JP6649908B2 - 電子コンポーネント用ケーシング及びレーザモジュール - Google Patents

Description

本発明は、電子コンポーネント用ケーシング、特に高出力レーザダイオード用ケーシングと、レーザダイオードを含むケーシングを備えたレーザモジュールに関する。本発明は特にいわゆる１０ピン又は１４ピンパッケージに関する。

レーザを備えたオプトエレクトロニクスモジュールは特に、比較的長い距離において光信号を増幅するために公知である。これらのオプトエレクトロニクスモジュールは、ファイバレーザを光ポンピングするために使用される。市場で入手可能であるのは特にいわゆる１０ピンバタフライ型パッケージである。これは、取付状態において気密に閉じられたケーシングであり、このケーシングは、両側の２つの側壁に複数のピン用の引込み部を有しており、ここでこれらのピンは、ケーシング内に設けられているモジュールの給電に使用される。このようなケーシングは、例えば刊行物米国特許出願公開第２００２／００７００４５号明細書（US 2002/0070045 A1）から公知である。

このケーシングは、複数の引込み部を備えた基体から構成されており、この基体は、取付領域を構成している。この取付領域には一般的に、少なくとも１つのレーザダイオードと、熱電クーラと、温度センサとしてのサーミスタとが配置されている。波長のずれを阻止するため、レーザダイオードの温度は、サーミスタの抵抗値に基づいて一定値に制御される。

熱電クーラの温度を下げるため、ケーシングは、一般的に底部に取り付けられるヒートシンクを有する。

上記基体は、光導体を接続するための、側壁に入れられる１つの引込み部をさらに有する。

電子コンポーネント用のこのような公知のケーシングの製造にはコストがかかる。特にケーシングの側壁に複数の引込み部を入れることは問題である。

これに対して本発明は、特に装着式レーザモジュールとして構成される電子コンポーネント用のケーシングを提供するという課題を有しており、ここでこのケーシングは、容易に製造することができ、かつ、頑強に構成されており、特に高い温度安定性を有する。

本発明のこの課題は、請求項１に記載した電子コンポーネント用のケーシングによってほとんど解決され、及び、本発明によるケーシングを含みかつ熱電クーラ及びレーザダイオードが装着されたレーザモジュールによって解決される。

本発明の有利な実施形態及び発展形態は、従属請求項に記載した発明、明細書及び図面から明らかである。

本発明は、電子コンポーネント用のケーシングに関する。

本発明は、特にレーザダイオード用のケーシングに関する。本発明は特別には、取付状態において気密に閉じられるケーシングに関しており、このケーシングは有利には１０ピンパッケージとして構成されている。

このケーシングには、上面及び下面を備えた基体が含まれている。下面は、取付状態においてプリント基板側を向いている面である。

上面と下面との間には、電子コンポーネント用の取付領域が配置されている。

上記基体は特に、バスタブ状に構成されており、したがって複数の側壁が含まれており、これらの側壁の間に取付領域が配置されている。

この基体は、１つ以上の電子コンポーネントを取り付けた後、カバーによって閉じることができる。

さらに基体には、光導体用の引込み部を備えた側壁が含まれている。

最も簡単なケースでは上記引込み部は、貫通孔として構成される。

一般的に光導体は、スリーブによって取り付けられ、このスリーブは、基体に溶接されるか又はろう接され、かつこのスリーブでは光導体が注封材料、特にろう内に配置されている。

このスリーブは、基体の一部であってもよく、特に基体と一体に形成可能である。

本発明によれば、基体の底部には、熱電クーラ用のヒートシンクも、電子コンポーネントを接触接続する複数のピン用の複数の引込み部も共に含まれている。

これらのピンは、有利には金属からなる基体とは反対側で注封材料内に埋め込まれている。

特に引込み部はガラス封止部として、有利には圧縮ガラス封止部として構成されている。

圧縮ガラス封止部は、例えば、ガラスリングと共にピンをそれぞれ底部の貫通孔にはめ込むことによって得られる。つぎにコンポーネントが加熱されると、ソルダガラスが溶融する。このようにしてガラス封止された引込み部の冷却時にはこの貫通孔は、基体の材料の熱膨張係数がより大きいことに起因してより強く縮まり、隣接する基体とのその材料結合に加えてガラス引込み部を圧着する。

熱電クーラ用のヒートシンクも同様に基体の底部に配置されている。したがってピンと熱電クーラとは同じ側から取り付けられ、これによって製造が簡単になる。

引込み部をガラス封止部として構成する場合は特に、部材の加熱による処理ステップにおいて、このガラス封止部が作製されるのと同時にヒートシンクが基体に硬ろう付けされるようにする。

上記のピン用の引込み部は有利にはヒートシンクの横に配置される。

ここでは特に、底部においてヒートシンクがケーシングの主延在方向に沿って延在するようにし、この際に複数のピンは、両側で複数の列になってヒートシンクの横に延在する。

ヒートシンクは、本発明の一実施形態に行われるように、基体の底部を越えて突出する。この領域には特に、ケーシングを固定するため、孔又は切欠き部のような形状結合要素を設けることができる。

ここでは特に、電子コンポーネントを取り付けるケーシングが、表面実装（ＳＭＤ、surface mounted device）のための電子部材として提供されるようにする。

この際にはピンは、引込み部の下側で側方に曲げられ、基体を越えて、側方に突き出ている。

ピンはヒートシンクから離隔されているため、ヒートシンクとピンとの間には絶縁部は不要である。この距離は、（プリント基板、パッケージの）異なる熱膨張係数によって引き起こされる、発生する複数の機械的な応力を補償するためにも使用される。これにより、注封材料へのこれらの応力の印加が低減され、封止の信頼性が高められる。ヒートシンクと、これらのピンとの距離は有利には、少なくとも０．２ｍｍである。

特にＳＭＤ部材では、ヒートシンクが、その取り付けのために形状結合要素を含むとよい。

しかしながら別の実施形態では、差し込み取り付けのための部材として、本発明によるケーシングを構成してもよい。これらのピンは、曲げられることはなく、底部からまっすぐ突き出ている。このような部材では一般に、ろう付けされたピンに加えてこれをボードに固定する必要はない。

本発明の有利な一実施形態では、基体は、深絞り部材として形成される。

基体は有利には金属、特に鋼又は鉄ニッケル合金からなる。

基体は有利には、５〜２０ｐｐｍ／Ｋ、特に有利には１１〜１５ｐｐｍ／Ｋの熱膨張係数を有する。

本発明の発展形態では、基体の底部は、接触接続のためのピン用の引込み部の領域において厚みが増されて構成される。

特にガラス封止部の周りに底部がカラーを有する底部が提供される。

これにより、引込み部の領域における壁厚は、隣接領域よりも大きく、これにより、有利には深絞り部材として構成される基体の壁厚が小さくても、有利にはガラス封止部として構成される引込み部に対し、十分に長い距離が得られる。

基体の壁厚は有利には０．３〜０．７ｍｍである。引込み部の周りに厚みが増された部分が設けられている場合、この領域における壁厚は有利には少なくとも０．１、特に有利には少なくとも０．２ｍｍ大きい。

ヒートシンクは有利には、基体よりも大きな熱膨張係数を有する。ヒートシンクは有利には銅又は銅合金から構成される。

複数の上記部材を接続した後、例えば硬ろう付け及び引込み部のガラス封止により、比較的大きな熱膨張係数に起因してヒートシンクは比較的大きく縮み、これによってこのガラス封止部に加わる基体の圧力の異方性が引き起こされ得る。

しかしながら動作時にはヒートシンクは再び膨張し、この膨張は再度上記の異方性に対向するため、例えば鋼／銅の材料を組み合わせたのにも拘わらず、高い温度安定性が得られる。

しかしながら基体に取り付けたヒートシンクは、本発明の一実施形態において行われているように、上で説明した異方性が大きくなり過ぎないようにするため、引込み部の縁部から最小距離を有するとよい。

しかしながら少なくとも０．１５、有利には少なくとも０．２ｍｍの、ガラス挿入部の縁部とヒートシンクとの距離で十分である。特にこの距離は０．７未満、有利には０．３ｍｍ未満である。

本発明の発展形態において基体の底部は、ヒートシンク用の開口部を有する。

これによってヒートシンクに直接、上記電子コンポーネント、特に熱電クーラを取り付けることができる。

一実施形態によれば、ヒートシンクは、底部の下面に固定される。特にこの実施形態において、ろうは基体の底部の表面に配置され、これにより、部材をろう付けするための十分に大きな面積が保証される。

ヒートシンクは、特にこの実施形態において、台も含んでおり、この台は底部の開口部内に突出しているか又はケーシング内部において底部を越えて突き出ており、これによって取付領域内に突入している。これにより、場合によっては、電子コンポーネントに接触接続するためのワイヤの長さを低減することができる。

本発明の一実施形態ではヒートシンクに、熱膨張係数の異なる少なくとも２つの材料が含まれている。

これにより、例えば、ヒートシンクの台をこのヒートシンクの残りの部分よりも熱膨張係数の低い材料から形成して、熱電クーラの熱膨張係数に適合させるようにする。

しかしながら、別の実施形態において行われているように、ヒートシンクと基体との接続を基体の開口部の側壁において行うことも考えられる。

本発明の一発展形態において基体には形状結合要素が含まれており、これによって取付ツールにおいてただ１つのはめ込み方向が許容される。この基体はしたがって、例えば非対称に形成されているか又は切欠き部又は凹部を有することができ、これによって基体は取り付け時に１つの方向だけにはめ込むことができる。このことによっても取り付けが容易になる。

少なくとも基体は有利にはコーティングをさらに有する。特に基体はニッケル又は金メッキされる。

本発明の一発展形態において基体及び／又は基体が接合されるカバーには、周囲を取り囲む垂直部分が含まれている。これにより、抵抗溶接を用いて基体とカバーとを特に簡単に接合することができる。この際には基体とカバーとの間に十分な大きな電流を入れるだけでよい。上記垂直部分の領域において電流密度が最大になるため、この領域では、特に容易に溶接接合部が形成される。

択一的にはシーム溶接を用いて基体とカバーとを接合することも考えられる。

上記ケーシングを含むレーザモジュールは特に、少なくとも２００ｍＷ、有利には少なくとも３５０ｍＷの最大出力電力を有する高出力レーザダイオードを備えたレーザモジュールとして構成される。

レーザモジュールは特に、サーミスタが設けられている１０ピンパッケージであり、ここではこのサーミスタを介し、熱電クーラを用いてレーザダイオードの温度を制御することができる。

このサーミスタを別個の部材として構成する必要はなく、例えばレーザダイオードの一部分又は熱電クーラの一部分であってもよいことは明らかである。

したがってこのレーザダイオードによって有利には、９００〜１０００ｎｍの波長のビームが放射される。

電子コンポーネント用ケーシングの第１実施例の斜視図である。 電子コンポーネント用ケーシングの第１実施例の別の斜視図である。 図１の断面図である。 図３の詳細図である。 光導体を接続するためのスリーブを示す図である。 冷却素子の実施形態を示す図である。 冷却素子の別の実施形態を示す図である。 冷却素子のさらに別の実施形態を示す図である。 ケーシングの別の実施形態を示す図である。 ケーシングの別の実施形態を示す図である。 ケーシングの別の実施形態を示す図である。 ケーシングの一実施例の基体の斜視図である。 図１２の断面図である。 図１２の詳細図である。 基体の別の実施形態を示す斜視図である。 基体の別の実施形態を示す別の斜視図である。 同様に基体の別の実施形態を示す斜視図である。 同様に基体の別の実施形態を示す別の斜視図である。 ケーシングの別の実施例の斜視図である。 図１９の断面図である。 ケーシングの別の実施形態の斜視図である。 図２１に示したケーシングの断面図である。 ケーシングのさらに別の実施形態の斜視図である。 図２３に示したケーシングの断面図である。 ケーシングのさらに別の実施形態の斜視図である。 図２５に示したケーシングの断面図である。 ケーシングのさらに別の実施形態の斜視図である。 図２７に示したケーシングの断面図である。 ６個のピンだけを有するケーシングの斜視図である。 図２９のケーシングの部分断面図である。 図２９に示したケーシングの断面図である。 装着されたケーシングの実施例を示す断面図である。 図示したすべての実施形態に使用可能なカバーの断面図である。

以下では図１〜図３３を参照し、本発明の複数の実施例に基づいて本発明を説明する。

図面の詳細な説明
図１には、電子コンポーネント用、特にレーザダイオード用のケーシング１の下面３が見える斜視図で示されている。

ケーシング１には、実質的に平行六面体状に構成されたバスタブ状の基体９が含まれている。

基体の下面３が見えるこの図において見て取れるのは、基体９の底部から引き出されている複数のピン２である。

ピン２は、２列で延在している。

ピン２の間には銅ないしは熱伝導率の高い別の金属からなるヒートシンク５が設けられている。

ヒートシンク５は、基体９の底部を越えて突出しており、かつ、一方の側に孔６を、また他方の側に複数の切欠き部７を有しており、これらは、ケーシング１を固定するための形状結合要素として使用される。

図２は、ケーシング１の基体９の上面４の方向から見た斜視図である。

バスタブ状の基体９が、その内部で（図示しない）電子コンポーネント用の取付領域を構成していることがわかる。

ピン２は、その端部にコンタクト１０を有しており、このコンタクト１０は、ケーシング１の内部空間に配置されている。

コンタクト１０を介して、ケーシング内に設けられた電子コンポーネントが接触接続される。

ケーシング１は特に、レーザダイオード、熱電クーラ用及びサーミスタ用の２つずつのコンタクトを有し得る。

さらに孔として構成された引込み部１１を見て取ることができ、この引込み部１１を介して（図示しない）光導体を差し込んで、この光導体がレーザダイオードに結合される。

この実施例において基体９の底部８には開口部が含まれており、この開口部を通して、内部空間からヒートシンク５にアクセスすることができる。これにより、このケーシングにおいて複数の電子コンポーネントを直接ヒートシンク５に固定することができる。

図３には、図１及び図２に示したケーシングの断面図が、ケーシングの短辺の方向で示されている。

ピン２をケーシングの内部空間にガイドする引込み部１４を基体９が有することが見て取れる。

さらに見て取れるのは、ヒートシンク５が、プレート１２及び台１３から構成されることである。台１３により、ヒートシンクは基体９に接続されている。

図４は、引込み部１４の領域Ａの詳細図である。

ピン２は、ガラス封止部１５によって基体の底部８にはめ込まれている。

この実施例においてピン２は、直径が拡大されたコンタクト１０を有しており、このコンタクト１０には、電子コンポーネントを接触接続するための複数のワイヤを被着することができる。

さらにこの実施例ではガラス封止部１５の深さを大きくするため、底部８の開口部に、はめ込み部１６が導入されている。このはめ込み部１６は、例えば、硬ろう付け又は溶接することが可能である。これにより、この引込み部の長さは、底部だけによって実現可能な長さよりも長くなる。

図５ａ及び図５ｂは、図示したすべての実施形態において光導体を接続するために使用可能であるようなスリーブ１７の概略断面図である。

図５ａに示したスリーブ１７は、基体の引込み部に係止するために構成されている。

図５ｂに示したスリーブ１７の実施形態は、フランジを有しており、これを介してこのスリーブを溶接することができる。

すなわちスリーブ１７は、本発明の有利な実施形態において、基体に溶接又はろう接される別の部材として構成されている。これによって上記の基体を深絞り部材として供給することができる。

図６〜図８には、ヒートシンクの種々異なる実施例の斜視図が示されている。

図６に示したヒートシンク５は、ケーシングを固定するための形状結合要素として使用される複数の孔６を有している。

このヒートシンク５は、ヒートシンク５の端部の間に、主延在方向に対して横方向に見た縁部側に延在している複数の切欠き部１８を有する。これらの切欠き部１８の領域において、ヒートシンク５の横から複数のピンを引き出すことができる。

図７には、プレートとして構成された簡単なヒートシンク５が示されている。このようなヒートシンク５は特に、差し込み式コンポーネントとして構成されるケーシングに関連して設けられる。なぜならばこのケーシングは一般的に、はんだ付けされたピンだけによって固定されるからである。

図８にはヒートシンクの一実施形態が示されており、ここではヒートシンクは、プレート１２と、このプレート１２から突出した台と、から構成されている。このプレート１２はここでも形状結合要素、特に取り付けための複数の孔を有する。

台１３は、前面が基体の底部に固定されるか又は基体の開口部内に突出するかのいずれかが可能である。

さらに台１３を介し、取付状態において、ボードからの基体の距離を大きくすることができ、これによって得られる中間空間において、側方に遠ざかるようにピンをガイドする。

台１３を備えたこのようなヒートシンク５は有利には、一体の部材として、特にフライス加工部材として供給される。しかしながら例えばプレート１２にろう付けされる台１３により、ヒートシンク５を２つの部材から構成することも考えられる。

ヒートシンクは、同様の複数の材料から構成することも、異なる２つの材料からなるハイブリッド材料として構成することも共に考えられる。このアプローチにより、例えば、熱電クーラに適合させた熱膨張係数の低い材料から台を形成し、熱伝導率の高い材料からヒートシンクを形成する可能性が得られる。

図９は、ケーシング１の別の実施形態の斜視図である。

このケーシング１はここでもバスタブ状に形成された基体９を有しており、その下面にはヒートシンク５が取り付けられている。ピン２は、側方に遠ざかるようにガイドされており、これはＳＭＤコンポーネントである。

取付状態においてカバー１９を用いて、基体９を閉じることができる。カバー１９は有利には溶接される。

図１０は、ケーシングの長手面に沿った図９の断面図である。

ここでも、光導体用の引込み部１１を備えかつ深絞り部材として構成された基体９が見て取れる。

さらに見て取れるのは、ヒートシンク５が台を有しており、この台が基体９の底部８の前面に固定されていることである。この接合は硬ろう付けによって行われ、この実施例では簡単に、周囲を取り囲むろう付け部２４の十分に大きな面積を得ることができる。

図１１は、ケーシング１の下面を見た平面図である。ここでは、ヒートシンク５の横に出る複数のピン２を見て取ることができ、これらのピンは、側方に遠ざかるようにガイドされている。

ピン２ａだけが引込み部を通らずに延在しており、基体に直接、接続されている。なぜならばこのピン２ａはアース端子として使用されているからである。

図１２は、基体９の一実施例の斜視図である。

この基体９もバスタブ状に構成されている。

基体９は、光導体用の引込み部１１を側壁に有している。

基体９の底部はその下面に、矩形に形成された開口部２１をさらに有しており、この開口部２１を介して、完成したケーシングのヒートシンクが内部空間から露出される。

さらにケーシング内に取り付けられた電子コンポーネントを接続するための複数のピン用の別の９つの引込み部１４が見て取れる。

図１３は、図１２に示した基体９の断面図である。

ここには引込み部１４が見て取れる。

図１４は、図１３の領域Ｂの拡大図である。

ここで見て取れるのは、基体の底部が、引込み部１４の領域にカラー２０を有しており、したがって引込み部１４のこの領域において、隣接する領域よりも壁厚が厚いことである。これにより、壁厚の薄い深絞り部材であっても、引込み部１４に埋め込まれるガラス封止部は十分に長くなる。

引込み部１４の周りのカラーのこのような厚み付けは有利には、型押しにより、例えば深絞りなどとほぼ同時に行われる。

図１５及び図１６は、基体９の別の実施形態の斜視図である。

図１５において見て取れるように、この基体９も、光導体用の引込み部を備えた側壁を有する。

さらに見て取れるのは、一方の側面において、凹部２２が短辺の側壁２３に突出していることである。

特に図１６において良好に見て取れるように凹部２２を介して、容易に形状結合要素が得られ、この形状結合要素は、取り付け時に一方の方向だけに基体９を（図示しない）取付ツールにはめ込むことができるようにする。

図１７及び図１８は、基体９の別の実施形態の斜視図である。

図１７において見て取れるように、底部８は、ピン用の引込み部１４の領域において、この実施例では厚みが増されずに構成されている。

しかしながらこの底部も同様にヒートシンク用の開口部２１を有する。

図１８において見て取れるのは、前に示した別の複数の実施例と同様に基体９が、その上面４にカラーを有することであり、このカラーにはカバーを取り付けることができる。

図１９には、ケーシング１の別の実施例が斜視図で示されている。

このケーシング１では簡単なプレート状のヒートシンク５が基体９に載置されている。

ここではピン２は曲げられておらず、底部からまっすぐ出て延在している。したがってこのコンポーネントは、差し込み取り付けのために構成されている。

図２０は、図１９の断面図である。

ここでは、引込み部を通してガイドされている、電子コンポーネントの接触接続のためのピン２と、アース端子として使用されるピン２ａと、が見て取れる。

底部８には開口部が含まれており、プレート状のヒートシンクは、ケーシングの内部空間に突出することなく、前面が底部８にろう付けされている。これにより、例えば比較的厚いコンポーネントを取り付ける際にはさらなる構成スペースが得られる。

図２１は、ＳＭＤ取り付けのために構成されたケーシングの別の実施例である。

このため、骨形状に構成されたヒートシンク５の横に配置されている複数のピン２が、側方に向かって曲げられている。

図２２は、図２１の断面図である。

この実施例では、基体９の底部８が、ヒートシンク５用の開口部を有していないことが見て取れる。

本発明のこの実施例において冷却はむしろ、ヒートシンク５への基体の底部８の熱伝導によって行われる。基体は有利には、壁厚の薄い深絞り部材として構成されているため、多くの場合には、底部に開口部を入れる必要はない。

図２３及び図２４には、ケーシングの別の実施形態が示されている。

この実施形態においてヒートシンク５は、特に図２３において見て取れるように、プレート１２及び延長部１３を有する。

図２４の断面図において見て取れるように延長部１３は、底部８の開口部にはめ込まれている。

したがってろう付け部２４は、側面に配置されている。

本発明のこの実施例では、ケーシング１の内部空間においてヒートシンク５は底部８と面一になっている。

図２５には、ヒートシンク５を備えたケーシングの別の実施例の、斜視図による実施形態が示されている。

図２６に示した断面図において見て取れるように、ピン２、２ａはヒートシンク５の横で側方に遠ざかるようにガイドされている。

側方に遠ざかるようにガイドされるこれらのピンは、ヒートシンク５とほぼ同じ高さにあるのに対し、図２３及び図２４に示した実施例では、ヒートシンク５は、このヒートシンク５の下面がピンから離隔されるような高さを有している。

図２７及び図２８には、ケーシング１の別の実施形態が示されている。図２７において見て取れるように、ケーシング１は、バスタブ状の基体９及びヒートシンク５を有しており、このヒートシンク５は、下面から見ると、図２１に示した実施形態と同じである。

図２８において見て取れるように、ヒートシンク５は台１３を有しており、この台１３は、基体の下面にろう付けされている。基体９の底部８は、開口部２１を有しているため、ヒートシンク５の台１３に直接、電子コンポーネントを載置することができる。

しかしながらろう付け部２４は、底部８の下面にあり、したがって図２６に示した実施形態とは異なり、側面に形成されてはいない。

この実施例においてもピン２及びピン２ａは、側方に遠ざかるようにガイドされており、これはＳＭＤコンポーネントである。

図２９には、６個のピンだけを有するケーシング１の別の実施例が示されている。

このケーシング１にはヒートシンク５が含まれている。

ピン２は、側方に曲げられており、これはＳＭＤコンポーネントである。

図３０は、図２９の部分断面図である。

この実施例において見て取れるのは、ヒートシンクの実質的に円形の延長部１３がケーシングの内部空間に突出していることである。

これにより、引込み部１４を通って延在するピンのコンタクトの高さに、このケーシングに取り付けられるコンポーネントの高さを適合させることができる。

図３１に示した断面図において見て取れるのは、ヒートシンクの延長部１３が、ケーシングの内部空間２５に突出していることである。

ろう付け部２４は、この実施例において側面に形成されている。

図３２には、装着されたケーシング、したがってレーザモジュール３０の断面図が示されている。

この実施例のレーザモジュール３０には、曲げられたピン２が含まれており、ＳＭＤコンポーネントとして構成されている。

ヒートシンク５は、基体９のケーシングの底部における開口部を通してはめ込まれている。

これにより、ペルチェ素子として構成された熱電クーラ２６をヒートシンク５に直接、載置することができる。

熱電クーラ２６は、ワイヤ２８を介してピン２に接続されている。

熱電クーラ２６には高出力レーザダイオード２７が取り付けられている。

このレーザダイオード２７も、複数のピンにまで延在するワイヤを介して接触していることは明らかであるが、この図ではこれらのワイヤを見て取ることはできない。

レーザモジュール３０は有利にはサーミスタもさらに有しており、このサーミスタを介して熱電冷却素子２６を駆動制御し、これによって動作時にはレーザダイオード２７の温度が一定に維持される。

図３３には、カバー１９の詳細図が示されており、このカバー１９により、図３２に示したケーシングを、また別の複数の実施例に示したケーシングも閉じることができる。

カバー１９は、周囲を取り囲む垂直部分２９を有しており、この垂直部分２９は、抵抗溶接を用いて基体にカバー１９を固定するのに使用される。

基体のカラーにカバー１９を載置すると、抵抗溶接時に電流密度が垂直部分２９の領域において最大になるため、ここでこれらの部材を互いに溶接する加熱が行われる。

垂直部分２９を基体のカラーに取り付ける（図示せず）ことも同様に大いに考えられる。

択一的には垂直部分のないカバーを使用することも考えられる。このカバーは、例えばシーム溶接を用いて取り付けることが可能である。

本発明により、レーザダイオードのような高出力コンポーネントに対して高い耐熱性を備えかつ容易に製造可能なケーシングを得ることができた。

１ ケーシング
２ ピン
２ａ グランドピン
３ 下面
４ 上面
５ ヒートシンク
６ 孔
７ 切欠き部
８ 底部
９ 基体
１０ コンタクト
１１ 引込み部
１２ プレート
１３ 台
１４ 引込み部
１５ ガラス封止部
１６ はめ込み部
１７ スリーブ
１８ 切欠き部
１９ カバー
２０ カラー
２１ 開口部
２２ 凹部
２３ 側壁
２４ ろう付け部
２５ 内部空間
２６ 熱電クーラ
２７ レーザダイオード
２８ ワイヤ
２９ 垂直部分
３０ レーザモジュール

Claims (9)

1. 電子コンポーネント用のケーシング（１）であって、前記ケーシング（１）は、上面（４）及び下面（３）を備えた基体（９）を有しており、前記上面（４）と前記下面（３）との間には前記電子コンポーネント用の取付領域が配置されており、
   前記基体（９）の側壁は、光導体用の引込み部（１１）を有しており、
   前記基体（９）の底部（８）は、熱電クーラ用のヒートシンク（５）も、前記電子コンポーネントの接触接続のための複数のピン（２）用の複数の引込み部（１４）も、共に有しており、
   前記ヒートシンク（５）は、少なくとも部分的に前記ケーシング（１）の外部に配置されている、ケーシング（１）において、
   複数の前記ピン（２）用の複数の前記引込み部（１４）は、ガラス封止部として構成されており、
   前記基体（９）は、深絞り部材として構成されている、
   ことを特徴とする、ケーシング（１）。
2. 電子コンポーネント用のケーシング（１）であって、前記ケーシング（１）は、上面（４）及び下面（３）を備えた基体（９）を有しており、前記上面（４）と前記下面（３）との間には前記電子コンポーネント用の取付領域が配置されており、
   前記基体（９）の側壁は、光導体用の引込み部（１１）を有しており、
   前記基体（９）の底部（８）は、熱電クーラ用のヒートシンク（５）も、前記電子コンポーネントの接触接続のための複数のピン（２）用の複数の引込み部（１４）も、共に有しており、
   前記ヒートシンク（５）は、前記底部（８）を越えて突出しており、
   前記基体（９）は、深絞り部材として構成されており、前記基体（９）の前記底部（８）は、複数の前記ピン（２）用の複数の引込み部（１４）の領域において、カラーによって厚みが増されて構成されている、
   ケーシング（１）。
3. 複数の前記ピン（２）用の複数の前記引込み部（１４）は、前記ヒートシンク（５）の横に配置されている、
   請求項１または２に記載のケーシング（１）。
4. 前記基体（９）は、金属からなり、及び／又は、
   前記基体は、５〜２０ｐｐｍ／Ｋの熱膨張係数を有している、
   請求項１から３までのいずれか１項に記載のケーシング（１）。
5. 前記基体（９）の前記底部（８）は、前記ヒートシンク（５）用の開口部（２１）を有する、
   請求項１から４までのいずれか１項に記載のケーシング（１）。
6. 前記ヒートシンク（５）は、前記基体（９）よりも大きな熱膨張係数を有しており、及び／又は、
   前記ヒートシンク（５）は、銅又は銅合金から構成されており、及び／又は、
   前記ヒートシンクは、熱膨張係数の異なる少なくとも２つの材料を含む、
   請求項１から５までのいずれか１項に記載のケーシング（１）。
7. 前記基体（９）は、形状結合要素として、側壁における凹部（２２）を有しており、これにより、取付ツールにおいてただ１つのはめ込み方向が許容され、及び／又は、
   前記基体（９）及び／又は前記基体を閉じるカバー（１９）は、周囲を取り囲む垂直部分を有する、
   請求項１から６までのいずれか１項に記載のケーシング（１）。
8. 請求項１から７までのいずれか１項に記載のケーシング（１）を含むレーザモジュール（３０）であって、
   前記ケーシング（１）に少なくとも１つの熱電クーラ（２６）及びレーザダイオード（２７）が取り付けられている、
   レーザモジュール（３０）。
9. 前記レーザモジュール（３０）は、少なくとも２００ｍＷの最大出力電力を有するレーザダイオード（２７）を含んでおり、及び／又は、
   前記レーザダイオードは、９００〜１０００ｎｍの波長の電磁ビームを放射し、及び／又は、
   前記ケーシングにサーミスタが取り付けられており、前記サーミスタを介し、前記熱電クーラを用いて前記レーザダイオード（２７）の温度を制御可能である、
   請求項８に記載のレーザモジュール（３０）。