JP2007199122A - 光モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】信号伝送の高速化と良好な接合強度の実現とを両立できる光モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明の光モジュールは、回路基板等の基板上に配置される光モジュールであって、光素子を収容し、かつ上記光素子と電気的に接続される複数の電極を有するパッケージ(3)と、光ファイバの一端を支持する光プラグ(1)が載置される第1面(42)と、上記基板と対向すべき第2面と、当該第2面側へ突起する複数のリード電極(45)とを有し、上記パッケージと並べて配置される樹脂パッケージ(4)と、上記光素子の光軸と上記光ファイバの光軸との交差位置に配置される光反射面を有する光学ブロック(5)と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の光モジュールは、回路基板等の基板上に配置される光モジュールであって、光素子を収容し、かつ上記光素子と電気的に接続される複数の電極を有するパッケージ(3)と、光ファイバの一端を支持する光プラグ(1)が載置される第1面(42)と、上記基板と対向すべき第2面と、当該第2面側へ突起する複数のリード電極(45)とを有し、上記パッケージと並べて配置される樹脂パッケージ(4)と、上記光素子の光軸と上記光ファイバの光軸との交差位置に配置される光反射面を有する光学ブロック(5)と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、光通信に用いられる光モジュールに関する。
光通信に用いられる光モジュールの従来例として特開2003−107293号公報(特許文献1)に開示されるレセプタクル型光モジュールが知られている。この文献に開示された光モジュールは、レーザダイオード又はフォトディテクタ等の光素子に備わった電極をキャリアと称される基板に備わった金属配線に金ワイヤ等を介して接続し、更にキャリアの金属配線をリードフレームに金ワイヤ等を介して接続して構成されている。
しかし、この従来例の光モジュールでは、リードフレームを仲介させることにより、光素子に対する信号の入出力に関わる信号伝送路の特性インピーダンスの整合を図りにくくなり、信号の高速伝送の実現が難しくなる。これに対して、光素子をリードレスのセラミックパッケージ等(LLC : Leadless Chip Carrier)に収容するとともに、光素子と電気的に接続された電極をパッケージ外部に露出させ、当該電極をハンダ等を介して回路基板に直接的に接合する方法が考えられる。しかし、かかる構成を採用した場合には、一般にガラスエポキシ等を用いて形成される回路基板とセラミックパッケージとの熱膨張係数の差に起因して熱サイクルによる応力が発生することにより、電極剥がれやハンダ割れ等が生じ、接合強度の不具合が発生する場合がある。
そこで、本発明は、信号伝送の高速化と良好な接合強度の実現とを両立できる光モジュールを提供することを目的とする。
本発明の光モジュールは、回路基板等の基板上に配置される光モジュールであって、光素子を収容し、かつ上記光素子と電気的に接続される複数の電極を有するパッケージ(例えば、セラミックパッケージ)と、光ファイバの一端を支持する光プラグが載置される第1面と、上記基板と対向すべき第2面と、当該第2面側へ突起する複数のリード電極とを有し、上記パッケージと並べて配置される樹脂パッケージと、上記光素子の光軸と上記光ファイバの光軸との交差位置に配置される光反射面を有する光学ブロックと、を備える。
上記構成によれば、パッケージの電極を直接的に回路基板等の基板と電気的に接続できるので、インピーダンス不整合による伝送ロスを低減できる。また、リードフレームを用いることにより熱膨張係数差に起因する接合強度の不具合を抑制できる。したがって、信号伝送の高速化と良好な接合強度の両立を図ることができる。
好ましくは、上記樹脂パッケージの上記複数のリード電極は上記光ファイバの延在方向と略平行な第1方向に沿って並べて配置される。
これにより、光ファイバに曲げ力が加わった場合の衝撃力をリードフレームの弾性変形により緩和する効果が高まり、接続不具合をより一層低減することができる。
好ましくは、上記パッケージの上記複数の電極は上記第1方向と略直交する第2方向に沿って並べて配置される。
これにより、光モジュールと基板との接続箇所の延在方向が相互に直交する状態となるため、接合強度をより高めることができる。
好ましくは、上記パッケージの上記複数の電極は、それぞれ、上記基板と対向すべきパッド部を有する。
これにより、接続箇所の接触面積が広くなり、機械的な接合強度が高まる。また、電気的な接続に係る電気抵抗も低減される。
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、一実施形態の光モジュールの全体構成を示す分解斜視図である。図2は、レセプタクルユニットを下面側から見た平面図である。図3は、レセプタクルユニットの図2に示すIII−III線方向の断面図である。図1〜図3に示す本実施形態の光モジュールは、電気回路を備える基板(回路基板)10上に配置される光モジュールであって、光プラグ1、クランプ2、セラミックパッケージ3、樹脂パッケージ4、光学ブロック5を含んで構成される。光プラグ1とクランプ2を合わせてプラグユニットが構成され、セラミックパッケージ3、樹脂パッケージ4及び光学ブロック5を合わせてレセプタクルユニットが構成されている。
光プラグ1は、光ファイバ6の一端を支持する。この光プラグ1は、例えば樹脂を射出成形することによって形成される。光プラグ1にはV字状の溝とこの溝を覆う板状部材とが備わっている。このV字溝に光ファイバ6の一端を配置し、当該一端を板状部材によって押圧することにより、光ファイバ6が支持される。また、光プラグ1は、光ファイバ6の光軸上に配置される集光レンズ11を有する。本例では図示のように、光プラグ1の長手方向の一端側に複数の集光レンズ11が設けられている。
クランプ2は、レセプタクルユニットの全体を包み込むように配置され、光プラグ1とレセプタクルユニットとを一体に保持する。このクランプ2は、例えば金属板に対してプレスによる抜き加工と曲げ加工を施すことによって形成される。クランプ2は、側面側に略J字状のフック21、板バネ部22、遮光部23、嵌合穴24及びファイバ案内部25を備える。
フック21は、樹脂パッケージ4の掛かり部44と係合する。これにより、レセプタクルユニットとプラグユニットとが一体となる。
板バネ部22は、上面側に略H字状の切り込みを設けることによって形成されている。この板バネ部22は、光プラグ1の長手方向の両端部などを押圧する。これにより、光プラグ1が樹脂パッケージ4に密着する。
遮光部23は、クランプ2の先端側に配置され、光ファイバ6の光軸と交差するように配置される。この遮光部23は、図示のようにクランプ2の一部を折り曲げて形成された平板状の部位であり、プラグユニットがレセプタクルユニットに結合していない場合において、光プラグ1から出射されるレーザ光が外部に漏れないようにする。
嵌合穴24は、クランプ2の後端側の一部を折り曲げて形成された平板状の部位に設けられている。本例では2つの嵌合穴24が設けられている。これらの嵌合穴24は、それぞれ樹脂パッケージ4に備わった2つの嵌合ピン(突起部)41と嵌め合わされることにより、レセプタクルユニットとプラグユニットとを一体に保持する機能を果たす。
ファイバ案内部25は、クランプ2の後端側の上記平板状の部位の一部を折り曲げて形成されている。本例のファイバ案内部25は、クランプ2の後端側のほぼ中央に上記2つの嵌合穴24に挟まれている。光プラグ1がクランプ2に覆われる際に、このファイバ案内部25に光ファイバ6が配置される。また本例では、光ファイバ6の一部とこのファイバ案内部25とが接着剤を用いて固定されている。
セラミックパッケージ3は、光素子31を収容し(図3参照)、かつ光素子31と電気的に接続された電極32を有する。詳細には、本実施形態のセラミックパッケージ3は、セラミック材料を用いて形成されており、光素子31や回路チップ33などを配置するための凹部を有する箱状部材34と、前述の凹部を覆うようにして箱状部材34の上側に配置される透明板(本例ではガラス板)35と、を備える。箱状部材34と透明板35によって、光素子31や回路チップ33などが密封される。
光素子31は、光信号を出射する発光素子(例えばVCSEL)又は光信号を受光する受光素子である。この光素子31は、光軸が透明板35と略直交するように配置されており、当該透明板35を通して光信号を出射し、又は光信号を受光する。
回路チップ33は、光素子31が発光素子の場合には当該光素子31を駆動するドライバであり、光素子31が受光素子の場合には当該光素子31から出力される電気信号を増幅するアンプである。図示のように本例では、光素子31と回路チップ33との間はワイヤボンディングにより接続されている。
電極32は、箱状部材34の外部に露出するように形成されており、かつ箱状部材34の内部を貫通する配線を介して光素子31や回路チップ33と接続されている。この電極32の詳細については更に後述する。
樹脂パッケージ4は、光プラグ1を支持し、位置決めする機能などを果たすものであり、光ファイバ6の光軸方向に沿ってセラミックパッケージ3と並べて配置されている。この樹脂パッケージ4は、上述した嵌合ピン41と、ガイド面42、43、掛かり部44及び複数のリード電極45を備える。この樹脂パッケージ4は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化型樹脂をトランスファー成形することにより製造することができる。ガラス微粒子またはファイバを混合したエポキシ樹脂材料を用いた場合には寸法精度をより高めることが可能となり、精密なガイド面の形成が可能となる。
ガイド面(第1面)42は、光プラグ1が載置される。本実施形態では、このガイド面42は、光モジュールを回路基板100上に配置した際に、回路基板100の表面と略平行となるように形成される。
ガイド面43は、ガイド面42と略直交して配置されるように形成されている。このガイド面43は、光プラグ1の側面と接する。このガイド面43と、上記のガイド面42と上記の板バネ部22と、光学ブロック5によって光プラグ1の位置決めがなされる。
複数のリード電極45は、一部が樹脂パッケージに包含され、かつ樹脂パッケージ4の回路基板100と対向すべき下面(第2面)46の側へ突起するように設けられている。本実施形態では、樹脂パッケージ4の長手方向に沿った両側にそれぞれ4個ずつのリード電極45が設けられている。また、本実施形態では、各リード電極45は、電気的接続を確保する用途としては用いられておらず、樹脂パッケージ4を回路基板100上に接合し、固定する用途として用いられている。なお、各リード電極45に電気的接続を確保する用途を兼用させてもよい。
光学ブロック5は、光素子31の光軸と光ファイバ6の光軸との交差位置に配置される光反射面51を有する。この光学ブロック5は、樹脂パッケージ4のガイド面42に載置されている。また、光学ブロック5は、透光性の樹脂からなり、一部を切り欠くことによって斜面が形成されており、当該斜面が光反射面51として機能する。具体的には、光素子31から出射した光信号は、光学ブロック5の下面に形成された集光レンズによって集光され、光反射面51によって反射されて光ファイバ6の一端に入射する。また、光ファイバ6から出射する光信号は光反射面51によって反射され、前述の集光レンズによって集光されて光素子31に至る。
次に、光モジュールの回路基板100への載置状態について詳細に説明する。
セラミックパッケージ3の電極32は、図2及び図3に示すように、セラミックパッケージ3の側面に設けられた凹部36の表面を覆う露出部32aと、セラミックパッケージ3の下面に設けられたパッド部32bと、を有する。本実施形態では、セラミックパッケージ3の光モジュールに装着される光ファイバ6の延在方向と平行な面(XY面に平行な面)に各電極32が設けられている。また、各電極32は、ハンダ37を介して回路基板100上の接続パッド等と電気的に接続され、かつ機械的に固定されている。より詳細には、図3に示すように、各電極32は、露出部32aとパッド部32bのいずれにもハンダが接触するようにして回路基板100と接合されている。なお、露出部32aとパッド部32bのいずれかのみとハンダが接触していてもよい。
樹脂パッケージ4のリード電極45は、図1に示すように略L字状の形状を有し、樹脂パッケージ4の側面47から下面(第2面)46に沿って設けられている。また、図2に点線で示すように、リード電極45は、その一部が樹脂パッケージ4の内部に包含されている。各リード電極45は、図3に示すように、樹脂パッケージ4の下面46側へ突起した部位において、ハンダ48を介して回路基板100上の接続パッド等と機械的に固定されている。本実施形態では、樹脂パッケージ4の光モジュールに装着される光ファイバ6の延在方向と平行な側面(XY面に平行な面)に各リード電極45が設けられている。また、各リード電極45は、光ファイバ6の延在方向と略平行なX方向(第1方向)に沿って並べられている。また、光ファイバ6の延在方向を略中心として両側に配置される各側面47のそれぞれに、各リード電極45が設けられている。本実施形態では、各リード電極45の並び方向(X方向)と、上述したセラミックパッケージ3の電極32の並び方向(Y方向:第2方向)とは、ほぼ直交している。また、各リード電極45の相互間隔をより狭く(例えば0.8mm程度)とすることにより、各リード電極45を回路基板100と接合した後における熱膨張率差による応力をより緩和することができる。
図4は、回路基板上に設けられる接続パッドの一例を示す平面図である。Y方向に沿って並べて設けられた5つの接続パッド101は上記の各電極32のパッド部32bと接合される。また、X方向に沿ってそれぞれ4つずつ並べて設けられた接続パッド102は上記の各リード電極45と接合される。例えば、各接続パッド101及び各接続パッド102の上面にハンダペーストを塗布しておき、各接続パッド101、102と各電極32、各リード電極45とを位置合わせして、回路基板100上に光モジュールを載置する。そして、回路基板100及び光モジュールをリフロー炉に通し、ハンダを溶融させる。これにより、各電極32と各接続パッド101、各リード電極45と各接続パッド102のそれぞれが接合される。
以上のように本実施形態によれば、セラミックパッケージの電極を直接的に回路基板等の基板と電気的に接続できるので、インピーダンス不整合による伝送ロスを低減できる。また、リードフレームを用いることにより熱膨張係数差に起因する接合強度の不具合を抑制できる。したがって、信号伝送の高速化と良好な接合強度の両立を図ることができる。
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々に変形して実施することが可能である。例えば、上述した実施形態では、光素子を収容するパッケージの一例としてセラミックパッケージを説明していたが、パッケージはこれに限定されるものではなく、同等の構成、機能を有する他の態様のパッケージであってもよい。
1…光プラグ、2…クランプ、3…セラミックパッケージ、4…樹脂パッケージ、5…光学ブロック、6…光ファイバ、21…フック、22…板バネ部、23…遮光部、24…嵌合穴、25…ファイバ案内部、31…光素子、32b…パッド部、32…電極、32a…露出部、33…回路チップ、34…箱状部材、35…透明板、36…凹部、37…ハンダ、41…嵌合ピン、42、43…ガイド面、45…リード電極、51…光反射面、100…回路基板、101、102…接続パッド
Claims (5)
- 基板上に配置される光モジュールであって、
光素子を収容し、かつ前記光素子と電気的に接続される複数の電極を有するパッケージと、
光ファイバの一端を支持する光プラグが載置される第1面と、前記基板と対向すべき第2面と、当該第2面側へ突起する複数のリード電極とを有し、前記パッケージと並べて配置される樹脂パッケージと、
前記光素子の光軸と前記光ファイバの光軸との交差位置に配置される光反射面を有する光学ブロックと、
を備える光モジュール。 - 前記樹脂パッケージの前記複数のリード電極は前記光ファイバの延在方向と略平行な第1方向に沿って並べて配置される、請求項1に記載の光モジュール。
- 前記パッケージの前記複数の電極は前記第1方向と略直交する第2方向に沿って並べて配置される、請求項2に記載の光モジュール。
- 前記パッケージの前記複数の電極は、それぞれ、前記基板と対向すべきパッド部を有する、請求項1に記載の光モジュール。
- 前記パッケージがセラミックパッケージを含む、請求項1に記載の光モジュール。
Priority Applications (1)
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JP2006014366A JP2007199122A (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | 光モジュール |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104007521A (zh) * | 2014-06-13 | 2014-08-27 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 光收发模块的结构和制作方法 |
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2006
- 2006-01-23 JP JP2006014366A patent/JP2007199122A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104007521A (zh) * | 2014-06-13 | 2014-08-27 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 光收发模块的结构和制作方法 |
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