JPH11183758A - 光半導体素子モジュール及び光半導体装置 - Google Patents
光半導体素子モジュール及び光半導体装置Info
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- JPH11183758A JPH11183758A JP9351588A JP35158897A JPH11183758A JP H11183758 A JPH11183758 A JP H11183758A JP 9351588 A JP9351588 A JP 9351588A JP 35158897 A JP35158897 A JP 35158897A JP H11183758 A JPH11183758 A JP H11183758A
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- semiconductor device
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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-
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3447—Lead-in-hole components
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光半導体素子モジュールをプリント基板に実
装した光半導体装置において、光半導体素子モジュール
とプリント基板の固定を簡単かつ強固にし、組立工数の
低減を行い、さらに、光半導体素子モジュールの光学
的、電気的特性の劣化を抑える。 【解決手段】 光ファイバ１と光半導体素子が光学結合
した部分を円筒型金属ケース６に収納した光半導体素子
モジュール５の前記金属ケース６にプリント基板７への
はんだ接続が可能な端子付フランジ３ｂを設ける。ま
た、フロントエンド部５０をシールドする構造により、
シールド効果が向上し光半導体素子モジュールの光学
的、電気的特性の劣化を抑える。
装した光半導体装置において、光半導体素子モジュール
とプリント基板の固定を簡単かつ強固にし、組立工数の
低減を行い、さらに、光半導体素子モジュールの光学
的、電気的特性の劣化を抑える。 【解決手段】 光ファイバ１と光半導体素子が光学結合
した部分を円筒型金属ケース６に収納した光半導体素子
モジュール５の前記金属ケース６にプリント基板７への
はんだ接続が可能な端子付フランジ３ｂを設ける。ま
た、フロントエンド部５０をシールドする構造により、
シールド効果が向上し光半導体素子モジュールの光学
的、電気的特性の劣化を抑える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバと光半
導体素子が光学結合した部分を、円筒型等の金属ケース
に収納した光半導体素子モジュール、及び、前記光半導
体素子モジュールをプリント基板に実装した光半導体装
置に関する。
導体素子が光学結合した部分を、円筒型等の金属ケース
に収納した光半導体素子モジュール、及び、前記光半導
体素子モジュールをプリント基板に実装した光半導体装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光半導体素子モジュールは、図７
に示すように、円筒型金属ケース６に光ファイバ１と、
図示しない光半導体素子とが光学結合した部分を収納し
てなり、前記金属ケース６は、２個以上の取付穴９を持
つフランジ３ａを有するのが一般的である。
に示すように、円筒型金属ケース６に光ファイバ１と、
図示しない光半導体素子とが光学結合した部分を収納し
てなり、前記金属ケース６は、２個以上の取付穴９を持
つフランジ３ａを有するのが一般的である。
【０００３】また、前記光半導体素子モジュールを用い
た光半導体装置は、図８に示すように、図７の光半導体
素子モジュールのフランジ部３ａを、光半導体装置の金
属ケース１２に、ねじ１１により固定するものが知られ
ている。図８に示す光半導体装置は、公開特許公報、特
開平６−１６３９５１号公報に記載されている。
た光半導体装置は、図８に示すように、図７の光半導体
素子モジュールのフランジ部３ａを、光半導体装置の金
属ケース１２に、ねじ１１により固定するものが知られ
ている。図８に示す光半導体装置は、公開特許公報、特
開平６−１６３９５１号公報に記載されている。
【０００４】図７の光半導体素子モジュールをプリント
基板に実装した光半導体装置の、その他の構造として
は、公開特許公報、特開平４−７６９号公報に示される
ように、基板取付用ブラケットを用い、前記光半導体素
子モジュールと前記ブラケットをねじ固定し、前記ブラ
ケットとプリント基板をはんだ付固定する方法が提案さ
れている。
基板に実装した光半導体装置の、その他の構造として
は、公開特許公報、特開平４−７６９号公報に示される
ように、基板取付用ブラケットを用い、前記光半導体素
子モジュールと前記ブラケットをねじ固定し、前記ブラ
ケットとプリント基板をはんだ付固定する方法が提案さ
れている。
【０００５】一方、発熱する発光素子モジュールの放熱
に関しては、ヒートシンクを取り付け、さらに、受光素
子モジュール及び後段の前置増幅器で構成される小信号
のフロントエンド部への外来雑音の入射を抑える方法と
しては、シールド板等を付加する等、従来の技術におい
ては、各課題に対して、個別的に対応するのが一般的で
あった。
に関しては、ヒートシンクを取り付け、さらに、受光素
子モジュール及び後段の前置増幅器で構成される小信号
のフロントエンド部への外来雑音の入射を抑える方法と
しては、シールド板等を付加する等、従来の技術におい
ては、各課題に対して、個別的に対応するのが一般的で
あった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の光半導体素子モジュールをプリント基板に固定する方
法としては、光半導体素子モジュールの金属フランジを
プリント基板取付用ブラケットにかしめ固定するか、ね
じ固定し、さらに、光半導体素子モジュールを固定した
前記ブラケットをプリント基板にはんだ付固定してい
た。この場合、プリント基板取付用ブラケットが必要と
なり組立工数の増大が問題である。また、電気的にも、
ねじ固定、あるいは、かしめ固定による接触接続のた
め、光半導体素子モジュールのフランジ部とプリント基
板取付用ブラケットの接触抵抗が大きくなり、光半導体
素子モジュールのアースが高インピーダンスとなる。そ
のため、発光素子モジュールの場合、発熱する発光素子
モジュールの放熱効果が低下し、前記光半導体素子モジ
ュールの特性が低下する問題があり、放熱を高めるため
に、別にヒートシンク等が必要となる。さらに、受光素
子モジュールの場合には、受光素子モジュール及び後段
の前置増幅器で構成されるフロントエンド部への外来雑
音のシールド効果の低下により受光素子モジュールの特
性が低下する問題があり、フロントエンド部への外来雑
音の入射を抑えるために、別にシールド板が必要にな
る。
の光半導体素子モジュールをプリント基板に固定する方
法としては、光半導体素子モジュールの金属フランジを
プリント基板取付用ブラケットにかしめ固定するか、ね
じ固定し、さらに、光半導体素子モジュールを固定した
前記ブラケットをプリント基板にはんだ付固定してい
た。この場合、プリント基板取付用ブラケットが必要と
なり組立工数の増大が問題である。また、電気的にも、
ねじ固定、あるいは、かしめ固定による接触接続のた
め、光半導体素子モジュールのフランジ部とプリント基
板取付用ブラケットの接触抵抗が大きくなり、光半導体
素子モジュールのアースが高インピーダンスとなる。そ
のため、発光素子モジュールの場合、発熱する発光素子
モジュールの放熱効果が低下し、前記光半導体素子モジ
ュールの特性が低下する問題があり、放熱を高めるため
に、別にヒートシンク等が必要となる。さらに、受光素
子モジュールの場合には、受光素子モジュール及び後段
の前置増幅器で構成されるフロントエンド部への外来雑
音のシールド効果の低下により受光素子モジュールの特
性が低下する問題があり、フロントエンド部への外来雑
音の入射を抑えるために、別にシールド板が必要にな
る。
【０００７】したがって、本発明の一つの目的は、光半
導体素子モジュールとプリント基板の取付組立工数の低
減することである。
導体素子モジュールとプリント基板の取付組立工数の低
減することである。
【０００８】さらに、本発明の他の目的は、放熱効果、
シールド効果向上による光半導体素子モジュールの光学
的、電気的特性の劣化を抑えることである。
シールド効果向上による光半導体素子モジュールの光学
的、電気的特性の劣化を抑えることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、光ファイバと光半導体素子が光学結合し
た部分を円筒型金属ケースに収納した光半導体素子モジ
ュールにプリント基板へのはんだ接続が可能な２個以上
の端子付フランジを前記金属ケースに有するものであ
る。
め、本発明は、光ファイバと光半導体素子が光学結合し
た部分を円筒型金属ケースに収納した光半導体素子モジ
ュールにプリント基板へのはんだ接続が可能な２個以上
の端子付フランジを前記金属ケースに有するものであ
る。
【００１０】上記フランジは、発熱する発光素子モジュ
ールの放熱性を高め得る程度の大きさ、例えば、２０ｍ
ｍ×２０ｍｍ×８．５ｍｍ程度の大きさで、直方体の、
対向する２面であることが望ましく、さらに、フロント
エンド部への外来雑音の入射を抑えるために、上記直方
体の６面のうち、４面が閉じた構造の直方体であること
が望ましい。
ールの放熱性を高め得る程度の大きさ、例えば、２０ｍ
ｍ×２０ｍｍ×８．５ｍｍ程度の大きさで、直方体の、
対向する２面であることが望ましく、さらに、フロント
エンド部への外来雑音の入射を抑えるために、上記直方
体の６面のうち、４面が閉じた構造の直方体であること
が望ましい。
【００１１】上記本発明の光半導体素子モジュールによ
れば、前記金属ケースのフランジをプリント基板へ直接
はんだ接続することにより、プリント基板取付用ブラケ
ットが不要となり、ネジ固定、かしめ固定が不要とな
る。その結果、組立工数の低減が実現できる。また、プ
リント基板と前記光半導体素子モジュールの接地の信頼
性が向上する。さらに、プリント基板と前記光半導体素
子モジュールの接触抵抗が低くなり、放熱効果、シール
ド効果向上により光半導体素子モジュールの光学的、電
気的特性の劣化を抑える。
れば、前記金属ケースのフランジをプリント基板へ直接
はんだ接続することにより、プリント基板取付用ブラケ
ットが不要となり、ネジ固定、かしめ固定が不要とな
る。その結果、組立工数の低減が実現できる。また、プ
リント基板と前記光半導体素子モジュールの接地の信頼
性が向上する。さらに、プリント基板と前記光半導体素
子モジュールの接触抵抗が低くなり、放熱効果、シール
ド効果向上により光半導体素子モジュールの光学的、電
気的特性の劣化を抑える。
【００１２】すなわち、本発明の放熱性に優れた構造に
より、ヒートシンク等の別部品を必要とすることなく、
光半導体素子モジュール、特に、発熱を伴う発光素子モ
ジュールの放熱効果を高め、光半導体素子モジュールの
特性劣化を抑えることができる。
より、ヒートシンク等の別部品を必要とすることなく、
光半導体素子モジュール、特に、発熱を伴う発光素子モ
ジュールの放熱効果を高め、光半導体素子モジュールの
特性劣化を抑えることができる。
【００１３】さらに、プリント基板に形成されたフロン
トエンド回路部を、直方体の内４面が閉じた構造で覆う
ように実装することにより、シールド板等の別部品を必
要とすることなく、シールド効果が向上し、光半導体素
子モジュールの光学的、電気的特性の劣化を抑えること
ができる。
トエンド回路部を、直方体の内４面が閉じた構造で覆う
ように実装することにより、シールド板等の別部品を必
要とすることなく、シールド効果が向上し、光半導体素
子モジュールの光学的、電気的特性の劣化を抑えること
ができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施の形
態により、具体的に説明する。
態により、具体的に説明する。
【００１５】図１は、フランジのはんだ付用端子として
挿入型つめ付及び放熱用金属フランジを有した光半導体
素子モジュールをプリント基板に実装した、本発明の第
１の実施の形態による光半導体装置の斜視図である。
挿入型つめ付及び放熱用金属フランジを有した光半導体
素子モジュールをプリント基板に実装した、本発明の第
１の実施の形態による光半導体装置の斜視図である。
【００１６】光半導体素子モジュール５は、光ファイバ
１と円筒型金属ケース６とアース及び入出力リード２か
ら構成されている。光半導体素子モジュール５の前記金
属ケース６には、挿入型つめ４ａが付いた放熱用金属フ
ランジ３ｂが一体的に設けられている。フランジ３ｂの
寸法は、実装性、放熱性を加味して、２０ｍｍ×２０ｍ
ｍ×８．５ｍｍ程度の大きさが必要である。
１と円筒型金属ケース６とアース及び入出力リード２か
ら構成されている。光半導体素子モジュール５の前記金
属ケース６には、挿入型つめ４ａが付いた放熱用金属フ
ランジ３ｂが一体的に設けられている。フランジ３ｂの
寸法は、実装性、放熱性を加味して、２０ｍｍ×２０ｍ
ｍ×８．５ｍｍ程度の大きさが必要である。
【００１７】光半導体素子モジュール５とプリント基板
７は、挿入部品用スルーホール１０ａに前記光半導体素
子モジュール５の挿入型つめ４ａを挿入しはんだ８にて
固定し、光半導体素子モジュール５のアース及び入出力
リード２を、プリント基板７の所定のパターンにはんだ
付け接続して光半導体装置とする。
７は、挿入部品用スルーホール１０ａに前記光半導体素
子モジュール５の挿入型つめ４ａを挿入しはんだ８にて
固定し、光半導体素子モジュール５のアース及び入出力
リード２を、プリント基板７の所定のパターンにはんだ
付け接続して光半導体装置とする。
【００１８】以上のように、光半導体素子モジュール５
を、プリント基板７に直接はんだ付けできるため、基板
取付用ブラケットが不要となる。また、ねじ固定、かし
め固定が不要となり、組立工数の低減が実現できる。
を、プリント基板７に直接はんだ付けできるため、基板
取付用ブラケットが不要となる。また、ねじ固定、かし
め固定が不要となり、組立工数の低減が実現できる。
【００１９】さらに、放熱効果が向上するので、光半導
体素子モジュールの光学的、電気的特性の劣化を抑える
ことが可能となる。本発明によれば従来例と比べた場
合、光半導体素子モジュールの放熱効果は、実測値で、
５℃程度温度上昇を抑えることができた。
体素子モジュールの光学的、電気的特性の劣化を抑える
ことが可能となる。本発明によれば従来例と比べた場
合、光半導体素子モジュールの放熱効果は、実測値で、
５℃程度温度上昇を抑えることができた。
【００２０】図２は、フランジのはんだ付用端子として
面実装型つめ付及び放熱用金属フランジを有した光半導
体素子モジュールをプリント基板に実装した、本発明の
第２の実施の形態による光半導体装置の斜視図である。
面実装型つめ付及び放熱用金属フランジを有した光半導
体素子モジュールをプリント基板に実装した、本発明の
第２の実施の形態による光半導体装置の斜視図である。
【００２１】光半導体素子モジュール５は、光ファイバ
１と円筒型金属ケース６とアース及び入出力リード２か
ら構成されている。光半導体素子モジュール５の前記金
属ケース６には、面実装型つめ４ｂが付いた放熱用金属
フランジ３ｂが、一体的に設けられている。フランジの
寸法３ｂは、実装性、放熱性を加味し２０ｍｍ×２０ｍ
ｍ×８．５ｍｍ程度の大きさが必要である。
１と円筒型金属ケース６とアース及び入出力リード２か
ら構成されている。光半導体素子モジュール５の前記金
属ケース６には、面実装型つめ４ｂが付いた放熱用金属
フランジ３ｂが、一体的に設けられている。フランジの
寸法３ｂは、実装性、放熱性を加味し２０ｍｍ×２０ｍ
ｍ×８．５ｍｍ程度の大きさが必要である。
【００２２】光半導体素子モジュール５とプリント基板
７は、プリント基板７の面付部品用パッド１０ｂに、前
記光半導体素子モジュール５の面実装型つめ４ｂをはん
だ８にて固定し、光半導体素子モジュール５のアース及
び入出力リード２を、プリント基板７の所定のパターン
にはんだ付け接続して光半導体装置とする。
７は、プリント基板７の面付部品用パッド１０ｂに、前
記光半導体素子モジュール５の面実装型つめ４ｂをはん
だ８にて固定し、光半導体素子モジュール５のアース及
び入出力リード２を、プリント基板７の所定のパターン
にはんだ付け接続して光半導体装置とする。
【００２３】その結果、図１と同様な効果が得られる上
に、面実装型つめ４ｂ使用によりプリント基板裏面の使
用が可能となり高密度実装が可能となる。
に、面実装型つめ４ｂ使用によりプリント基板裏面の使
用が可能となり高密度実装が可能となる。
【００２４】図３は、フランジのはんだ付用端子として
挿入型つめ付フランジ及びシールド用金属フランジを有
した光半導体素子モジュールをプリント基板に実装し
た、本発明の第３の実施の形態による光半導体装置の斜
視図である。
挿入型つめ付フランジ及びシールド用金属フランジを有
した光半導体素子モジュールをプリント基板に実装し
た、本発明の第３の実施の形態による光半導体装置の斜
視図である。
【００２５】光半導体素子モジュール５は、光ファイバ
１と円筒型金属ケース６とアース及び入出力リードから
構成されている。光半導体素子モジュール５の前記金属
ケース６には、挿入型つめ４ａ、シールド用金属フラン
ジ３ｃが一体的に設けられている。シールド用金属フラ
ンジ３ｃの寸法は、フロントエンド部をシールドするた
めに２０ｍｍ×２０ｍｍ×８．５ｍｍ程度の大きさが必
要である。
１と円筒型金属ケース６とアース及び入出力リードから
構成されている。光半導体素子モジュール５の前記金属
ケース６には、挿入型つめ４ａ、シールド用金属フラン
ジ３ｃが一体的に設けられている。シールド用金属フラ
ンジ３ｃの寸法は、フロントエンド部をシールドするた
めに２０ｍｍ×２０ｍｍ×８．５ｍｍ程度の大きさが必
要である。
【００２６】光半導体素子モジュール５とプリント基板
７は、挿入部品用スルーホール１０ａに前記光半導体素
子モジュール５の挿入型つめ４ａを挿入しはんだ８にて
固定し、光半導体素子モジュール５のアース及び入出力
リード２を、プリント基板７の所定のパターンにはんだ
付け接続して光半導体装置とする。
７は、挿入部品用スルーホール１０ａに前記光半導体素
子モジュール５の挿入型つめ４ａを挿入しはんだ８にて
固定し、光半導体素子モジュール５のアース及び入出力
リード２を、プリント基板７の所定のパターンにはんだ
付け接続して光半導体装置とする。
【００２７】その結果、ねじ固定、かしめ固定が不要と
なり、組立工数の低減が実現できる。
なり、組立工数の低減が実現できる。
【００２８】さらに、光受信装置の場合、受光素子モジ
ュール及びそれに続く前置増幅器で構成されるフロント
エンド部への外来雑音の入射を抑えることができ、受光
素子モジュールの電気的特性の劣化を抑えることが可能
となる。これについては、図５及び図６によりさらに詳
細に述べるが、本発明によれば、従来例と比べた場合、
光受信器の場合、誤り率１／１０10において最小受信感
度特性が約１ｄＢ向上する。
ュール及びそれに続く前置増幅器で構成されるフロント
エンド部への外来雑音の入射を抑えることができ、受光
素子モジュールの電気的特性の劣化を抑えることが可能
となる。これについては、図５及び図６によりさらに詳
細に述べるが、本発明によれば、従来例と比べた場合、
光受信器の場合、誤り率１／１０10において最小受信感
度特性が約１ｄＢ向上する。
【００２９】図４は、フランジのはんだ付用端子として
面実装型つめ付フランジ及びシールド板付金属フランジ
を有した光半導体素子モジュールをプリント基板に実装
した、本発明の第４の実施の形態による光半導体装置の
斜視図である。
面実装型つめ付フランジ及びシールド板付金属フランジ
を有した光半導体素子モジュールをプリント基板に実装
した、本発明の第４の実施の形態による光半導体装置の
斜視図である。
【００３０】光半導体素子モジュール５は、光ファイバ
１と円筒型金属ケース６とアース及び入出力リードから
構成されている。光半導体素子モジュール５の前記金属
ケース６には、面実装型つめ４ｂ、シールド用金属フラ
ンジ３ｃを有した構造である。シールド板の寸法はフロ
ントエンド部をシールドするために２０ｍｍ×２０ｍｍ
×８．５ｍｍ程度必要である。
１と円筒型金属ケース６とアース及び入出力リードから
構成されている。光半導体素子モジュール５の前記金属
ケース６には、面実装型つめ４ｂ、シールド用金属フラ
ンジ３ｃを有した構造である。シールド板の寸法はフロ
ントエンド部をシールドするために２０ｍｍ×２０ｍｍ
×８．５ｍｍ程度必要である。
【００３１】光半導体素子モジュール５とプリント基板
７は、プリント基板７の面付部品用パッド１０ｂに、前
記光半導体素子モジュール５の面実装型つめ４ｂをはん
だ８にて固定し、光半導体素子モジュール５のアース及
び入出力リード２を、プリント基板７の所定のパターン
にはんだ付け接続して光半導体装置とする。
７は、プリント基板７の面付部品用パッド１０ｂに、前
記光半導体素子モジュール５の面実装型つめ４ｂをはん
だ８にて固定し、光半導体素子モジュール５のアース及
び入出力リード２を、プリント基板７の所定のパターン
にはんだ付け接続して光半導体装置とする。
【００３２】その結果、図３と同様な効果が得られる上
に、面実装型つめ４ｂ使用によりプリント基板裏面の使
用が可能となり高密度実装が可能となる。
に、面実装型つめ４ｂ使用によりプリント基板裏面の使
用が可能となり高密度実装が可能となる。
【００３３】さて、図５は、光受信装置５Ｒの機能を示
すブロック図である。伝送されてきた光入力信号は、フ
ロントエンド部５０の受光素子５１で光電変換され、前
置増幅器５２により増幅される。さらに、等化増幅器５
３により等化増幅され、一方は全波整流回路５４、タイ
ミング抽出回路５５によりクロック信号を抽出する。抽
出クロックは、リミット増幅器５６で増幅し出力する。
等化増幅器５３により等化増幅された他方は、上記クロ
ック信号により、識別再生器５７においてデータに復元
される。この光受信装置５Rにおいて破線で示したフロ
ントエンド部５０は、外来雑音の入射の影響を受けやす
い部分であるが、図３及び図４に示す実施の形態では、
このフロントエンド部５０を、放熱用フランジ３b及び
シールド用フランジ３c並びに円筒型金属ケース面３d
の、４つの面により覆う構造としたしので、耐雑音特性
を大幅に改善できる。
すブロック図である。伝送されてきた光入力信号は、フ
ロントエンド部５０の受光素子５１で光電変換され、前
置増幅器５２により増幅される。さらに、等化増幅器５
３により等化増幅され、一方は全波整流回路５４、タイ
ミング抽出回路５５によりクロック信号を抽出する。抽
出クロックは、リミット増幅器５６で増幅し出力する。
等化増幅器５３により等化増幅された他方は、上記クロ
ック信号により、識別再生器５７においてデータに復元
される。この光受信装置５Rにおいて破線で示したフロ
ントエンド部５０は、外来雑音の入射の影響を受けやす
い部分であるが、図３及び図４に示す実施の形態では、
このフロントエンド部５０を、放熱用フランジ３b及び
シールド用フランジ３c並びに円筒型金属ケース面３d
の、４つの面により覆う構造としたしので、耐雑音特性
を大幅に改善できる。
【００３４】図６は、図３あるいは図４に示す構造、す
なわち、プリント基板へのはんだ接続が可能であり、受
光素子モジュール及び後段の前置増幅器で構成されるフ
ロントエンド部を外来雑音の入射から抑える２０ｍｍ×
２０ｍｍ×８．５ｍｍ程度のシールド板付フランジを前
記金属ケースに有した受光素子モジュールをプリント基
板に実装した光半導体装置の最小受信感度特性を、受光
パワー対ビット誤り率（ビットエラーレート）で表わし
たものである。
なわち、プリント基板へのはんだ接続が可能であり、受
光素子モジュール及び後段の前置増幅器で構成されるフ
ロントエンド部を外来雑音の入射から抑える２０ｍｍ×
２０ｍｍ×８．５ｍｍ程度のシールド板付フランジを前
記金属ケースに有した受光素子モジュールをプリント基
板に実装した光半導体装置の最小受信感度特性を、受光
パワー対ビット誤り率（ビットエラーレート）で表わし
たものである。
【００３５】伝送速度６２２Ｍｂｉｔ／ｓ、受光波長１
５５０ｎｍ、符号形式ＮＲＺ、ＰＮ２３段、マーク率５
０％の条件で受光素子モジュールにアバランシェフォト
ダイオードを使用したＳＤＨ用の半導体装置の最小受信
感度特性である。本発明によれば従来の光半導体素子モ
ジュールに対し最小受信感度特性が約１ｄＢ向上する。
５５０ｎｍ、符号形式ＮＲＺ、ＰＮ２３段、マーク率５
０％の条件で受光素子モジュールにアバランシェフォト
ダイオードを使用したＳＤＨ用の半導体装置の最小受信
感度特性である。本発明によれば従来の光半導体素子モ
ジュールに対し最小受信感度特性が約１ｄＢ向上する。
【００３６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、光
半導体装置において光半導体素子モジュールに一体的に
設けたフランジとプリント基板の導体部とをはんだ接続
することにより、固定が簡単かつ強固なものとなり、部
品点数の低減により組立工数が低減できる。
半導体装置において光半導体素子モジュールに一体的に
設けたフランジとプリント基板の導体部とをはんだ接続
することにより、固定が簡単かつ強固なものとなり、部
品点数の低減により組立工数が低減できる。
【００３７】上記フランジを、発熱する発光素子モジュ
ールの放熱性を高める大きさ、例えば、２０ｍｍ×２０
ｍｍ×８．５ｍｍ程度とすることにより、放熱効果が向
上する。
ールの放熱性を高める大きさ、例えば、２０ｍｍ×２０
ｍｍ×８．５ｍｍ程度とすることにより、放熱効果が向
上する。
【００３８】さらに、受光素子及び後段の前置増幅器で
構成される小信号のフロントエンド部を外来雑音の入射
を抑える２０ｍｍ×２０ｍｍ×８．５ｍｍ程度のシール
ド板付フランジを、前記金属ケースに一体的に設けるこ
とにより、放熱効果とともにシールド効果が向上する。
従って、光半導体素子モジュールの光学的、電気的特性
の劣化を抑えることが可能である。
構成される小信号のフロントエンド部を外来雑音の入射
を抑える２０ｍｍ×２０ｍｍ×８．５ｍｍ程度のシール
ド板付フランジを、前記金属ケースに一体的に設けるこ
とにより、放熱効果とともにシールド効果が向上する。
従って、光半導体素子モジュールの光学的、電気的特性
の劣化を抑えることが可能である。
【図１】本発明の第１の実施の形態による光半導体素子
モジュール及び光半導体装置の斜面図。
モジュール及び光半導体装置の斜面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態による光半導体素子
モジュール及び光半導体装置の斜面図。
モジュール及び光半導体装置の斜面図。
【図３】本発明の第３の実施の形態による光半導体素子
モジュール及び光半導体装置の斜面図。
モジュール及び光半導体装置の斜面図。
【図４】本発明の第４の実施の形態による光半導体素子
モジュール及び光半導体装置の斜面図。
モジュール及び光半導体装置の斜面図。
【図５】光受信装置の機能ブロック図。
【図６】本発明及び従来技術による光受信装置の伝送特
性を示すグラフ。
性を示すグラフ。
【図７】従来の光半導体素子モジュールの上面図。
【図８】従来の光半導体装置の斜視図。
１…光ファイバ、２…アース及び入出力リード、３ａ…
金属フランジ、３ｂ…放熱用金属フランジ、３ｃ…シー
ルド用金属フランジ、４ａ…挿入型つめ、４ｂ…面実装
型つめ、５…光半導体素子モジュール、６…円筒型金属
ケース、７…プリント基板、８…はんだ、９…光半導体
素子モジュール固定用取付穴、１０ａ…挿入部品用スル
ーホール、１０ｂ…面付部品用パッド、１１…固定用ね
じ、１２…金属ケース
金属フランジ、３ｂ…放熱用金属フランジ、３ｃ…シー
ルド用金属フランジ、４ａ…挿入型つめ、４ｂ…面実装
型つめ、５…光半導体素子モジュール、６…円筒型金属
ケース、７…プリント基板、８…はんだ、９…光半導体
素子モジュール固定用取付穴、１０ａ…挿入部品用スル
ーホール、１０ｂ…面付部品用パッド、１１…固定用ね
じ、１２…金属ケース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/12 (72)発明者 相坂 幸 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 明石 光央 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 畑農 督 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内
Claims (4)
- 【請求項１】光ファイバと光半導体素子とが光学結合し
た部分を金属ケースに収納した光半導体素子モジュール
において、前記金属ケースに一体的に、プリント基板へ
のはんだ接続が可能な端子を有するフランジを設けたこ
とを特徴とする光半導体素子モジュール。 - 【請求項２】光ファイバと光発光素子とが光学結合した
部分を金属ケースに収納した光半導体素子モジュールに
おいて、前記金属ケースに、前記発光素子の放熱性を高
める大きさのフランジと、プリント基板へのはんだ接続
が可能な端子を有するフランジとを設けたことを特徴と
する光半導体素子モジュール。 - 【請求項３】光ファイバと光受光素子とが光学結合した
部分を金属ケースに収納した光半導体素子モジュールに
おいて、前記金属ケースに、プリント基板上の前記受光
素子及び次段の前置増幅器で構成される小信号のフロン
トエンド部を覆う、直方体の内４面が閉じたシールド板
となるフランジと、プリント基板へのはんだ接続が可能
な端子とを有することを特徴とする光半導体素子モジュ
ール。 - 【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれかに記載
の光半導体素子モジュールの、はんだ付け接続可能な端
子をプリント基板にはんだ付け接続するとともに、光半
導体素子のリードをプリント基板に電気的接続すること
により実装したことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9351588A JPH11183758A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 光半導体素子モジュール及び光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9351588A JPH11183758A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 光半導体素子モジュール及び光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11183758A true JPH11183758A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18418293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9351588A Withdrawn JPH11183758A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 光半導体素子モジュール及び光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11183758A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1111678A1 (en) * | 1999-12-22 | 2001-06-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electronic apparatus |
| US7171128B2 (en) | 2001-10-25 | 2007-01-30 | Opnext Japan, Inc. | Optical signal receiving module, optical signal receiver and optical fiber communication equipment |
| JP2007232888A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Stanley Electric Co Ltd | 光ファイバ接続構造 |
| US8853739B2 (en) | 2011-06-23 | 2014-10-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Pressure contact semiconductor device |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP9351588A patent/JPH11183758A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1111678A1 (en) * | 1999-12-22 | 2001-06-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electronic apparatus |
| US6806561B2 (en) | 1999-12-22 | 2004-10-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electronic apparatus |
| US7171128B2 (en) | 2001-10-25 | 2007-01-30 | Opnext Japan, Inc. | Optical signal receiving module, optical signal receiver and optical fiber communication equipment |
| JP2007232888A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Stanley Electric Co Ltd | 光ファイバ接続構造 |
| JP4739987B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-08-03 | 株式会社フジクラ | 光ファイバ接続構造及び光ファイバ接続方法 |
| US8853739B2 (en) | 2011-06-23 | 2014-10-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Pressure contact semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050301 |