホログラム型半導体レーザ装置と呼ばれて
いる。図７において、ステム１１、キャップ１２、リー
ド端子１３があり、ディスクからの信号光をパッケージ
内部の多分割受光素子１７の方向へ曲げるための回折格
子１５を備えたガラス素子１４と半導体レーザ素子の出
力をモニタするモニタ用受光素子とから構成されてい
る。ステム１１とキャップ１２でパッケージを構成して
いる。
【０００４】半導体レーザ素子１の後面から出射した光
３の１部を受光するためのモニタ用受光素子１９を備え
たシリコンチップ１６があり、このシリコンチップ１６
上にはレーザ素子１もダイボンディングされている。１
７はディスクからの信号光を受光するための多分割受光
素子を示し、１６及び１７の部品はステム１１のブロッ
ク部１８にダイボンディングされている。また、図７で
半導体レーザ素子１の前面から出射した光（主ビーム）
２が前方に出射している様子を示し、半導体レーザ素子
１の後面から出射した光（モニタ光）３はステムの底面
で反射（一次反射光４）する。
３の１部を受光するためのモニタ用受光素子１９を備え
たシリコンチップ１６があり、このシリコンチップ１６
上にはレーザ素子１もダイボンディングされている。１
７はディスクからの信号光を受光するための多分割受光
素子を示し、１６及び１７の部品はステム１１のブロッ
ク部１８にダイボンディングされている。また、図７で
半導体レーザ素子１の前面から出射した光（主ビーム）
２が前方に出射している様子を示し、半導体レーザ素子
１の後面から出射した光（モニタ光）３はステムの底面
で反射（一次反射光４）する。
【０００５】また、特願平５−１０４８０１には、半導
体レーザ装置のステム形状についての開示があり、モニ
タ用ホトダイオードをステムのブロック部に対してレー
ザ光を外に出す配置が示されているが、本発明とは異な
る構造のものである。
体レーザ装置のステム形状についての開示があり、モニ
タ用ホトダイオードをステムのブロック部に対してレー
ザ光を外に出す配置が示されているが、本発明とは異な
る構造のものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
レーザ素子１の後面から出射した光（モニタ光）の内、
その大部分が装置のパッケージ内部で乱反射して、近接
する多分割受光素子１７に信号光以外の迷光１０となっ
て入射し、これによって、信号特性（ジッタ等）が悪化
し、あるいはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発
生していた。
レーザ素子１の後面から出射した光（モニタ光）の内、
その大部分が装置のパッケージ内部で乱反射して、近接
する多分割受光素子１７に信号光以外の迷光１０となっ
て入射し、これによって、信号特性（ジッタ等）が悪化
し、あるいはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発
生していた。
【０００７】そのため、ピックアップ搭載時に、迷光量
キャンセル回路を設置する必要があり、ピックアップ形
状の小型化・軽量化の妨げになっていた。
キャンセル回路を設置する必要があり、ピックアップ形
状の小型化・軽量化の妨げになっていた。
【０００８】本発明は、上記課題に鑑み、小型化・軽量
化・低コスト化に適した半導体レーザ装置を提供するも
のである。
化・低コスト化に適した半導体レーザ装置を提供するも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体レーザ装置は、レーザ素子の後面出射光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、この凹部の内壁面
にレーザ素子の後面出射光を反射させることにより光を
減衰させて、多分割受光素子への迷光を減少させること
を特徴とするものである。
半導体レーザ装置は、レーザ素子の後面出射光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、この凹部の内壁面
にレーザ素子の後面出射光を反射させることにより光を
減衰させて、多分割受光素子への迷光を減少させること
を特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の請求項２記載の前記凹部の
底をステム部の水平面に対して傾斜させることにより、
レーザ素子の後面出射光を主としてステムのブロック部
方向に反射させて光を減衰させることにより多分割受光
素子への迷光を減少させることを特徴とするものであ
る。
底をステム部の水平面に対して傾斜させることにより、
レーザ素子の後面出射光を主としてステムのブロック部
方向に反射させて光を減衰させることにより多分割受光
素子への迷光を減少させることを特徴とするものであ
る。
【００１１】また、本発明の請求項３記載の半導体レー
ザ装置は、レーザ素子の後面出射するモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の形
状を前記半導体レーザ素子に対して開いている形の円錐
形状とすることにより、レーザ素子の後面出射光を主と
してステムのブロック部方向に反射させて光を減衰させ
ることにより多分割受光素子への迷光を減少させること
を特徴とするものである。
ザ装置は、レーザ素子の後面出射するモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の形
状を前記半導体レーザ素子に対して開いている形の円錐
形状とすることにより、レーザ素子の後面出射光を主と
してステムのブロック部方向に反射させて光を減衰させ
ることにより多分割受光素子への迷光を減少させること
を特徴とするものである。
【００１２】さらに、本発明の請求項４記載の半導体レ
ーザ装置は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部に光
散乱吸収材を塗布または充填することにより、レーザ素
子の後面出射光を主としてこの凹部の光散乱吸収材によ
り光を減衰させることにより多分割受光素子への迷光を
減少させることを特徴とするものである。
ーザ装置は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部に光
散乱吸収材を塗布または充填することにより、レーザ素
子の後面出射光を主としてこの凹部の光散乱吸収材によ
り光を減衰させることにより多分割受光素子への迷光を
減少させることを特徴とするものである。
【００１３】加えて、本発明の請求項５記載の半導体レ
ーザ装置は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の底
にレーザ光をモニタするフォトダイオードを傾斜して設
置し、該フォトダイオード面でレーザ素子の後面出射光
を主として凹部の内壁面及びステムのブロック部に当て
て光を減衰させ、その結果多分割受光素子への迷光を減
少させることを特徴とするものである。
ーザ装置は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の底
にレーザ光をモニタするフォトダイオードを傾斜して設
置し、該フォトダイオード面でレーザ素子の後面出射光
を主として凹部の内壁面及びステムのブロック部に当て
て光を減衰させ、その結果多分割受光素子への迷光を減
少させることを特徴とするものである。
【００１４】本発明の半導体レーザ装置は、上記構成に
より、レーザ素子の後面出射光を減衰させることにより
多分割受光素子への迷光を減少させることにより、多分
割受光素子の信号特性（ジッタ等）が良好になり、ある
いはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発生しない
という半導体レーザ装置を提供することが可能となる。
より、レーザ素子の後面出射光を減衰させることにより
多分割受光素子への迷光を減少させることにより、多分
割受光素子の信号特性（ジッタ等）が良好になり、ある
いはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発生しない
という半導体レーザ装置を提供することが可能となる。
【００１５】また、ピックアップ搭載時に、迷光量のキ
ャンセル回路を設置する必要が生じず、ピックアップ形
伏が小型・軽量化出来ると言う効果も生まれる。
ャンセル回路を設置する必要が生じず、ピックアップ形
伏が小型・軽量化出来ると言う効果も生まれる。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１乃至図６は本発明の一実施の
形態よりなる半導体レーザ装置を示す図である。図１は
該半導体レーザ装置の構造を示す断面図であり、図２は
同じく外観図であり、図３は同じく内部構造図であり、
図５は同じく凹部に受光素子を配置した場合の断面図で
あり、図６は同じく凹部の底面を傾斜させた場合の断面
図である。
形態よりなる半導体レーザ装置を示す図である。図１は
該半導体レーザ装置の構造を示す断面図であり、図２は
同じく外観図であり、図３は同じく内部構造図であり、
図５は同じく凹部に受光素子を配置した場合の断面図で
あり、図６は同じく凹部の底面を傾斜させた場合の断面
図である。
【００１７】図１は該半導体レーザ装置の構造を示す断
面図であり、図１において、１２はキャップ、１３はリ
ード端子であり、ステム１１とキャップ１２とでパッケ
ージを構成している。１６は半導体レーザ素子１の後面
から出射した光２の１部を受光するための受光素子１９
を内蔵するシリコンチップであり、このシリコンチップ
１６にはレーザ素子１が直接ダイボンディングされてい
る。半導体レーザ素子１は信号読み取り用の光（主ビー
ム）２を前面から出射し、モニタ光３を後面から出射す
る。信号読み取り用の光２は光ディスク等の情報記録媒
体７で反射し、情報を含む反射光（信号光）８はガラス
素子１４に形成されているホログラム素子１５で回折さ
れ、回折光９となって多分割受光素子１７に入射し、電
気的信号に変換される。
面図であり、図１において、１２はキャップ、１３はリ
ード端子であり、ステム１１とキャップ１２とでパッケ
ージを構成している。１６は半導体レーザ素子１の後面
から出射した光２の１部を受光するための受光素子１９
を内蔵するシリコンチップであり、このシリコンチップ
１６にはレーザ素子１が直接ダイボンディングされてい
る。半導体レーザ素子１は信号読み取り用の光（主ビー
ム）２を前面から出射し、モニタ光３を後面から出射す
る。信号読み取り用の光２は光ディスク等の情報記録媒
体７で反射し、情報を含む反射光（信号光）８はガラス
素子１４に形成されているホログラム素子１５で回折さ
れ、回折光９となって多分割受光素子１７に入射し、電
気的信号に変換される。
【００１８】一方、後面から出射したモニタ光３の大部
分はステム１１に設けた凹部５に入射し、一次反射（図
示省略）する。この一次反射光はこの凹部５の内壁面で
反射して後面出射光を減衰させ、多分割受光素子への迷
光を減少させることができる。
分はステム１１に設けた凹部５に入射し、一次反射（図
示省略）する。この一次反射光はこの凹部５の内壁面で
反射して後面出射光を減衰させ、多分割受光素子への迷
光を減少させることができる。
【００１９】また、この凹部５をプレス機等で応圧して
形成するか或いは切削機で切り出したままの状態とする
ことにより、この凹部の表面は光学的には粗面の状態に
あるため、レーザ光に対する反射率は低い状態となる。
その結果、一次反射光４を大幅に減衰させることがで
き、多分割受光素子１７に入る迷光を大きく減衰させる
ことができる。
形成するか或いは切削機で切り出したままの状態とする
ことにより、この凹部の表面は光学的には粗面の状態に
あるため、レーザ光に対する反射率は低い状態となる。
その結果、一次反射光４を大幅に減衰させることがで
き、多分割受光素子１７に入る迷光を大きく減衰させる
ことができる。
【００２０】さらに、図１及び図３に示されているよう
に、受光素子１９を内蔵するシリコンチップ１６はステ
ム１１の水平面に対して凹部５の方向に突き出すように
配置されている。このような配置を取ることにより、ス
テム１１の水平面よりシリコンチップ１６が上（外）に
ある場合よりさらに凹部５での一次反射光４を大幅に減
衰させることができ、多分割受光素子１７に入る迷光を
大きく減衰させることができる。
に、受光素子１９を内蔵するシリコンチップ１６はステ
ム１１の水平面に対して凹部５の方向に突き出すように
配置されている。このような配置を取ることにより、ス
テム１１の水平面よりシリコンチップ１６が上（外）に
ある場合よりさらに凹部５での一次反射光４を大幅に減
衰させることができ、多分割受光素子１７に入る迷光を
大きく減衰させることができる。
【００２１】図２は半導体レーザ装置の外観を示してお
り、１１はステム、１２はキャップ、１３はリード端
子、１４はディスクからの信号光をパッケージ内部の多
分割受光素子方向に曲げるための回折格子１５を備えた
ガラス素子である。ステム１１とキャップ１２でパッケ
ージを構成している。ここでは、ディスクからの信号光
を受光する多分割受光素子１７を同一パッケージ内部に
内蔵しているタイプのもの（ホログラム型半導体レーザ
装置）である。
り、１１はステム、１２はキャップ、１３はリード端
子、１４はディスクからの信号光をパッケージ内部の多
分割受光素子方向に曲げるための回折格子１５を備えた
ガラス素子である。ステム１１とキャップ１２でパッケ
ージを構成している。ここでは、ディスクからの信号光
を受光する多分割受光素子１７を同一パッケージ内部に
内蔵しているタイプのもの（ホログラム型半導体レーザ
装置）である。
【００２２】内部構造を図３に示す。１１はステム、１
３はリード端子、１は半導体レーザ素子、２は半導体レ
ーザ素子１の前面から出射した光（主ビーム）が上方に
立ち上がっている様子を示し、１６は半導体レーザ素子
１の後面から出射したモニタ光３の１部を受光するため
の受光素子１９を内蔵するシリコンチップであり、この
シリコンチップにはレーザ素子１もダイボンディングさ
れている。１７はディスクからの信号光を受光する多分
割受光素子を示し、１６及び１７の部品はステム１１の
ブロック部１８にダイボンディングされている。
３はリード端子、１は半導体レーザ素子、２は半導体レ
ーザ素子１の前面から出射した光（主ビーム）が上方に
立ち上がっている様子を示し、１６は半導体レーザ素子
１の後面から出射したモニタ光３の１部を受光するため
の受光素子１９を内蔵するシリコンチップであり、この
シリコンチップにはレーザ素子１もダイボンディングさ
れている。１７はディスクからの信号光を受光する多分
割受光素子を示し、１６及び１７の部品はステム１１の
ブロック部１８にダイボンディングされている。
【００２３】ここにおいて、半導体レーザ素子１の後面
から出射した光３（モニタ光）の内、大部分はステム１
１に設けた凹部５の内部で乱反射し、減衰する。凹部５
内部の面状態はプレス機で打ち抜いたままの状態か、或
いは切削機で切り出したままの状態であり、光学的には
粗面であり、レーザ光の反射率は極めて低い状態にあ
る。
から出射した光３（モニタ光）の内、大部分はステム１
１に設けた凹部５の内部で乱反射し、減衰する。凹部５
内部の面状態はプレス機で打ち抜いたままの状態か、或
いは切削機で切り出したままの状態であり、光学的には
粗面であり、レーザ光の反射率は極めて低い状態にあ
る。
【００２４】この実施の１例の形態では、プレス機加工
の場合の光の反射率は２％〜１０％程度であり、切削機
加工の場合の光反射率も２％〜１０％程度であった。ま
た、それぞれの粗面の粗さはいずれも１０〜５０μｍ程
度であった。
の場合の光の反射率は２％〜１０％程度であり、切削機
加工の場合の光反射率も２％〜１０％程度であった。ま
た、それぞれの粗面の粗さはいずれも１０〜５０μｍ程
度であった。
【００２５】この実施の１例の形態では、凹部５の底面
は機械加工によるものであったが、この部分に光散乱吸
収材を塗布または充填しても良い。この光散乱吸収材と
しては、カーボン粉末やシリコン粉末などが適してい
た。
は機械加工によるものであったが、この部分に光散乱吸
収材を塗布または充填しても良い。この光散乱吸収材と
しては、カーボン粉末やシリコン粉末などが適してい
た。
【００２６】またこの凹部５の内部表面に反射防止材等
をコートすることで、内部での光減衰の効果を得ること
ができる。この場合の反射防止材としては、ＳｉＯ2 や
ＭｇＦ2 などの材料が適していた。
をコートすることで、内部での光減衰の効果を得ること
ができる。この場合の反射防止材としては、ＳｉＯ2 や
ＭｇＦ2 などの材料が適していた。
【００２７】またこれらの実施の１例の本実施例では、
半導体レーザ素子１をダイボンディングしたシリコンチ
ップ１６が凹部５の内部に少し入るような位置関係にあ
り、ブロック部１８にダイボンディングされている。こ
の構成を採ることにより、凹部の内部での光減衰の効果
は５〜１０％程度さらに向上することができた。
半導体レーザ素子１をダイボンディングしたシリコンチ
ップ１６が凹部５の内部に少し入るような位置関係にあ
り、ブロック部１８にダイボンディングされている。こ
の構成を採ることにより、凹部の内部での光減衰の効果
は５〜１０％程度さらに向上することができた。
【００２８】これにより、近接する多分割受光素子１７
に入射する信号光以外の迷光１０を極めて小さく低減す
ることができ、ＳＮ比を５〜１０％程度さらに向上する
ことができた。
に入射する信号光以外の迷光１０を極めて小さく低減す
ることができ、ＳＮ比を５〜１０％程度さらに向上する
ことができた。
【００２９】上述のような半導体レーザ装置の構造を採
ることにより、近接する多分割受光素子１７に入射する
信号光以外の迷光１０が入射することを低減できた。
ることにより、近接する多分割受光素子１７に入射する
信号光以外の迷光１０が入射することを低減できた。
【００３０】図４乃至図６は実施の形態の他の例の断面
図である。
図である。
【００３１】図４では、前記凹部５の底を前記半導体レ
ーザ素子１を保持するステム部１１の水平面に対して傾
斜した形状５ａとしたものである。凹部５ａの傾斜面は
ステムのブロック部１８の方向へ傾斜させてあり、レー
ザ素子の後面出射光を主としてステムのブロック部方向
に反射させて光を減衰させることにより多分割受光素子
への迷光を減少させている。その結果、多分割受光素子
１７に入射する迷光１０によるＳＮ比の低下を５〜１０
％程度改善することができた。
ーザ素子１を保持するステム部１１の水平面に対して傾
斜した形状５ａとしたものである。凹部５ａの傾斜面は
ステムのブロック部１８の方向へ傾斜させてあり、レー
ザ素子の後面出射光を主としてステムのブロック部方向
に反射させて光を減衰させることにより多分割受光素子
への迷光を減少させている。その結果、多分割受光素子
１７に入射する迷光１０によるＳＮ比の低下を５〜１０
％程度改善することができた。
【００３２】図５では、前記凹部５の形状を前記半導体
レーザ素子１に対して開いている形の円錐形状５１とし
た場合である。この構造を採ることにより、レーザ素子
１の後面から出射した光３は、ステム１１のブロック１
８の方向へ主に反射される。半導体レーザ素子１の後面
から出射したモニタ光３を受光するための受光素子１９
を内蔵するシリコンチップ１６の方向へ主として反射さ
れる。その結果、多分割受光素子１７に入射する迷光１
０によるＳＮ比の低下を５〜１０％程度改善することが
できた。
レーザ素子１に対して開いている形の円錐形状５１とし
た場合である。この構造を採ることにより、レーザ素子
１の後面から出射した光３は、ステム１１のブロック１
８の方向へ主に反射される。半導体レーザ素子１の後面
から出射したモニタ光３を受光するための受光素子１９
を内蔵するシリコンチップ１６の方向へ主として反射さ
れる。その結果、多分割受光素子１７に入射する迷光１
０によるＳＮ比の低下を５〜１０％程度改善することが
できた。
【００３３】図６では、半導体レーザ素子１の後面から
出射した光３を受光するための受光素子２０を凹部５の
底に配置し、ステム１１の底の面に対して受光面を５度
〜４０度程度傾斜させる。好ましくは、受光面を１０度
〜３０度程度傾斜させる。この構造を採ることにより、
受光素子２０の表面で反射した光は、ステム１１のブロ
ック部１８の方向へ主として反射される。その結果、多
分割受光素子１７に入射する迷光のＳＮ比を５〜１０％
程度向上することができた。尚、この場合、図５に示さ
れるように、半導体レーザ素子１はシリコンチップの上
にダイボンドさていなくてもよい。
出射した光３を受光するための受光素子２０を凹部５の
底に配置し、ステム１１の底の面に対して受光面を５度
〜４０度程度傾斜させる。好ましくは、受光面を１０度
〜３０度程度傾斜させる。この構造を採ることにより、
受光素子２０の表面で反射した光は、ステム１１のブロ
ック部１８の方向へ主として反射される。その結果、多
分割受光素子１７に入射する迷光のＳＮ比を５〜１０％
程度向上することができた。尚、この場合、図５に示さ
れるように、半導体レーザ素子１はシリコンチップの上
にダイボンドさていなくてもよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明の請求項１記載の半導体レーザ装
置は、レーザ素子の後面出射光がステム上で一次反射す
る領域に凹部を設け、一次反射光をこの凹部の内壁面で
反射して後面出射光を減衰させ、多分割受光素子への迷
光を減少させることができる。また、この凹部をプレス
機等で応圧して形成するか或いは切削機で切り出したま
まの状態とすることにより、この凹部の表面は光学的に
は粗面の状態にあるため、レーザ光に対する反射率は低
い状態となり、一次反射光を大幅に減衰させることがで
き、多分割受光素子に入る迷光を大きく減衰させること
ができる。
置は、レーザ素子の後面出射光がステム上で一次反射す
る領域に凹部を設け、一次反射光をこの凹部の内壁面で
反射して後面出射光を減衰させ、多分割受光素子への迷
光を減少させることができる。また、この凹部をプレス
機等で応圧して形成するか或いは切削機で切り出したま
まの状態とすることにより、この凹部の表面は光学的に
は粗面の状態にあるため、レーザ光に対する反射率は低
い状態となり、一次反射光を大幅に減衰させることがで
き、多分割受光素子に入る迷光を大きく減衰させること
ができる。
【００３５】また、本発明の請求項２記載の半導体レー
ザ装置は、前記凹部の底をステム部の水平面に対して傾
斜させることにより、レーザ素子の後面出射光を主とし
てステムのブロック部方向に反射させて光を減衰させる
ことにより多分割受光素子への迷光を減少させることが
できる。
ザ装置は、前記凹部の底をステム部の水平面に対して傾
斜させることにより、レーザ素子の後面出射光を主とし
てステムのブロック部方向に反射させて光を減衰させる
ことにより多分割受光素子への迷光を減少させることが
できる。
【００３６】また、本発明の請求項３記載の半導体レー
ザ装置は、レーザ素子の後面出射するモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の形
状を前記半導体レーザ素子に対して開いている形の円錐
形状とすることにより、レーザ素子の後面出射光を主と
してステムのブロック部方向に反射させて光を減衰させ
ることにより多分割受光素子への迷光を減少させること
ができる。
ザ装置は、レーザ素子の後面出射するモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の形
状を前記半導体レーザ素子に対して開いている形の円錐
形状とすることにより、レーザ素子の後面出射光を主と
してステムのブロック部方向に反射させて光を減衰させ
ることにより多分割受光素子への迷光を減少させること
ができる。
【００３７】さらに、本発明の請求項４記載の半導体レ
ーザ装置は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部に光
散乱吸収材を塗布または充填することにより、レーザ素
子の後面出射光を主としてこの凹部の光散乱吸収材によ
り光を減衰させることにより多分割受光素子への迷光を
減少させることができる。
ーザ装置は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部に光
散乱吸収材を塗布または充填することにより、レーザ素
子の後面出射光を主としてこの凹部の光散乱吸収材によ
り光を減衰させることにより多分割受光素子への迷光を
減少させることができる。
【００３８】加えて、本発明の請求項５記載の半導体レ
ーザ装置は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の底
にレーザ光をモニタするフォトダイオードを傾斜して設
置し、該フォトダイオード面でレーザ素子の後面出射光
を主として凹部の内壁面及びステムのブロック部に当て
て光を減衰させ、その結果多分割受光素子への迷光を減
少させることを特徴とするものである。
ーザ装置は、レーザ素子の後面出射のモニタ光がステム
上で一次反射する領域に凹部を設け、且つこの凹部の底
にレーザ光をモニタするフォトダイオードを傾斜して設
置し、該フォトダイオード面でレーザ素子の後面出射光
を主として凹部の内壁面及びステムのブロック部に当て
て光を減衰させ、その結果多分割受光素子への迷光を減
少させることを特徴とするものである。
【００３９】本発明の半導体レーザ装置は、上記構成に
より、レーザ素子の後面出射光を減衰させることにより
多分割受光素子への迷光を減少させることにより、多分
割受光素子の信号特性（ジッタ等）が良好になり、ある
いはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発生しない
という半導体レーザ装置を提供することが可能となる。
より、レーザ素子の後面出射光を減衰させることにより
多分割受光素子への迷光を減少させることにより、多分
割受光素子の信号特性（ジッタ等）が良好になり、ある
いはピックアップ搭載時のサーボ誤動作等が発生しない
という半導体レーザ装置を提供することが可能となる。
【００４０】また、ピックアップ搭載時に、迷光量のキ
ャンセル回路を設置する必要が生じず、ピックアップ形
伏が小型・軽量化出来ると言う効果がある。
ャンセル回路を設置する必要が生じず、ピックアップ形
伏が小型・軽量化出来ると言う効果がある。
【図１】本発明の一実施の形態よりなる半導体レーザ装
置の構造断面図である。
置の構造断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態よりなる半導体レーザ装
置の外観図である。
置の外観図である。
【図３】本発明の一実施の形態よりなる半導体レーザ装
置の内部構造図である。
置の内部構造図である。
【図４】本発明の他の一実施の形態よりなる半導体レー
ザ装置の構造断面図であり、凹部を傾斜させた構造のも
のである。
ザ装置の構造断面図であり、凹部を傾斜させた構造のも
のである。
【図５】本発明の他の一実施の形態よりなる半導体レー
ザ装置の構造断面図で、凹部の形状を円錐形にした場合
の構造断面図である。
ザ装置の構造断面図で、凹部の形状を円錐形にした場合
の構造断面図である。
【図６】本発明の他の一実施の形態よりなる半導体レー
ザ装置の構造断面図で、凹部に受光素子を傾斜させて配
置した場合の構造断面図である。
ザ装置の構造断面図で、凹部に受光素子を傾斜させて配
置した場合の構造断面図である。
【図７】従来の半導体レーザ装置の構造断面図である。
１ 半導体レーザ素子 ２ 前面から出射する主ビーム光 ３ 後面から出射するモニタ光 ４ ステム表面で反射する一次反射光 ５ ステムに設けた凹部 ５ａ ステムに設けた傾斜型の凹部 ６ 散乱光 １０ 多分割受光素子への迷光 １１ ステム １４ 回折格子を備えたガラス素子 １６ モニタ用受光素子を内蔵するシリコンチップ １７ ディスクからの信号光を受光する多分割受光素子 １８ ブロック部 １９ １６上に設けたモニタ用受光素子 ２０ 単独のモニタ用受光素子 ５１ ステム上に設ける円錐形の凹部
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子と該半導体レーザ素子
の光出力をモニターするモニタ用受光素子とレーザ光の
出入射方向に沿った上面に配置される回折格子と該回折
格子からの信号光を受ける多分割受光素子とを有する半
導体レーザ装置において、前記半導体レーザ素子の後面
出射光がステム上で１次反射する領域に凹部を設けたこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記凹部の底が前記半導体レーザ素子を
保持するステム部の水平面に対して傾斜していることを
特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記凹部の形状を前記半導体レーザ素子
に対して開いている形の円錐形状としたことを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記凹部に光散乱吸収材を塗布または充
填したことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項５】 前記凹部の底にレーザ光をモニタするモ
ニタ用受光素子を前記半導体レーザ素子を保持するステ
ム部の水平面に対して傾斜して設置したことを特徴とす
る請求項１記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31066395A JP3239056B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31066395A JP3239056B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148680A true JPH09148680A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3239056B2 JP3239056B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=18007964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31066395A Expired - Fee Related JP3239056B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 半導体レーザ装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3239056B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001066525A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Ricoh Co Ltd | 複数ビーム走査装置 |
| JP2004179494A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2005072130A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| WO2005048421A1 (ja) * | 2003-11-14 | 2005-05-26 | Sanyo Electric Co., Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2005340807A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 半導体レーザダイオードパッケージ |
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| JP2018133381A (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 光モジュール |
| JP2020178038A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
| JPWO2021166215A1 (ja) * | 2020-02-21 | 2021-08-26 |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP31066395A patent/JP3239056B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2012060044A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ用ステムおよび半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
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| JP2018133381A (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 光モジュール |
| WO2018151101A1 (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 古河電気工業株式会社 | 光モジュール |
| US10886693B2 (en) | 2017-02-14 | 2021-01-05 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical module |
| JP2020178038A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
| JPWO2021166215A1 (ja) * | 2020-02-21 | 2021-08-26 |
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