JP2007232888A - 光ファイバ接続構造 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、光ファイバと光半導体素子との光学的な接続にあたって、光ファイバの端面と光半導体素子の入・出射面との位置合わせを簡便に、且つ精度良く行なうことができると共に、設計の自由度が高く、製造コストを低減した光ファイバ接続構造を提供することにある。
【解決手段】本発明の光ファイバ接続構造では、構成部品を光半導体素子1、光ファイバケーブル10及び接続金具20とした。そして、接続金具20に設けられた光ファイバ挿嵌孔24に光ファイバケーブル10の光ファイバ11を挿嵌すると共に、同様に接続金具20に設けられた保護ジャケット嵌合溝25で光ファイバケーブル10の保護ジャケット12を支持する。すると、予め配設された光半導体素子1の光出射面となる凸レンズ7と光ファイバ11の先端面33とが夫々の光軸を共有し、且つ所定の距離を保って対向する。
【選択図】図1

Description

本発明は、光ファイバ接続構造に関するものであり、詳しくは、機器内の信号伝達媒体を光とし、機器内に張り巡らせた光ファイバを介して光信号伝送を行なう光ファイバ通信システムにおいて、光半導体素子(発光素子及び受光素子)と光ファイバとを光学的に接続するための光ファイバ接続構造に関する。
光ファイバ通信システムにおいて、情報量が多くなるほど高速な伝送が必要となり、これを実現するためには電気信号を光信号に変換する発光素子及び光信号を電気信号に変換する受光素子には機能上高速応答性能が要求され、結果的には発光素子及び受光素子の応答性能がシステムの高速化に制約を与えることになる。
そこで、信号変換素子として光半導体素子の高速応答性能に着目し、高速応答性能を有する光半導体発光素子として発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)など、高速応答特性を有する光半導体受光素子としてフォトダイオード、PINフォトダイオードが一般的に使用されている。
そして、発光素子から発せられた光信号を光ファイバ内に導入するためには発光素子と光ファイバとを光学的に接続する光コネクタが用いられ、同様に、光ファイバ内を導光された光信号を受光素子に取り込むためには光ファイバと受光素子とを光学的に接続する光コネクタが用いられる。
更に、受光素子と光ファイバ、発光素子と光ファイバの夫々の光学的な接続を一体化する光コネクタも使用されている。
従来のこの種の光コネクタには図8に示すような構成のものがある。それは、光素子実装用基板50、光素子51および光ファイバ52を備えているものである。
そのうち、光素子実装用基板50は、内底面に光素子実装用の接続パッド53を有し、内側面を傾斜面54とする凹部55が設けられ、光素子実装用基板50の外側面56から凹部55の傾斜面54に到る光ファイバ実装用の溝57が形成されている。
また、光素子51は、端面発光素子であり、下面に電極パッド58が形成されている。
さらに、光ファイバ52はコア59が被覆60で保護された構造を有している。
そして、光素子実装用基板50の凹部55の傾斜面54に、下面の一辺が当接するように光素子51が収容され、光素子51の下面に形成された電極パッド58と凹部55の内底面に形成された接続パッド53とを導電性相互接続部材61を介して接続することによって光素子51を光素子実装用基板50の凹部55内に固定すると共に、光素子51の電極パッド58と光素子実装用基板50の接続パッド53との電気的導通を図っている。
さらに、光ファイバ52を光素子実装用基板50に形成された光ファイバ実装用の溝57に落とし込んで光ファイバ52の先端面が光素子51の端面に当接するように固定し、光ファイバ52のコア59の端面と光素子51の端面とが当接するようにしたものである(例えば、特許文献1参照。)。
また、他の従来例としては、図9に示すように、Si−V溝基板80、LD−チップ(端面発光素子)81および光ファイバ82を備えたものがある。
そのうち、LD−チップ81は、下面の4隅にバンプ電極と中央部にストレート電極が形成されている。
さらに、Si−V溝基板80はSi基板からなり、上記LD−チップ81のバンプ電極に対応する4箇所にAu/Snバンプ83が、ストレート電極に対応する位置にストレートバンプ84が夫々形成され、Si−V溝基板80の外側面85からAu/Snバンプ83近傍あるいはストレートバンプ84の端部近傍まで延びるV溝86が形成されている。
そして、Si−V溝基板80に形成されたAu/Snバンプ83およびストレートバンプ84の夫々にLD−チップ81の下面に形成されたバンプ電極およびストレート電極を接続することによってSi−V溝基板80にLD−チップ81を固定すると共に、LD−チップ81のバンプ電極とSi−V溝基板80のAu/Snバンプ83との電気的導通を図っている。
さらに、光ファイバ82をSi−V溝基板80に形成されたV溝86に落とし込んで光ファイバ82の先端面がV溝86の端部に当接するように固定し、光ファイバ82の端面とLD−チップ81の導波路87の発光部88とが対向するようにしたものである(例えば、特許文献2参照。)。
特許第3709075号公報 特開平11−6941号公報
図8で示す前者の構成は、光ファイバ52のコア59の端面と光素子51の端面とを当接することによって光ファイバ52と光素子51との光軸方向の位置出しを確保しており、光ファイバ52に外力が加わった場合や、周囲温度の上昇によって光ファイバ52が熱膨張した場合などに光ファイバ52から光素子51に圧力が加わり、光素子51の信頼性を損ねる可能性がある。
また、組み立て時に光ファイバ52のコア59の端面と光素子51の端面とが接触することによって、夫々の端面のいずれか一方または両方に傷がつき、光結合効率を低下させることも考えられる。
一方、図9で示す後者の構成は、加工上、Si−V溝86の端面とAu/Snバンプ83を近接させることは困難であり、結果的にチップ81の発光部とファイバ82のコア部を近接させることができないことにより、光結合の効率を上げることが困難であった。
上記いずれの従来例においても、光ファイバと光素子および光ファイバとLD−チップの夫々の光軸に垂直な面方向の位置精度は光ファイバを落とし込むV溝の精度に因るところが大きく、V溝の方向、深さ、傾斜角度などを高精度に加工することが要求され、製造コストの上昇に繋がる。
また、V溝に落とし込まれた光ファイバは熱硬化性の接着剤を介して固定されるものであるが、加熱硬化中は治具などによって光ファイバを保持する必要があり、煩雑な工程が必要となる。
また、上記いずれの従来例においても、光源はレーザダイオードなどの端面発光の素子が対象であり、面発光素子や面受光素子の比較的廉価な受発光素子に対しては実装が困難である。
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、その目的とするところは、光ファイバと光半導体素子との光学的な接続にあたって、光ファイバの端面と光半導体素子の入・出射面との位置合わせを簡便に、且つ精度良く行なうことができると共に、設計の自由度が高く、製造コストを低減した光ファイバ接続構造を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載された発明は、マザーボード上に実装した接続金具に固定された、光ファイバを保護ジャケットで被覆した光ファイバケーブルと前記マザーボード上に実装した光半導体素子とを光学的に結合する光ファイバ接続構造であって、
前記接続金具は前記光半導体素子側に位置する側板部に前記光ファイバケーブルの光ファイバを挿嵌する光ファイバ挿嵌孔が形成されると共に、前記側板部に対向して位置する側板部に前記光ファイバケーブルの保護ジャケットを嵌合する保護ジャケット嵌合溝が形成されており、
前記接続金具の光ファイバ挿嵌孔に前記光ファイバケーブルの保護ジャケットが剥離されて露出した光ファイバを挿嵌し、前記接続金具の保護ジャケット嵌合溝に前記光ファイバケーブルの保護ジャケットを嵌合し、前記光ファイバ挿嵌孔が形成された側板部の前記光半導体素子と対向する面の反対面に前記光ファイバケーブルの前記光ファイバが露出した側の保護ジャケットの端面が当接した状態で、前記接続金具に前記光ファイバケーブルが固定されることによって、前記光半導体素子の光入出射面に対する前記光ファイバケーブルの前記光ファイバ端面の、該光ファイバケーブルの長手方向および前記光ファイバケーブルの長手方向に垂直な面方向の位置決めがなされ、前記光半導体素子の光入出射面の光軸と前記光ファイバの端面の光軸とが略同一線上に位置することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項2に記載された発明は、請求項1において、前記接続金具の側板部に形成された光ファイバ挿嵌孔は、略円形または略多角形であることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項3に記載された発明は、請求項1または2のいずれか1項において、前記接続金具の側板部に形成された保護ジャケット嵌合溝は、略円弧状または略コ字状であることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項4に記載された発明は、請求項1〜3のいずれか1項において、前記接続金具には複数のフランジ部が形成されており、該フランジ部が前記マザーボードに形成された導体パターンと導電部材を介して接合されることによって前記接続金具が前記マザーボードに固定されることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項5に記載された発明は、請求項1〜4の何れか1項において、前記光半導体素子は前記マザーボードに該光半導体素子の光軸が前記マザーボードと略平行となるように実装されることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項6に記載された発明は、マザーボード上に実装した接続金具に固定された、光信号伝送路となる複数の光ファイバを有する平面状のテープファイバと前記マザーボード上に実装した受光部及び発光部、又は、複数の受光部又は発光部を有する光半導体素子とを光学的に結合する光ファイバ接続構造であって、
前記接続金具は前記光半導体素子側に位置する側板部に前記テープファイバの光信号伝送路となる光ファイバを挿嵌する複数の光ファイバ挿嵌孔が形成されると共に、前記側板部に対向して位置する側板部に前記テープファイバを嵌合するテープファイバ嵌合溝が形成されており、
前記接続金具の光ファイバ挿嵌孔に前記テープファイバの該テープファイバの他の部分よりも突出して配置された光信号伝送路となる光ファイバを挿嵌し、前記接続金具のテープファイバ嵌合溝に前記テープファイバを嵌合し、前記光ファイバ挿嵌孔が形成された側板部の前記光半導体素子と対向する面の反対面に前記テープファイバの光信号伝送路となる光ファイバが挿嵌された側の前記光信号伝送路となる光ファイバ以外の部分の端面が当接した状態で、前記接続金具に前記テープファイバが固定されることによって、前記光半導体素子の夫々の光入出射面に対する前記テープファイバの光信号伝送路となる夫々の光ファイバ端面の、該光テープファイバの長手方向および前記テープファイバの長手方向に垂直な面方向の位置決めがなされ、前記光半導体素子の夫々の光入出射面の光軸と前記テープファイバの光信号伝送路となる夫々の光ファイバ端面の光軸とが夫々略同一線上に位置することを特徴とするものである。
また、本発明の請求項7に記載された発明は、請求項6において、前記接続金具の側板部に形成された光ファイバ挿嵌孔は、略円形または略多角形であることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項8に記載された発明は、請求項6または7のいずれか1項において、前記接続金具の側板部に形成された保護ジャケット嵌合溝は、横長の略半長円状または横長の略コ字状であることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項9に記載された発明は、請求項6〜8のいずれか1項において、前記接続金具には複数のフランジ部が形成されており、該フランジ部が前記マザーボードに形成された導体パターンと導電部材を介して接合されることによって前記接続金具が前記マザーボードに固定されることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項10に記載された発明は、請求項6〜9のいずれか1項において、前記光半導体素子は前記マザーボードに該光半導体素子の受発光部の夫々の光軸が前記マザーボードと略平行となるように実装されることを特徴とするものである。
本発明は、光ファイバと光半導体素子との光学的な接続にあたって、光ファイバと光半導体素子とを接続金具のみで接続し、且つ、光ファイバを接続金具の3箇所で位置決めするようにした。そのため、光ファイバ端面の、該光ファイバの長手方向および該光ファイバの長手方向に垂直な面方向の位置決めが良好な精度でなされ、光半導体素子の光入出射面の光軸と光ファイバ端面の光軸とが同一線上に位置するようになった。
その結果、光半導体素子と光ファイバとの接続が機構的に簡単に、高精度で再現性良く行なわれ、光学的には接続損失が少なくて結合効率が高いと共に光信号伝送の確実性が高く、経済的には部品点数が少なくて製造コストが低減でき、大きさにおいては光学的な接続に寄与しないスペースの占める割合が極めて小さいために小型化が可能であり、そのため設計においては自由度が高い、などの優れた効果を奏するものである。
光ファイバと光半導体素子との光学的な接続にあたって、光結合効率が高く、小型で製造コストを低減した光ファイバ接続構造を実現する目的を、光ファイバを接続金具の3箇所で位置決めするようにした。そのため、光ファイバ端面の、該光ファイバの長手方向および該光ファイバの長手方向に垂直な面方向の位置決めが良好な精度でなされ、光半導体素子の光入出射面の光軸と光ファイバ端面の光軸とが同一線上に位置するようになった。
以下、この発明の好適な実施例を図1から図7を参照しながら、詳細に説明する。尚、以下に述べる実施例は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施例に限られるものではない。
図1は本発明の光ファイバ接続構造に係わる実施例1を示す分解斜視図である。本実施例は1個の光半導体素子と、1本の光ファイバケーブルと、該光ファイバケーブルを固定して光半導体素子と光ファイバ(コアとクラッドとからなる)とを光学的に接続する接続金具と、から構成されている。以下に夫々の構成部品について詳細に説明する。
第一の構成部品である光半導体素子1は、エポキシ樹脂等の絶縁部材からなる絶縁基材2の表面に電極パターン3が形成されたプリント基板4の該電極パターン3上に、光半導体チップ(図示していないが、本実施例においては例えば、発光源となる発光ダイオードチップ、半導体レーザチップ等を使用している。但し受光源となるフォトダイオードチップ、PINフォトダイオードチップ、フォトトランジスタチップ等も使用可能である)が導電性接着剤等の導電部材を介して載設されて光半導体チップの下側電極と電極パターン3とが接続され、光半導体チップの上側電極と前記光半導体チップが載設された電極パターン3とは分離された電極パターン3とがボンディングワイヤを介して接続されている。
そして、少なくとも通信に使用される光の波長領域において透光性を有するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなる封止樹脂5によって光半導体チップおよびボンディングワイヤが樹脂封止され、保護されている。封止樹脂5の光出射面6には光半導体チップの光軸近傍となる位置に外側に膨らんだ球面あるいは非球面の凸レンズ7が形成されており、光半導体チップから出射して封止樹脂5内を導光されて凸レンズ7を経て外部に放出された光が、光軸方向に集光するようにしている。
また、本光半導体素子1はマザーボード実装時には光軸がマザーボードと平行となるような実装方法が可能なように電極パターン3が形成されており、サイドビュータイプとも呼ばれている。
第二の構成部品である光ファイバケーブル10は、光信号伝送路となる光ファイバ11と保護ジャケット12からなり、光ファイバ11は保護ジャケット12によって被覆されている。本実施例の場合、光フアイバ11はプラスチックで形成されており、プラスチック・オプティカル・ファイバ(POF)と呼ばれるものである。また、保護ジャケット12の端面13は後述のように光フアイバ11の長手方向の位置決めに使用されるため、平面度を高めた状態に形成されている。場合によっては、位置決めリング等の別部材をカシメあるいは接着によって装着することも可能である。
第三の構成部品である接続金具20は、半田付けが可能な金属材料あるいは金属表面に半田付けが可能なメッキを施した材料からなる1枚の板状材料から、穴あけ、切断、曲げ等の加工によって作製されたものであり、4つの側板部21a〜21dと1つの上板部22と該上板部22に対向する開口23を有する略箱形状を呈している。
1つの側板部21aには光ファイバケーブル10の光ファイバ11が挿嵌される光ファイバ挿嵌孔24が形成されており、側板部21aに対向する側板部21bには前記光ファイバ挿嵌孔24の中心に対向する位置を中心とする、光ファイバケーブル10の保護ジャケット12を嵌合する円弧状の保護ジャケット嵌合溝25が形成され、保護ジャケット嵌合溝25の上端からは保護ジャケット12の径に相当する幅で上板部22に到る保護ジャケット挟持溝26が形成されている。
上板部22に到った保護ジャケット挟持溝26は、そのままの幅を保って上板部22の途中まで側板部21a側の光ファイバ挿嵌孔24の上方に向かって延びている。なお、保護ジャケット嵌合溝25および保護ジャケット挟持溝26は、光ファイバケーブル10の保護ジャケット12を良好な作業性によって支持するようにしたものであるが、作業性に問題がなければ光ファイバ挿嵌孔24と同様に保護ジャケット挿嵌孔とすることも可能である。
また、互いに対向する側板部21a、21bの夫々の下側両縁部には外側に向かって突出したフランジ部27が設けられている。このフランジ部27は接続金具20をマザーボードに実装するときに半田接合部となるものであり、必ずしも側板部21a、21bに設ける必要はなく、側板部21c、21dに設けても問題はない。更に、全側板部21a〜21dに設けてもよいが、その場合には製造コストが上昇するという問題が生じる。
図2は上記光半導体素子、光ファイバケーブルおよび接続金具で構成される光ファイバ接続構造の接続部をマザーボードに実装した状態を示す平面図であり、図3は図2のA−A断面図である。
光半導体素子1、光ファイバケーブル10および接続金具20で構成される光ファイバ接続構造の接続部の実装手順は、まず、マザーボード30に形成された配線パターン(図示せず)上の所定の位置に半田ペーストを塗布する。この場合、印刷、転写等の方法も可能である。
次に、半田ペースト上の所定の位置に電極パターン3が位置するように光半導体素子1を該光半導体素子1の光軸をマザーボード30と平行にして載置すると共に、同様に半田ペースト上の所定の位置に4つのフランジ部27が位置するように接続金具20を載置する。この場合、必要に応じて抵抗、コンデンサ、コネクタ等の他の回路部品も同様に半田ペースト上に載置する。
その後、リフロー加熱することによって夫々の部品とマザーボード30の配線パターンとを半田31を介して半田接合し、マザーボード30上に光半導体素子1、接続金具20およびその他の回路部品を一括実装する。
なお、光半導体素子1の電極パターンおよび接続金具20のフランジ部27の夫々とマザーボード30の配線パターンとの半田接合は、一般的にはリフロー半田付けで行われるが、夫々が小型、軽量部品であることから、マザーボード30の配線パターンの半田付けランドの寸法、形状や配線パターン上に予め塗布される半田量等を適切に設定することで、リフロー半田付け時の溶融半田の表面張力によるセルフアライメント効果によって夫々の部品の高精度な位置決めが施される。
更に、予め保護ジャケット12を剥がして光ファイバ11を所定の長さだけ露出させた光ファイバケーブル10を、接続金具20の側板部21bに設けられた保護ジャケット嵌合溝25上を移送して側板部21aに設けられた光ファイバ挿嵌孔24に向けて進め、光ファイバ11を光ファイバ挿嵌孔24に挿通して更に保護ジャケット12の端面13が側板部21aの内面32に当接するまで進める。
そして、光ファイバケーブル10の保護ジャケット12が側板部21bの保護ジャケット嵌合溝25上に載置され、且つ保護ジャケット12の端面13が側板部21aの内面32に当接した状態を保ちながら、保護ジャケット12と接続金具20とを所定の位置で接着して固定する。
すると、光ファイバケーブル10の長手方向に対する光ファイバ11の先端面33の位置決めは、光ファイバケーブル10の保護ジャケット12の端面13が接続金具20の側板部21aの内面32に当接することによって行なわれ、光ファイバケーブル10の長手方向に垂直な面方向に対する光ファイバ11の端面33の角度および位置決めは、光ファイバケーブル10の保護ジャケット12が接続金具20の保護ジャケット嵌合溝25に固定された部分と光ファイバ11が接続金具20の光ファイバ挿嵌孔24に嵌合された部分の2箇所によって行なわれることになる。そのため、光ファイバ11の端面33の位置および角度を高精度に位置決めすることが可能である。
その結果、光ファイバ11の端面33の光軸Xと光半導体素子1の凸レンズ7の頂点34を通る光軸Xとは一直線上に位置し、且つ光ファイバ11の端面33と光半導体素子1の凸レンズ7の頂点34とは所定の距離を確保することが可能となる。つまり、光ファイバ11と光半導体素子1との位置決めを高精度に行なうことができるために、高い光結合効率を得ることができる。
但し、このような高い位置決め精度を得るためには、接続金具20と光半導体素子1との位置決め精度が高いことが前提となるが、接続金具20と光半導体素子1をマザーボード30に固定する際に、リフロー半田付け時の溶融半田の表面張力によるセルフアライメント効果によって夫々の部品の高精度な位置決めが施されており、問題はない。
なお、接続金具20に係止爪のような光ファイバケーブル10を着脱可能にする手段を設けることによって、接着工程を削除することもできる。
図4は本発明の光ファイバ接続構造に係わる実施例2を示す分解斜視図である。本実施例は光半導体素子と、光ファイバと、接続金具と、から構成されているところは上記実施例1と同様であるが、夫々の構成部品の様態については実施例1とは異なるところがあるの以下に夫々の構成部品について実施例1と対比しながら詳細に説明する。
第一の構成部品である光半導体素子1は、エポキシ樹脂等の絶縁部材からなる絶縁基材2の表面に電極パターン3が形成されたプリント基板4の該電極パターン3上に、発光源となる半導体発光チップと受光源となる半導体受光チップの2種類の光半導体チップ(図示していないが、本実施例においては例えば、半導体発光チップとしては発光ダイオードチップ、半導体レーザチップ等を使用し、半導体受光チップとしてはフォトダイオードチップ、PINフォトダイオードチップ、フォトトランジスタチップを使用している)が導電性接着剤等の導電部材を介して載設されて夫々の光半導体チップの下側電極と電極パターン3とが接続され、夫々の光半導体チップの上側電極と前記夫々の光半導体チップが載設された電極パターン3とは分離された電極パターン3とがボンディングワイヤを介して接続されている。
そして、少なくとも通信に使用される光の波長領域において透光性を有するエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなる封止樹脂5によって、半導体発光チップと該半導体発光チップに架空配線されたボンディングワイヤの組み合わせ、および半導体受光チップと該半導体受光チップに架空配線されたボンディングワイヤの組み合わせ、の夫々が独立して樹脂封止され、発光部40および受光部41を形成している。特に、発光部40の封止樹脂5の光出射面6には半導体発光チップの光軸近傍となる位置に外側に膨らんだ球面あるいは非球面の凸レンズ7が形成されており、半導体発光チップから出射して封止樹脂5内を導光されて凸レンズ7を経て外部に放出された光が、光軸方向に集光するようにしている。
また、本光半導体素子はマザーボード実装時には半導体発光チップおよび半導体受光チップの光軸がマザーボードと平行となるような実装方法が可能なように電極パターン3が形成されており、サイドビュータイプとも呼ばれている。
第二の構成部品である光ファイバは、上記実施例1で使用したような光信号伝送路となる光ファイバを保護ジャケットによって被覆したタイプのものではなく、コアとクラッドで構成された光ファイバを複数本平行に並べて接着剤あるいは溶融によって一体化したものであり、テープファイバ42と呼ばれるものである。
本実施例の場合、テープファイバ42は4本の光ファイバ11a〜11dで構成され、外側の2本の光ファイバ11a、11dおよび内側の2本の光ファイバ11b、11cを夫々略同一の長さとすると共に、外側の光ファイバ11a、11dに対して内側の光ファイバ11b、11cを短くしてある。光信号伝送路(光路)としては外側の2本の光ファイバ11a、11dが使用され、内側の2本の光ファイバ11b、11cは後述のように外側の2本の光ファイバ11a、11dの長手方向の位置決めに使用される。
通常、光ファイバの端面は光の入出射効率を高めるために研磨作業が必要であり、本実施例においては光信号伝送路の役割を担う外側の2本の光ファイバ11a、11dについて研磨が必要となる。その場合、光信号伝送に係わらない内側の2本の光ファイバ11b、11cが短くしてあるために容易に研磨作業を行なうことができ、作業効率の向上に寄与するものである。
なお、光信号伝送に係わらない内側の2本の光ファイバ11b、11cは必ずしも光信号伝送路の役割を担う外側の2本の光ファイバ11a、11dと同一部材である必要はなく、外側の2本の光ファイバ11a、11dのピッチおよび長手方向の位置決めができるものであれば材料を問わず、廉価な材料で形成されたダミー線あるいはダミーブロックであってもかまわない。
第三の構成部品である接続金具20は、上記実施例1と同様に、半田付けが可能な金属材料あるいは金属表面に半田付けが可能なメッキを施した材料からなる1枚の板状材料から、穴あけ、切断、曲げ等の加工によって作製されたものであり、4つの側板部21a〜21dと1つの上板部22と該上板部22に対向する開口23を有する略箱形状を呈している。
1つの側板部21aにはテープファイバ42の外側の2本の光ファイバ11a、11dが挿嵌される2つの光ファイバ挿嵌孔24a、24dが光ファイバ11a、11dと同一ピッチで形成されており、側板部21aに対向する側板部21bには前記光ファイバ挿嵌孔24a、24dの夫々の中心に対向する位置をテープファイバ42の外側の2本の光ファイバ11a、11dの中心としてテープファイバ42を嵌合する横長の略半長円状のテープファイバ嵌合溝43が形成され、テープファイバ嵌合溝43の上端からは該テープファイバ嵌合溝43の上端の長さよりも長い幅で上板部22に到る拡大溝44が形成されている。
上板部22に到った拡大溝44は、そのままの幅を保って上板部22の途中まで側板部21a側の光ファイバ挿嵌孔24a、24dの上方に向かって延びている。なお、テープファイバ嵌合溝43および拡大溝44は、テープファイバ42を良好な作業性によって支持するようにしたものであるが、作業性に問題がなければテープファイバ挿嵌孔とすることも可能である。
また、互いに対向する側板部21a、21bの夫々の下側両縁部には外側に向かって突出したフランジ部27が設けられている。このフランジ部27は接続金具20をマザーボードに実装するときに半田接合部となるものであり、必ずしも側板部21a、21bに設ける必要はなく、側板部21c、21dに設けても問題はない。更に、全側板部21a〜21dに設けてもよいが、その場合には製造コストが上昇するという問題が生じる。
図5は上記光半導体素子、テープファイバおよび接続金具で構成される光ファイバ接続構造の接続部をマザーボードに実装した状態を示す平面図であり、図6は図5のA−A断面図である。
光半導体素子1、テープファイバ42および接続金具20で構成される光ファイバ接続構造の接続部の実装手順は、まず、マザーボード30に形成された配線パターン(図示せず)上の所定の位置に半田ペーストを塗布する。この場合、印刷、転写等の方法も可能である。
次に、半田ペースト上の所定の位置に電極パターン3が位置するように光半導体素子1を該光半導体素子1の発光部40および受光部41の夫々の光軸をマザーボード30と平行にして載置すると共に、同様に半田ペースト上の所定の位置に4つのフランジ部27が位置するように接続金具20を載置する。この場合、必要に応じて抵抗、コンデンサ、コネクタ等の他の回路部品も同様に半田ペースト上に載置する。
その後、リフロー加熱することによって夫々の部品とマザーボード30の配線パターンとを半田31を介して半田接合し、マザーボード30上に光半導体素子1、接続金具20およびその他の回路部品を一括実装する。
なお、光半導体素子1の電極パターンおよび接続金具20のフランジ部27とマザーボード30の配線パターンとの半田接合は、一般的にはリフロー半田付けで行われるが、夫々が小型、軽量部品であることから、マザーボード30の配線パターンの半田付けランドの寸法、形状や配線パターン上に予め塗布される半田量等を適切に設定することで、リフロー半田付け時の溶融半田の表面張力によるセルフアライメント効果によって夫々の部品の高精度な位置決めが施される。
更に、テープファイバ42を接続金具20の側板部21bに設けられたテープファイバ嵌合溝43上を移送して側板部21aに設けられた光ファイバ挿嵌孔24a、24dに向けて進め、光ファイバ11a、11dを夫々光ファイバ挿嵌孔24a、24dに挿通して更にテープファイバ42の光ファイバ11b、11cの端面45が側板部21aの内面32に当接するまで進める。
そして、テープファイバ42が側板部21bのテープファイバ嵌合溝43上に載置され、且つテープファイバ42の光ファイバ11b、11cの端面45が側板部21aの内面32に当接した状態を保ちながら、テープファイバ42の少なくとも一部と接続金具20とを所定の位置で接着して固定する。
すると、テープファイバ42の長手方向に対する光ファイバ11a、11dの夫々の端面33a、33dの位置決めは、光ファイバ11b、11cの端面45が接続金具20の側板部21aの内面32に当接することによって行なわれ、テープファイバ42の長手方向に垂直な面方向に対する光ファイバ11a、11dの端面33a、33dの角度および位置決めは、テープファイバ42が接続金具20のテープファイバ嵌合溝43に固定された部分と光ファイバ11a、11dが接続金具20の光ファイバ挿嵌孔24a、24dに嵌合された部分の2箇所によって行なわれることになる。そのため、光ファイバ11a、11dの端面33a、33dの位置および角度を高精度に位置決めすることが可能である。
その結果、光ファイバ11aの端面33aの光軸Xと光半導体素子1の発光部の40の凸レンズ7の頂点34を通る光軸X、および光ファイバ11dの端面33dの光軸Xと光半導体素子1の受光部41の光入射面46を通る光軸Xは夫々一直線上に位置し、且つ光ファイバ11aの端面33aと光半導体素子1の発光部40の凸レンズ7の頂点34、および光ファイバ11dの端面33dと光半導体素子1の受光部41の光入射面46は夫々は所定の距離を確保することが可能となる。つまり、光ファイバ11aと光半導体素子1の発光部40、および光ファイバ11dと光半導体素子1の受光部41の位置決めを高精度に行なうことができるために、高い光結合効率を得ることができる。
但し、このような高い位置決め精度を得るためには、接続金具20と光半導体素子1との位置決め精度が高いことが前提となるが、接続金具20と光半導体素子1をマザーボード30に固定する際に、リフロー半田付け時の溶融半田の表面張力によるセルフアライメント効果によって夫々の部品の高精度な位置決めが施されており、問題はない。
なお、接続金具20に係止爪のようなテープファイバ42を着脱可能にする手段を設けることによって、接着工程を削除することもできる。
また、光半導体素子1の発光部40の光出射面6および受光部41の光入射面46の形状は夫々必要に応じて最適設計されるものであり、光入出射面のいずれか一方または両方にレンズを形成する場合も、形状、大きさ等はそのときの設計仕様に基づいて設定される。
本実施例は2本の光フアイバ(2つの光信号伝送路)による双方向光伝送路で全二重光通信を行なうシステムに適用した例である。そのため、光半導体素子1は、半導体発光チップを封止する封止樹脂と半導体受光チップを封止する封止樹脂とを独立して形成することによって、発光部から出射した光が直接受光部に入射しないように光学的な分離を行なっている。これにより、受光部で検知した光伝送信号のS/N比の向上が図られている。
図7は本実施例によって構成した双方向光伝送路の例を示したものである。それは、上記光ファイバ接続構造を有する光結合部47a、47bを2箇所に設けており、夫々は光信号の入・出力機能を有している。
マザーボード30aに実装された一方の光結合部47aを構成する光半導体素子1の発光部40から出射した光信号は、テープファイバ42の光ファイバ11aに導入されて該光ファイバ11a内を導光され、光ファイバ11aから放出された光信号はマザーボード30bに実装された他方の光結合部47bを構成する光半導体素子1の受光部41に入射する。
同様に、マザーボード30bに実装された他方の光結合部47bを構成する光半導体素子1の発光部40から出射した光信号は、テープファイバ42の光ファイバ11dに導入されて該光ファイバ11d内を導光され、光ファイバ11dから放出された光信号はマザーボード30aに実装された一方の光結合部47aを構成する光半導体素子1の受光部41に入射する。
このように、2本の光信号伝送路(光ファイバ11a、11d)を介して伝送される夫々の光信号を同時に入出力することによって全二重方式の光通信を行なうことが可能となる。ここで、光ファイバ11aと11dの間には使用していない11bと11cが存在することで、ファイバの端面(光入出力部)においても空間的に分離されており、テープファイバがS/N比の低下を招くことはない。
この場合、2本の光伝送路となる光ファイバ11a、11dはテープファイバ42に一体化されており、テープファイバ42を接続金具20に実装することによって個々に実装することなく一括実装が可能である。そのため、作業効率が向上し、製造コストを低減することができる。
また、実施例1においては光信号伝送路が1チャンネル、実施例2においては光信号伝送路が2チャンネルであったが、光信号伝送路となる光ファイバを増やすことにより光信号伝送路を3チャンネル以上に増設することも可能である。
以上述べたように、本発明の光ファイバ接続構造は、光ファイバと光半導体素子とを光学的に接続するために設ける部品は接続金具のみであるために部品点数が少ない。その結果、金型費を含めた材料費の低減及び製造工数の削減による組み立て費の低減によって製品の製造コストを低減することができる。
また、光ファイバと光半導体素子とは接触していない。よって、光ファイバに外力が加わった場合や、周囲温度の上昇によって光ファイバが熱膨張した場合でも光半導体素子に圧力が加わることはなく、光半導体素子の信頼性を損ねることはない。
また、組立て時に光ファイバの端面と光半導体素子とが接触することはなく、夫々の光結合面の傷に起因する光結合効率の低下を排除することができる。
また、光結合部を実装するマザーボードは一般的に使用されているような、絶縁基材に配線パターンを形成したプリント回路基板を使用することができ、材料コストを抑えることができる。
更に、本発明によれば工程上、ファイバを実装するのは接続金具を半田付けした後の冷却後である。よって、ファイバには半田付けに耐え得る耐熱性は要求されず、安価なプラスチックファイバを使用することができる。
つまり、本発明は、光半導体素子と光ファイバとの接続が機構的に簡単に、高精度で再現性良く行なわれ、光学的には接続損失が少なくて結合効率が高いと共に光信号伝達の確実性が高く、経済的には部品点数が少なくて製造コストが低減でき、大きさにおいては光学的な接続に寄与しないスペースの占める割合が極めて小さいために小型化が可能であり、そのため設計においては自由度が高い、などの優れた効果を奏するものである。
本発明の光ファイバ接続構造に係わる実施例1を示す分解斜視図である。 本発明の光ファイバ接続構造に係わる実施例1をマザーボードに実装した実装図である。 図2のA−A断面図である。 本発明の光ファイバ接続構造に係わる実施例2を示す分解斜視図である。 本発明の光ファイバ接続構造に係わる実施例2をマザーボードに実装した実装図である。 図5のA−A断面図である。 本発明の光ファイバ接続構造に係わる実施例2をマザーボードに実装した他の実装図である。 従来の光ファイバ接続構造を示す断面図である。 従来の他の光ファイバ接続構造を示す斜視図である。
符号の説明
1 光半導体素子
2 絶縁基材
3 電極パターン
4 プリント基板
5 封止樹脂
6 光出射面
7 凸レンズ
10 光ファイバケーブル
11、11a〜11d 光ファイバ
12 保護ジャケット
13 端面
20 接続金具
21a〜21d 側板部
22 上板部
23 開口
24、24a、24d 光ファイバ挿嵌孔
25 保護ジャケット嵌合溝
26 保護ジャケット挟持溝
27 フランジ部
30、30a、30b マザーボード
31 半田
32 内面
33、33a、33d 端面
34 頂点
40 発光部
41 受光部
42 テープファイバ
43 テープファイバ嵌合溝
44 拡大溝
45 端面
46 光入射面
47a、47b 光結合部

Claims (10)

  1. マザーボード上に実装した接続金具に固定された、光ファイバを保護ジャケットで被覆した光ファイバケーブルと前記マザーボード上に実装した光半導体素子とを光学的に結合する光ファイバ接続構造であって、
    前記接続金具は前記光半導体素子側に位置する側板部に前記光ファイバケーブルの光ファイバを挿嵌する光ファイバ挿嵌孔が形成されると共に、前記側板部に対向して位置する側板部に前記光ファイバケーブルの保護ジャケットを嵌合する保護ジャケット嵌合溝が形成されており、
    前記接続金具の光ファイバ挿嵌孔に前記光ファイバケーブルの保護ジャケットが剥離されて露出した光ファイバを挿嵌し、前記接続金具の保護ジャケット嵌合溝に前記光ファイバケーブルの保護ジャケットを嵌合し、前記光ファイバ挿嵌孔が形成された側板部の前記光半導体素子と対向する面の反対面に前記光ファイバケーブルの前記光ファイバが露出した側の保護ジャケットの端面が当接した状態で、前記接続金具に前記光ファイバケーブルが固定されることによって、前記光半導体素子の光入出射面に対する前記光ファイバケーブルの前記光ファイバ端面の、該光ファイバケーブルの長手方向および前記光ファイバケーブルの長手方向に垂直な面方向の位置決めがなされ、前記光半導体素子の光入出射面の光軸と前記光ファイバの端面の光軸とが略同一線上に位置することを特徴とする光ファイバ接続構造。
  2. 前記接続金具の側板部に形成された光ファイバ挿嵌孔は、略円形または略多角形であることを特徴とする請求項1に記載の光ファイバ接続構造。
  3. 前記接続金具の側板部に形成された保護ジャケット嵌合溝は、略円弧状または略コ字状であることを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の光ファイバ接続構造。
  4. 前記接続金具には複数のフランジ部が形成されており、該フランジ部が前記マザーボードに形成された導体パターンと導電部材を介して接合されることによって前記接続金具が前記マザーボードに固定されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光ファイバ接続構造。
  5. 前記光半導体素子は前記マザーボードに該光半導体素子の光軸が前記マザーボードと略平行となるように実装されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光ファイバ接続構造。
  6. マザーボード上に実装した接続金具に固定された、光信号伝送路となる複数の光ファイバを有する平面状のテープファイバと前記マザーボード上に実装した受光部及び発光部、又は、複数の受光部又は発光部を有する光半導体素子とを光学的に結合する光ファイバ接続構造であって、
    前記接続金具は前記光半導体素子側に位置する側板部に前記テープファイバの光信号伝送路となる光ファイバを挿嵌する複数の光ファイバ挿嵌孔が形成されると共に、前記側板部に対向して位置する側板部に前記テープファイバを嵌合するテープファイバ嵌合溝が形成されており、
    前記接続金具の光ファイバ挿嵌孔に前記テープファイバの該テープファイバの他の部分よりも突出して配置された光信号伝送路となる光ファイバを挿嵌し、前記接続金具のテープファイバ嵌合溝に前記テープファイバを嵌合し、前記光ファイバ挿嵌孔が形成された側板部の前記光半導体素子と対向する面の反対面に前記テープファイバの光信号伝送路となる光ファイバが挿嵌された側の前記光信号伝送路となる光ファイバ以外の部分の端面が当接した状態で、前記接続金具に前記テープファイバが固定されることによって、前記光半導体素子の夫々の光入出射面に対する前記テープファイバの光信号伝送路となる夫々の光ファイバ端面の、該光テープファイバの長手方向および前記テープファイバの長手方向に垂直な面方向の位置決めがなされ、前記光半導体素子の夫々の光入出射面の光軸と前記テープファイバの光信号伝送路となる夫々の光ファイバ端面の光軸とが夫々略同一線上に位置することを特徴とする光ファイバ接続構造。
  7. 前記接続金具の側板部に形成された光ファイバ挿嵌孔は、略円形または略多角形であることを特徴とする請求項6に記載の光ファイバ接続構造。
  8. 前記接続金具の側板部に形成された保護ジャケット嵌合溝は、横長の略半長円状または横長の略コ字状であることを特徴とする請求項6または7のいずれか1項に記載の光ファイバ接続構造。
  9. 前記接続金具には複数のフランジ部が形成されており、該フランジ部が前記マザーボードに形成された導体パターンと導電部材を介して接合されることによって前記接続金具が前記マザーボードに固定されることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の光ファイバ接続構造。
  10. 前記光半導体素子は前記マザーボードに該光半導体素子の受発光部の夫々の光軸が前記マザーボードと略平行となるように実装されることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の光ファイバ接続構造。
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