JP2008224941A - 光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】環境温度変化にかかわらず機能上の信頼性低下を生じない光モジュールを提供する。
【解決手段】樹脂枠体１１２の収納部内にて発光素子１１４及び光ファイバ１１５をリードフレーム１１１に支持し該リードフレームから突出する端子部１１１４が枠体外側へ延在する光モジュール１０１において、上記リードフレームは一端部にて上記枠体に固定される。該構成によれば、環境温度変化による樹脂材と金属材との膨張率の相違に起因して上記リードフレームと上記発光素子との接合部に応力が作用することを防止できる。
【選択図】図１

Description

本発明は、光ファイバ通信といった光伝送の送受信に使用される光モジュールに関する。

半導体素子と、該半導体素子に光結合する光ファイバとを備え、光通信用光源として用いられる光モジュールとして、特許文献１に開示され図１５及び図１６に示した構成を有する光モジュール１０が既に提案されている。
光モジュール１０は、以下のように構成されている。即ち、光モジュール１０は、プラスチック材を用いてモールド成形された中空のパッケージケース１２を有し、該パッケージケース１２内の半導体素子収納用凹部２０の底部２４には、銅合金を用いてほぼ長方形形状に形成されたパット部材２６が固着されている。パット部材２６上にはシリコン基板２８が固着され、パット部材２６の周囲には８本のリード端子３０〜４４が配置されている。各リード端子は、それぞれ銅合金を用いてほぼ平板状に形成されており、その先端側がパッケージケース１２の側壁から外部に突出されている。リード端子３０〜４４のうちリード端子３４、４２は、パット部材２６と一体的に形成されており、パット部材２６を両側で支持するようになっている。

パット部材２６上に固着されたシリコン基板２８の上面には、メタライズ電極線が形成されるとともに、光ファイバ１８の素線５６を固定するためのＶ溝が形成されている。メタライズ電極線には、フォトダイオード１６、レーザダイオード１４が接合されている。又、電極線、フォトダイオード１６、及びレーザダイオード１４は、ワイヤボンディングにより上記リード端子に接続されている。レーザダイオード１４は、リード端子３２、３４に供給される信号によってレーザ光を発生する。レーザダイオード１４から発生するレーザ光は、光ファイバ１８に入射するとともに、フォトダイオード１６に入射するようになっている。すなわちレーザダイオード１４は、光ファイバ１８の素線５６の中心軸とレーザダイオード１４のレーザ出射軸とが一致するように位置調整されて接合固定されている。そしてフォトダイオード１６の状態がリード端子３０、３８を介して監視され、フォトダイオード１６の受光量を基にレーザダイオード１４の状態をモニタし、レーザダイオード１４の出力を調整するようになっている。さらにフォトダイオード１６及びレーザダイオード１４は、レーザ光の透過性の高い透明なゲル状樹脂で覆われている。
特開平１０−３０３５０８号公報（図１、図２）

上述したような光モジュールは、光源となるレーザダイオード１４のような発光素子におけるレーザ出射軸と、光ファイバの中心軸とを一致させて高精度に組み立てる必要がある。さらに、光モジュールには、環境温度変化があった場合でも、発光素子と光ファイバの位置ずれの小さいことが要求される。

しかしながら、上述した従来の光モジュールでは、図１６に示すように、レーザダイオード１４及びフォトダイオード１６を接合したシリコン基板２８が固着されリード端子３４、４２と一体的に形成されるパット部材２６は、図１６に示すＡ部及びＢ部の両端にて、パッケージケース１２に固定されている。

上述の光モジュールは、屋外に設置されることも多く、環境の温度変化の影響を受ける。上述のように光モジュール１０は、樹脂材にてなるパッケージケース１２と、金属材にてなるパット部材２６及びリード端子３４、４２とを有するが、樹脂材の線膨張係数は、一般に金属材のそれよりも大きい。又、上述した従来の光モジュール１０では、図１６に示すように、リード端子３４、４２と一体的に形成されるパット部材２６は、Ａ部及びＢ部の両端にてパッケージケース１２に固定されており、又、リード端子３４、４２もパッケージケース１２にて固定されている。

よって、樹脂材と金属材との線膨張係数の差により、レーザダイオード１４と光ファイバとを結んだ光軸方向への伸縮が問題となり、特に環境温度が高温になったときには、金属部分であり一体的に形成されているパット部材２６及びリード端子３４、４２が変形する。それにより、パット部材２６と、該パット部材２６に接合されているシリコン基板２８との接合部に不要な応力が発生してしまう。又、パット部材２６の変形によりシリコン基板２８、つまりシリコン基板２８上のレーザダイオード１４の位置が変化し、レーザダイオード１４と光ファイバ１８の素線５６とが相対的に位置ずれを発生する。その結果、光モジュールとしての信頼性が低下するという問題が生じる。

本発明は、上述したような問題点を解消するためになされたもので、環境温度変化にかかわらず機能上の信頼性低下を生じない光モジュールを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の第１態様における光モジュールは、収納部を有する樹脂製の枠体と、
上記収納部内に配置される半導体光素子と、
上記半導体光素子を支持し上記半導体光素子と電気的に接続され上記収納部内に一部が配置される板状で金属製のリードフレームと、
上記半導体光素子と相対向して上記リードフレームに配置されて上記半導体光素子と光学的に結合され上記枠体に支持されながら上記枠体を貫通して枠体外側へ延在する光ファイバと、を備えた光モジュールにおいて、
上記リードフレームは、
上記半導体光素子及び上記光ファイバの光軸方向に延在し上記半導体光素子及び上記光ファイバを支持し上記収納部内に配置される本体部と、
上記光軸方向おける上記本体部の一端部に位置し上記枠体に固定される固定端部と、
上記光軸方向における上記本体部の他端に位置し上記枠体に非固定である自由端部と、
上記半導体光素子に対向する光ファイバ先端よりも上記固定端部側のみに位置し上記光軸方向に交差する方向に上記本体部から突出し上記枠体に固定されてさらに上記枠体の外部へ延在する端子部と、を有することを特徴とする。

本発明の第１態様における光モジュールによれば、リードフレームにおける本体部は、その一端部に位置する固定端部によってのみ枠体に固定される。一方、光モジュールにおける環境温度が変化し、樹脂材にてなる枠体と、金属材にてなるリードフレームとが異なる膨張率にて伸縮したときであっても、半導体光素子及び光ファイバを支持する上記本体部の変形は、その両端が固定されていた従来の構成に比べて格段に小さい。よって、上記本体部と半導体光素子との接合部分に不要な応力が発生しない。又、上記本体部の変形が無いか、又は非常に小さいことから、半導体光素子と光ファイバとの位置ずれも発生しない。したがって、上記光モジュールでは、機能上、信頼性が低下することはない。

本発明の実施形態である光モジュールについて、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。

実施の形態１．
図１は、本実施形態における光モジュール１０１の平面図であり、図２は、図１に示すＡ−Ａ部における断面図である。
光モジュール１０１は、リードフレーム１１１と、樹脂材にてなる枠体１１２と、シリコン基板１１３と、半導体光素子の一例としての発光素子１１４と、光ファイバ１１５とを備える。尚、当該光モジュール１０１ではシリコン基板１１３を備えるが、後述のようにシリコン基板１１３は必須の構成要件ではない。又、当該光モジュール１０１では発光素子１１４を備えるが、発光素子１１４に代えて受光素子を備えることもできる。

リードフレーム１１１は、熱伝導性、導電性が良い金属製で、銅や鉄やその合金などを加工して板状に形成されており、図３に示すように、本体部１１１１と、固定端部１１１２と、自由端部１１１３と、端子部１１１４とを有する。これらの本体部１１１１、固定端部１１１２、自由端部１１１３、及び端子部１１１４は、一体的に成形されている。
本体部１１１１は、発光素子１１４及び光ファイバ１１５の光軸方向１２０に延在し、発光素子１１４及び光ファイバ１１５を支持して、枠体１１２における収納部１１２１内に配置される部分である。
固定端部１１１２は、上記光軸方向１２０おける本体部１１１１の一端部１１１１ａに位置し、枠体１１２に固定される部分である。
自由端部１１１３は、光軸方向１２０における本体部１１１１の他端１１１１ｂに位置し、枠体１１２に非固定な部分である。
端子部１１１４は、光軸方向１２０に交差する方向に本体部１１１１から突出し枠体１１２に固定されて、さらに枠体１１２の外部へ延在する部分であり、上記発光素子１１４に対向する光ファイバ１１５の先端１１５ｂよりも固定端部１１１２側にのみ配置される。
又、本実施形態では、リードフレーム１１１は、図３に示すように、本体部１１１１とは非接触であり上記端子部１１１４からも独立して枠体１１２に固定され、光軸方向１２０に交差する方向に収納部１１２１内から枠体１１２の外部へ延在する副端子部１１１５を有する。副端子部１１１５は、光ファイバ先端１１５ｂよりも自由端部１１１３側に位置する。

又、本体部１１１１と一体的に形成される端子部１１１４は、光軸方向１２０に沿い互いに対向して配置される、枠体１１２の端子固定壁部１１２２に支持され固定される。よって、枠体１１２とリードフレーム１１１との線膨張率の相違に起因してリードフレーム１１１に歪みを生じさせないためには、端子部１１１４は、本体部１１１１が枠体１１２に固定される本体部１１１１の一端部１１１１ａの近傍に配置されるのが好ましい。よって、図１に示すように、端子部１１１４は、上述のように光ファイバ先端１１５ｂよりも固定端部１１１２側にのみ位置し、副端子部１１１５に対して、上記一端部１１１１ａ側に配置している。

枠体１１２は、例えばトランスファモールド可能な熱硬化性の樹脂材にて上記光軸方向１２０に延在して成形され、その内側に、リードフレーム１１１の一部、発光素子１１４、シリコン基板１１３、及び光ファイバ１１５の一部を収納する、凹状の収納部１１２１を有する。尚、図２では、収納部１１２１は、開放された空間として図示しているが、これに限定されず、密閉されていてもよい。又、図２に示すように、自由端部１１１３は、枠体１１２に固定されていないことから、枠体１１２に固定されている固定端部１１１２を支点として回動可能な場合も生じる。よって、収納部１１２１には、図２に仮想線にて示すように、本体部１１１１の裏面１１１１ｃとは固定されない状態にて本体部１１１１を支持する支持部１１２５を設ける等の構造を採るのが好ましい。

シリコン基板１１３には、図４に示すように、その表面１１３ａの一端部分に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕにて形成され発光素子１１４と電気的に接続される配線パターン１１３１が形成され、又、光軸方向１２０に沿って、異方性エッチングにて形成したＶ字状の断面にてなり光ファイバ１１５を搭載し支持する溝１１３２が形成されている。尚、配線パターン１１３１は、模式的に図示しており、実際のパターンとは相違する場合がある。このようなシリコン基板１１３は、リードフレーム１１１の本体部１１１１に固定される。

発光素子１１４は、例えば１．３μｍの波長で発光するファブリーペロー型の半導体レーザであり、上記配線パターン１１３１上に機械的及び電気的に固定される。尚、発光素子１１４は、ファブリーペロー型に限定されず、例えばビクセル、ＤＦＢ等の半導体レーザを使用することができる。

光ファイバ１１５は、例えばφ１２５μｍ程度の石英系のシングルモード光ファイバであり、発光素子１１４に相対向させてリードフレーム１１１の本体部１１１１に配置されて発光素子１１４と光学的に結合され、枠体１１２に支持されながら枠体１１２を貫通して枠体外側へ延在する。尚、枠体１１２の貫通部分以降では、光ファイバ１１５は、被覆材１１５ａにて被覆されている。

上述のような構成を有する光モジュール１０１の製造方法について説明する。
図３に示すように、まず、端子部１１１４及び副端子部１１１５で構成されたリードフレーム１１１に対し、枠体１１２を形成して、パッケージを構成する。このとき、端子部１１１４及び副端子部１１１５は、光軸方向１２０に沿い対向して配置される、枠体１１２の端子固定壁部１１２２にそれぞれ支持、固定される。又、リードフレーム１１１の本体部１１１１の固定端部１１１２は、光ファイバ１１５が貫通する枠体１１２の貫通壁部１１２３に固定される、

次に、図５に示すように、発光素子１１４を、シリコン基板１１３の配線パターン１１３１上の所定の位置にＡｕ−Ｓｎ合金からなるはんだで接合する。その後、図６に示すように、収納部１１２１内のリードフレーム１１１の本体部１１１１に、発光素子１１４を搭載したシリコン基板１１３をＡｇペーストの高放熱性接着剤にて接合する。そして、図７に示すように、発光素子１１４の上面と副端子部１１１５とを、及び発光素子１１４の下面すなわちシリコン基板１１３が接続している配線パターン１１３１と副端子部１１１５とを、それぞれ例えば直径２５μｍの金ワイヤにて接続する。

最後に、シリコン基板１１３のＶ字状の溝１１３２に光ファイバ１１５をＵＶ硬化型の接着剤にて接着固定する。ここで、シリコン基板１１３上の溝１１３２は、光ファイバ１１５の中心軸が発光素子１１４のレーザ出射軸と同一軸となるように所定の幅と深さで形成されている。よって、シリコン基板１１３の溝１１３２における規定位置に光ファイバ１１５を搭載するだけで、発光素子１１４と光ファイバ１１５との位置関係を高精度に組み立てすることができる。

上述のように製造される光モジュール１０１では、以下に説明する効果を奏する。
即ち、図１５及び図１６を参照して説明したように、従来の光モジュール１０では、リード端子３４、４２と一体的に形成されるパット部材２６は、その両端にてパッケージケース１２に固定されていることから、環境温度変化に伴う樹脂材と金属材との線膨張係数の差により、パット部材２６と、該パット部材２６に接合されているシリコン基板２８との接合部に不要な応力が発生してしまう。又、レーザダイオード１４と光ファイバ１８の素線５６とが相対的に位置ずれを発生する。その結果、光モジュールとしての信頼性が低下するという問題が生じていた。

これに対し、本実施形態の光モジュール１０１では、発光素子１１４を搭載したシリコン基板１１３が固定されるリードフレーム１１１の本体部１１１１は、図２に示すように、一端部１１１１ａに位置する固定端部１１１２にて枠体１１２の貫通壁部１１２３に固定され、本体部１１１１の他端１１１１ｂは、枠体１１２に非接触で固定されていない自由端部１１１３である。
したがって、枠体１１２とリードフレーム１１１との異なる膨張率により、環境温度変化により枠体１１２及びリードフレーム１１１は、異なる伸縮を呈するが、図２に矢印にて示すように枠体１１２とリードフレーム１１１とは独立して収縮可能であり、リードフレーム１１１の本体部１１１１とシリコン基板１１３との接合部には不要な応力が発生しない。よって、信頼性の高い光モジュールを提供することが可能である。又、シリコン基板１１３に不要な応力が発生しないことにより、シリコン基板１１３が変形することはない。よって、発光素子１１４と光ファイバ１１５との位置ずれは発生せず、環境温度変化に対して、ロバストな光モジュール１０１を提供することができる。

実施の形態２．
上述した実施形態１．では、枠体１１２の収納部１１２１は、図１に示すように４面を壁面にて囲まれているが、該形状に限定するものではない。即ち、上述のように、リードフレーム１１１の本体部１１１１の他端１１１１ｂは、枠体１１２に非接触で固定されていない自由端部１１１３であることから、図８に示すように、自由端部１１１３側に位置する収納部１１２１の壁部を排除して収納部１１２１をコ字状の平面形状にて形成することもできる。尚、図８に示す形状を有する光モジュールについて、符号１０２を付す。このような光モジュール１０２においても、光モジュール１０１が奏する効果と同じ効果を奏することができる。

実施の形態３．
上述の各実施形態では、光ファイバ１１５が枠体１１２を貫通して枠体１１２の外側へ延在する部分では、光ファイバ１１５は被覆材１１５ａにて被覆されている。これに対し、図１０に示す光モジュール１０４のように、光ファイバ１１５が枠体１１２を貫通する部分に短尺のフェルール１１７を設けてもよい。光ファイバ１１５は、フェルール１１７内を貫通する。このような光モジュール１０４においても、光モジュール１０１が奏する効果と同じ効果を奏することができる。
尚、光モジュール１０４は、図８に示す形状を有する光モジュール１０２のように、コ字状の枠体１１２を有する構成であるが、勿論、図１に示す光モジュール１０１のように４面を壁面にて囲まれ収納部１１２１にてなる光モジュールについてフェルール１１７を設けてもよい。

実施の形態４．
上述の各実施形態では、リードフレーム１１１の本体部１１１１の一端部１１１１ａは、光ファイバ１１５が枠体１１２を貫通する、枠体１１２の貫通壁部１１２３に固定されていた。本体部１１１１の一端部１１１１ａの固定は、この形態に限定されるものではなく、図１１に示す光モジュール１０５のように、本体部１１１１の一端部１１１１ａを、発光素子１１４側に位置する、枠体１１２の素子側壁部１１２４に固定してもよい。尚、図１１に示す光モジュール１０５では、収納部１１２１をコ字状の平面形状としているが、勿論、図１に示すように４面を壁面にて囲まれ収納部１１２１にてなる光モジュールについて、素子側壁部１１２４にて本体部１１１１の一端部１１１１ａを固定した構造を採っても良い。このように、本体部１１１１の一端部１１１１ａを枠体１１２の素子側壁部１１２４に固定しても、光モジュール１０１と同じ効果を奏することができる。

又、図１１に示す本実施形態４における光モジュール１０５では、端子部１１１４は、上述のように光ファイバ先端１１５ｂよりも固定端部１１１２側にのみ位置して発光素子１１４に近接する位置に配置し、副端子部１１１５を、光ファイバ先端１１５ｂよりも自由端部１１１３側の位置で発光素子１１４より離れた位置に配置している。これは既に説明したように、枠体１１２とリードフレーム１１１との線膨張率の相違に起因してリードフレーム１１１に歪みを生じさせないためには、端子部１１１４は、本体部１１１１が枠体１１２に固定される本体部１１１１の一端部１１１１ａの近傍に配置されるのが好ましいことに起因する。一方、発光素子１１４は、通電によって発熱し、その熱は、リードフレーム１１１を介して外部に排熱される。本光モジュール１０５では、上述の端子配置により、発光素子１１４の排熱経路が、上述の各実施形態の構成に比べて短くなる。よって、本実施形態４の光モジュール１０５は、通電時における発光素子１１４の放熱性に優れ、発光素子１１４の発熱による温度上昇を低く抑えることが可能であり、発光素子１１４の長寿命化を図ることが可能になる、という効果も有する。

実施の形態５．
上述した各実施形態では、発光素子１１４と光ファイバ１１５とを位置決めし固定するための手段として、シリコン基板１１３を用いた例を説明してきた。本実施の形態５では、図１２及び図１３に示すように、シリコン基板１１３を構成要素に含まずに光モジュール１０６を構成した場合について説明する。尚、図１３は、図１２におけるＢ−Ｂ部の断面を示している。

光モジュール１０６は、以下のような製造方法にて作製される。
図３を参照して説明したように、リードフレーム１１１に対して枠体１１２が形成され、パッケージが成形される。このとき、上述の光モジュール１０１と同様に、光軸方向１２０おける本体部１１１１の一端部１１１１ａに位置する固定端部１１１２は、枠体１１２の貫通壁部１１２３に固定される。光軸方向１２０における本体部１１１１の他端１１１１ｂに位置する自由端部１１１３は、枠体１１２に非固定な部分である。

次に、リードフレーム１１１の本体部１１１１の端部には、発光素子１１４がＡｕ−Ｓｎ合金からなるはんだにて接合される。そして、発光素子１１４の上面と、副端子部１１１５とを直径２５μｍの金ワイヤにて接続する。次に、発光素子１１４に対向させて光ファイバ１１５を配置させるが、本実施の形態５では、図示省略した電源にて、副端子部１１１５に通電し、発光素子１１４を実際に発光させ、所望の光結合効率となるように光ファイバ１１５の位置を変化させ、図１３に示すような最適な位置に光ファイバ１１５が位置した時点で、ＵＶ硬化型の接着剤１２１にて接着固定する。

このように作製される光モジュール１０６においても、上述した光モジュール１０１と同様にリードフレーム１１１の本体部１１１１は、固定端部１１１２のみにて枠体１１２の貫通壁部１１２３に固定されていることから、光モジュール１０１が奏する効果と同様の効果を奏することができる。

尚、光モジュール１０６は、４面を壁面にて囲まれ収納部１１２１を有する光モジュールであるが、図８や図１１に示すようなコ字状の平面形状にてなる収納部１１２１を有する構成を採っても良い。
又、光モジュール１０６では、リードフレーム１１１の本体部１１１１の固定端部１１１２は、枠体１１２の貫通壁部１１２３に固定されているが、図１１に示す光モジュール１０５のように、枠体１１２の素子側壁部１１２４にて固定されるように構成することもできる。

実施の形態６．
上述の各実施形態では、発光素子１１４と光ファイバ１１５とが直接に相対向した構成を採るが、図１４に示す光モジュール１０７のように、発光素子１１４のレーザ光出射端と、光ファイバ１１５との間に、レンズ１２２を設けた光学系を構成してもよい。
このような光モジュール１０７においても、光モジュール１０１が奏する効果と同様の効果を奏することができる。

実施の形態７．
上述の各実施形態では、光の受光部として光ファイバ１１５を例に採り説明したが、この形態に限定するものではない。本実施の形態では、光ファイバ１１５の替わりに光ファイバの先端にレンズ効果をもった先球ファイバを使用する。図９には、図１に示す光モジュール１０１の光ファイバ１１５を先球ファイバ１１６に交換した構成を有する光モジュール１０３を図示しているが、その他の例えば光モジュール１０２等に適用することもできる。尚、符号１１６ａは、先球ファイバ１１６の先端であってレンズを形成した先端部を示す。
このような先球ファイバ１１６を使用した場合、光ファイバ１１５を用いる場合に比べて、発光素子１１４と先球ファイバ１１６との位置ずれに伴う光結合効率の変化が大きい。このため上述の各実施形態の構造において、光ファイバ１１５を使用したときよりも、先球ファイバ１１６を使用したときの方が、より大きな効果が得られる。

実施の形態８．
上述の各実施形態では、半導体光素子として発光素子１１４を例に採り説明したが、発光素子１１４に替えて、フォトダイオード、又はアバランシェフォトダイオードのように受光素子を用いることもできる。

又、上述した各実施形態の内容を、適宜、組み合わせた構造を採ることもできる。

本発明の実施形態１における光モジュールの平面図である。 図１に示すＡ−Ａ部における断面図である。 図１に示す枠体及びリードフレームの形態を示す図である。 図１に示すシリコン基板の平面図である。 図４に示すシリコン基板に発光素子を取り付けた状態を示す図である。 図３に示すリードフレーム上に図５に示すシリコン基板を固定した状態を示す図である。 図６に示すシリコン基板及び配線パターンにワイヤボンディングを施した状態を示す図である。 本発明の実施形態２における光モジュールの平面図である。 本発明の実施形態７における光モジュールの平面図である。 本発明の実施形態３における光モジュールの平面図である。 本発明の実施形態４における光モジュールの平面図である。 本発明の実施形態５における光モジュールの平面図である。 図１２に示すＢ−Ｂ部における断面図である。 本発明の実施形態６における光モジュールの平面図である。 従来の光モジュールの平面図である。 図１５のａ−ａ部における断面図である。

符号の説明

１０１〜１０７…光モジュール、１１１…リードフレーム、１１２…枠体、
１１３…シリコン基板、１１４…発光素子、１１５…光ファイバ、
１１６…先球ファイバ、１１７…フェルール、１２０…光軸方向、１２２…レンズ、
１１１１…本体部、１１１１ａ…一端部、１１１１ｂ…他端、１１１２…固定端部、
１１１３…自由端部、１１１４…端子部、１１２２…端子固定壁部、
１１２３…貫通壁部、１１２４…素子側壁部。

Claims (12)

1. 収納部を有する樹脂製の枠体と、
   上記収納部内に配置される半導体光素子と、
   上記半導体光素子を支持し上記半導体光素子と電気的に接続され上記収納部内に一部が配置される板状で金属製のリードフレームと、
   上記半導体光素子と相対向して上記リードフレームに配置されて上記半導体光素子と光学的に結合され上記枠体に支持されながら上記枠体を貫通して枠体外側へ延在する光ファイバと、を備えた光モジュールにおいて、
   上記リードフレームは、
   上記半導体光素子及び上記光ファイバの光軸方向に延在し上記半導体光素子及び上記光ファイバを支持し上記収納部内に配置される本体部と、
   上記光軸方向おける上記本体部の一端部に位置し上記枠体に固定される固定端部と、
   上記光軸方向における上記本体部の他端に位置し上記枠体に非固定である自由端部と、
   上記半導体光素子に対向する光ファイバ先端よりも上記固定端部側のみに位置し上記光軸方向に交差する方向に上記本体部から突出し上記枠体に固定されてさらに上記枠体の外部へ延在する端子部と、を有することを特徴とする光モジュール。
2. 上記固定端部は、上記光ファイバが貫通する上記枠体の貫通壁部に固定される、請求項１記載の光モジュール。
3. 上記枠体は、上記貫通壁部と、上記貫通壁部から上記光軸方向に沿って互いに対向して延在しそれぞれ上記端子部を固定する端子固定壁部とによりコ字状に形成した上記収納部を有する、請求項２記載の光モジュール。
4. 上記固定端部は、上記半導体光素子側に位置する上記枠体の素子側壁部に固定される、請求項１記載の光モジュール。
5. 上記枠体は、上記素子側壁部と、上記素子側壁部から上記光軸方向に沿って互いに対向して延在しそれぞれ上記端子部を固定する端子固定壁部とによりコ字状に形成した上記収納部を有する、請求項４記載の光モジュール。
6. 上記リードフレームの上記本体部の上記自由端部側には、上記光ファイバが挿通されたフェルールを設けた、請求項５記載の光モジュール。
7. 上記半導体光素子及び上記光ファイバを載置し上記半導体光素子及び上記光ファイバの位置決め及び固定を行い、上記リードフレームの上記本体部に固定されるシリコン基板をさらに備えた、請求項１から６のいずれかに記載の光モジュール。
8. 上記半導体光素子は上記リードフレームの上記本体部に半田付けされ、上記光ファイバは上記本体部に接着剤にて接着固定される、請求項１から６のいずれかに記載の光モジュール。
9. 上記半導体光素子と、上記光ファイバとの間にレンズをさらに備えた、請求項１から８のいずれかに記載の光モジュール。
10. 上記光ファイバは、上記半導体光素子に対向する先端部にレンズ機能を有する先球光ファイバである、請求項１から８のいずれかに記載の光モジュール。
11. 上記半導体光素子は半導体レーザ素子である、請求項１から１０のいずれかに記載の光モジュール。
12. 上記半導体光素子は受光素子である、請求項１から１０のいずれかに記載の光モジュール。

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