JP2005340807A - 半導体レーザダイオードパッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 所定位置に貫通孔110aが形成されるステム110と、貫通孔110aの周部に配置され、ステム110の一面から突設されるヒートシンク112と、ヒートシンク112上に取り付けられる半導体レーザダイオード115とを備える半導体レーザダイオードパッケージである。
【選択図】図2
Description
110a 貫通孔、
111 接触ピン、
112 ヒートシンク、
115 レーザダイオード、
116 サブマウント、
120 キャップ、
122 ウィンドウ、
130 充填部材。
Claims (13)
- 所定位置に貫通孔が形成されるステムと、
前記貫通孔の周部に配置され、前記ステムの一面から突設されるヒートシンクと、
前記ヒートシンク上に取り付けられる半導体レーザダイオードと、
を備えることを特徴とする半導体レーザダイオードパッケージ。 - 前記ステムより薄く、前記貫通孔の内部を充填する充填部材をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
- 前記充填部材は、前記半導体レーザダイオードに隣接して配置される傾斜面を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
- 前記充填部材は、絶縁材料または非金属材料からなることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
- 前記充填部材は、黒色を呈する材料からなることを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
- 前記貫通孔は、前記ステムの中心部から外側に向けて開口するように形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
- 前記半導体レーザダイオードは、当該半導体レーザダイオードの一方の端部が前記貫通孔の内部に挿入されるように配置されることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
- 前記半導体レーザダイオードの共振器長は、1.5mm以上であることを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
- 前記半導体レーザダイオードから射出され、前記貫通孔を通過した光を受光するフォトダイオードをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
- 前記半導体レーザダイオードと前記ヒートシンクとの間には、前記半導体レーザダイオードから発生した熱を前記ヒートシンクに伝達するサブマウントが設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
- 前記ステムの前記一面には、前記ヒートシンク及び半導体レーザダイオードを密閉するキャップが設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
- 前記キャップには、前記半導体レーザダイオードから射出される光を透過させるウィンドウが設けられることを特徴とする請求項11に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
- 前記ステムの前記一面と異なる面には、前記半導体レーザダイオードと電気的に接続される複数の接続ピンが設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザダイオードパッケージ。
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