JPWO2005048421A1 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2005048421A1 JPWO2005048421A1 JP2005515448A JP2005515448A JPWO2005048421A1 JP WO2005048421 A1 JPWO2005048421 A1 JP WO2005048421A1 JP 2005515448 A JP2005515448 A JP 2005515448A JP 2005515448 A JP2005515448 A JP 2005515448A JP WO2005048421 A1 JPWO2005048421 A1 JP WO2005048421A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- recess
- laser element
- heat sink
- base portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02375—Positioning of the laser chips
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
2 ベース部
3 ヒートシンク部
4 半導体レーザ素子
8 サブマウント
9 窪み
12、13 リードピン
Claims (7)
- 水平方向の上面を備えるベース部と、垂直方向の素子配置面を有するとともに前記ベース部の上面よりも上方に位置するヒートシンク部と、前記素子配置面に固定される半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の直下に位置する前記ベース部の上面に設けられ、前記半導体レーザ素子の一部を配置する窪みとを備える半導体レーザ装置において、
前記ヒートシンク部は、前記素子配置面が前記窪みの内側面よりも内方向に位置するように前記ベース部に取り付けられている。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
前記窪みは、前記半導体レーザ素子に電圧を供給する複数のリードピンを円周上に含む円によって囲まれる範囲内に設けられている。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザ素子は、サブマウントを介して前記ヒートシンク部に固定され、前記窪みに前記サブマウントの一部が配置されている。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザ素子の長さは、前記ヒートシンク部の高さ寸法よりも長い。 - 請求項1に記載の半導体レーザ装置において、
前記ベース部と前記ヒートシンク部は1つの部材で構成されている。 - 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、
前記窪みの底面は粗面である。 - 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の半導体レーザ装置において、
前記窪みの底面は傾斜面である。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003384628 | 2003-11-14 | ||
JP2003384628 | 2003-11-14 | ||
PCT/JP2004/016768 WO2005048421A1 (ja) | 2003-11-14 | 2004-11-11 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005048421A1 true JPWO2005048421A1 (ja) | 2007-05-31 |
JP4549298B2 JP4549298B2 (ja) | 2010-09-22 |
Family
ID=34587327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005515448A Expired - Fee Related JP4549298B2 (ja) | 2003-11-14 | 2004-11-11 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7508854B2 (ja) |
JP (1) | JP4549298B2 (ja) |
WO (1) | WO2005048421A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100856280B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 패키지 |
JP2007142129A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステム及びその製造方法 |
JP2007227724A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
WO2011056675A1 (en) * | 2009-11-03 | 2011-05-12 | The Regents Of The University Of California | Superluminescent diodes by crystallographic etching |
CN102313937A (zh) * | 2010-07-02 | 2012-01-11 | 深圳新飞通光电子技术有限公司 | 一种带致冷同轴光发射管芯 |
JP5472632B2 (ja) * | 2010-09-13 | 2014-04-16 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージ用ステムおよび半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
US8519382B2 (en) | 2011-02-25 | 2013-08-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Semiconductor photocapacitor device |
JP2011146744A (ja) * | 2011-04-14 | 2011-07-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステム |
JP5962522B2 (ja) | 2012-03-22 | 2016-08-03 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ装置 |
KR101362122B1 (ko) * | 2012-08-02 | 2014-02-18 | 주식회사 오이솔루션 | 초고속 광 송수신 모듈 |
DE102013217796A1 (de) * | 2013-09-05 | 2015-03-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Vorrichtung |
JP2016029718A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-03-03 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
WO2016060069A1 (ja) * | 2014-10-15 | 2016-04-21 | 株式会社小糸製作所 | 半導体レーザー装置 |
CN105753015B (zh) * | 2016-01-21 | 2017-11-24 | 中触媒新材料股份有限公司 | 微孔孔径可调的sapo‑34分子筛及制备方法与应用 |
JP6794140B2 (ja) * | 2016-05-23 | 2020-12-02 | オプト エレクトロニクス ソリューションズ | 光送信機及びこれを含む光モジュール |
JP7398877B2 (ja) * | 2019-04-18 | 2023-12-15 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
TWM616310U (zh) * | 2020-11-17 | 2021-09-01 | 香港商雲暉科技有限公司 | 光收發模組及光收發裝置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5816585A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-01-31 | Canon Inc | 半導体レ−ザ−装置 |
JPH029461U (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-22 | ||
JPH09148680A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-06 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2001267674A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそのワイヤボンディング方法 |
JP2004179494A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL181963C (nl) * | 1979-06-26 | 1987-12-01 | Philips Nv | Halfgeleiderlaserinrichting. |
JPS63102387A (ja) | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ−装置用パツケ−ジ |
JPH029461A (ja) | 1988-06-29 | 1990-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空気清浄器 |
US5089861A (en) * | 1990-05-09 | 1992-02-18 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser device with mounting block |
JP3934828B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
JP4097949B2 (ja) * | 2001-04-20 | 2008-06-11 | シャープ株式会社 | 空間光伝送システム |
TWM253992U (en) * | 2003-11-14 | 2004-12-21 | Arima Optoelectronics Corp | Laser diode unit |
KR100856280B1 (ko) * | 2004-05-25 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드 패키지 |
-
2004
- 2004-11-11 JP JP2005515448A patent/JP4549298B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-11 US US10/578,869 patent/US7508854B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-11 WO PCT/JP2004/016768 patent/WO2005048421A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5816585A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-01-31 | Canon Inc | 半導体レ−ザ−装置 |
JPH029461U (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-22 | ||
JPH09148680A (ja) * | 1995-11-29 | 1997-06-06 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2001267674A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびそのワイヤボンディング方法 |
JP2004179494A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7508854B2 (en) | 2009-03-24 |
US20070086494A1 (en) | 2007-04-19 |
WO2005048421A1 (ja) | 2005-05-26 |
JP4549298B2 (ja) | 2010-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4549298B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US5089861A (en) | Semiconductor laser device with mounting block | |
JP4113442B2 (ja) | 半導体レーザ、その製法および光ピックアップ装置 | |
KR100780522B1 (ko) | 반도체 레이저 | |
JP6649908B2 (ja) | 電子コンポーネント用ケーシング及びレーザモジュール | |
US7567599B2 (en) | Semiconductor laser diode device with thermal conductive encapsulating resin and method for manufacturing the same | |
JP6225834B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
US11349278B2 (en) | Stem for semiconductor package, and semiconductor package | |
JP4786350B2 (ja) | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 | |
JP7014645B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP3869575B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JPH10256648A (ja) | レーザダイオード・モジュール | |
JP3980037B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2021166215A1 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP6485518B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP5295003B2 (ja) | 光半導体素子収納用パッケージ、および光半導体装置 | |
JP2019075460A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光装置 | |
JP6496028B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 | |
JP5201892B2 (ja) | 光通信用パッケージ | |
JP2007048937A (ja) | 半導体レーザおよびその製法 | |
JP2002314149A (ja) | 半導体装置 | |
JP2003309313A (ja) | 半導体レーザユニット | |
JP7467877B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2009212524A (ja) | 半導体レーザ | |
JP4514367B2 (ja) | 半導体レーザモジュール及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090609 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090729 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100125 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100608 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100706 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130716 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |